第二章 晶体三极管和场效晶体管

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晶体三极管的结构和类型

晶体三极管的结构和类型

晶体三极管‎的结构和类‎型双极结型三‎极管相当于‎两个背靠背‎的二极管PN结。

正向偏置的‎EB 结有空穴从‎发射极注入‎基区,其中大部分‎空穴能够到‎达集电结的‎边界,并在反向偏‎置的CB 结势垒电场‎的作用下到‎达集电区,形成集电极‎电流I C。

在共发射极‎晶体管电路‎中, 发射结在基‎极电路中正‎向偏置, 其电压降很‎小。

绝大部分的集电极和‎发射极之间‎的外加偏压‎都加在反向‎偏置的集电‎结上。

由于V BE很小,所以基极电‎流约为I=‎5V/50‎k‎Ω‎=‎0.1mA‎。

B如果晶体管‎的共发射极‎电流放大系‎数β‎=‎I C / I B=100, 集电极电流‎I C=‎β*I B=10mA。

在500Ω‎的集电极负‎载电阻上有‎电压降VR‎C=10mA*500Ω=5V,而晶体管集‎电极和发射‎极之间的压‎降为VCE‎=5V,如果在基极‎偏置电路中‎叠加一个交‎变的小电流‎i b,在集电极电‎路中将出现‎一个相应的‎交变电流i‎c,有c/i b=β,实现了双极‎晶体管的电‎流放大作用‎。

金属氧化物‎半导体场效‎应三极管的‎基本工作原‎理是靠半导‎体表面的电‎场效应,在半导体中‎感生出导电‎沟道来进行‎工作的。

当栅G 电压V G增大时,p 型半导体表‎面的多数载‎流子棗空穴‎逐渐减少、耗尽,而电子逐渐‎积累到反型‎。

当表面达到‎反型时,电子积累层‎将在n+ 源区S 和n+ 漏区 D 之间形成导‎电沟道。

当V DS≠‎0‎时,源漏电极之‎间有较大的‎电流I DS流过。

使半导体表‎面达到强反‎型时所需加‎的栅源电压‎称为阈值电‎压V T。

当V GS>V T并取不同数‎值时,反型层的导‎电能力将改‎变,在相同的V DS下也将产生‎不同的I DS, 实现栅源电‎压V GS对源漏电流‎I DS的控制。

二、晶体管的命‎名方法晶体管:最常用的有‎三极管和二‎极管两种。

三极管以符‎号BG(旧)或(T)表示,二极管以D‎表示。

晶体管基础知识

晶体管基础知识

第1章 半导体器件
I / mA
UZ UZ A O IZmin U/V + Ui B IZmax - R
(b)
+ Uz -
(a)
(c)
图10 稳压管的伏安特性曲线、 (a)伏安特性曲线;(b)图形符号;(c)稳压管电路
稳压管工作在击穿区时的稳定电压
5、汽车用整流二极管:P82—图5-21

汽车交流发电机用硅整流二极管,具有 一个引出极,另一个是外壳,参见教材P82 图5-21
汽车用二极管分为正向二极管和反向二 极管两种。正向二极管的引出端为正极,外 壳为负极,通常在正向二极管上涂有红点; 反向二极管的引出端为负极,外壳为正极, 通常在反向二极管上涂有黑点。
路里的开关元件,以及作为小电流的整流管。
N型锗片 阳极 引线 阴极 引线
铝合金小球
阳极引线 PN结
N型硅
金锑合金 底座
金属触丝 (a)
外壳 (b) 阴极引线
a)点接触二极管PN结接触面积小,不能通过很大的正向电
流和承受较高的反向工作电压,工作效率高, 常用来作为检波器件。
图7 半导体二极管的结构及符号 (a)点接触型结构;(b)面接触型结构;
流很小,PN结截止,这就是PN结的单向导电性。
第1章 半导体器件
2. 半导体二极管
把PN结用管壳封装,然后在P区和N区分别向外引出一 个电极,即可构成一个二极管。二极管是电子技术中最基 本的半导体器件之一。根据其用途分有检波管、开关管、 稳压管和整流管等。
硅高频检波管
开关管
稳压管
整流管
发光二极管
电子工程实际中,二极管应用得非常广泛,上图所示即 为各类二极管的部分产品实物图。
图8 二极管的伏安

第二章 晶体三极管和场效应晶体管

第二章 晶体三极管和场效应晶体管

第二章晶体三极管和场效应晶体管一、是非题(1)为使晶体管处于放大工作状态,其发射结应加反向电压,集电结应加正向电压。

()(2)无论是哪种晶体三极管,当处于放大状态时,b极电位总是高于e极电位,c极电位也总是高于b极电位。

()(3)晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体(N型或P型)构成的,所以e极和c极可以互换使用。

