模电基础知识
模电基础知识
1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。
2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7V；其门坎电压Vth约为0.5V 。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。
14、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
15、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
16、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。
17、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ增大，ICQ增大，UCEQ减小。
18、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。
模电基本知识点总结
模电基本知识点总结1. 电压、电流与电阻电压（Voltage）电压是电荷分布不均衡引起的力量，用来描述电子流动的驱动力。
单位是伏特（V）。
电流（Current）电流是电荷在单位时间内通过一点的数量。
电流的方向是电荷流动的方向。
单位是安培（A）。
电阻（Resistance）电阻是电流对流的阻碍程度。
电阻值的大小取决于导体的材料、长度和横截面积。
单位是欧姆（Ω）。
2. 基本电路元件电路电路是由电子元件、电源和导线等组成的电子元件的连接路径。
根据电流流动的方式，电路可以分为串联电路和并联电路。
电源电源是提供电压和电流的设备，可以是直流电源（如电池）或交流电源（如电网）。
电阻器电阻器是用来限制电流流动的元件。
根据电阻器的性质，可以分为可变电阻器和固定电阻器。
电容器电容器是由两个带电极板的导体之间的绝缘材料隔开的元件。
它可以存储电荷，具有储存和释放能量的特性。
电感器电感器是由线圈组成的元件。
当电流通过线圈时，会在其中产生磁场，导致电感器具有储存电能的特性。
3. 基本电路定律基尔霍夫定律基尔霍夫定律包括基尔霍夫电压定律和基尔霍夫电流定律。
•基尔霍夫电压定律（KVL）：在闭合电路中，电压源的代数和等于电阻器的总电压代数和。
•基尔霍夫电流定律（KCL）：在电路中的任何交汇点，进入该点的电流等于离开该点的电流之和。
欧姆定律欧姆定律描述了电压、电流和电阻之间的关系。
V = I * R其中，V代表电压，I代表电流，R代表电阻。
4. 放大器放大器是电子电路中常用的元件，用于放大信号。
常见的放大器有运放（Operational Amplifier）、晶体管放大器（Transistor Amplifier）等。
5. 滤波器滤波器用于滤除或选择特定频率范围的信号。
常见的滤波器有低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器等。
6. 集成电路集成电路是将多个电子元件集成在一块半导体板上的电路。
根据集成度的不同，集成电路可以分为小规模集成电路（Small-scale Integration, SSI）、中规模集成电路（Medium-scale Integration, MSI）和大规模集成电路（Large-scale Integration, LSI）。
模拟电子技术基础
模拟电子技术基础模拟电子技术基础（一）一、基础概念1. 电路电路是由电子元器件或者电气元件（例如，电阻、电容、电感等）连接而成，构成的电子装置。
电路分为直流电路和交流电路，其中直流电路的电流一般是恒定不变的，而交流电路的电流则是周期性变化的。
2. 元器件元器件是电路中最基本的构成单元，包括电阻、电容、电感等。
不同的元器件对电路中的电信号具有不同的影响。
例如，电阻会阻碍电流的流动，而电容则会将电信号存储下来，并释放出来。
3. 电压、电流和电阻电压是电路中电子流动的驱动力，也称电势差，通常用符号V表示。
电压越高，电流也相应地越大。
电压的单位是伏特（V）。
电流是电子在电路中流动的数量，通常用符号I表示。
电流的单位是安培（A）。
电阻是电路中阻碍电流流动的因素，通常用符号R表示。
电阻的单位是欧姆（Ω）。
电阻的大小越大，则电流通过电路的速度越慢。
4. 电路图电路图是用符号表示电路中各种元器件的图示。
通过电路图，我们可以识别电路中所使用的元器件，并了解电路中各元器件之间的连接关系。
二、基础元器件1. 电阻电阻是电路中最基本的元器件之一，其作用是阻碍电流的流动。
电阻的物理量是电阻值，通常用符号R表示。
电阻的单位是欧姆（Ω）。
电阻分为固定电阻和变阻器两种。
固定电阻一般以芯片电阻或线圈形式存在，主要是用来控制电路中的电流。
变阻器则被用来调节电路中电阻的大小。
2. 电容电容是能够将电能存储在其中的元器件。
电容器的物理量是电容值，通常用符号C表示。
电容的单位是法拉（F）。
电容一般分为电解电容和固体电容。
电解电容主要应用于大电容电路中，而固体电容一般应用于小电容电路中。
3. 电感电感是在电路中产生磁场并由此引起电动势的元器件。
电感的物理量是电感值，通常用符号L表示。
电感的单位是亨利（H）。
电感一般分为线圈电感和铁芯电感两种。
线圈电感主要应用于高频电路中，而铁芯电感则应用于低频电路中。
三、放大器放大器是一种能够放大电子信号的电路。
模电知识点总结讲义
模电知识点总结讲义第一部分：基本概念1. 电子元件电子元件是指能处理信息的基本部件，包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。
