模拟电子线路——清华大学3
华南理工大学-清华大学教材-模拟电子技术基础-课程作业标准答案
教材模拟电子技术基础（第四版）清华大学模拟电子技术课程作业第1章半导体器件1将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将(b)。
(a)变宽(b)变窄(c)不变2半导体二极管的主要特点是具有(b)。
(a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压(a)。
(a)正向电压大于PN结的死区电压(b)正向电压等于零(c)必须加反向电压4电路如图1如图2所示，答案5电路如图1所示，2所示，若忽略二极管的正向压降，试画t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。
答案第2章基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图(b)。
2U BE，如要将集电极电流I C调整到1.5mA，R B应取(a)。
(a)480kΩ(b)120kΩ(c)240kΩ(d)360kΩ3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC将(a)。
(a)增加(b)减少(c)基本不变4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T RB1，RB2分别开路时各电极的电位（U B，U C，U E）。
并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。
答案(1)当R B1开路时，偏置电路如图1所示： U BE ＝0，I B =0，I C =0，I E =0U B =0U C =U CC =12V U E =0此时晶体管处于截止状态。
(2)当R B2开路时，偏置电路如图2所示:此时晶体管处于饱和状态，U E ≈4V ，U B ≈4.7V ，U C ≈4V5放大电路如图所示,，要求: (1)画出放大器的微变等效电路；(2)答案(1)第三章 多级放大电路1必须使得( a )。
(a)电路结构对称，两管特性及对应的电阻元件参数相同。
(b)电路结构对称，但两管特性不一定相同。
(c)两管特性及对应的电阻元件参数相同，但电路结构不一定对称。
2在多级直接耦合放大电路中，导致零点漂移最为严重的是( a )。
数学物理方法
数学物理方法Mathematical Methods in Physics课程编号：22189906 总学时：72学分：4课程性质：专业必修课课程内容：数学是物理学的表述语言。
复变函数论和数学物理方程是学习理论物理课程的重要的数学基础。
该课程包括复变函数论和数学物理方程两部分。
复变函数论部分介绍复变函数的微积分，级数展开，留数及其应用以及积分变换等内容。
数学物理方程部分包括物理学中常用的几种数学物理方程的导入、解数学物理方程的分离变量法、作为勒让德方程的解的勒让德多项式和作为贝塞尔方程的解的贝塞尔函数及其性质以及格林函数的基本知识。
该课程有着逻辑推理抽象严谨的特点，同时与物理以及工程又有着紧密的联系，是理工科学生必备的数学基础知识。
我们将把抽象的数学知识和在物理学中的应用结合起来，使学生不但能学习数学本身，同时还能提高学生运用所学数学知识解决实际问题的能力。
先修课程：高等数学参考书目：《数学物理方法》（陆全康、赵蕙芬编），第二版高等教育出版社《数学物理方法》（吴崇试）第二版，北京大学出版社力学和热学 (1)与(2)Mechanics and Thermal Physics (1) and (2)课程编号：22189936、22189937 总学时：28、72 学分：2、4课程性质：专业必修课课程内容：本课程由力学和热学两大部分组成。
力学和热学都是大学物理的基础部分，是物理学各门课程的重要基础课程。
力学的主要内容包括三方面：在牛顿力学方面，主要学习牛顿定律、动量定理和动量守恒定律、动能原理及机械能守恒定律；在刚体定轴转动方面，主要学习转动定律和角动量守恒；在振动和波方面，主要学习简谐振动和平面简谐波。
