关于无机薄膜材料与制备技术课件
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无机膜材料制备研究进展PPT课件
✓450℃下,H2 维持较高渗透速率 >500h
Yi Hua Ma, et al, U. S. Patent 61572987, 2000
Yi Hua Ma, et al, Ind.Eng.Chem.Res.2004.43.2936
2.4 化学镀+CVD制备Pd膜
Electroless plating
2.3 化学镀Pd-Cu膜
In-situ oxidation
activation
bare PSS
oxidized PSS
oxidized and activated PSS
Electroless plating
Pd / PSS (PSS——porous stainless steel)
Pd-Cu / PSS
Yi Hua Ma, et al, U. S. Patent 61562987, 2000
Yi Hua Ma, et al, Ind.Eng.Chem.Res., 2004,43,2936
2.3 化学镀Pd-Cu膜
PSS Pd-Cu membrane
Oxide barrier ✓350~450℃下稳定 >6000h
3.4 其他进展
➢ 光催化沉积制备Pd膜; ➢ 分子自组装制备沸石膜; ➢ 相转化与烧结联用制备混合导体陶瓷
中空纤维膜
15
学习总结
经常不断地学习,你就什么都知道。你知道得越多,你就越有力量 Study Constantly, And You Will Know Everything. The More
2
1.2 无机膜材料的制备方法
固态粒子烧结法 溶胶-凝胶法 物理气相沉积 化学气相沉积
阳极氧化法 相分离-沥滤法
Yi Hua Ma, et al, U. S. Patent 61572987, 2000
Yi Hua Ma, et al, Ind.Eng.Chem.Res.2004.43.2936
2.4 化学镀+CVD制备Pd膜
Electroless plating
2.3 化学镀Pd-Cu膜
In-situ oxidation
activation
bare PSS
oxidized PSS
oxidized and activated PSS
Electroless plating
Pd / PSS (PSS——porous stainless steel)
Pd-Cu / PSS
Yi Hua Ma, et al, U. S. Patent 61562987, 2000
Yi Hua Ma, et al, Ind.Eng.Chem.Res., 2004,43,2936
2.3 化学镀Pd-Cu膜
PSS Pd-Cu membrane
Oxide barrier ✓350~450℃下稳定 >6000h
3.4 其他进展
➢ 光催化沉积制备Pd膜; ➢ 分子自组装制备沸石膜; ➢ 相转化与烧结联用制备混合导体陶瓷
中空纤维膜
15
学习总结
经常不断地学习,你就什么都知道。你知道得越多,你就越有力量 Study Constantly, And You Will Know Everything. The More
2
1.2 无机膜材料的制备方法
固态粒子烧结法 溶胶-凝胶法 物理气相沉积 化学气相沉积
阳极氧化法 相分离-沥滤法
09无机膜的制备(共33张)
§8.2 有机和高聚物辅助的新型陶瓷(táocí)工艺 制备多孔陶瓷(táocí)支撑膜和微滤膜
挤压成型机示意图
第17页,共33页。
§8.2 有机和高聚物辅助的新型陶瓷(táocí)工 艺制备多孔陶瓷(táocí)支撑膜和微滤膜
陶瓷粉体 20~100mm
有机添加物 如纤维素衍 生物,淀粉
混 合 加水练泥 坯料陈腐
多孔陶瓷管
烧成
挤压成型
挤压成型法工艺流程图
第18页,共33页。
§8.2 有机和高聚物辅助的新型陶瓷(táocí)工艺 制备多孔陶瓷(táocí)支撑膜和微滤膜
第19页,共33页。
§8.2 有机和高聚物辅助(fǔzhù)的新型陶瓷工艺 制备多孔陶瓷支撑膜和微滤膜 -
稳定悬浮液的制备 多孔支撑体上浸浆成膜 湿膜的干燥 热处理
第八章 无机 膜的制备 (wújī)
第1页,共33页。
§8.1 概 论
1. 无机膜及发展概况(gàikuàng) —— 隔膜,是把两个物相空间隔开而又