- 电阻：用于限制电流或降低电压的元件。
- 电容：用于储存电荷或储存能量的元件。
- 电感：用于储存磁场能量或阻碍电流变化的元件。
- 二极管：用于整流、开关、放大等功能的元件。
- 晶体管：用于放大、开关、稳压等功能的元件。
2. 电路电路是由电子元件连接而成的路径，用于传输电流或信号。
- 直流电路：电流方向不变的电路。
- 交流电路：电流方向时而正时而负的电路。
- 数字电路：用于处理数字信号的电路。
- 模拟电路：用于处理模拟信号的电路。
3. 电路分析电路分析是指根据电路中元件的特性和连接关系，计算电压、电流等参数的过程。
- 基尔霍夫定律：电路中各节点的电流代数和为零。
- 欧姆定律：电流与电压成正比，电阻是电压和电流的比值。
- 诺顿定理：任意线性电路均可用一个等效的电压源和串联电阻来替代。
- 戴维南定理：任意线性电路均可用一个等效的电流源和并联电阻来替代。
4. 信号处理信号是指传输信息的载体，信号处理是对信号进行增强、滤波、调制等操作的过程。
- 放大器：用于增强信号幅度的电路。
- 滤波器：用于去除或增强特定频率的电路。
- 调制器：用于将低频信号调制到高频载波上的电路。
第二部分：放大器1. 放大器类型- 基本放大器：包括共射、共集、共底极等类型。
- 差分放大器：用于抑制共模信号的放大器。
- 电压跟随器：用于输出跟随输入信号的放大器。
2. 放大器设计- 选型：根据放大器的功率、频率、噪声等性能要求选择适当的器件。
- 偏置：通过电阻、电容等元件来设置放大器工作点。
- 反馈：通过串联或并联的电阻、电容等元件来控制放大器的增益、带宽等性能。
3. 放大器应用- 信号放大：用于将传感器输出的微弱信号放大到可测量范围。
- 信号传输：用于增强信号以便传输到远处或驱动加载。
第三部分：滤波器1. 滤波器类型- 低通滤波器：允许低频信号通过，阻断高频信号。
模电基础知识
模电基础知识
模电基础知识是指模拟电子技术的基本理论和知识。
模拟电子技术是一门研究和应用模拟信号和电路的学科，主要涉及电路和系统的分析、设计和实现等方面。
以下是模电基础知识的一些主要内容：
1. 电路基本元件：电阻、电容、电感等元件是模电电路的基础。
了解元件的特性和使用方法是模电基础知识的重要部分。
2. 电路分析：电路分析是验证电路行为和性能的过程。
常用的分析方法包括基尔霍夫定律、欧姆定律、网孔分析、节点分析等。
3. 放大器：放大器是模电电路中常见的功能模块，用于放大信号。
学习放大器的基本类型、特性和性能指标，以及放大器的设计方法是模电基础知识的重要内容。
4. 滤波器：滤波器用于对信号进行滤波，分为低通、高通、带通和带阻滤波器等类型。
了解滤波器的原理、类型和设计方法是模电基础知识的重要内容。
5. 可编程集成电路：可编程集成电路（Programmable Integrated Circuits, PICs）是一种能够按照用户的需求改变功能的集成电路。
了解PICs的基本原理和应用是模电基础知识的
重要内容。
6. 双向传输门：双向传输门是一种能够扮演多变功能的集成电
路。
了解双向传输门的原理、应用和设计方法是模电基础知识的重要内容。
7. 信号声音：信号声音是模电电路中常见的一种信号处理技术。
了解信号声音的基本原理、应用和设计方法是模电基础知识的重要内容。
以上是模电基础知识的一些主要内容，掌握这些知识可以帮助理解和应用模拟电子技术。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模电基础知识
模电基础知识模电基础1.有源滤波器和无源滤波器的区别有源滤波器：电路主要由集成运放和R、C组成。
具有不用电感、体积小、重量轻的优点。
集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高，输出电阻小，构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。
但集成运放带宽有限，所以有源滤波电路的工作频率难以做的很高。
无源滤波器：电路主要有无源元件R、C、L组成。
（按内部是否有电源，或者看元件工作时是否消耗能量和将电能转换为其他电能量分为有源元件和无源元件）2.什么是负载？什么时带负载能力？把电能转换为其他形式的能量叫负载。
负载的变化对于电路输出特性（输出电压、输出电流）的影响很小，不会因负载的剧烈变化而变化，这就是电路的带负载能力。
3.什么是输入电阻和输出电阻？在独立源不作用（电压源短路、电流源开路）的情况下，由端口看入，电路可用一个等效电阻看待，这个等效电阻称为该电路的输入电阻Ri；从放大电路看入的等效内阻称为输出电阻Ro。
4.差模信号和共模信号两个大小相等、极性相反的一对信号称为差模信号。
两个大小相等、极性相同的一对信号称为共模信号。
在差动放大器中，有用信号用差模输入，干扰信号用共模输入，干扰信号将被抑制的很小。
5.阻抗匹配阻抗匹配指信号源或者传输线和负载之间的一种合适的搭配，阻抗匹配分为低频和高频两种情况讨论。
低频电路：负载电阻跟信号源内阻相等时，负载输出功率最大。
对于纯电阻电路，低、高频电路都适合此结论。
对于含有容性或感性电阻的交流电路，信号源与负载电阻的实部相等，虚部互为相反数，此为共轭匹配。
高频电路：负载阻抗和传输线的特征阻抗应该相等，这就是传输线的阻抗匹配。
否则在负载端会产生反射。
6.电压放大、电流放大、功率放大主要考虑的放大指标是什么，就叫什么放大。
例如只考虑输出功率与输入功率的关系，就叫功率放大，其实输出的还有电压。