热学的主要内容包括分子物理学和热力学，主要学习温度，热力学第一定律、第二定律，热机效率及熵增加；气体分子运动论的基本方法，气体压强公式，分子平均动能，气体分子的麦克斯韦速率分布律，能量均分定理。
先修课程：高等数学A(1)参考书目：《力学》，漆安慎、杜婵英，高等教育出版社，1997年；《热学教程》（第二版），黄淑清、聂宜如、申先甲编，高等教育出版社，1994年电磁学Electromagnetism课程编号：22189903 总学时：72 学分：4课程性质：专业必修课课程内容：本课程主要包括真空中的静电场，静电场中的导体和电介质，恒定电流，恒定磁场，磁介质，电磁感应，电磁场和电磁波，及电磁学与当代高新技术等内容。
励志文章--刻苦拼搏攀登人生理想的巅峰
刻苦拼搏攀登人生理想的巅峰——一位清华在校生的报告各位同学好：今天，我非常荣幸的站在这里给大家做一个关于高中学习方面的报告,下面我将结合自己在高中三年和大学三年的所见所感所想，通过一些事例向大家说明我们将会在高中遇到的一些问题及处理办法。
我希望大家从我的报告中吸取经验教训，少走弯路，并且为自己树立目标，坚定信心，最终走进理想的大学。
我们如何确定目标，树立理想？我们中学每年考上重点大学的人数六七百，所以一年后你们都有可能进入一流的重点大学或者一流的名牌大学。
我在高一的时候有这样一种困惑：我的目标是考上好大学，但是我要考好大学为了什么，我们为什么一定要走求学这条路?周恩来的答案是“为了中华之崛起”，好多家长的答案是“为了光宗耀祖”，好多老师的答案是“为了你们将来的前途”，作家郑渊洁说：“我小学毕业一样当作家”，比尔·盖茨说；“大学退学也能世界首富”------在经过了三年清华的磨练，我现在的答案是“求学这条路是我们通向成功的捷径”。
这里我举几个例子证明这个观点：我在清华电子系的一个师兄刘自鸿，他通过自己一年的钻研．在去年全国大学生挑战杯科技竞赛上获得特等奖第一名，他的专利“人体生物传感芯片”被一家企业以300万元买走。
看看吧，一名大四的本科生就已经身价百万了，这样的例子在清华很多。
邓小平说：“科学技术是第一生产力”，不错，再给大家举一个个例子：我们都玩过的那种红光激光笔，我前几天在市场上看到最低的一款售价是3元人民币。
我们系信息光电子所做的一个项目“绿光半导体激光笔”，现在在美国买一支200美元。
事实上成本也就10元人民币，但是我们做来了．别人没有，我们就可以决定一切。
我查阅了一下福布斯《财富》杂志，中国大陆35岁以下的白手起家的亿万富豪100％都是靠科学技术起家的。
说到这里文科生可能有点不高兴了，都是靠理工科的科技，我们文科生怎么办啊?别急，我这里还有一个例子：这位同学是清华经管学院朱镕基教授的博士生——一文科生，现在是中国招商银行的副行长，今年只有29岁。
清华学子写给高中生的一封信!
清华学子写给高中生的一封信!高考励志：十句话让学生高考考场超常发挥!一，别管他人的答题速度，做得快不一定做得对。
二，遇事要学会往好处想，你不会的题别人也不一定会。
三，时间分配上不要“头重脚轻”，还没做的题也许很简单。
四，做题的时候先易后难是真理，高考比的不是攻坚而是拿分。
五，不求每题都做，但求做一题对一题，高考比的就是谁少丢分。
六，答题不要老看表，没有意外情况，时间足够让你把会的题做完。
，看着眼熟的题更要留心，有可能跟你原来见过的“形似而神异”。
八，少注意监考老师，咱又没打算作弊，他(她)在忙什么跟你没关系。
九，最后一道大题是留给拼北清的，你做不出很正常，有空再查查前面的题。
十，检查时别轻易更改答案，要相信第一感觉往往是对的【要相信一见钟情是最好的】。
清华学子写给高中生的一封信，一语点醒无数人!本文为河南永城高中毕业生陈博考入清华大学后，给高中的师弟师妹写的一封信，其中有很多引人深思的地方。
文章略长，拿出耐心来，你一定会有所收获的。
亲爱的师弟师妹们：现在我在清华的教室里给你们写这封信是非常荣幸的，但愿我的信能给现在的你们的高中生活和学习提供一些经验和教训。
我在高一的时候有这样一种困惑：我的目标是考上好大学，但是我要考好大学是为了什么?我们为什么一定要走求学这条路?江泽民的答案是：“为了中华民族的伟大复兴”。
好多家长的答案是“为了光宗耀祖”。
好多老师的答案时：“为了你们将来的前途。
”作家郑渊洁说：“我小学毕业一样当作家。
”比尔.盖茨说：“大学退学也能成为世界首富。