()(4)晶体三极管的穿透电流I CEO的大小不随温度而变化。

()(5)晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,β减少。

()(6)对于NPN三极管,当V BE>0,V BE>V CE,则该管的工作状态是饱和状态。

()(7)已知某三极管的射极电流I E=1.36mA,集电极电流I C=1.33mA,则基极电流I B=30微安。

()(8)某晶体三极管的射极电流I B=10微安时,I C=0.44mA;当I B=20微安时,I C=0.89mA 则它的电流放大系数β=45。

()(9)可以用两个二极管连接成一个三极管。

()(10)晶体三极管具有电压放大作用。

()二、填空题1、晶体三极管的三个电极分别称为、、。

三极管在放大电路中,PNP管电位最高的一极是,NPN管电位最高的一极是。

此时,三极管发射结为偏置,集电结为偏置。

晶体三极管工作在饱和区和截止区时,具有特性,可应用于脉冲数字电路中。

2、测得工作在放大电路中的晶体管的两个电极在无交流信号输入时的电流大小及方向如图2-1所示,则另一电极的电流大小为,该管属于管(PNP NPN)。

0.1mA4mA-++ 10K20K1V图2-13、工作在放大区的某三极管,基极电流从20μA增大到40μA,集电极电流从1mA变为2mA,则该三极管的电流放大倍数为。

4、当晶体三极管工作在饱和状态时,其特点是集电结处于偏置,发射结处于偏置。

当工作在放大状态时,其特点是集电结处于偏置,发射结于偏置。

当工作在截止状态时,其特点是集电结处于偏置,发射结于偏置。

场效应管与三极管基础知识讲解

场效应管与三极管基础知识讲解

mos管分四种,N沟道增强型和耗尽型,P沟道增强型和耗尽型。

箭头指向g 的且带虚线的为N增强,没有虚线的为N耗尽。

箭头背向g端的且带虚线的为P增强,不带虚线则为P耗尽。

希望说的你能明白,小妹新手,多多关照!有没说清楚的继续,呵呵···场效应管三极管开关电路基础发布时间:2008-12-08 23:08:32三极管简介:三极管的种类很多,并且不同型号各有不同的用途。

三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观,有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。

实际上箭头所指的方向是电流的方向。

图1双极面结型晶体管有两个类型:npn和pnp。

npn类型包含两个n 型区域和一个分隔它们的p型区域;pnp类型则包含两个p型区域和一个分隔它们的n型区域,图2和图3分别是它们的电路符号。

以下的说明将集中在npn BJT。

图2: npn BJT 的电路符号图3: pnp BJT 的电路符号BJT工作于三种不同模式:截止模式、线性放大模式及饱和模式,见图4。

图4 四种工作模式BJT在电子学中是非常重要的元件。

它们被广泛应用在其他展品中,特别是模拟电路里的放大器和数码电路里的电子开关。

开关电路原则a. BJT三极管Transistors只要发射极e 对电源短路就是电子开关用法N管发射极E 对电源负极短路. 低边开关;b-e 正向电流饱和导通P管发射极E 对电源正极短路. 高边开关 ;b-e 反向电流饱和导通b. FET场效应管MOSFET只要源极S 对电源短路就是电子开关用法N管源极S 对电源负极短路. 低边开关;栅-源正向电压导通P管源极S 对电源正极短路. 高边开关;栅-源反向电压导通总结:低边开关用 NPN 管高边开关用 PNP 管三极管b-e 必须有大于C-E 饱和导通的电流场效应管理论上栅-源有大于漏-源导通条件的电压就就OK假如原来用NPN 三极管作ECU 氧传感器加热电源控制低边开关则直接用N-Channel 场效应管代换;或看情况修改下拉或上拉电阻基极--栅极集电极--漏极发射极--源极NPN和PNP 开关三极管(1)我把NPN三极管看成一个三个脚继电器.基极-----就是一个小电流的.继电器的信号吧集电极-----可以说是正极吧发射极------可以说负极吧有一个小电流流入了基极的话那么集电极和发射极就会通.(2)PNP三极管看成一个三个脚继电器.基极-----就是一个小电流的继电器信号集电极-----可以说是正极吧发射极------可以说负极吧有一个小电流流出了基极的话,那么集电极和发射极就会通.三极管VS场效应管三极管BJT--------TRANSISTORS ----------- 电流驱动场效应管----- FET ------------------------- 电压驱动MOS场效应管MOSFET ................ 电压驱动2N70022n7002 IC产品型号的一种描述:晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:280mA电压, Vds 最大:60V开态电阻, Rds(on):5ohm电压@ Rds测量:10V电压, Vgs 最高:2.1V功耗:0.2W工作温度范围:-55to 150封装类型:SOT-23针脚数:3SVHC(温度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) SMD标号:702功率, Pd:0.2W外宽:3.05mm外部深度:2.5mm外部长度/高度:1.12mm封装类型:SOT-23带子宽度:8mm晶体管数:1晶体管类型:MOSFET温度@ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电压Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:60V电流, Id 连续:0.115A电流, Idm 脉冲:0.8A表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V阈值电压, Vgs th 最高:2.5VSVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)MOS管的基本知识(转载)2011-05-07 06:39:32| 分类:电路硬件设计| 标签:|字号大中小订阅现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外,在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS 管取代过去的大功率晶体三极管,使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。