7.晶体管工作在放大区、饱和区、截至区，发射结和集电结的偏置状况8.闩锁效应又称寄生pnpn效应或可控硅整流器效应，在整体硅的CMOS管下，不同极性掺杂的区域间都会构成PN结，而两个靠近的反方向的PN结就构成了一个双极性晶体三极管。
模电基础知识总结
模电基础知识总结导言模拟电子技术（Analog Electronics）是电子学的一个重要分支，包括分析和设计各种电子电路，以便于对在电子系统中表现为连续值的信号进行处理。
模拟电子技术是电子技术的核心内容之一，广泛应用于各种电子系统中。
本文将对模拟电子技术的基础知识进行总结。
电路基础电压、电流与电阻•电压：电荷的偏移量，单位为伏特（V）。
•电流：电荷单位时间通过导体的速度，单位为安培（A）。
•电阻：导体抵抗电流的能力，单位为欧姆（Ω）。
电路定律•欧姆定律: $ V = IR $•基尔霍夫定律:–基尔霍夫电压定律：节点电压之和为零。
–基尔霍夫电流定律：分支电流之和为零。
放大器放大器概述放大器是一种电子电路，用于增加信号的幅度。
放大器可以分为电压放大器、电流放大器和功率放大器等类型。
放大器特性•增益（Gain）：输出信号幅度与输入信号幅度的比值。
•带宽（Bandwidth）：放大器能够放大信号的频率范围。
•输入/输出阻抗：放大器的输入和输出接口的阻抗匹配对信号传输至关重要。
滤波器滤波器概述滤波器是一种能够选择特定频率信号的电路。
常见的滤波器类型包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。
滤波器设计•利用电容和电感可以设计无源RC和RL滤波器。
•主动滤波器使用放大器来增强滤波效果。
•数字滤波器基于离散时间信号进行设计。
零件及器件二极管与晶体管•二极管：具有单向导电特性，用于整流和电压调节。
•晶体管：根据不同类型（NPN/PNP），可作为放大器、开关或振荡器使用。
集成电路•集成电路（IC）：将多个电子元器件集合在一起形成的整体，方便应用到复杂的电路中。
结论本文对模拟电子技术领域的基础知识进行了总结，涵盖了电路基础、放大器、滤波器和常见零部件等内容。
这些基础知识是深入理解模拟电子技术的关键，也是进行电路设计和分析的基石。
希望读者通过本文的学习，能够对模拟电子技术有更深入的了解。
以上是本文对模拟电子基础知识的总结，希望对您有所帮助。
模电基础知识
模电基础知识在电子工程领域，模拟电子（简称模电）是研究模拟信号处理的学科。
模拟信号是连续变化的信号，与数字信号相对，后者是离散的。
模电基础知识涵盖了许多关键概念和组件，以下是对这些基础知识的概述。
1. 模拟信号与数字信号模拟信号是指在时间上连续变化的信号，例如声音波形、温度变化等。
数字信号则是离散的，由一系列的数值组成，常用于计算机和通信系统中。
2. 基本电子组件模电中常用的基本电子组件包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管和运算放大器。
这些组件在电路中扮演着不同的角色，如电阻用于限制电流，电容用于储存电荷，电感用于储存磁能。
3. 半导体材料半导体材料如硅和锗是制造电子器件的基础。
它们的特性介于导体和绝缘体之间，可以通过掺杂来改变其电导率，从而制造出二极管、晶体管等电子器件。
4. 二极管二极管是一种只允许电流单向流动的半导体器件。
它由一个PN结组成，具有整流作用，常用于电源整流和信号检波。
5. 晶体管晶体管是另一种半导体器件，可以作为开关或放大器使用。
它由三个层组成，分别是发射极、基极和集电极。
晶体管的类型包括双极型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。
6. 运算放大器运算放大器是一种具有高输入阻抗和低输出阻抗的放大器，广泛应用于信号放大、滤波和信号处理。
理想运算放大器的输入阻抗无穷大，输出阻抗为零。
7. 反馈反馈是将输出信号的一部分送回输入端的过程。
根据反馈信号与输入信号的关系，可以分为正反馈和负反馈。
负反馈通常用于稳定系统，而正反馈则用于振荡器等应用。
8. 滤波器滤波器是一种用于选择性地通过特定频率信号的电路。
根据通过的信号类型，滤波器可以分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。
9. 振荡器振荡器是一种产生周期性信号的电路。
它可以通过正反馈机制产生稳定的振荡。
常见的振荡器类型包括RC振荡器、LC振荡器和晶体振荡器。
10. 电源电路电源电路是为电子设备提供稳定电压和电流的电路。
模电基础知识
模拟电子技术基本知识第一章 半导体器件填空1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（杂质浓度）。
2、本征半导体中自由电子浓度（等于）空穴浓度。
.3、N 型半导体、P 型半导体均（呈中性）。
4、当PN 结正向偏置时，扩散运动（大于）漂移运动。
反向偏置时，扩散运动（小于）漂移运动。
5、在本征半导体中掺入少量（三 ）价元素可以构成P 型半导体。
掺入（五）价元素，构成N 型半导体。
6、当PN 结正向偏置时，空间电荷区（变窄 ），呈现的电阻性能（变小）。
7、当PN 结反向偏置时，空间电荷区（变宽 ），呈现的电阻性能（变大）。
8、P 型半导体中，电子浓度（小于）空穴浓度。
N 型半导体中，电子浓度（大于）空穴浓度。
9、当（发射结反向偏置、集电结反向偏置 ）时，晶体管工作在截止区。
10、当（发射结正向偏置、集电结反向偏置） 时，晶体管工作在放大区。
12、当（发射结正向偏置、集电结正向偏置）时，晶体管工作在饱和区。