”在经过了三年清华的磨练，我现在的答案是“求学的这条路是我们通向成功的捷径。
”这里我举几个例子证明这个观点：我在清华的一个师兄刘自鸿，他通过自己一年的钻研，在去年全国大学生挑战杯上获得特等奖第一名，他的专利“人体生物传感芯片”被一家企业以三百万元买走。
看看吧，一名大四的本科生已经身价百万了，这样的例子在清华很多。
邓小平说：“科学技术是第一生产力”，不错。
山东大学-清华大学-模拟电子技术基础-模电(第四版)习题库及解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
清华学霸给高中学生的忠告
一位清华学霸给高中学生的忠告有的同学觉得自己已经很努力了，可是就是没有办法把成绩再提高一点。
他自己安慰自己“我已经尽力了”。
我记得电影《勇闯夺命岛》有这样一句台词：“永远不要说你已经尽力了，失败者总是抱怨自己已经尽力了，只有胜利者才能赢得选美皇后的芳心！”我个人觉得，当你还有力气说出“我已经尽力了”的时候，你根本就没有尽到全力。
我觉得人的潜力是无限的。
举一个我自己的例子，大家看看人的潜力有多大。
我在高中时体育特别差，跑1000米都很要命，从来都是不及格。
相信在座的好多同学也对这项体育达标深恶痛绝。
到了清华之后，第一节体育课，老师告诉我们体育是清华的传统，我们每年要测3000米长跑，跑不过不许毕业，取消推研资格。
怎么办？谁来到清华都不想拿不到毕业证吧。
我的同学大部分和我一样体育很差。
于是每天晚上10：30，我们的自习教室关门，清华的操场上人就多起来了。
跑半小时再回寝室继续学习。
练了一个星期，我瘦了40斤，最后考试的时候我仅用了12分56秒就跑下了3000米，我们班最胖的人也在15分钟内跑完了。
想起我高中向体育老师抱怨：“我已经尽力了，1000就是不及格。
”我现在觉得很搞笑。
清华的校训中这个“自强不息”我觉得给我的影响非常大。
当你觉得自己已经尽力的时候，往往在坚持一下就会突破自己的极限。
唤醒自己的潜力。
思维科学研究表明，人的大脑能把全世界图书馆藏书的信息都装进去，然而，人类思维至今才开发出百分之七到八。
所以在这里我希望同学一定要努力再努力，那我们应该怎么努力，再努力呢？我在高中听过不少关于学习方法的报告，也很多次给别人介绍自己的学习方法。
但是直到大二我才真正明白怎样才能把知识学好。
大二我们上一门课叫“模拟电子线路”，特别难。
我们的老师——高文焕院士告诉我们一句话：“学习模拟电子线路和学习其他学科有一个共同的窍门，八个字——题海战术，题海战术。
”我当时非常费解，从小到大老师都说要讲方法，不要死做题，怎么院士怎么说呢。
模拟电子技术基础习题及答案(清华大学出版社)
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0.5pA .如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：m V 6.179A1m A1ln m V 26U D =μ≈ 对于锗管：m V 8.556pA5.0m A1ln m V 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =0。
1pA 。
（1）当二极管正偏压为0。
65V 时，二极管的正向电流为多少？(2）当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）m A 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时,S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k （即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1—3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示.已知电源电压为6V ,二极管压降为0.7伏。
试求： （1)流过二极管的直流电流;(2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
清华学霸给学弟学妹的一封信
