第二章 一维平面光波导

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《光波导理论教学课件》2.2平面电磁波

《光波导理论教学课件》2.2平面电磁波
《光波导理论教学课件》2.2平面电磁波
目录
平面电磁波的基本概念 光波导中平面电磁波的传播 平面电磁波在光波导中的模态 光波导中平面电磁波的耦合与散射 平面电磁波在光波导中的非线性效应
01
CHAPTER
平面电磁波的基本概念
平面电磁波是指电磁场振幅在空间保持不变,且以波阵面形式传播的电磁波。
定义
具有振幅、频率和相位等特性,且在传播过程中保持恒定的振幅和相位关系。
无线通信
雷达通过发射平面电磁波并接收目标反射回来的信号,实现对目标的位置和速度进行探测。
雷达探测
光学仪器中,如显微镜、望远镜等,利用平面电磁波的干涉、衍射等现象实现对物体的高精度测量。
光学仪器
平面电磁波的应用场景
02
CHAPTER
光波导中平面电磁波的传播
光波导是一种能够引导光波在其中传播的结构,通过光波导的引导作用,平面电磁波可以在其中传播并保持稳定。
分类
常见的光波导类型包括折射率引导型、干涉型、散射型等,每种类型的光波导都有其独特的传播特性。
特性差异
不同类型的光波导在传输效率、模式稳定性、光谱响应等方面存在差异,需要根据实际需求选择合适的光波导类型。
03
边界条件
光波导的边界条件决定了平面电磁波在波导端面和侧壁的反射和透射行为,进而影响光的传输特性和模式特性。
特性
定义与特性
在无障碍物的空间中,平面电磁波以球面波的形式向四面八方传播。
自由空间传播
导引传播
反射与折射
在导引介质(如波导)中,平面电磁波沿着特定的方向传播,受到导引介质的约束。
当平面电磁波遇到不同介质的分界面时,会发生反射和折射现象,遵循斯涅尔定律。
03
02

光纤通信技术习题

光纤通信技术习题

TE偶模式
A cos x x h / 2 k n 2 2 0 1 Ey B exp( x ) x h / 2 2 k0 n2 2 dE y Ey , E y , H z 在界面上连续 在界面上连续 dx
阶跃折射率光纤的单模条件是:归一化频率小于2.4048.
2π 2π 2π 2 2 V a n1 n 2 an1 2Δ aNA 2.4048 λ λ λ
定义截止波长为λc
c 2 aNA / 2.4048
2 n1 NA2 n2 1.456
纤芯折射率 相对折射率差
0.004
光纤纤芯直径 dcore 2.4048c / NA 7.65 m
2. 假设某阶跃折射率分布的光纤,其包层折射率为 1.445,芯子直径8um,要想使得该光纤对1250nm 波长刚好满足单模条件, 1)该光纤的数值孔径是多少?纤芯折射率是多少? 2)对于1550nm和1300nm的光,该光纤最大接 收角是多少? 3) 如果浸入折射率为n=1.3的液体中,对于1550nm 光,该光纤最大接收角变为多少? 4)对于波长980nm的光是否单模?如果折射率不 变,芯子直径应为多大能使980nm光满足单模条 件?
构成光信号的电磁波各频率分量在光纤中具有不同 传输速度的现象 模间色散:不同模式不同传输速度 光纤色散 材料色散:不同频率不同折射率 波导色散:不同频率不同模场分布 偏振模色散:不同偏振态不同传输速度 为什么会有传输速度的不同?
3、请说明现有单模光纤的主要种类以及它们之间的主要 区别。 G652,G653,G654,G655,主要区别是零色散波长位置 G652 普通单模光纤;零色散波长 1310nm G653 色散位移单模光纤;零色散波长 1550nm G654 截止波长移位单模光纤;零色散波长 1310nm G655 非零色散移位单模光纤;在1550nm窗口色散的 绝对值不为零,非零色散值可以抑制非线性四波 混频对DWDM系统的影响。