13、晶体管发射结正偏，集电结反偏，若此时仅增大CE U ，则（I C 基本不变）。
14、场效应管是（电压控制电流）器件。
15、处于放大状态的NPN 型晶体管，各电极的电位关系是（E B CU U U >>）。
16、处于放大状态的PNP 型晶体管，各电极的电位关系是（C B EU U U >>）。
17O所示，则（VD 导通，U O =-10V ）18、二极管的死区电压（即开启电压）的大小与环境温度及材料有关，硅二极管的死区电压约为（0.5V ）。
19、锗材料二极管正向导通时，在管子上的正向电压U D 为（0.2V ）。
20、某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（耗尽型NMOS ）场效应管。
21、测得工作在放大区的晶体管，各极对地电位分别为2.7V ，3V ，6.8V ，则对应的三个电极分别是（发射极，基极，集电极 ）22、测得工作在放大区的晶体管，各极对地电位分别为9V ，8.3V ，2V ，则对应的三个电极分别是（发射极，基极，集电极）23、在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U 1=3V ，U 2=﹣3V ，U 3=﹣2.7V ，则可知该管为（NPN 锗管）。
模电基础知识
模电基础知识目录一、模电概述 (2)二、模电基础知识 (2)1. 电路基本理论 (4)1.1 电路的基本概念 (5)1.2 欧姆定律与功率公式 (6)1.3 直流电路与交流电路 (7)2. 电子元器件 (8)2.1 电阻、电容、电感等被动元件 (9)2.2 二极管、晶体管等主动元件 (10)2.3 集成芯片与模块 (12)3. 信号与系统 (13)3.1 信号的概念及分类 (14)3.2 系统的基本概念 (16)3.3 信号传输与处理 (17)三、模电技术及应用领域 (19)1. 模电技术基础 (20)1.1 模数转换与数模转换 (21)1.2 放大、滤波、振荡等基础技术 (23)1.3 电路设计与调试 (24)2. 模电应用领域 (26)2.1 通信领域应用 (27)2.2 音频/视频领域应用 (28)2.3 自动化控制领域应用 (29)四、模电实验与项目实践 (31)1. 模电实验基础 (32)1.1 实验仪器介绍及使用方法 (33)1.2 实验设计与操作步骤 (34)1.3 实验数据分析与总结 (35)2. 模电项目实践 (36)2.1 项目选题及需求分析 (37)2.2 项目方案设计与实践过程介绍 (39)2.3 项目成果展示与评估 (39)五、模电技术发展趋势与挑战 (40)一、模电概述模拟电子技术（Analog Electronics）是电子工程领域的一个重要分支，主要研究模拟信号的生成、处理、传输和测量。
与数字电子技术相比，模拟电子技术主要处理连续变化的信号，如电压、电流等，而不是离散的数字信号。
在模拟电子技术中，基本的元件包括电阻、电容、电感、二极管和晶体管等。
这些元件通过电路设计组合在一起，形成各种复杂的模拟电路。
模拟电路可以对输入信号进行放大、滤波、调制、解调等多种操作，从而实现信号的处理、变换和传输等功能。
模拟电子技术在许多领域都有广泛的应用，如通信、音频处理、图像处理、自动控制等。
模电基础知识
模电基础知识模拟电路基础复资料一、填空题1.在P型半导体中，多数载流子是空穴，而少数载流子是自由电子。
2.在N型半导体中，多数载流子是电子，而少数载流子是空穴。
3.当PN结反向偏置时，电源的正极应接N区，电源的负极应接P区。
4.当PN结正向偏置时，电源的正极应接P区，电源的负极应接N区。
4.1 本征半导体是完全纯净的、具有晶体结构完整的半导体。
掺入五价微量元素形成N型半导体，其电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
掺入三价微量元素形成P型半导体，其空穴为多数载流子，而电子为少数载流子。
4.2 二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少数载流子的漂移运动形成的。
4.3 二极管具有单向导电性，由PN结构成。
其主要特性有掺杂性、热敏性、光敏性。
可作为开关、整流、限幅等用途。
硅二极管的死区电压约为0.5V，导通压降约为0.7V，锗二极管的死区电压约为0.1V，导通压降约为0.2V。
5.三极管具有三个区：放大区、截止区、饱和区，所以三极管工作有三种状态：工作状态、饱和状态、截止状态。
作为放大器时，应工作在放大状态；作为开关时，应工作在截止或饱和状态。
5.1 三极管具有发射结和集电结两个结，饱和时两个结都应正偏，截止时两个结都应反偏。
放大时，发射结应正向偏置，集电结应反向偏置。
5.2 三极管放大电路主要有三种组态，分别是共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。
共射放大电路无电压放大作用，但可放大电流。
共基极放大电路具有电压放大作用，没有倒相作用。
且共基接法的输入电阻比共射接法低。
5.3 共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器，其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。
5.4 单管共射放大电路中，交直流并存，有电压放大作用，有倒相作用。
5.5 微变等效电路法适用条件为微小交流工作信号和三极管工作在线性区。
5.6 图解法优点是既能分析静态，也能分析动态工作情况，直观形象，适合分析工作在大信号状态下的放大电路。
模拟电路基础