清华学霸给学弟学妹的一封信!震惊全国高中生~真正好文！现在我在清华的教室里给你们写这封信是非常荣幸的，但愿我的信能给现在的你们的高中生活和学习提供一些经验和教训。
我在高一的时候有这样一种困惑：我的目标是考上好大学，但是我要考好大学是为了什么？我们为什么一定要走求学这条路？好多家长的答案是“为了光宗耀祖”。
好多老师的答案时：“为了你们将来的前途。
”作家郑渊洁说：“我小学毕业一样当作家。
”比尔.盖茨说：“大学退学也能成为世界首富。
”在经过了三年清华的磨练，我现在的答案是：“求学的这条路是我们通向成功的捷径。
”这里我举几个例子证明这个观点：我在清华的一个师兄刘自鸿，他通过自己一年的钻研，在去年全国大学生挑战杯上获得特等奖第一名，他的专利“人体生物传感芯片”被一家企业以三百万元买走。
看看吧，一名大四的本科生已经身价百万了，这样的例子在清华很多。
“科学技术是第一生产力”，再给大家举一个例子：我们都玩过的那种红光激光笔，我前几天在市场上看到最低的一款售价时三元人民币。
我们系心细光电子所做的一个项目“绿光半导体激光笔”，现在美国买一支是二百美元，事实上成本就是十元人民币，但是我们做来了，别人没有，我们就可以决定一切。
我查阅了一下福布斯…财富“杂志，中国大陆35岁以下的白手起家的亿万富豪100%都是靠科学技术起家的。
说到这里，文科生可能不高兴了，都是靠理工科的科技，我们文科生怎么办啊？别急，我这里还有一个例子：这位同学是清华经管学院朱镕基教授的博士生——文科生，现在是招商银行的副行长，今年只有29岁，他因为在一个月的时间那解决了河北一个城市建行的呆账坏账，被朱镕基院长破格提拔。
他获得重用所依靠的就是他出色的专业知识和专业技能捷径，他用几年的时间达到了其他人可能要几十年甚至终生都难以企及的高度。
因为一流的大学会给你全面的专业知识，会教会你快速学习知识的方法，会给你一个个观察世界的广阔视角。
这就是我所说的”求学这条路时我们通向成功的捷径”。
电子信息工程专业辅修教学打算
电子信息工程专业（辅修）教学打算一、专业简介本专业适应21世纪信息化社会及知识经济时期进展的需求，培育德智体全面进展，基础扎实、知识面广、能力强、具有创新意识、情愿投身我国社会主义现代化建设事业，专门是为安徽及地址经济的崛起做出应有的奉献，具有信息系统和电子技术的基础知识，能从事各类电子设备和信息系统的研究、设计、制造、基础教学、应用和开发的工程技术人材。
二、培育规格与培育要求一、具有较扎实的自然科学基础，较好的人文社科和治理科学基础和外语综合能力。
二、把握本专业领域较宽的技术基础理论知识。
3、把握电工理论、电子技术、信息处置、操纵理论、运算机软、硬件大体原理及应用等方面知识。
4、取得较好的工程实践训练，把握信息获取、处置的大体理论和应用的一样方式，具有设计、集成、应用及运算机模拟信息系统的大体能力。
五、具有较强的科学实验、分析解决本专业工程技术问题的能力。
六、把握文献检索、资料查询的大体方式，具有必然的科学研究和实际工作能力。
7、在本专业领域内具有初步的科学研究、技术开发、文献检索、生产组织治理能力。
八、了解信息产业的大体方针、政策和法规，了解企业治理的大体知识。
三、修业年限修业年限2—3年四、辅修学时与学分辅修学时： 868辅修学分： 56五、辅修学位工学学士学位六、骨干学科与骨干课程等相近专业：电子科学技术专业、通信工程专业、运算机应用专业骨干学科：电子科学、电子信息工程骨干课程：电路原理、模拟电子技术、微机原理与接口、信息论与编码、信号与系统、数字信号处置、电磁场理论、自动操纵原理、检测技术、单片机原理、数字电子技术、机械制图、数字电视原理与应有、运算机仿真七、辅修专业课程设置一览表电子信息工程专业辅修专业课程设置一览表八、要紧课程简介课程编号：0 课程名称：模拟电子技术总学时：60 周学时数：4预修课程：高等数学、电路分析基础要紧内容：介绍用电子线路传输和处置模拟电学量的大体原理和方式。
清华大学学霸励志演讲范文
清华大学学霸励志演讲范文各位同学好：今天，我非常荣幸的站在这里给大家做一个关于高中学习方面的报告，下面我将结合自己在高中三年和大学三年的所见所感所想，通过一些事例向大家说明我们将会在高中遇到的一些问题及处理办法。
我希望大家从我的报告中吸取经验教训，少走弯路，并且为自己树立目标，坚定信心，最终走进理想的大学。