使之互相关联、发生质量和能量传输过程 的一个中间介入相。
—— 固态、液态和气态。 —— 致密,多孔。
第2页,共33页。
§8.1 概 论
十八世纪电器改变了整个工业过程,而 20世纪膜技术将改变整个面貌。目前没有 一项技术能向膜技术那么(nà me)广泛地应用。
无电极电镀 将基体材料浸入适当的镀液中, 多孔基体上如Pd、Pd基
法
通过氧化还原反应形成涂层
合金,Cu、Ni等金属膜
第15页,共33页。
§7.2 有机和高聚物辅助的新型(xīnxíng)陶瓷工 艺制备多孔陶瓷支撑膜和微滤膜
表面活性剂: 粘结剂: 润饰剂,增稠剂,流变助剂,
第二章薄膜的制备ppt课件
在信息显示技术中的应用
在信息存贮技术中的应用
• 第二是在集成电路等电子工业中的应用, 其中,从外延薄膜的生长这一结晶学角 度看也具有显著的成果。
在计算机技术中的应用
在计算机技术中的应用
• 第三是对材料科学的贡献。薄漠制 备是在非平衡状态下进行,和通常的热 力学平衡条件制备材料相比具有:所得 材料的非平衡特征非常明显;可以制取普 通相图中不存在的物质;在低温下可以制 取热力学平衡状态下必须高温才能生成 的物质等优点。
薄膜的主要特性
• 材料薄膜化后,呈现出的一部分主要特性:
•
几何形状效应
• 块状合成材料一般使用粉末的最小尺寸为 纳米至微米,而薄膜是由尺寸为1埃左右的原子
或分子逐渐生长形成的。采用薄膜工艺可以研
制出块材工艺不能获得的物质(如超晶格材料),
在开发新材料方面,薄膜工艺已成为重要的手
段之一。
非热力学平衡过程
无机薄膜制备工艺
• 单晶薄膜、多晶薄膜和非晶态薄膜在现代微 电子工艺、半导体光电技术、太阳能电池、光纤 通讯、超导技术和保护涂层等方面发挥越来越大 的作用。特别是在电子工业领域里占有极其重要 的地位,例如半导体集成电路、电阻器、电容器、 激光器、磁带、磁头都应用薄膜。
• 薄膜制备工艺包括:薄膜制备方法的选择; 基体材料的选择及表面处理;薄膜制备条件的选 择;结构、性能与工艺参数的关系等。
(2)双蒸发源蒸镀——三温度法
三温度-分子束外延法主要是用 于制备单晶半导体化合物薄膜。从 原理上讲,就是双蒸发源蒸镀法。 但也有区别,在制备薄膜时,必须 同时控制基片和两个蒸发源的温度, 所以也称三温度法。
三温度法 是制备化合物 半导体的一种 基本方法,它 实际上是在V族 元素气氛中蒸 镀Ⅲ族元素, 从这个意义上 讲非常类似于 反应蒸镀。图 示就是典型的 三温度法制备 GaAs单晶薄膜 原理。
第三章薄膜制备技术ppt课件
化学气相沉积,包括低压化学气相沉积(low pressure CVD,LPCVD)、离子增强型气相沉积(plasma enhanced (assisted) CVD,PECVD,PACVD)、常压化学气相沉积(atmosphere pressure CVD,APCVD)、金属有机物气相沉积(MOCVD)和微波电子回旋共振化学气相沉积(Microwave Electron cyclotron resonance chemical vapor deposition, MW-ECR-CVD)等。
分子束外延是在超高真空条件下精确控制源材料的中性分子束强度,并使其在加热的基片上进行外延生长的一种技术。从本质上讲,分子束外延也属于真空蒸发方法,但 与传统真空蒸发不同的是,分子束外延系统具有超高真空,并配有原位监测和分析系统,能够获得高质量的单晶薄膜。
2、溅射法 荷能粒子轰击固体材料靶,使固体原子从表面射出,这些原子具有一定的动能和方向性。在原子射出的方向上放上基片,就可在基片上形成一层薄膜,这种制备薄膜的方法叫做溅射法。 溅射法属于物理气相沉积(PVD),射出的粒子大多处于原子状态,轰击靶材料的荷能粒子一般是电子、离子和中性粒子。
3.1.2 化学气相沉积 (chemical vapor deposition )
化学气相沉积:一定化学配比的反应气体,在特定激活条件下(一般是利用加热、等离子体和紫外线等各种能源激活气态物质),通过气相化学反应生成新的膜层材料沉积到基片上制取膜层的一种方法。 Chemical vapor deposition (CVD) is a chemical process often used in the semiconductor industry for the deposition of thin films of various materials.