模拟电子技术第二章

模拟电子技术第二章

电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网络表 示,如图:
ui
Au
uo
放大电路放大的本质是能量的控制和转换。
放大的前提是不失真,即只有在不失真的情况下 放大才有意义。
2021/4/11
3
2.1.2.放大电路的性能指标
放大电路示意图
图2.1.2放大电路示意图
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4
一、放大倍数
表示放大器的放大能力
VCC
U BEQ Rb
(12 0.7 )mA 40 μA 280
做直流负载线,确定 Q 点
根据 UCEQ = VCC – ICQ Rc iC = 0,uCE = 12 V ; uCE = 0,iC = 4 mA .
2021/4/11
T
22
iC /mA
4 3 2 1 0
80 µA
60 µA
静态工作点 40 µA
U i →△uBE →△iB
→△iC(b△iB)
VBB
→△uCE(-△iC×Rc)
UI


Uo
+VCC ( +12V)
RC
IC +△IC
IB
B Rb 1
+△I B
3C ET2
U CE
U BE +△UBE
+△U CE
+
UO
-
电压放大倍数:


Au
Uo

Ui
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13
+VCC (+12V)
iC / mA
4
交流负载线 80
60
IC
Q
iC 2

第2章 常用半导体器件图

第2章 常用半导体器件图
第2章 常用半导体器件
教材:第3章 半导体二极管及其基本应用电路 p.42~p.63 第4章 晶体三极管及其基本放大电路 p.64~p.73
第一章 常用半导体器件
• • • • 1.1半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管
Sec1.1 半导体基础知识
• • • • • • • 1.本征半导体 ⑴什么是本征半导体 ⑵本征半导体的结构 2.本征半导体的电特性 ⑴电子-空穴形成(本征激发) ⑵电子-空穴消失(复合运动) 3.本征半导体载流子的浓度
⑴. Tr.的电流形成过程 ⑵.定量分析 (电流分配关系) (电流放大系数)
N
IE = IEN + IEP =ICN +IBN+IEP
≈ ICN +IBN
P
IC = ICN + ICBO
≈ ICN
IB = IBN + IEP- ICBO
N
IC = βIB +(1+β) ICBO
⑶.基本共射放大电路的放大作用 (电路符号表示)
返回
图1.2.14 光电二极管的伏安特性
Sec.2.6 晶体三极管(双极型晶体管)特性 及主要参数
教材:第4章 晶体三极管及其基本放大电路 p.64~p.73
Sec.2.6
双极型晶体管特性及主要参数
• • • • • • •
1.晶体管的结构和符号 2.晶体管内部载流子运动与外部电流 3.基本共射放大电路 4.晶体管的输入特性曲线 5.晶体管的输出特性曲线 6.晶体管的极限参数 7.温度对晶体管输出特性的影响
Sec.1.4 半导体二极管 • • • • • • 1. 二极管的结构 2.二极管的伏安特性 3.二极管的主要参数 4.二极管的应用举例 5.稳压管的伏安特性和等效电路 6.稳压管稳压电路

三极管知识简介

三极管知识简介

3)极间反向饱和电流
ICBO:发射极开路时,集电极—基极间的反向饱和电流。一般锗管的 ICBO 在 µA 数量级,硅管的 ICBO 在 nA 数量级。 ICEO:基极开路时,集电极—发射极间的穿透电流。
IEBO:集电极开路时,发射极—基极间的反向饱和电流。
由于直流参数 、 、ICBO 和 ICEO 等受温度影响较大,所以出于稳定性考虑, 也不要过大。
1.载流子的传输过程
在放大状态下,晶体三极管内部载流子的传输过程可归纳为发射结的注入、 基区中的输运与复合和集电区的收集。对此,我们以 NPN 管为例,参照图 2—37 作如下讨论:
1)发射结的注入 由于发射结正偏,使发射结变窄,扩散运动占优势,高掺杂发射区的大量电子注 入到基区,形成电子电流 IEn。与此同时,基区中的空穴也向发射区注入,形成 空穴电流 IEp。IEn 和 IEp 电流方向一致,由基区指向发射区,构成发射极电流 IE。 即 (2—42) 2)基区中的扩散与复合 注入到基区的电子,成为基区的非平衡少子,将继续向集电结方向扩散,在 扩散的过程中,除有少部分的电子会与基区中的多子空穴复合、形成基极复合电 流 IBn 外,大部分电子到达集电结边界,并在集电结电场作用下,漂移到集电区 形成集电极电子电流 ICn。 3)集电区的收集 由于集电结处于反偏状态,集电结势垒区中电场很强,其方向是由集电区指 向基区,因此,到达集电结边界的电子在此强电场的作用下,几乎全部收集到集 电区,形成集电极电子电流 ICn。此外,在该强电场的作用下,集电区内的少子 —空穴将漂移到基区;基区内的少子—电子也将漂移到集电区,它们形成集电结 的反向漂移电流 ICBO,ICBO 的方向与 ICn 方向是一致的。所以,总的集电极电流 IC 为 (2—43) 由图 2—37 可知,晶体管基极电流 IB 为 (2—44)

场效应管与晶体三极管的比较

场效应管与晶体三极管的比较

场效应管与晶体三极管的比较原理区别:1、三极管是双极型晶体管,场效应管是单极型晶体管;2、三极管是电流控件,场效应管是电压控件;3、三极管输入阻抗低,场效应管输入阻抗高;4、三极管分NPN和PNP两种类型,有硅管和锗管之分。