我们如何确定目标，树立理想我们中学每年考上重点大学的人数六七百，所以一年后你们都有可能进入一流的重点大学或者一流的名牌大学。
我在高一的时候有这样一种困惑：我的目标是考上好大学，但是我要考好大学为了什么，我们为什么一定要走求学这条路？***的答案是“为了中华民族的伟大复兴”，好多家长的答案是“为了光宗耀祖”，好多老师的答案是“为了你们将来的前途，作家郑渊洁说：“我小学毕业一样当作家”，比尔?盖茨说；“大学退学也能世界首富”在经过了三年清华的磨练，我现在的答案是“求学这条路是我们通向成功的捷径”。
这里我举几个例子证明这个观点：我在清华电子系的一个师兄刘自鸿，他通过自己一年的钻研．在去年全国大学生挑战杯科技竞赛上获得特等奖第一名，他的专利“人体生物传感芯片被一家企业以300万元买走。
看看吧，一名大四的本科生就已经身价百万了，这样的例子在清华很多。
邓小平说：“科学技术是第一生产力”，不错，再给大家举一个个例子：我们都玩过的那种红光激光笔，我前几天在市场上看到最低的一款售价是3元人民币。
我们系信息光电子所做的一个项目“绿光半导体激光笔”，现在在美国买一支200美元。
事实上成本也就10元人民币，但是我们做来了．别人没有，我们就可以决定一切。
我查阅了一下福布斯《财富》杂志，中国大陆35岁以下的白手起家的亿万富豪100％都是靠科学技术起家的。
说到这里文科生可能有点不高兴了，都是靠理工科的科技，我们文科生怎么办啊？别急，我这里还有一个例子：这位同学是清华经管学院朱镕基教授的博士生——一文科生，现在是中国招商银行的副行长，今年只有29岁。
清华大学新生发言稿
清华大学新生发言稿【篇一：20140928 在清华大学2014级新生开学典礼上的讲话】在清华大学2014级研究生新生开学典礼上的讲话（2014年9月3日）校长陈吉宁亲爱的同学们：今天，来自全球88个国家和地区的6134名新同学欢聚一堂，隆重举行2014级研究生新生开学典礼。
首先，我代表全校师生员工，向各位同学表示热烈的欢迎！同学们，在今后几年的校园生活中，你们的人生之舟将驶入一段全新的旅程，探索创造新知，培育职业素养，在这里完成青春的再一次蜕变。
你们的思想将更加成熟，羽翼会更加丰满。
你们将不再只是既有思想、知识、技能的学习者、接受者，更将成为新思想、新知识、新技能的创造者、贡献者。
同学们，今后几年也可能是你们人生最后一个阶段的系统学习，你们自然会更多地思考自己未来的工作和职业的选择，更现实地考虑自身的发展方向和人生目标，这可能会让你们更加关注身边的、眼前的、局部的事物。
这是一个迷茫、探索和“作茧”的过程。
我希望你们在这一过程中，勇于突破自己，超越自己，化茧成蝶，收获新的成长。
突破自我，首先要突破眼界的局限。
眼界有多宽，追求就有多大。
从这个意义上说，你的眼界就是你的世界。
在清华的一些演讲会上，我发现很多同学提问时，话题总是绕不开身边的事情，即使谈到一些大的问题，往往也是从自身的视角出发。
今年毕业的法学院许吉如同学，曾作为交换生前往海外学习。
后来，她在写给我的一封信中说到，使她感到惊讶的是，海外的学生能够跨越自己的国籍和文化背景、站在整个世界的轴心去观察和思考问题。
她有两位室友，一位是来自瑞士的交换生，选修了最难学的阿拉伯语课程，原因是对中东—欧洲关系很感兴趣；另一位美国室友，则对南亚地区情有独钟，说以后要致力于研究、检验各种经济援助计划究竟有没有解决亚洲的贫困问题。
两位室友对于自己的城市、国家之外的地区的高度关切，令她称奇和深思。
这也让我深思，清华的同学，能否多关注一些与今天的自己无关、看来无用的东西，并由此建立起你的理想和情怀。
模拟电子技术基础第三版清华大学童诗白华成英主编
=20lg(AOd / AOc ) AOd＝1时的频率
duO / dt max
Input Offset Voltage
0.4 V /s
2 mV 30 nA 150 nA VCC－1.5
0.5
1 20 80 VCC
2.5
5 0.2 1 VCC－2
22
I B1 I B2
( I B1 I B 2 ) / 2
I C 13
2
I R 0.52mA
14
4.2.3 电流源负载放大电路Active Load Circuit
为了提高电路的增益Au，用电流源替代Rc/Rd。 一. 有源负载共射电路 基本共射电路 有源负载电路 实际电路 微变等效电路