模拟电路基础模拟电路是研究和设计电子设备的基础，并在各种实际应用中发挥着重要作用。
本文将介绍模拟电路的基础知识、常见的电路元件和电路拓扑，以及模拟电路在现实生活中的应用。
一、模拟电路基础知识1. 电压和电流：电压是带电粒子之间的电势差，用伏特（V）表示；电流是电子流动的速度，用安培（A）表示。
2. 电容和电感：电容存储电荷，用法拉（F）表示；电感储存能量，用亨利（H）表示。
3. 电阻和导体：电阻阻碍电流通过，单位是欧姆（Ω）；导体有低阻抗，便于电流通过。
4. 半导体器件：半导体材料在一定条件下表现出导电和绝缘特性，常见的半导体器件有二极管和晶体管。
二、常见的模拟电路元件1. 二极管：具有单向导电性质，可以将交流信号转换为直流信号。
2. 三极管：由基极、发射极和集电极组成，用于放大电流和控制电流。
3. 电阻器：用于限制电流和分压，常见的有固定电阻和可变电阻。
4. 电容器：用于存储电荷和分离交流信号。
5. 电感器：用于储存能量和抑制交流信号。
三、常见的模拟电路拓扑1. 放大器电路：将微弱信号放大到足够大的幅度，常见的有共射放大器和共集放大器。
2. 滤波器电路：滤除或选择特定频率的信号，常见的有低通滤波器和高通滤波器。
3. 振荡器电路：产生稳定的信号输出，常见的有正弦波振荡器和多谐振荡器。
4. 整流器电路：将交流信号转换为直流信号，常见的有半波整流和全波整流。
5. 集成运算放大器电路：用于实现数学运算和信号处理。
四、模拟电路的应用1. 通信系统：模拟电路用于信号放大、调解和滤波，保障通信质量。
2. 音频设备：模拟电路用于放大、混音和调节音频信号，如音响和调音台。
3. 电源和能量管理：模拟电路用于稳压、变换和保护电源设备。
4. 传感器和测量仪器：模拟电路用于信号采集、滤波和放大，实现精确测量。
5. 模拟电子系统：模拟电路用于模拟计算、控制和信号处理，如模拟计算机和模拟仿真系统。
总结：模拟电路是电子技术中重要的一部分，它负责将连续变化的信号转换、放大和处理，以满足各种实际应用的需求。
模电重点三部曲(基础知识+重点知识+自测题)
《模电》复习三部曲Ⅰ、各章复习重点第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。
6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
其死区电压：S i管约0。
5V，G e管约为0。
1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，e0.1 V 。
其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。
三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。
是硅管。
b 、二极管反偏截止。
模电常见知识点总结
模电常见知识点总结一、基本概念1. 电压、电流、功率：电压是电势差，单位是伏特；电流是电荷在单位时间内通过导体的数量，单位是安培；功率是单位时间内能量的转化率，单位是瓦特。
2. 电路元件：电路元件主要包括电阻、电容和电感。
电阻是电流对电压的阻碍作用，单位是欧姆；电容是储存电荷的能力，单位是法拉；电感是存储磁场能量的元件，单位是亨利。
3. 信号处理：模拟信号是连续的信号，可以采用模拟电子技术进行处理。
模拟信号的处理包括滤波、放大、混频等操作。
4. 放大器：放大器是一种能够增加信号幅度的电路，通常包括运放放大器、功率放大器等类型。
5. 混频器：混频器是一种能够将两个不同频率的信号进行混合的电路，主要用于调频、调相和倍频等应用。
6. 滤波器：滤波器可以根据频率特性对输入信号进行滤波，主要包括低通滤波器、带通滤波器和高通滤波器等。
7. 稳压器：稳压器是一种能够在负载变化时保持输出电压稳定的电路，主要包括线性稳压器和开关稳压器。
8. 模拟信号的采样与保持、量化与编码：在数字信号处理中，要将模拟信号转换为数字信号，需要进行模拟信号的采样与保持、量化与编码等操作。
二、基本电路分析方法1. 基尔霍夫定律：基尔霍夫定律是电路分析中的重要方法之一，包括基尔霍夫电流定律和基尔霍夫电压定律。
2. 节点分析法和支路分析法：节点分析法和支路分析法是电路分析中常用的两种方法，用于求解电路中的电压和电流。
3. 物理尺解法：物理尺解法是一种将电路问题转化为几何问题进行求解的方法，通常用于分析长线搭接、三角形回路等特殊电路。
4. 电压源法和电流源法：电压源法和电流源法是一种简化复杂电路的方法，适用于求解电路中的等效电阻和电流分布。
5. 理想变压器：理想变压器是一个重要的电路模型，可以通过它来求解电路中的电压和电流。
6. 交流电路分析：交流电路分析是模拟电子技术中的重要内容，包括交流电路中的阻抗、功率、相位等内容。
7. 电路的频率响应：电路的频率响应是指电路对不同频率信号的响应情况，可以通过传递函数或频率特性曲线来描述。
模电基础知识
12. 两种载流子----------------带有正负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子
13.半导体的多子由参浓度控制，少子由温度控制。
14.N型半导体引出的电极为？阴极阳极。P型半导体引出的电极为？阴极或正级。
15.二极管按照结构工艺不同可分为： 点接触 面接触 平面型
16.PN结的形成主要靠多子的扩散（浓度差）和少子的漂移（内电场）。
20.二极管的导通条件P点（阳极）电位高于N点（阴极）电位时（PN结正向偏执）
21.导通压降：硅管0.5V锗管0.7V。22.