分子束外延是在超高真空条件下精确控制源材料的中性分子束强度,并使其在加热的基片上进行外延生长的一种技术。从本质上讲,分子束外延也属于真空蒸发方法,但 与传统真空蒸发不同的是,分子束外延系统具有超高真空,并配有原位监测和分析系统,能够获得高质量的单晶薄膜。
2、溅射法 荷能粒子轰击固体材料靶,使固体原子从表面射出,这些原子具有一定的动能和方向性。在原子射出的方向上放上基片,就可在基片上形成一层薄膜,这种制备薄膜的方法叫做溅射法。 溅射法属于物理气相沉积(PVD),射出的粒子大多处于原子状态,轰击靶材料的荷能粒子一般是电子、离子和中性粒子。
3.1.2 化学气相沉积 (chemical vapor deposition )
化学气相沉积:一定化学配比的反应气体,在特定激活条件下(一般是利用加热、等离子体和紫外线等各种能源激活气态物质),通过气相化学反应生成新的膜层材料沉积到基片上制取膜层的一种方法。 Chemical vapor deposition (CVD) is a chemical process often used in the semiconductor industry for the deposition of thin films of various materials.
第三章 薄膜材料的主要制备方法ppt课件
温成膜
化学工业,光学工业, 电子工业
与下述放电(等离子体) 聚合的应用相近,特别 是可满足要求更高的局 部处理,如精细线的光 扫描聚合等
放电(等离子 体)聚合
采用低温等离子体,激发 能量的变化范围宽,可以 制备各种不同的膜层,应 用对象范围宽
蒸发模式多样,生成机制复杂
适用对象广泛,各种类 型的聚合物,桥架反应, 保护膜,分离膜,光学 膜,电子材料膜,耐磨 抗蚀膜等
杂质混入少
类的组合、选择等受到限制
化学保护,提高电学性 能,提高光学性能,装 饰效果,提高与生物体 的适应性,赋予传感功 能等
干
聚合反应
同上。可促进反应的进行
式
既可进行局部处理,又可
法
光聚合反应 (CVD)
进行大面积处理,激发能
量小,能量的变化范围小, 对膜层的损伤范围小,生
需要对光源进行选择
成膜中的杂质少,可在低
材料不能成膜
箔,装饰,玩具等
.
方 法 化学的制模法
优点
缺点
主要应用
热分解法
装置简单
整个反应系统处于高温。膜厚控 制困难,难以通过掩模形成所需 要的图形
化学工业,光学工业, 电子工业
气相反应法 装置简单
同上
保护膜,表面钝化膜, 装饰,耐磨抗蚀
吸附反应
不需要溶剂,蒸发能量小, 膜层的生长速率低,反应气体种
图3.32 半导体材料的平衡蒸气压随 温度的变化曲线
.
真空蒸发装置
真空蒸发所使用的设备根据目的不同可能有很大的差别,从简单的 电阻加热蒸镀到极为复杂的分子束外延设备都属于真空蒸发沉积的范畴。 在蒸发沉积装置中,最重要的是蒸发源,根据其加热原理可以分为以下 几种:
《薄膜材料与技术》课件
Part One
单击添加章节标题
Part Two
薄膜材料的种类
金属薄膜
铝薄膜:广泛 应用于包装、
电子等领域
铜薄膜:常用 于电子电路、 太阳能电池等
领域
镍薄膜:常用 于电子电路、
电池等领域
钛薄膜:常用 于航空航天、 生物医学等领
域
塑料薄膜
聚乙烯薄膜:广泛应用于食品包装、药品包装等领域 聚丙烯薄膜:具有较好的耐热性和耐化学性,常用于包装和印刷 聚氯乙烯薄膜:具有良好的耐候性和耐化学性,常用于建筑和工业领域 聚酯薄膜:具有良好的耐热性和耐化学性,常用于包装和印刷
面的研究
研究目标:开发具有优异性 能的新型薄膜材料
研究意义:推动薄膜技术的 发展,提高薄膜材料的性能
和应用范围
薄膜材料在新能源领域的应用研究
储能电池:薄膜材料作为储 能电池的电极,提高能量存 储密度
燃料电池:薄膜材料作为燃 料电池的电极,提高电化学 反应效率
太阳能电池:薄膜材料作为 太阳能电池的基底,提高光 电转换效率
超级电容器:薄膜材料作为 超级电容器的电极,提高能
量存储和释放速度
热电材料:薄膜材料作为热 电材料的基底,提高热电转
换效率
光热材料:薄膜材料作为光 热材料的基底,提高光热转
换效率
薄膜材料在其他领域的应用研究
电子领域:薄膜材料在电子设备中的广泛应用,如薄膜太阳能电池、薄膜显示器等