光电子技术基础03

光电子技术基础03

rTE = =
n1 cosθi + jn2 (n1 / n2 )2 sin 2 θi −1 n1 cosθi − jn2 (n1 / n2 )2 sin 2 θi −1
cosθi + j sin 2 θi − (n2 / n1)2 cosθi − j sin 2 θi − (n2 / n1)2
sin 2 θi − (n2 / n1)2 取 ϕTE = arctan cosθi
λ0 = niλi
ki = 2πni / λ0 = ni k0 k0 = k1 / n1 = k2 / n2
不同介质中光波的频 率不变,但波长变。 率不变,但波长变。
n↑则 λ↓,k ↑ 则 ,
3) 4)
ω = 2πv = 2πc / λ = kc
k矢量在界面处的切向分量连续 矢量在界面处的切向分量连续 由反射和折射定律: 由反射和折射定律:
Er rTE = = e−2 jϕ Ei
b ϕ = tg ( ) a
−1
a − jb re− jϕ = jϕ = e−2 jϕ rTE = a + jb re
在界面上反射光相对于入射光会产生一相移2ϕ 在界面上反射光相对于入射光会产生一相移 ϕ
a − jb rTE = a + jb
rTE a − jb = =1 a + jb
优点: 优点: 传输损耗低、信息容量大、 传输损耗低、信息容量大、抗电磁干扰能 力强、尺寸小、重量轻等。 力强、尺寸小、重量轻等。 到现在光纤损耗已减少到每公里零点几分贝, 到现在光纤损耗已减少到每公里零点几分贝, 甚至更小。 甚至更小。 下面我们首先介绍介质波导然后再简要介绍 光纤。 光纤。 介质光波导: 介质光波导: 能够引导光束传播, 能够引导光束传播,使光束的能量限制在波 导横截面内,且损耗很小的这种设备。 导横截面内,且损耗很小的这种设备。

1平面光波导技术

1平面光波导技术

光波导是集成光学重要的基础性部件,它能将光波束缚在光波长量级尺寸的介质中,长距离无辐射的传输。

平面波导型光器件,又称为光子集成器件。

其技术核心是采用集成光学工艺根据功能要求制成各种平面光波导,有的还要在一定的位置上沉积电极,然后光波导再与光纤或光纤阵列耦合,是多类光器件的研究热点.按材料可分为四种基本类型:铌酸锂镀钛光波导、硅基沉积二氧化硅光波导、InG aAsP/InP光波导和聚合物(Polymer)光波导。

LiNbO3晶体是一种比较成熟的材料,它有极好的压电、电光和波导性质。

除了不能做光源和探测器外,适合制作光的各种控制、耦合和传输元件。

铌酸锂镀钛光波导开发较早,其主要工艺过程是:首先在铌酸锂基体上用蒸发沉积或溅射沉积的方法镀上钛膜,然后进行光刻,形成所需要的光波导图形,再进行扩散,可以采用外扩散、内扩散、质子交换和离子注入等方法来实现。

并沉积上二氧化硅保护层,制成平面光波导。

该波导的损耗一般为0.2-0.5dB/cm。

调制器和开关的驱动电压一般为10V左右;一般的调制器带宽为几个GHz,采用行波电极的LiNbO3光波导调制器,带宽已达50GHz以上。

硅基沉积二氧化硅光波导是20世纪90年代发展起来的新技术,主要有氮氧化硅和掺锗的硅材料,国外已比较成熟。

其制造工艺有:火焰水解法(FHD)、化学气相淀积法(CVD,日本NEC公司开发)、等离子增强CVD法(美国Lucent公司开发)、反应离子蚀刻技术RIE多孔硅氧化法和熔胶-凝胶法(Sol-gel)。

该波导的损耗很小,约为0.02dB/cm。

基于磷化铟(InP)的InGaAsP/InP光波导的研究也比较成熟,它可与InP基的有源与无源光器件及InP基微电子回路集成在同一基片上,但其与光纤的耦合损耗较大。

聚合物光波导是近年来研究的热点。

该波导的热光系数和电光系数都比较大,很适合于研制高速光波导开关、AWG等。

采用极化聚合物作为工作物质,其突出优点是材料配置方便、成本很低。

光波导理论PPT

光波导理论PPT

模式所携带的能量基本上限制在导波层内,因此被成为束
缚模或导模。
③对于 k0n2 k0n0,图(2)中的d范围,方程 (1.4)解对应于覆盖层中的指数函数、导波层和衬底中的 振荡函数,这些模式称为衬底辐射模。
④对于 0 k0n2 ,图(2)中的(e)范围,方程 (1.4)的解在波导的三层介质中都是振荡函数,这类模式 称为辐射模或包层模。
(k1h)
1 p2
0
(2.11)
解之,可得
tan(k1h)
p0 p2
k1 (1
p0 p2 k12
)
(2.12)
式(2.12)为TE波的相位型色散方程,式(2.11)称为矩
阵形式的TE波的模式本征方程。
对于一般非对称n+2层平板波导,推广上述的结果,便 可得到TE波的矩阵形式的模式本征方程
在分界面上连续,所以最后的场分布如图2(a)所示。
场随着离开波导两界面的距离而无限制增加,这个解在物
理上是不能实现的,因此它并不对应于真实的波。
②对于 k0n0 两点的情况,因为
k0
1 Ey
n21xE2,y 对0,应由于方图程((2)1.中4)(可b)知,和导(波c)层
中的解是正余弦形式,其余区域为指数形式的。由于这些
1b
1b
前面分析得到导模截止时,b=0,所以可得模式归一化截止 频率
Vcut m arctan a, m 0,1,2, 由上式可知波导进行单模传输的条件为
arctan a V arctan a
(1.26) (1.27)
对于完全对称波导(衬底与覆盖层的折射率相等), a=0,此时的模式归一化截止频率
k0n0
N n0
②波导的归一化频率