22.什么是击穿？击穿分为两种电击穿和热击穿。当外加电压过高时 反向电流突然增大，二极管失去单向导电性 这种现象称电击穿。 热击穿 唯独过高使二极管烧坏，电击穿可恢复，热击穿不可。
8.什么事本征激发，当价电子在外部能量的作用下，一部分价电子脱离共价键的束缚，成为自由电子的这一过程叫做本征激发。
9.三级三区，发射极E，基极B，集电极C，发射区，基区，集电区
10.N型半导体：在本征半导体中掺如正五价元素 磷P 多子：自由电子。少子：空穴。主要电流：电子电流。
11.P型半导体中掺如正三价元素 硼 B 多字：空穴。少子：自由电子。主要电流：空穴电流。
1.半导体时组成电子电路中的基本原件。
2.常用的的半导体材料是硅（Si）锗（Ge）。
3.按到点能力的不同物质可分为导体，半导体，和绝缘体。
4.半导体的特性：光敏性，热敏性，杂敏性。
5.温度升高：二极管的反向电流增强。
6。温度升高：半导体导电能力增强。
7.什么是本征半导体，纯净的具有完整晶体结构的半导体。
17.什么பைடு நூலகம்PN结的单向导电性？在PN结两端外加不同极性的电压时，PN结表示出截然不同的导电性能，称为PN结的单项导电性。
模电基础知识
模拟电路基础复习资料—、填空题1•在P型半导体中，多数载流子是（空隙），而少数载流子是（自由电子）。
2•在N型半导体中，多数载流子是（电子），而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时，电源的正极应接（N ）区，电源的负极应接（P ）区。
4. 当PN结正向偏置时，电源的正极应接（P ）区，电源的负极应接（N ）区。
4.1、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为本征半导体，当掺入五价微量元素便形成N型半导体，其电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
当掺入三价微量元素便形成P型半导体，其空穴为多子，而电子为少子。
4.2、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。
4.3、二极管有一个PN结，它具有单向导电性，它的主要特性有：掺杂性、热敏性、光敏性二可作开关、整流、限幅等用途。
硅二极管的死区电压约为0.5V ,导通压降约为0.7V ,锗二极管的死区电压约为0.1V、导通压降约为0.2V。
5. 三极管具有三个区：放大区、截止区、饱和区，所以三极管工作有三种状态：工作状态、饱和状态、截止状态，作放大用时，应工作在放大状态，作开关用时，应工作在截止、饱和状态。
5.1、三极管具有二个结：即发射结和集电结。
饱和时：两个结都应正偏；截止时：两个结都应反偏。
放大时：发射结应（正向）偏置，集电结应（反向）偏置。
5.2、三极管放大电路主要有三种组态，分别是：共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。
共射放大电路无电压放大作用，但可放大电流。
共基极放大电路具有电压放大作用，没有倒相作用。
且共基接法的输入电阻比共射接法低.5.3、共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器，其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。
5.4单管共射放大电路中，1.交直流并存，2.有电压放大作用，3.有倒相作用。
5.5微变等效电路法适用条件：微小交流工作信号、三极管工作在线性区。
模电基本知识点总结
模电基本知识点总结一、基本电子元件在模拟电子技术中，常用的基本电子元件包括电阻、电容、电感和二极管、晶体管等。
下面我们来介绍一下这些基本电子元件的特性和应用。
1. 电阻电阻是用来限制电流的一种电子元件，它的电阻值用欧姆（Ω）来表示。
电阻的大小取决于材料的电阻率和尺寸。
在实际电路中，电阻通常用来分压、限流、接地等。
电阻的连接方式有串联和并联两种。
2. 电容电容是用来存储电荷的一种电子元件，它的容量用法拉得（F）来表示。
电容的存储能力取决于材料的介电常数和结构。
在实际电路中，电容通常用来滤波、隔直、储能等。
电容的连接方式有串联和并联两种。
3. 电感电感是用来储存能量的一种电子元件，它的电感值用亨利（H）来表示。
电感的大小取决于线圈的匝数和磁芯的材料。
在实际电路中，电感通常用来滤波、隔交、振荡等。
电感的连接方式有串联和并联两种。
4. 二极管二极管是一种非线性元件，它的特性是只允许电流单向通过。
二极管的主要作用是整流、限流、反向保护等。
常见的二极管有硅二极管、锗二极管、肖特基二极管等。
5. 晶体管晶体管是一种半导体器件，它主要有三个端子：发射极、基极和集电极。
晶体管有两种类型：NPN型和PNP型。
晶体管可以作为信号放大、开关、振荡等。
常见的晶体管有通用型晶体管、场效应晶体管、双极型晶体管等。
二、放大器放大器是模拟电子电路中起放大作用的重要器件，其作用是放大输入信号的幅度，以便驱动负载。
根据放大器的工作方式和放大电路的结构，放大器大致可以分为三类：电压放大器、电流放大器和功率放大器。
1. 电压放大器电压放大器是将输入信号的电压放大到较大的幅度，以便驱动负载。
常见的电压放大器有共射放大器、共集放大器、共源放大器等。
这些电压放大器基本上由晶体管、耦合电容、电阻等元件组成。
2. 电流放大器电流放大器是将输入信号的电流放大到较大的幅度，以便驱动负载。
常见的电流放大器有共基放大器、共漏放大器、共栅放大器等。