光学领域:薄膜材料在光学器件中的应用,如薄膜光学镜片、薄膜光学传感器等 生物医学领域:薄膜材料在生物医学领域的应用,如薄膜生物传感器、薄膜药物载体等 环境领域:薄膜材料在环境领域的应用,如薄膜空气净化器、薄膜水处理设备等
力学特性
弹性模量:薄膜 材料的弹性模量 通常较小,易于 弯曲和变形
薄膜材料简介PPT课件
第30页/共42页
薄膜材料技术的研究内容
薄膜材料的体系、性能与应用
第31页/共42页
早期的薄膜制备方法
Old preparation procedures include: Dipping Spraying Painting Electro-deposition ………
第32页/共42页
无机膜、有机膜、复合膜; • 按相组成分为:
固体薄膜、液体薄膜、气体薄膜、胶体薄膜; • 按晶体形态分为:
单晶膜、多晶膜、微晶膜、 纳米晶膜、超晶格膜等。
第5页/共42页
按薄膜的功能及其应用分为:
• 光学薄膜:高反/减反涂层、光记录介质、光波导 • 电学薄膜:绝缘薄膜、导电薄膜、半导体器件 • 磁学薄膜:磁记录介质 • 机械薄膜:耐磨涂层(硬质膜、润滑膜 ) • 化学薄膜:防氧化或防腐蚀涂层、扩散阻挡层
第33页/共42页
Example: A coater for tool coatings
第34页/共42页
A coater line for CDs and DVDs
第35页/共42页
A coating system for hard disks
第36页/共42页
A clustered coating system for IC
第37页/共42页
A coater for flat panel displays
第38页/共42页
A commercial CVD equipment for film deposition on Si wafers in semiconductor industry
K.L. Choy / Progress in Materials Science 48 (2003) 57–170
薄膜材料技术的研究内容
薄膜材料的体系、性能与应用
第31页/共42页
早期的薄膜制备方法
Old preparation procedures include: Dipping Spraying Painting Electro-deposition ………
第32页/共42页
无机膜、有机膜、复合膜; • 按相组成分为:
固体薄膜、液体薄膜、气体薄膜、胶体薄膜; • 按晶体形态分为:
单晶膜、多晶膜、微晶膜、 纳米晶膜、超晶格膜等。
第5页/共42页
按薄膜的功能及其应用分为:
• 光学薄膜:高反/减反涂层、光记录介质、光波导 • 电学薄膜:绝缘薄膜、导电薄膜、半导体器件 • 磁学薄膜:磁记录介质 • 机械薄膜:耐磨涂层(硬质膜、润滑膜 ) • 化学薄膜:防氧化或防腐蚀涂层、扩散阻挡层
第33页/共42页
Example: A coater for tool coatings
第34页/共42页
A coater line for CDs and DVDs
第35页/共42页
A coating system for hard disks
第36页/共42页
A clustered coating system for IC
第37页/共42页
A coater for flat panel displays
第38页/共42页
A commercial CVD equipment for film deposition on Si wafers in semiconductor industry
K.L. Choy / Progress in Materials Science 48 (2003) 57–170
无机材料合成与制备PPT课件
29
(3) 层岛复合(Stranski-Krastanov)生长模式:
在层岛复合生长模式下,最开始的一两个原子层的层状 生长之后,生长模式从层状模式转化为岛状模式,如上 图c所示。 导致这种模式转变的物理机制比较复杂,但根本的原因 应该可以归结为薄膜生长过程中各种能量的相互消长。 被列举出来解释这一生长模式的原因至少有以下三种:
一般来说,足够厚的薄膜的晶格结构与块体相同,只有在 超薄薄膜中其晶格常数才与块材时明显不同;
薄膜的晶体结构与沉积时吸附原子的迁移率有关,它可以 从完全无序,即无定形非晶膜过渡到高度有序的单晶膜, 即薄膜的晶体结构包括单晶、多晶和非晶结构(?)。
6
7
8
薄膜的四种典型组织形态:
在薄膜沉积的过程中,入射的气相原子首先会被衬底或薄 膜表面所吸附。若这些原子具有足够的能量,它们将在衬底或 薄膜表面进行一定的扩散(迁移),除了可能脱附的部分原子之 外,其他的原子将到达薄膜表面的某些低能位置并沉积下来。
10
11
形态1型:在温度很低、气体压力较高的情况 下,入射粒子的能量很低,这种情况下形成的 薄膜微观组织。
由于温度低,原子的表面扩散能力有限,沉积到衬底表面的 原子即已失去了扩散能力。导致沉积的薄膜组织呈现一种数十纳 米直径的细纤维状的组织形态,纤维内部陷密度很高或者就是非 晶态的结构;纤维间的结构明显疏松,存在着许多纳米尺寸的孔 洞。
示振荡频率变化与薄膜质量膜厚之间关系的基本公式。
24
电阻法:
由于电阻值与电阻的形状有关,利用这一原理来测量膜 厚的方法称为电阻法。
电阻法是测量金属薄膜厚度最简单的一种方法。测量原 理:金属导电膜的阻值随膜厚的增加而下降。
如果认为薄膜的电阻率与块状材料相同,则可由下式来 确定膜厚,即:
(3) 层岛复合(Stranski-Krastanov)生长模式:
在层岛复合生长模式下,最开始的一两个原子层的层状 生长之后,生长模式从层状模式转化为岛状模式,如上 图c所示。 导致这种模式转变的物理机制比较复杂,但根本的原因 应该可以归结为薄膜生长过程中各种能量的相互消长。 被列举出来解释这一生长模式的原因至少有以下三种:
一般来说,足够厚的薄膜的晶格结构与块体相同,只有在 超薄薄膜中其晶格常数才与块材时明显不同;
薄膜的晶体结构与沉积时吸附原子的迁移率有关,它可以 从完全无序,即无定形非晶膜过渡到高度有序的单晶膜, 即薄膜的晶体结构包括单晶、多晶和非晶结构(?)。
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8
薄膜的四种典型组织形态:
在薄膜沉积的过程中,入射的气相原子首先会被衬底或薄 膜表面所吸附。若这些原子具有足够的能量,它们将在衬底或 薄膜表面进行一定的扩散(迁移),除了可能脱附的部分原子之 外,其他的原子将到达薄膜表面的某些低能位置并沉积下来。
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形态1型:在温度很低、气体压力较高的情况 下,入射粒子的能量很低,这种情况下形成的 薄膜微观组织。
由于温度低,原子的表面扩散能力有限,沉积到衬底表面的 原子即已失去了扩散能力。导致沉积的薄膜组织呈现一种数十纳 米直径的细纤维状的组织形态,纤维内部陷密度很高或者就是非 晶态的结构;纤维间的结构明显疏松,存在着许多纳米尺寸的孔 洞。
示振荡频率变化与薄膜质量膜厚之间关系的基本公式。
24
电阻法:
由于电阻值与电阻的形状有关,利用这一原理来测量膜 厚的方法称为电阻法。
电阻法是测量金属薄膜厚度最简单的一种方法。测量原 理:金属导电膜的阻值随膜厚的增加而下降。
如果认为薄膜的电阻率与块状材料相同,则可由下式来 确定膜厚,即:
第5章 无机薄膜材料与制备技术 ppt课件
②反射膜 例如用于民用镜和太阳灶中抛物面太阳 能接收器的镀铝膜;用于大型天文仪器和精密光 学仪器中的镀膜反射镜;用于各类激光器的高反
射率膜(反射率可达99%以上)等等。
ppt课件
26
(3)硬质膜、耐蚀膜、润滑膜
①硬质膜 用于工具、模具、量具、刀具表面的TiN、 TiC、TiB2、(Ti, Al)N、Ti(C, N)等硬质膜,以及 金刚石薄膜、C3N4薄膜和c-BN薄膜。
ppt课件
8
设薄膜、基片都是导体,而且二者的费米能级不同, 由于薄膜的形成,从一方到另一方会发生电荷转移, 在界面上会形成带电的双层。此时,薄膜和基片之 间相互作用的静电力F为:
2
F
2 0
式中, 为界面上出现的电荷密度;
0 为真空中的介电常数。
要充分考虑这种力对附着的贡献。
费米能级是绝对零度时电子ppt课的件 最高能级.
