电子技术考试试题

《电子技术基础》期终考试

姓名___________ 学号_____________ 班级_______

一填空题（共10个题每题2分共20分）

1. PN 结的正向接法是：P区接电源的_______极，N区接电源的_______极。

2. NPN型三极管处于放大状态时，三个电极的电位关系是：____________。

3. 三极管具有电流放大作用，即_______的微小变化控制了_______的较大变化。

4. 三极管的三个电极电流之间的关系式是_______________________________。

5. NPN型三极管处于放大状态时，三个电极的电位关系式是_______________。

6.多级放大电路的耦合方式有_______、_______和_______三种。

7.共发射极放大电路的V O和V i的相位_______，所以该电路又叫_______。

8.表征放大器中晶体三极管静态工作点的参数有____、_____、_____和______。

9.一般情况下，三极管的电流放大系数随温度的升高而_______。

10.二极管具有_____________________性。

二判断题（共5个小题每个小题2分共10分）

1.在半导体内部，只有自由电子是载流子。（）

2.一般来说，硅晶体二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。（）

3. 二极管只能通过直流电，不能通过交流电。（）

4. 三极管的发射极和集电极可以互换使用。（）

5. 三极管的极间反向饱和电流越小越好。（）三选择题（共10个小题，每个小题2分共20分）

1. 下列半导体材料热敏特性突出的是_______

A. 本征半导体

B. P型半导体

C. N型半导体

2. 如果二极管正反向电阻都很小，则该二极管_______

A. 正常

B. 已被击穿

C. 内部短路

3. 三极管是一种_______的半导体器件。

A. 电压控制型

B. 电流控制型

C. 既是电压控制又是电流控制

4. 三极管的两个PN结都反偏，则该三极管的状态时_______

A. 放大

B. 截止

C. 饱和

5.

6. 三极管工作在放大状态时，它的两个PN结必须是_______

A. 发射结和集电结同时反偏

B.发射结和集电结同时正偏

C.发射结正偏，集电结反偏

7. 稳压管两端的电压变化量与通过电流的变化量之比称作稳压管的动态电阻。

稳压性能良好的稳压管的动态电阻值_______

A. 较大

B. 较小

C. 不定

8. 如果一个二极管的正极的电位是5V, 负极的电位是3V，那么该二极管_______

A. 正向导通

B. 截止

C. 击穿

9. 当硅二极管加上0.3伏正向电压时，该二极管的状态是_______

A. 正向导通

B. 截止

C. 放大

10. 晶体三极管工作在饱和状态时，它的Ic将_______

A. 随I B增加而增加

B. 随I B增加而减小

C. 与I B无关

四简答题（共3个小题每题5分共20分）

1.简述三极管的内部结构特点？

2.简述基本放大电路的组成及各部分特点？

3.什么叫静态工作点？为什么要设置合适的静态工作点？

4.请说出对基本放大电路的要求有哪些？

5.请说出射极输出器的基本特点及其使用场合？五计算题（第1、2小题各5分，第三小题20分共30分）

1．已知某类型三极管的I B1=20uA，I C1=2mA；I B2=40uA，I C2=4mA；那么此三极管的放大倍数是多少？（5分）

2．某放大器的电压增益为120Db，它相当于多大的电压放大倍数？如果电压增益为-60dB，由表示是什么意思呢？（5分）.

3．已知某类型

图所示。试计算：