这些电流放大器基本上由晶体管、耦合电容、电阻等元件组成。
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模拟电路基础 复习资料一、填空题1．在P 型半导体中，多数载流子是（ 空隙 ），而少数载流子是（ 自由电子 ）。
2．在N 型半导体中，多数载流子是（ 电子 ），而少数载流子是（ 空隙 ）。
3．当PN 结反向偏置时，电源的正极应接（ N ）区，电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN 结正向偏置时，电源的正极应接（ P ）区，电源的负极应接（ N ）区。
4.1、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为 本征半导体 ，当掺入五价微量元素便形成 N 型半导体 ，其电子为 多数载流子，空穴为 少数载流子 。
当掺入三价微量元素便形成 P 型半导体 ，其 空穴为多子 ，而 电子为少子 。
4.2、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。
4.3、二极管有一个PN 结，它具有单向导电性，它的主要特性有：掺杂性、热敏性、光敏性。
可作开关、整流、限幅等用途。
硅二极管的死区电压约为0.5V ，导通压降约为0.7V ，锗二极管的死区电压约为0.1V 、导通压降约为0.2V 。
5、三极管具有三个区：放大区、截止区、饱和区，所以三极管工作有三种状态：工作状态、饱和状态、截止状态，作放大用时，应工作在放大状态，作开关用时，应工作在截止、饱和状态。
5.1、三极管具有二个结：即发射结和集电结。
饱和时：两个结都应正偏；截止时：两个结都应反偏。
放大时：发射结应（ 正向 ）偏置，集电结应（ 反向 ）偏置。
5.2、三极管放大电路主要有三种组态，分别是： 共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。
共射放大电路无电压放大作用，但可放大电流。
共基极放大电路具有电压放大作用，没有倒相作用。
且共基接法的输入电阻比共射接法低.5.3、共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器,其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。
5.4单管共射放大电路中，1.交直流并存，2.有电压放大作用，3.有倒相作用。
5.5微变等效电路法适用条件：微小交流工作信号、 三极管工作在线性区。
5.6图解法优点: 1. 即能分析静态, 也能分析动态工作情况；2. 直观 形象；3. 适合分析工作在大信号状态下的放大电路。
缺点: 1. 特性曲线存在误差；2. 作图麻烦,易带来误差； 3. 无法分析复杂电路和高频小工作信号。
5.7微变等效电路法 优点:1.简单方便；2.适用于分析任何基本工作在线性范围的简单或复杂的电路。
缺点:1.只能解决交流分量的计算问题； 2. 不能分析非线性失真；3. 不能分析最大输出幅度 。
6．根据理论分析，PN 结的伏安特性为)1(-=T U U S eI I ,其中S I 被称为（ 反向饱和 ）电流，在室温下T U 约等于（ 26mV ）。
7．BJT 管的集电极、基极和发射极分别与JFET 的三个电极（ 漏极 ）、（ 栅极 ）和（ 源极 ）与之对应。
7.1.场效应管是电压控制元件，三极管是电流控制元件。
场效应管输入电阻非常高，三极管输入电阻较小。
场效应管噪声小，受外界温度及辐射的影响小, 存在零温度系数工作点。
场效应管的制造工艺简单, 便于集成。
存放时,栅极与源极应短接在一起。
焊接时,烙铁外壳应接地。
7.2共漏极放大电路又称源极输出器或源极跟随器。
7.3多级放大电路的耦合方式：阻容耦合，优点:各级 Q 点相互独立,便于分析、设计和调试。
缺点: 不易放大低频信号无法集成。
直接耦合，优点:可放大交流和直流信号;便于集成。
缺点: 各级Q 点相互影响;零点漂移较严重。
变压器耦合，优点：有阻抗变换作用，各级静态工作点互不影响。
缺点：不能放大直流及缓慢变化信号； 笨重；不易集成。
7.4由于放大电路对不同谐波成分的放大倍数的幅值不同，导致u o 的波形产生的失真，称为幅频失真。
由于不同谐波通过放大电路后产生的相位移不同，造成u o 波形产生的失真，称为相频失真。
频率失真是由于放大电路对不同频率的信号响应不同而产生的；而非线性失真是由放大器件的非线性特性产生的。
7.5根据f β的定义，所谓共射截止频率，并非说明此时三极管已经完全失去放大作用，而只是共射电流放大系数的幅频特性下降了3dB 。
特征频率:|β| 值下降到 1 时的频率,用符号 fT 表示。
特征频率是三极管的一个重要参数，当f > fT 时，三极管已失去放大作用，所以，不允许三极管工作在如此高的频率范围。
7.6通常将 值下降为低频时α0的 0.707倍时的频率定义为共基截止频率，用符号 f α 表示。
三极管的频率参数也是选用三极管的重要依据之一。
通常，在要求通频带比较宽的放大电路中，应该选用高频管，即频率参数值较高的三极管。
如对通频带没有特殊要求，则可选用低频管。
多级放大电路总的相位移为： 上线频率 下线频率7.7 功放电路中电流、电压比较大；输出功率Po 尽可能大。
即注意提高电路的效率（η）；电流、电压信号比较大，必须注意防止波形失真；电路工作于大信号状态，功放管的非线性不可忽略，宜采用图解分析法。
晶体管工作于乙类或甲乙类方式。
甲类工作状态：晶体管在输入信号的整个周期都导通，静态I C 较大，波形好, 管耗大效率低。