• 金属是高表面能材料,而氧化物是低表面 能材料。
• 表面能的相对大小决定一种材料是否和另 一种材料相湿润并形成均匀黏附层。
• 具有非常低表面能的材料容易和具有较高 表面能的材料相湿润。反之,如果淀积材 料具有较高表面能,则它容易在具有较低 表面能衬底上形成原子团(俗称起球)。
ppt课件
11
• 氧化物具有特殊的作用。即使对一般的金属 来说不能牢固附着的塑料等基片上也能牢固 附着。
由于化合物薄膜的生长一般都包括化合与分解, 所以按照薄膜的生长 条件,其计量往往变化相当大。 如辉光放电法得到的a- Si1xOx : H 等,其 x (0 x 1) 可在很大范围内变化。 因此,把这样的成分偏离叫做非理想化学计量比。
ppt课件
17
(5)量子尺寸效应和界面隧道 穿透效应
射率膜(反射率可达99%以上)等等。
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(3)硬质膜、耐蚀膜、润滑膜
①硬质膜 用于工具、模具、量具、刀具表面的TiN、 TiC、TiB2、(Ti, Al)N、Ti(C, N)等硬质膜,以及 金刚石薄膜、C3N4薄膜和c-BN薄膜。
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设薄膜、基片都是导体,而且二者的费米能级不同, 由于薄膜的形成,从一方到另一方会发生电荷转移, 在界面上会形成带电的双层。此时,薄膜和基片之 间相互作用的静电力F为:
2
F
2 0
式中, 为界面上出现的电荷密度;
0 为真空中的介电常数。
要充分考虑这种力对附着的贡献。
费米能级是绝对零度时电子ppt课的件 最高能级.
• 金属是高表面能材料,而氧化物是低表面 能材料。
• 表面能的相对大小决定一种材料是否和另 一种材料相湿润并形成均匀黏附层。
• 具有非常低表面能的材料容易和具有较高 表面能的材料相湿润。反之,如果淀积材 料具有较高表面能,则它容易在具有较低 表面能衬底上形成原子团(俗称起球)。
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• 氧化物具有特殊的作用。即使对一般的金属 来说不能牢固附着的塑料等基片上也能牢固 附着。
由于化合物薄膜的生长一般都包括化合与分解, 所以按照薄膜的生长 条件,其计量往往变化相当大。 如辉光放电法得到的a- Si1xOx : H 等,其 x (0 x 1) 可在很大范围内变化。 因此,把这样的成分偏离叫做非理想化学计量比。
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(5)量子尺寸效应和界面隧道 穿透效应
第19章-无机膜制备化学-幻灯片
引言
美国官方文件曾说:“18世纪电器改变了整个工业过程, 而20世纪的膜技术将改变整个面貌,目前没有一项技术能 像膜一样广泛地应用”。
日本把膜技术作为21世纪基础技术进行研究与开发,早在 1987年东京国际膜会议上,明确指出:“21世纪的多数 工业中,膜分离技术扮演着战略角色”。
国际上有一种流行的说法,即“谁掌握了膜技术,谁就掌 握了化工的未来”。
19.1.3 无机膜制备技术
膜的传质分离性能取决于膜材料的物 理、化学和结构参数,这可以通过适当的 制备工艺及其参数调整,达到优化性能的 目的。
目前的制备方法有:粉体干压成型烧 结法、流延法、轧辊法、注浆成型法、挤 压成型法、溶胶-凝胶法等十多种方法。
表19-1无机膜结构与性能表征方法
表19-2 无机膜材料的制备方法一览表
H
M-OH+ M-OH →M-O-M-OH →M-O-M+H2O
2.无机聚合物溶胶的形成
应用聚合物溶胶制备溶胶-凝胶膜,其方式 与粒子溶胶颇为不同,在这类溶胶中,分 散相是由有机金属前驱体在有机介质中水 解缩合得到,大多数情况下,该过程涉及 到金属烷氧基化合物在醇中的聚合作用。
硅的烷氧化合物的水解与缩合反应速率比 较慢,因此需要碱或算催化剂
1.水溶液中粒子溶胶的形成
采用金属盐(或醇盐)为前驱体,溶于水后,在水介质中 的基本反应有以下三类:
(1)溶剂化 金属阳离子Mz+溶于水中,常为极性水分子所 包围,形成水(溶剂)合离子: Mz++:OH2→[M←OH2]z+
(2)水解反应 水合离子发生水解反应,相应发生电荷转移, 给出质子H+,其水解平衡式可写作: [MOH2]z+↔ [MOH]z-1+ H+ ↔ [M=O]z-2+2H+ 从上式看,水解平衡存在着三种类型的配位基:水合基 (MOH2);羟基MOH和氧化剂M=O。
美国官方文件曾说:“18世纪电器改变了整个工业过程, 而20世纪的膜技术将改变整个面貌,目前没有一项技术能 像膜一样广泛地应用”。
日本把膜技术作为21世纪基础技术进行研究与开发,早在 1987年东京国际膜会议上,明确指出:“21世纪的多数 工业中,膜分离技术扮演着战略角色”。
国际上有一种流行的说法,即“谁掌握了膜技术,谁就掌 握了化工的未来”。
19.1.3 无机膜制备技术
膜的传质分离性能取决于膜材料的物 理、化学和结构参数,这可以通过适当的 制备工艺及其参数调整,达到优化性能的 目的。
目前的制备方法有:粉体干压成型烧 结法、流延法、轧辊法、注浆成型法、挤 压成型法、溶胶-凝胶法等十多种方法。
表19-1无机膜结构与性能表征方法
表19-2 无机膜材料的制备方法一览表
H
M-OH+ M-OH →M-O-M-OH →M-O-M+H2O
2.无机聚合物溶胶的形成
应用聚合物溶胶制备溶胶-凝胶膜,其方式 与粒子溶胶颇为不同,在这类溶胶中,分 散相是由有机金属前驱体在有机介质中水 解缩合得到,大多数情况下,该过程涉及 到金属烷氧基化合物在醇中的聚合作用。
硅的烷氧化合物的水解与缩合反应速率比 较慢,因此需要碱或算催化剂
1.水溶液中粒子溶胶的形成
采用金属盐(或醇盐)为前驱体,溶于水后,在水介质中 的基本反应有以下三类:
(1)溶剂化 金属阳离子Mz+溶于水中,常为极性水分子所 包围,形成水(溶剂)合离子: Mz++:OH2→[M←OH2]z+
(2)水解反应 水合离子发生水解反应,相应发生电荷转移, 给出质子H+,其水解平衡式可写作: [MOH2]z+↔ [MOH]z-1+ H+ ↔ [M=O]z-2+2H+ 从上式看,水解平衡存在着三种类型的配位基:水合基 (MOH2);羟基MOH和氧化剂M=O。
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不同种物质原子之间最普遍的相互作用是范德
瓦耳斯力。这种力是永久偶极子、感应偶极子之 间的作用力以及其他色散力的总称。
设两个分子间的上述相互作用能为U,则U可 用下式表示:
U3a2Ara6B
IAIB IAIB
式中,r为分子间距离;a为分子的极化率;I为分 子的极化能;下标A、B分别表示A分子和B分子。 用范德瓦耳斯力成功地解释了许多附着现象。
• 像薄膜这种表面面积很大的固体,表面能级将会 对膜内电子输运状况有很大的影响。尤其是对薄 膜半导体表面电导和场效应产生很大的影响,从 而影响半导体器件性能。
(2)薄膜和基片的粘附性
• 薄膜是在基片之上生成的,基片和薄膜之间就会 存在着一定的相互作用,这种相互作用通常的表 现形式是附着(adhesion)。
关于无机薄膜材料与制备 技术
18.01.2021
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4.1 薄膜及其特性
• 一、 薄膜的定义及其特性 • 二、 薄膜材料的分类 • 三、 薄膜的结构特征与缺陷 • 四、 薄膜和基片
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一、 薄膜的定义及其特性
• 什么是“薄膜”(thin film),多“薄”的 膜才算薄膜?
• 薄膜有时与类似的词汇“涂层”(coating)、 “层”(layer)、“箔”(foil)等有相同 的意义,但有时又有些差别。
设薄膜、基片都是导体,而且二者的费米能级不同, 由于薄膜的形成,从一方到另一方会发生电荷转移, 在界面上会形成带电的双层。此时,薄膜和基片之 间相互作用的静电力F为:
F 2
2 0
式中, 为界面上出现的电荷密度;
0 为真空中的介电常数。 要充分考虑这种力对附着的贡献。
费米能级是绝对零度时电子的最高能级.