场效应管分结型和绝缘栅型两大类,每类又可分为N沟道和P沟道两种,都是硅管;5、三极管的集电极和发射机不可互换,场效应管的源极和漏极可以互换;场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.晶体三极管与场效应管工作原理完全不同,但是各极可以近似对应以便于理解和设计:晶体管:基极发射极集电极场效应管:栅极源极漏极要注意的是,晶体管(NPN型)设计发射极电位比基极电位低(约0.6V),场效应管源极电位比栅极电位高(约0.4V)。

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.在主板中的区别:第一种方法最有效果,就是查资料。

第二种是看看芯片脚下的铜片,场管一般只有G极是信号线,是细线,其余的都为粗线。

如果是复合管的话就有两根细线,并有一脚接地。

三端稳压器没有接地的脚而且都为粗线,一般电脑上不用三极管走电压线,只走信号线。

场效应管用万用表测第3脚和第2脚单向导通,其他脚不通。

三极管是第1脚和第2脚第3脚两组正向导通的。

在板上测不看图纸,很难区分三极管和场管的,CPU供电都是N沟道的场管。

拿下来测才准。

用万用表的三极管档,测三极管的B极和E极,有0.6V的压降,因为这是一个PN结而MOS管则测不到此压降。

晶体管和场效应管工作原理详解

晶体管和场效应管工作原理详解
IB C B UBE E
IC
RC UCE USC
晶体管的静态工作点Q位
于哪个区?
RB
USB
USB =2V时:
U SB U BE 2 0.7 IB 0.019mA RB 70 I C I B 50 0.019mA 0.95mA
IC< ICmax (=2mA) , Q位于放大区。
1放大区 e结为正偏,c结为反偏的工作区域为放大区。在 放大区有以下两个特点: (1)基极电流iB对集电极电流iC有很强的控制作用, 即iB有很小的变化量ΔIB时, iC 就会有很大的变 化量ΔIC。为此,用共发射极交流电流放大系数β 来表示这种控制能力。β定义为 I C u CE 常数 I B 反映在特性曲线上,为两条不同IB曲线的间隔。
由于 , 都是反映晶体管基区扩散与 复合的比例关系,只是选取的参考量不同,所以 两者之间必有内在联系。由 , 的定义可 得
I CN I CN IE IB I E I CN IE IE 1 I CN I CN I BN IE I BN I CN I BN I BN 1
2.集-基极反向截止电流ICBO ICBO是集 电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流,受温 度的变化 影响。
ICBO A
3. 集-射极反向截止电流ICEO
集电结反 偏有ICBO C
ICEO= IBE+ICBO ICEO受温度影响
很大,当温度上 升时,ICEO增加 很快,所以IC也 相应增加。三极 管的温度特性较 差。
IC I B I E (1 ) I B
为了反映扩散到集电区的电流ICN与射极注入电流IEN的比 例关系,定义共基极直流电流放大系数 为

经典模拟电子技术基础知识总结习题(选择,填空,解答题)

经典模拟电子技术基础知识总结习题(选择,填空,解答题)
模拟电子技术基础习题
第一章 半导体二极管及其应用电路 第六章 运放应用电路
第二章
半导体三极管及其放大电路
第七章
功率放大电路
第三章
场效应晶体管及其放大电路
第八章
波形发生和变换电路
第四章
集成运算放大器
第九章
直流稳压电源
第五章
负反馈放大电路
第十一章~第二十一章
应用篇
第一章 半导体二极管及其应用电路
一、填空: 绝缘体 之间的物 导体 和_______ 1.半导体是导电能力介于_______ 质。 掺杂 特性,制成杂质半导体;利 2.利用半导体的_______ 光敏 特性,制成光敏电阻,利用半 用半导体的_______ 热敏 特性,制成热敏电阻。 导体的_______ 导通 ,加反向电压时 3.PN结加正向电压时_______ 截止 ,这种特性称为PN结的 单向导电 _______ _______ 特性。
饱和 8.当三极管工作在____区时, UCE ≈0。发射极 正向 正向 ____偏置,集电极____偏置。 9.当NPN硅管处在放大状态时,在三个电极电位中, 集电 发射 以____极的电位最高,____极电位最低, 基 发射 ____极和____极电位差等于____。 0.7V 10.当 PNP锗管处在放大状态时,在三个电极电位中, 以____极的电位最高,____极电位最低, 发射 集电 UBE等于____。 -0.3V 三个电极的电位分别为 11.晶体三极管放大电路中 ,试判断三极管的 V ,V2 1.2V ,V3 1.5V 类型是 ____,材料是____。 1 4V 锗 PNP
T 10.单相桥式整流电容滤波电路,当满足 RLC (3~5) 2 时,负载电阻上的平均电压为_______。 A.1.1U2 B. 0.9U2 C. 1.2 U2 D. 0.45U2