乙类工作状态：晶体管只在输入信号的半个周期内导通，静态I C=0，波形严重失真, 管耗小效率高。
甲乙类工作状态：晶体管导通的时间大于半个周期，静态I C ≈ 0，一般功放常采用。
变压器耦合功率放大电路--乙类推挽电路，单电源供电，笨重，效率低，高、低频特性差。
OTL 电路（接地），单电源供电，存在交越失真，需要大电容（几千微法），大电容特性不稳定，电路低频特性差，不易集成。
OCL 电路（接-Vcc ），双电源供电，效率高，低频特性好，省去了大电容，既改善了低频响应，又有利于实现集成化，应用更为广泛。
如果静态工作点失调或电路内元器件损坏，将造成一个较大的电流长时间流过负载，可能造成电路损坏。
为了防止出现此种情况，实际使用的电路中，常常在负载回路接入熔断丝作为保护措施。
BTL 电路：单电源供电，低频特性好；双端输入双端输出，管子多、损耗大，效率低。
7.8复合管组成原则：电流方向一致，电压极性正确,即前后两个三极管均为发射结正偏，集电结反偏，使两管都工作在放大区。
8．在放大器中，为稳定输出电压，应采用（ 电压取样 ）负反馈，为稳定输出电流，应采用（ 电流取样 ）负反馈。
9．在负反馈放大器中，为提高输入电阻，应采用（串联－电压求和）负反馈，为降低输出电阻，应采用（ 电压取样 ）负反馈。
10. 放大器电路中引入负反馈主要是为了改善放大器（ 的电性能 ）。
11．在BJT 放大电路的三种组态中，（ 共集电极 ）组态输入电阻最大，输出电阻最小。
（ 共射 ）组态即有电压放大作用，又有电流放大作用。
12. 在BJT 放大电路的三种组态中，（ 共集电极 ）组态的电压放大倍数小于1，（ 共基 ）组态的电流放大倍数小于1。
13．差分放大电路的共模抑制比K CMR ＝（ C uA A lg 20 ），通常希望差分放大电路的共模抑制比越（ 大 ）越好,电路的抗干扰能力就强.差分电路的主要作用：抑制零点漂移。
14．从三极管内部制造工艺看，主要有两大特点，一是发射区（ 高掺杂 ），二是基区很 （ 薄 ）并掺杂浓度（ 最低 ）。
14.1 电流源电路有比例型电流源、镜像电流源、多路电流源及二极管温度补偿电路等。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后，它的差模放大倍数d A 将（ 不变 ），而共模放大倍数cA 01f j f ααα=+2Ln 2L22L1L 1.1f f f f +++≈ 2Hn 2H22H1H 1111.11f f f f +++≈ ∑==++=n k 1kn 21ϕϕϕϕϕ将（ 减小 ），共模抑制比将（ 增大 ）。
16．多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（ 阻容 ），（ 变压器 ）和（ 直接 ）耦合三种。
17．直接耦合放大器的最突出的缺点是（ 零点漂移 ）。
次缺点: 各级工作点互相影响18，集成运放主要由（ 输入级 ），（ 中间放大级 ），（ 输出级 ）和（ 偏置电路 ）4部分组成。
19．BJT 三极管的直流偏置电路通常有（ 固定基流 ）电路和（ 分压式 ）电路两种。
20．负反馈放大电路增益的一般表达式F AA A f +=1,当11>+F A 时，这种反馈称 为（ 负反馈 ）；当11<+F A 时，这种反馈称为（ 正反馈 ）。
21．集成运放两个输入端之间的电压通常接近0，即0≈=-+u u ，将这种现象称为（ 虚短）。
22．集成运放两个输入端的电流通常接近0，即0≈=-+i i ，将这种现象称为（ 虚断 ）。
U - = U + = 0这种现象称为( 虚地 ).反相比例运算电路: 电路是深度电压并联负反馈电路，理想情况下，反相输入端 “ 虚地”，共模输入电压低,| A uf | 可大于 1、等于 1 或小于 1 ,电路的输入电阻不高，输出电阻很低.同相比例运算电路: 电路是一个深度的电压串联负反馈电路。
“虚短”, 不“虚地”，共模输入电压高。
U 0 与 U i 同相，A uf 大于 1 或等于 1。
输入电阻高，输出电阻低。
差分比例运算电路:共模输入电压高， “虚短”，但不 “虚地”。
输入电阻不高，输出电阻低，元件对称性要求高。
反相输入求和电路:优点：调节灵活方便；共模电压很小；实际工作中应用广泛。
同相输入求和电路、积分电路，应用：波形变换、移相。
微分电路，应用：波形变换、移相。
22.1由于集成运放的输入级通常由差分放大电路组成，因此一般具有两个输入端和一个输出端。
共模抑制比Kcmr 用以衡量集成运放抑制温漂的能力。
K CMR 越大，说明差放分辨差模信号的能力越强，而抑制共模信号的能力越强。
集成运放的基本组成:输入级(克服零点漂移)、中间级（提供电压放大倍数）、输出级（提供负载所需功率及效率）、偏置电路（向各放大级提供合适的偏置电流）22.2偏置电路类型1. 镜像电流源，优点:结构简单，有温度补偿作用。
２、比例电流源，优点:结构简单，有温度补偿作用。
缺点:Vcc 变化时，IC2按同样规律变化；无法产生微安极电流。
３、微电流源,在镜像电流源的基础上接入电阻 R e 。
优点:１）VCC 变化时，RE 负反馈的作用，IC2变化很小，提高了恒流源对电源变化的稳定性；２）温度升高时，UBE1下降，对IC2增加有抑制作用，提高了恒流源对温度变化的稳定性；３）RE 引入了电流负反馈，输出电阻增大。
22.3长尾式差分放大电路：引入共模负反馈，降低单管零点漂移，提高了共模抑制比。
补偿R e 上的直流压降，提供静态基极电流。
恒流源式差分放大电路：用恒流三极管代替阻值很大的长尾电阻R e ，既可有效抑制零漂，又便于集成。