【CN109748314A】一种无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910225609.1

(22)申请日 2019.03.25

(71)申请人 郑州大学

地址 450001 河南省郑州市市辖区高新技

术开发区科学大道100号

(72)发明人 张丽莹　杨兵旺　王凌晨　贺加贝　

董英豪　

(74)专利代理机构 济南泉城专利商标事务所

37218

代理人 张贵宾

(51)Int.Cl.

C01G 3/02(2006.01)

B82Y 30/00(2011.01)

B82Y 40/00(2011.01)

(54)发明名称一种无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法(57)摘要本发明公开了一种无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明方法包括步骤：1）将强碱和过硫酸盐溶于去离子水，得到溶液A；2）将洁净的铜基体浸泡在溶液A中处理得到附着在铜基体上的氢氧化铜纳米线阵列；3）将水合肼用去离子水稀释，得到溶液B；4）氢氧化铜纳米线阵列在溶液B中处理，控制好处理时间，得到附着在铜基体上的氧化亚铜纳米线阵列。本发明制得的氧化亚铜纳米线直接生长在导电基体上，且排列整齐；一方面可以避免高分子粘结剂的使用，减少接触电阻；另一方面整齐的阵列结构可以为电子离子的流动提供最

短路径。权利要求书1页 说明书4页 附图4页CN 109748314 A 2019.05.14

C N 109748314

A

1.一种无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括步骤：1）将强碱和过硫酸盐溶于去离子水，得到溶液A；

2）将洁净的铜基体浸泡在溶液A中处理20

~50min，得到附着在铜基体上的氢氧化铜纳

米线阵列；

3）将水合肼用去离子水稀释，得到溶液B；溶液B中水合肼的浓度为0.3

~0.8ml水合肼/

100mL水；

4）将步骤2）处理得到的附着有氢氧化铜纳米线阵列的铜基体在溶液B中处理60

~ 100min，得到附着在铜基体上的氧化亚铜纳米线阵列。

2.如权利要求1所述无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤1）中，

溶液A中强碱的浓度为2

~6mol/L。

3.如权利要求1或2所述无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤1）

中，过硫酸盐的浓度为0.05

~0.2mol/L。

4.如权利要求1或2所述无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤1）中所述强碱为氢氧化钠或氢氧化钾。

5.如权利要求1所述无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤1）中所述过硫酸盐为过硫酸钾或过硫酸铵。

6.如权利要求1所述无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述铜基体为铜片或泡沫铜。

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CN 109748314 A