晶体三极管与场效应管

晶体三极管与场效应管
B
JC JE
集电结反偏:
由VBB、VCC保证;
RB
N
VCC
VBB
E
UCB=VCC − UBE > 0,反偏;集电结电场很强。
共射极PNP放大电路
三极管在工作时必须加上适当的直流偏臵电压。 结论:对于正常工作的PNP管,必然
若在放大工作状态: 发射结正偏: 有UC <UB <UE
由VBB保证;必须使:UBE< 0 硅管:UBE=UB-UE=-0.7(V) 锗管:UBE=UB-UE=-0.3(V)
符号
集电极 C 集电区
P
基极 B
集电结 基区
N P
发射结
发射区
BJT的组态
ie 输入
CB
三极管在使用时,根据实际需要,可接成三种不同的组 态。不管接成哪种组态,都有一对输入端和一对输出端;
ib 输入
CE
ic 输出
ic ib 输出 输入
CC
ie 输出
共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示 ;
共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示 ;
共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示。
BJT的电流放大条件
输入 三极管的放大作用是满足自身的内部结构特点的前提 • 发射区的掺浓度最高 ( N+ ); 回路 下,在一定的外部条件控制下,通过载流子传输体现 • 集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大; 基区很薄,一般在几个微米至几十个微米, 输入 出来的。 • 且掺杂浓度最低。 IC 回路 R C 内部结构 BJT的结构特点 外部条件 发射结正偏, 集电结反偏。
CBO B
共射极NPN放大电路
C CN CBO
I =I +I 发射结正偏, 结论:I =I +I 集电结反偏 发射区多数 载流子电子 I -扩散运动形成的电流 C 不断向基区 IB-复合运动形成的电流 扩散,形成 I I J 扩散电流I I IC-漂移运动形成的电流

第4讲晶体三极管及场效应管

第4讲晶体三极管及场效应管

2. 绝缘栅型场效应管
增强型管
大到一定 值才开启
高掺杂 耗尽层 空穴
衬底 SiO2绝缘层
反型层
uGS增大,反型层(导电沟道)将变厚变长。当 反型层将两个N区相接时,形成导电沟道。
动画演示
增强型MOS管uDS对iD的影响
刚出现夹断
iD随uDS的增 大而增大,可
uGD=UGS(th), 预夹断
变电阻区
夹断 电压
在恒流区iD时 ID, O(UuGGSS(th)1)2 式中 IDO为uGS2UGS(t时 h) 的 iD
3. 场效应管的分类 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
结型PN沟 沟道 道((uuGGS> S<00, ,uuDDS< S>00)) 场效应管 绝缘栅型 耗 增尽 强型 型 PPN N沟 沟 沟 沟道 道 道 道((((uuuuG GG GSS< 极 SS> 极00, 性 , 性uu任 D任 DS< S> 意 意 00)u)u, , DDS< S>00))


低频跨导:
夹断区(截止区)
iD几乎仅决 定于uGS
击 穿 区
夹断电压
gm
iD uGS
UDS常量
不同型号的管子UGS(off)、IDSS 将不同。
动画演示Байду номын сангаас
(1)可变电阻区
i
是uDS较小,管子尚未预夹断时
的工作区域。虚线为不同uGS是预夹
断点的轨迹,故虚线上各点
uGD=UGS(off),则虚线上各点对应的 uDS=uGS-UGS(off)。
uDS的增大几乎全部用 来克服夹断区的电阻
iD几乎仅仅 受控于uGS,恒 流区
用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N 沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么?

05电子线路试卷_电子02晶体三极管和场效应管练习一

05电子线路试卷_电子02晶体三极管和场效应管练习一

《电子线路》第二章晶体三极管和场效应管班级:姓名:学号:成绩:一、填空题:(24分)1、晶体三极管有两个PN结,即结和结,在放大电路中结必须正偏,结必须反偏。

2、三极管各电极电流的分配关系是。

3、晶体三极管有型和型,前者的图形符号是,后者的图形符号是。

4、三极管的输出特性曲线可分为三个区域,即、和。

当三极管工作在区时,关系式I C=βI B才成立;当三极管工作在区时,I C≈0;当三极管工作在区时,U CE≈0。

5、晶体三极管的反向饱和电流I CBO随温度升高而,穿透电流I CEO随温度升高而。

6、某晶体三极管的管压降U CE保持不变,基极电流I B=30微安时,I C=1.2毫安,则发射极电流I E= ,如果基极电流I B增大到50微安时,I C增大到2毫安,则三极管的电流放大系数β=。

7、工作在放大状态的三极管可作为器件,工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为器件。

8、三极管的三个主要极限参数是、、。

9、场效应管是一种电压控制型器件,输入电阻很大,栅极电流很小。

10、对于大功率晶体管,手册中规定的最大耗散功率P CM,是在常温条件下,才允许达到的最大值。

二、选择题:(20分)1、NPN型三极管处于放大状态时,各极电位关系是()A. U C>U B>U EB. U C<U B<U EC. U C>U E>U B2、3DG6D型晶体三极管的P CM=100毫瓦,I CM=20毫安,U BR(CEO)=30伏,如果将它接在I C=15毫安,U CE=20伏的电路中,则该管()A. 被击穿B. 工作正常C. 功耗太大过热甚至烧坏3、测得工作在放大电路中的三极管各电极电位如图所示,其中硅材料的NPN管是()4、放大电路中某三极管极间电压如图所示,则该管类型及1、2、3极分别为()A. NPN硅管,E、C、BB. NPN硅管,C、B、EC. PNP锗管,E、C、BD. PNP锗管,B、C、E5、三极管各电极对地电位如下图所示,工作于饱和状态的三极管是()6、如右图所示电路中的三极管处于()状态。