(4)异常结构和非理想化学计量比 特性
• 薄膜的制法多数属于非平衡状态的制取过 程,薄膜的结构不一定和相图相符合。
• 规定把与相图不相符合的结构称为异常结 构,不过这是一种准稳(亚稳)态结构, 但由于固体的粘性大,实际上把它看成稳 态也是可以的,通过加热退火和长时间的 放置还会慢慢地变为稳定状态。
• 在薄膜材料中还包含有大量的表面晶粒间界和 缺陷态,对电子输运性能也影响较大。
• 在基片和薄膜之间还存在有一定的相互作用, 因而就会出现薄膜与基片之间的粘附性和附着 力问题,以及内应力的问题。
(1)表面能级很大
• 表面能级指在固体的表面,原子周期排列的连续 性发生中断,电子波函数的周期性也受到影响, 把表面考虑在内的电子波函数已由塔姆(Tamm) 在1932年进行了计算,得到了电子表面能级或称 塔姆能级。
• 金属是高表面能材料,而氧化物是低表面 能材料。
• 表面能的相对大小决定一种材料是否和另 一种材料相湿润并形成均匀黏附层。
• 具有非常低表面能的材料容易和具有较高 表面能的材料相湿润。反之,如果淀积材 料具有较高表面能,则它容易在具有较低 表面能衬底上形成原子团(俗称起球)。
• 氧化物具有特殊的作用。即使对一般的金属 来说不能牢固附着的塑料等基片上也能牢固 附着。
• Si、Cr、Ti、W等易氧化(氧化物生成能大) 物质的薄膜都能比较牢固地附着。
• 若在上述这些物质的薄膜上再沉积金属等, 可以获得附着力非常大的薄膜。
• 为增加附着力而沉积在中间的过渡层薄膜称 为胶粘层(glue),合理地选择胶粘层在薄 膜的实际应用是极为重要的。
(3)薄膜中类,即固有应力 (或本征应力) 和非固有应力。固有应力来自 于薄膜中的缺陷,如位错。薄膜中非固有应力 主要来自薄膜对衬底的附着力。
化合物的计量比,一般来说是完全确定的。但是 多组元薄膜成分的计量比就未必如此了。
• 由于薄膜和衬底间不同的热膨胀系数和晶格失 配能够把应力引进薄膜,或者由于金属薄膜与 衬底发生化学反应时,在薄膜和衬底之间形成 的金属化合物同薄膜紧密结合,但有轻微的晶 格失配也能把应力引进薄膜。
• 一般说来,薄膜往往是在非常薄的基片上沉积的。 在这种情况下,几乎对所有物质的薄膜,基片都 会发生弯曲。
• 在溅射成膜过程中,薄膜的表面经常处于高速离 子以及中性粒子的轰击之下,在其他参数相同的 条件下,放电气压越低,这些高速粒子的能量越 大。与薄膜相碰撞的高速粒子会把薄膜中的原子 从阵点位置碰撞离位,并进入间隙位置,产生钉 扎效应(pinning effect)。
• 或者这些高速粒子自己进入晶格之中。这些都是 产生压应力的原因。因此,溅射薄膜中的内应力 与溅射条件的关系很密切。
• 薄膜的一个面附着在基片上并受到约束作用,因 此薄膜内容易产生应变。若考虑与薄膜膜面垂直 的任一断面,断面两侧就会产生相互作用力,这 种相互作用力称为内应力。
• 附着和内应力是薄膜极为重要的固有特征。
• 基片和薄膜属于不同种物质,附着现 象所考虑的对象是二者间的边界和界 面。
• 二者之间的相互作用能就是附着能, 附着能可看成是界面能的一种。附着 能对基片-薄膜间的距离微分,微分最 大值就是附着力。
实验结果表明:
• ①在金属薄膜-玻璃基片系统中,Au薄膜 的附着力最弱;
• ②易氧化元素的薄膜,一般说来附着力 较大;
• ③在很多情况下,对薄膜加热(沉积过 程中或沉积完成之后),会使附着力以 及附着能增加;
• ④基片经离子照射会使附着力增加。
• 一般来说,表面能是指建立一个新的表面 所需要的能量。
• 弯曲有两种类型:一种是弯曲的结果使薄膜成为 弯曲面的内侧,使薄膜的某些部分与其他部分之 间处于拉伸状态,这种内应力称为拉应力。
• 另一种是弯曲的结果使薄膜成为弯曲的外侧,它 使薄膜的某些部分与其他部分之间处于压缩状态, 这种内应力称为压应力。
• 如果拉应力用正数表示,则压应力就用负数表示。
• 真空蒸镀膜层的应力值情况比较复杂。
• 通常是把膜层无基片而能独立成形的厚度作 为薄膜厚度的一个大致的标准,规定其厚度 约在1µm左右。
薄膜材料的特殊性
• 同块体材料相比,由于薄膜材料的厚度很薄, 很容易产生尺寸效应,就是说薄膜材料的物性 会受到薄膜厚度的影响。
• 由于薄膜材料的表面积同体积之比很大,所以 表面效应很显著,表面能、表面态、表面散射 和表面干涉对它的物性影响很大。