T2、T3没有输入信号， 受控源开路。
电路增益 rce1 // rce2 // RL Au 1 Rb rbe1
U BE 0 U BE 1 U T ln(
IR
IC1
)
电路参数设计举例：
设: VCC＝15V，UBE0＝0.7V， IR＝1 mA。 则：R＝14.3 k 若要求：IC1＝20 A 则：Re＝5.09 k
UT IR IC1 ln( ) I Re C1 VCC U BE 0 其中， IR R
2 2 2 1 = IC 2 (1 )(2 )
IC 2
2 2 2 IR 2 2
11
三. 多路电流源
同时有多路电流输出。
1. 基于比例电流源 各BJT的UBE近似相等，有：
I E 0 Re 0 I E1 Re1 I E 2 Re 2 I E 3 Re 3
最大共模输入电压UIcmax KCMR下降 最大差模输入电压UIdmax 差分管击穿
模拟电子技术基础清华大学全套完整版PPT课件
• 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还 是少子是影响温度稳定性的主要因素？
• 为什么半导体器件有最高工作频率？
华成英 hchya@
§2 半导体二极管
一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管
华成英 hchya@
3、本征半导体中的两种载流子
运载电荷的粒子称为载流子。 外加电场时，带负电的自
由电子和带正电的空穴均参与导 电，且运动方向相反。由于载流 子数目很少，故导电性很差。
温度升高，热运动加剧， 载流子浓度增大，导电性增强。
热力学温度0K时不导电。
两种载流子
基本概念：概念是不变的，应用是灵活的， “万 变不离其宗”。 基本电路：构成的原则是不变的，具体电路是多种 多样的。 基本分析方法：不同类型的电路有不同的性能指标 和描述方法，因而有不同的分析方法。
2. 注意定性分析和近似分析的重要性 3. 学会辩证、全面地分析电子电路中的问题
根据需求，最适用的电路才是最好的电路。 要研究利弊关系，通常“有一利必有一弊”。 4. 注意电路中常用定理在电子电路中的应用
考查解决问题的能力－－实践能力
综合应用所学知识的能力
清华大学 华成英 hchya@
华成英 hchya@
第一章 半导体二极管和三极管
华成英 hchya@
第一章 半导体二极管和三极管
§1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 晶体三极管
“为现代信息技术奠定了基础”。
华成英 hchya@
二、模拟信号与模拟电路
清华大学出版社模拟电子技术习题解答(课后同步) 新
清华大学出版社模拟电子技术习题解答(课后同步)习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V<<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
2024版《模拟电子技术》教案全套
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课程重点回顾与总结
基础知识掌握
放大电路分析
集成运算放大器应 用
反馈电路分析
波形发生与变换电 路
回顾课程中所学的模拟电 子技术基础知识，如电压、 电流、电阻、电容等基本 概念，以及欧姆定律、基 尔霍夫定律等基本定律。
总结放大电路的基本原理、 分类和特点，以及放大电 路的性能指标和分析方法。
回顾集成运算放大器的基 本特性、工作原理和典型 应用电路，如加法器、减 法器、积分器、微分器等。
放大电路基本概念
放大电路是利用具有放大特性的电子元件（如晶体管、场效应 管等）组成的电路，其作用是将微弱的输入信号放大为足够强 的输出信号，以满足后续电路或负载的需求。
2024/1/29
放大电路性能指标
放大电路的性能指标主要包括放大倍数、输入电阻、输出电阻、 通频带、失真度等。这些指标反映了放大电路对信号的放大能 力、对信号源的影响、带负载能力以及信号失真的程度等。
01
静态工作点分析
静态工作点是放大电路在没有输入信号时的工作状态。通过分析静态工