模电第二章三极管练习题

模电第二章三极管练习题

第二章三极管练习题一、填空题:1.晶体管工作在饱和区时发射结偏;集电结偏。

2.三极管按结构分为_ 和两种类型,均具有两个PN结,即______和______。

3.三极管是___________控制器件,场效应管是控制器件。

4.晶体管放大电路的性能指标分析,主要采用等效电路分析法。

5.放大电路中,测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V,则该管是______类型管子,其中_____极为集电极。

6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。

7.三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时,三极管的工作状态分别是__ __和______。

8.场效应管同三极管相比其输入电阻_________,热稳定性________。

9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时,输入信号必须是________的信号。

10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________,集电结______。

11.在正常工作范围内,场效应管极无电流12.三极管按结构分为______和______两种类型,均具有两个PN结,即___________和_________。

13.晶体三极管是一种___控制___器件,而场效应管是一种___控制___器件。

14.若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压,在集电结上也加上反向偏置电压,则这个晶体三极管处于______状态。

15.作放大作用时,场效应管应工作在____(截止区,饱和区,可变电阻区)。

16.晶体三极管用于放大时,应使发射极处于__偏置,集电极处于__偏置。

二、选择题:1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V,V B=,V E=1V则晶体管工作在()状态。

A、放大B、截止C、饱和D、损坏2、三级管开作在放大区,要求(??? )A、发射结正偏,集电结正偏????????B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏?????????D、发射结反偏,集电结反偏3、在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的哪个区域()A 可变线性区B 截止区C 饱合区 D击穿区4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=,V E=3V,V B=,则该管工作在()A.饱和区 B.截止区C.放大区 D.击穿区5.三极管参数为P CM=800mW, I CM=100mA, U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中,()属于正常工作。

场效应晶体管和三极管的工作原理

场效应晶体管和三极管的工作原理

场效应晶体管和三极管的工作原理
场效应晶体管和三极管都是电子元件中的基本部件。

它们可以用
来放大或控制电流的流动。

下面就分别介绍它们的具体工作原理。

一、场效应晶体管(FET)
场效应晶体管(FET)是一种控制电流的元件。

它的工作原理是
通过一个输入信号在栅极上形成电场,在源极和漏极之间形成一个电
子通道,然后控制电流在通道中的流动。

当输入信号的电压变化时,
栅极的电场也会变化,从而影响电子通道的宽度,最终控制电流的流动。

FET具有高输入阻抗、低噪声和低功耗等特点,被广泛应用于放大电路和开关电路等领域。

二、三极管
三极管是一种放大电流的元件。

它由三个掺杂不同的半导体材料
组成:发射极、基极和集电极。

三极管的工作原理是通过一个小电流
控制它的输出电流。

当在基极和发射极之间的电压超过某个值时,会
有一小部分电子流入基极,从而控制另一部分电子从集电极流出。


种控制关系被称为“放大作用”。

三极管的放大倍数与输入电流之比
决定,具有高放大倍数、线性放大等特点,被广泛应用于音频放大器、功放等电路。

总的来说,场效应晶体管和三极管都是非常重要的电子元件。


们在电子电路中的应用非常广泛,了解它们的工作原理有助于更深入
地理解电子电路的原理和应用。

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电子线路第一章晶体二极管和二极管整流电路一、填空1、晶体二极管加一定的(正向)电压时导通,加(反向)电压时(截止)这一导电特性称为二极管的(单相导电)特性。

2、不加杂质的纯净半导体称为(本征半导体)。

3、P型半导体它又称为(空穴)型半导体,其内部(空穴)数量多于(自由电子)数量。

4、加在二极管两端的(电压)和流过二极管的(电流)间的关系称为二极管的(伏安特性)。

5、把(交流)电转换成(直流)电的过程称为整流。

6。

直流电的电路称为二极管单相整流电路,常用的有(单相半波整流)、(单相桥式整流)和(倍压整流)电路。

7。

三极管工作在放大区时,通常在它的发射结加(正向)电压,集电结加(反向)电压。

8。

三极管在电路中的三种基本连接方式是(共发射极接法)、(共基极接法)、(共集电极接法)。

9。

晶体二极管的主要参数有(最大整流电流IFm)、(最高反向工作电压VRm)、(反向漏电流IR)。

10。

导电能力介于(导体)和(绝缘体)之间物体称为半导体。

11、在半导体内部,只有(空穴)和(自由电子)两种载流子。

12、一般来说,硅晶体二极管的死区电压应(大于)锗晶体二极管的死区电压。

13、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是(既有少数载流子,又有多数载流子)。

14、用万用表测晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有+号插孔中的测试表笔(通常是红色表笔)所连接的二极管的管脚是二极管的(负)极,另一电极是(正)极。

15、面接触性晶体二极管比较适用(大功率整流)16。

晶体二极管的阳极电位是-10V,阴极电位是-5V,则晶体二极管处于(反偏)17。

用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆档拨到(R1K档)18。

当硅晶体二极管加上0。

3V正向电压时,该晶体管相当于(阻值很大的电阻)19。

晶体二极管加(反向)电压过大而(击穿),并且出现(烧毁)的现象称为热击穿20。

晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时,反向电流(极小);当反向电压大于反向击穿电压后,反向电流会急速(增大)21、二极管的正极又称(阳)极,负极又称(阴)极。

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课题第二章晶体三极管和场效晶体管2.1.1~2.1.3 三极管的基本特性课型新课授课班级17机电授课时数2课时教学目标1.掌握三极管的结构、分类和符号2.理解三极管的工作电压和基本连接方式3.理解三极管电流的分配和放大作用、掌握电流的放大作用教学重点三极管结构、分类、电流分配和放大作用教学难点电流分配和放大作用学情分析学生已经了解了PN结及特性学生已熟练掌握晶体二极管的基本特性教学方法讲授法、引导法、图示法、对比法、多媒体演示法教后记通过对本次课的学习,学生了解了三极管的基本特性,了解三极管中的PN结与二极管中PN结的区别,同时掌握了三极管的基本连接方式和放大倍数的计算方法,并能进行实际应用,利用查表法说出三极管的型号A.引入在电子线路中,经常用的基本器件除二极管外,还有三引脚的三极管。

B.新授课2.1.1三极管的结构、分类和符号一、晶体三极管的基本结构1.观察外形2.三极管的结构图三极:发射极、基极、集电极两结:发射结、集电结三区:发射区、基区、集电区3.特点(1)发射区掺杂浓度较大,以利于发射区向基区发射载流子。

(2)基区很薄,掺杂少,载流子易于通过。

(3)集电区比发射区体积大且掺杂少,收集载流子。

注意:三极管并不是两个PN结的简单组合,不能用两个二极管代替。

二、图形符号a.NPN型b.PNP型三、分类1.内部三个区的半导体分类:NPN型、PNP型2.工作频率分类:低频管和高频管3.以半导体材料分:锗、硅2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式一、三极管的工作电压1.三极管工作时,发射结加正向电压,集电结加反向电压。

2.偏置电压:基极与发射极之间的电压。

二、三极管在电路中的基本连接方式1.共发射极接法(讲解)(引导:比较两种符号,箭头说明发射结导通的方向)共用发射极2.共基极接法共用基极3.共集电极接法共用集电极2.1.3三极管内电流的分配和放大作用一、电流分配关系三极管的特殊构造,使三极管具有特殊作用。

1.实验电路2.三极管中电流分配关系(1)I E = I C+I B。

(2)基极电流I B很小,所以I E = I C。

3.I CEO ——基极开路时c、e的电流(观察)I CEO 越小,说明温度稳定性越好。

4.I CBO ——发射极开路时c 、b 间的电流集电极、基极反向饱和电流二、电流放大作用1.当I B 有较小变化时,I C 就有较大变化2.交流电流放大系数:BC I I∆∆=β注意:工作电流不同,β不同,在I C 较大范围内,β变化很小。

3.直流电流放大系数BCI I =β ββ=4.I C =βI BI C = β I B +I CEO练习练习册相关习题小结三极管结构→分类→电流分配关系布置作业 习题二 2-1,2-2,2-3,2-4课 题2.1.4 三极管的输入和输出特性课型新课授课班级17机电授课时数2课时教学目标1.熟悉三极管的输入和输出特性曲线2.能正确指出输出特性曲线的三个区域,明确三极管的三个状态3.能正确判别三极管的三个状态教学重点三极管的输出特性曲线、工作状态教学难点工作状态的判别学情分析学生已了解三极管的基本特性及基本工作方式教学方法曲线图法、对比练习法、讲授法、指导法、多媒体演示法教后记学生通过本次课的学习,明确了三极管的三种工作状态,并能较为熟练地利用外加电压大小判断三极管的工作区域A.复习1.三极管的类型、分类、结构。

2.三极管的电流分配关系。

3.三极管的电流放大作用。

B.引入三极管的基本作用已经明了,还需进一步了解三极管的特性,包括输入特性和输出特性的特性曲线,三极管在不同电压条件下的工作状态等。

C.新授课一、三极管共发射极输入特性1.定义:V BE与I B的数量关系。

2.输入特性曲线——对每一个固定的V CE值,I B随V BE的变化关系。

(1)当V CE增大时,曲线应右移。

(2)当V BE> 0.3 V时,曲线非常靠近。

(3)当V BE大于发射结死区电压时,I B开始导通。

导通后V BE的电压称为发射结正向电压或导通电压值,硅管为0.7 V,锗管约为0.3 V。

二、晶体三极管的输出特性曲线1.定义每一个固定的I B值,测出I C和V CE对应值的关系。

2.三个区域(1)截止区:①I B = 0,三极管截止,I B = 0以下的区域。

②I B = 0,I C≠0,即为I CEO。

③三极管发射结反偏或两端电压为零时,为截止。

(2)饱和区:①V CE较小的区域。

②I C不随I B的增大而变化。

③饱和时的V CE值为饱和压降。

④V CES:硅管为0.3 V,锗管为0.1 V。

(学生根据电路图写公式)(教师画曲线图,学生比较二极管与三极管的正向曲线特性有何区别?)(教师讲解)(学生读书理解各工作区域三极管的工作电压条件及发射结、集电结的要求)⑤发射结、集电结都正偏,处于饱和。