作点，可以了解放大电路的直流偏置情况，为后续的动态分析打下基础。
2024/1/29
02 03
动态性能分析
动态性能分析是研究放大电路在输入信号作用下的性能表现。通过分析 动态性能指标，如放大倍数、输入电阻、输出电阻等，可以了解放大电 路对信号的放大能力和传输特性。
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教材与参考书目
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Ausmo
2. 低频电压放大倍数:定性分析
Ausmo r Ri b'e ( g m Rc ) Rs＋Ri rbe
Rs Us . Ui . Au . Uoo
C RL . Uo
U o 超前 U oo，当 f 0 时， o 0，U o 超前 U oo 90 。 U
' ' Cμ Cπ Cπ
清华大学 华成英 hchya@
§5.3 放大电路的频率响应
一、单管共射放大电路的频率响应 二、多级放大电路的频率响应
一、单管共射放大电路的频率响应
适用于信号频率从0～∞的 交流等效电路
中频段：C 短路， Cπ 开路。
' Cπ 开路。 低频段：考虑C 的影响， ' 高频段：考虑 Cπ 的影响，C 开路。
5. 带宽增益积：定性分析
Ausm rb'e Ri [ g m ( Rc ∥ RL )] Rs Ri rbe
fbw＝ fH－ fL≈ fH
fH 1 ' 2π [rb'e ∥ (rbb' Rb ∥ Rs )]Cπ
' ' Cπ Cπ (1 gm RL )Cμ
带宽增益积 Aum f bw Aum f H
U CE
' ' 因为k gm RL 0， 所以Cπ Cπ Cμ
g mU b'e 1 U b'e [ j (Cπ Cμ )] rb'e
0
f 1 j f 1 2 π rb'e (Cπ Cμ )
为什么短路？
f
2. 电流放大倍数的频率特性曲线
0 f 2 1 ( ) 0 f f 1 j f f tg－1 f
20lg 2 3dB
－20dB/十倍频 lg f
5.71
注意折线化曲线的误差
采用对数坐标系，横轴为lg f，可开阔视野；纵轴为 20 lg ， 单位为“分贝” （dB），使得 “ ×” →“ ＋” 。
三、晶体管的频率参数
共基截 止频率
共射截 止频率
特征 频率
集电结电容
0
f 1 j f
2. 低频电压放大倍数：定量分析
Rs Us . Ui . Au . Uoo C RL . Uo
C所在回路的时间常数？
Ausmo rb'e Ri ( g m Rc ) Rs＋Ri rbe
U o U oo U o RL Ausl Ausmo 1 U s U s U oo Rc RL jC
3. 高频电压放大倍数：定量分析
R rb'e ∥(rbb Rb ∥ Rs )
Aush
U o U s' Us Us
1 ' U C' U rb'e j C π Ri ' 'π o ( g m RL ) U s U C' Rs Ri rbe R 1 π ' j Cπ
' ' g m RL Cπ f H ' g m RL Aum
矛盾
当提高增益时， 带宽将变窄；反 之，增益降低， 带宽将变宽。
5. 带宽增益积：定量分析
根据 Ausm rb'e Ri [ g m ( Rc ∥ RL )] Rs Ri rbe
讨论一
1. 若干个放大电路的放大倍数分别为1、10、102、 103、104、105，它们的增益分别为多少？ 2. 为什么波特图开阔了视野？同样长度的横轴，在 单位长度不变的情况下，采用对数坐标后，最高频 率是原来的多少倍？
O
10 10 20 30 102 103 40 50 104 105 60 106
40 lg Au1
6dB
3dB
≈0.643fH1
o o i
使输出电压幅值下降到70.7%，相位为±45º 的信号频率为 截止频率。
三、放大电路中的频率参数
高通 电路 低通 电路
结电容
f bw f H f L
下限频率
上限频率
在低频段，随着信号频率逐渐降低，耦合电容、旁路电
容等的容抗增大，使动态信号损失，放大能力下降。 在高频段，随着信号频率逐渐升高，晶体管极间电容和 分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小，使动态信号 损失，放大能力下降。
'
1. 中频电压放大倍数
Uo Ausm Us U i U b'e U o U U Us i b'e
带负载时： Ausm
空载时：
rb'e Ri [ g m ( Rc ∥ RL )] Rs Ri rbe
rb'e Ri ( g m Rc ) Rs Ri rbe
' '
对于大多数放大电路，增益提高，带宽都将变窄。 要想制作宽频带放大电路需用高频管，必要时需采用共 基电路。
二、多级放大电路的频率响应
1. 讨论： 一个两级放大电路每一级（已考虑了它们的相互
影响）的幅频特性均如图所示。 20 lg A 20 lg A 20 lg A
u u1 u2
Rc RL Ausm RL Ausl Ausmo 1 1 Rc RL 1 Rc RL jC j ( Rc RL )C
Ausl
Ausm Ausm ( j f f L ) 1 f L (jf ) 1 j f fL
1 fL 2π( Rc RL )
1 1 fH ' ' 2π RCπ 2π [rb'e ∥ (rbb' Rb ∥ Rs )]Cπ
U o Ausm Aush Us 1 j f fH
3. 高频电压放大倍数：高频段频率响应分析
U o Ausm Aush Us 1 j f fH fH
1 fH ' 2π [rb'e ∥ (rbb' Rb ∥ Rs )]Cπ
' ' Cπ Cπ (1 gm RL )Cμ
g 若rbe<<Rb、 Rs<<Rb、 m RL 1、gm RLCμ ，则可以证明 图示电路的 1 说明决定于 Aum f H 管子参数 约为常量 2π(rbb' Rs )Cμ
f f L时， lg Aus 20 lg Ausm 20 f f L时， lg Aus 下降3dB， 135 20
20dB/十倍频
20 lg( A f L ) f f L时， lg Aus 20 usm f f 0 时， us 0， 90。 A
rbb'、Cμ可从手册查得
0 I b g mU b'e g m I b rb'e gm
0
rb'e
UT rb'e (1 0 ) I EQ
' ' Cπ Cπ Cμ
I EQ UT
＝？
二、电流放大倍数的频率响应
1. 适于频率从0至无穷大的表达式
Ic Ib
第五章 放大电路的频率响应
第五章 放大电路的频率响应
§5.1 频率响应的有关概念 §5.2 晶体管的高频等效电路 §5.3 放大电路的频率响应
§5.1 频率响应的有关概念
一、本章要研究的问题 二、高通电路和低通电路 三、放大电路中的频率参数
一、研究的问题
放大电路对信号频率的适应程度，即 信号频率对放大倍数的影响。 由于放大电路中耦合电容、旁路电容、 半导体器件极间电容的存在，使放大倍数 为频率的函数。 在使用一个放大电路时应了解其信号 频率的适用范围，在设计放大电路时，应 满足信号频率的范围要求。
f
lg f
讨论二
电路如图。已知各电阻阻 值；静态工作点合适，集电 极电流ICQ＝2mA；晶体管的 rbb’=200Ω，Cob=5pF， fβ=1MHz。 试求解该电路中晶体管高 频等效模型中的各个参数。
讨论二
I CQ gm、rb'e
' Cμ ( Cob )、gm、Rc、RL Cμ
f 、Cμ ( Cob )、rb'e Cπ
f f 时， 0； f f 时，
o
0
2 f f
0.707 0 ， -45； 0；f 时， 0 ， -90
f f 时，
3. 电流放大倍数的波特图: 采用对数坐标系
折线化近似画法
f 20 lg Aush 20 lg Aum 20 lg 1 ( ) 2 fH 180 arct an f fH
1 ' 2π [rb'e ∥ (rbb' Rb ∥ Rs )]Cπ
f f H 时 ， 20 lg A 20 lg A
§5.2 晶体管的高频等效电路
一、混合π模型 二、电流放大倍数的频率响应 三、晶体管的频率参数
一、混合π模型
阻值小
1. 模型的建立：由结构而建立，形状像Π，参数量纲各不相同。
ห้องสมุดไป่ตู้
阻值大
连接了输入回路 和输出回路
gm为跨导，它不随信 号频率的变化而变。
2. 混合π模型的单向化（使信号单向传递）
I Cμ U b'e U ce U b'e (1 k ) X Cμ X Cμ
2. 低频电压放大倍数：低频段频率响应分析