(3)放大区:①I C受I B控制,ΔI C=βΔI B,具有电流放大作用。

②恒流特性:I B一定,I C不随V CB变化,I C恒定。

③发射结正偏,集电结反偏,处于放大状态。

总结:三极管工作状态由偏置情况决定。

放大截止饱和发射结正偏集电结反偏发射结反偏或零偏发射结正偏集电结正偏NPN V C>V B>V E V B≤V E V B>V E,V C>V EPNP V C<V B<V E V B≥V E V B<V E,V C<V E 例题:1.判别三极管的工作状态2.将上题改为PNP型硅管再作判别。

3.判断三极管的放大状态,各极名称、管型。

4.根据输出特性曲线计算直流放大系数、交流放大系数、I CEO、I CBO等(本组题为已知管型。

)指导:先看V BE再看V BC,NPN多为硅管,PNP多为锗管,饱和区V CE≈0.3V)(本组题为未知管型仅知管脚电位)指导:1.中间电位值的为基极。

2.电位值接近基极的为发射极。

电位值与基极相差较大的是集电极。

3.V BE=0.7 V或接近,为NPNV BE=-0.3V 或接近,为PNP)练习习题二2-6,2-8,2-9小结1.三极管特性曲线2.三个区域、三个状态3.三个状态判别的方法布置作业课后2-7课题2.1.5~2.1.6 三极管的主要参数及测量课型新课授课班级17机电授课时数 2教学目标1.了解三极管的主要参数。

2.会简单测试三极管硅管、锗管。

教学重点三极管的参数和测试教学难点三极管的测试(使用万用表)学情分析学生掌握了三极管的特性,并且可以通过查表的方式熟练地说出三极管的类型教学方法讲授法、实验法、讲练结合法、多媒体演示法教后记通过本次课的学习,学生逼近了解了三极管的主要特性,同时还掌握了一项技能:利用万用表测量三极管的好坏,这项技能可以应用在实际生活中,检修电路等A.复习1.三极管的输入、输出特性曲线。

2.三极管的三个区域、三个状态。

3.各个状态的特性。

B.引入学习了三极管的基本特性,要正确使用三极管必须了解三极管的参数,并会测试三极管。

C.新授课(学生回答问题)(学生读书了解三2.1.5三极管的主要参数一、共发射极电流放大系数1.共发射极直流放大系数β2.共发射极交流放大系数β在同等工作条件下,β=β二、极间反向饱和电流1.集电极-基极反向饱和电流I CBO2.集电极-发射极反向电流(穿透电流)I CEO关系:I CEO =(1+β)I CBO三、极限参数三极管正常工作时,允许的最大电流、电压和功率等极限数值。

1.集电极电大允许电流I CM若I C过大,β将下降;当I C>I CM,β将下降很多。

2.集电极最大允许耗散功率P CMP CM最大允许平均功率是I C和V CB乘积允许最大值。

3.集电极—发射极反向击穿电压V CEO基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,电压超过此值后,会电击穿导致热击穿,损坏管子。

2.1.6三极管或锗管的简易测试一、硅管或锗管的判别原理:1.硅管发射结正向压降为0.6 ~ 0.8V2.锗管发射结正向压降为0.1 ~ 0.3V测试:二、估计比较β的大小1.万用表R×1k2.方法3.比较β的大小极管的主要参数)(教师讲解三极管参数的主要注意事项)(边测边学,讲练结合)当开关S断开和接通时的电阻值,前后两个读数相关越大,表示三极管的 越高。

三、估测I CEO1.万用表R×1k2.方法3.结论:阻值越大,I CEO越小4.阻值无穷大,三极管内部开路;阻值为零,则内部短路。

四、NPN型管和PNP型管的判别1.万用表R×1k 或R×1002.方法(1)黑表笔搭接三极管某一管脚,红表笔搭接另管脚,如果阻值都很小,黑表笔所接为NPN型管的基极。

(2)红表笔搭接三极管一脚,黑笔搭另两脚,如果阻值都很大,红表笔所接为是PNP型管的基极。

五、三个管脚的判别NPN型按电路连接阻值小的一次,黑笔接c,红笔接e。

(学生分组利用万用表进行测量,各小组之间相互检查)教师指导:(1)搞清各电极在放大时的电位关系。

(2)NPN 截止,V CE 间阻值大;放大,V CE 间阻值小。

练习分发给学生不同型号的三极管,让学生进行测量小结1.参数2.三极管的测定方法布置作业习题二,2-10补充:三极管9011的参数为P CM = 400 mW,I CM = 30 mA,V(BR)CEO = 30 V,问该型号管子在以下情况下能否正常工作。

1.V CE = 20 V,I C = 25 mA2.V CE = 3 V,I C = 50 mA。

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