第二章-理想平板介质光波导中的光传播特性及仿真

第二章-理想平板介质光波导中的光传播特性及仿真

第2章介质光波导分析方法2.1 平板介质光波导一般概念2.1 平板介质光波导一般概念波动理论法则是把平板介质光波导中的光波看作是满足波导边界条件的麦克斯韦方程组的解。

2.2 平板光波导分析的射线法振幅反射率和附加相移振幅反射率和附加相移S 波(TE 波——电矢量平行于界面)振幅反射率:光传播过程相位变化:光波不仅在介质中传播过程中相位会发生改变,在界面上反射时相位也会变化。

对于θ1 < θ1c ,界面上发生全反射,此时上式的分子和分母中第二个平方根内为负数,因此得到的振幅反射率r 为复数。

1.106分子分母同乘k )振幅反射率和附加相移振幅反射率和附加相移s 波( TE波——电矢量平行于界面) 附加相移为:p 波( TM波——磁矢量平行于界面)在界面发生全反射时引起的附加相移为:(1.145)(1.144)界面:n1、n2、n3的界面,不是入射面平板波导中的其他光场均可视为TEM 模:模式只有横向分量,而无纵导模特征方程导模特征方程入射光线两次反射后与入射光线同方向传输特征方程特征方程A、B 两点的距离为:C、D两点的距离为:光线CD 还经历了两个附加相移:分别是介质1、3 界面处全反射的附加相移ϕ3 和介质1、2 界面处全反射的附加相移ϕ2.平板光波导的特征方程:特征方程特征方程 界面处的附加相移会因入射光偏振方向的不同而有所差异,因此就能够得到两个不同模式下的特征方程电矢量平行于界面的导波式中:特征方程特征方程同样地,磁矢量平行于界面的导波TM 模的特征方程(代入ΦM2和ΦM3) :这里采用的是简单光线传播的射线理论。

实际上,从麦克斯韦方程出发,结合介质界面处的边界条件也可以推导出以上特征方程。

引入的几个重要参数——都是θ的函数,得到一个光波模式的波矢就可以求解其他引入的几个重要参数——都是θ的函数,得到一个光波模式的波矢就可以求解其他纵向波矢横向波矢衰减系数< n 1kn 2k << n 1k2.3 平板光波导中的TE模TE模的电磁理论求解TE模的电磁理论求解平板光波导中的TE模仅有E y由麦克斯韦方程:(2.30)TE模的电磁理论求解TE模的电磁理论求解的式子因此可以将H的分量表示为Ey代入式(2.30),可以得到关于Ey的波动方程,j = 1;2;3 表示分别是在芯层、衬底和覆盖层。

平面光波导 幻灯片

平面光波导  幻灯片

(3)
∂H z + j β H y = jωε 0 n 2 Ex ∂y ∂H z − jβ H x − = jωε 0 n 2 E y ∂x ∂H y ∂Hx − = jωε 0 n 2 Ez ∂x ∂y
∂ = 0 ,把这个关系代 ∂y
(4)
假设电磁场在y方向上不随坐标y变化,即
入方程(3)(4),就可以得到电磁场的两种模式:TE模和TM模 TE模 模
TM模:把磁场垂直于光的传输方 向(也就是z轴),这种电磁场分 布称为横磁模
波动 方程
+ (k 2n 2 − β 2 ) E y = 0
TE模:把电场垂直于光的传输 方向(也就是z轴),这种电磁 场分布称为横电模
2
TE模的色散方程 模的色散方程
x = ±a
κ = k 2 n 2 − β 2 1 其中 2 σ = β 2 − k 2 n0 ξ = β 2 − k 2 ns2
Acos(k x −φ)cos(k y −ψ ) x y −γ x ( x−a) Hy = Acos(kxa −φ)e cos(ky y −ψ ) −γ y ( y−d ) cos(ky d −ψ ) Acos(kx x −φ)e
2 -k x2 -k y + k 2 n12 − β 2 = 0 k x、k y、 2 2 2 -γ x -k y + k 2 n0 − β 2 = 0 γ x、γ y 2 2 2 的关系 -k x + γ y + k 2 n0 − β 2 = 0
(1 )
% ∂H % ∇ × E = -µ 0 ∂ t (2),得到电 把它代入麦克斯韦方程: % 磁场的分量方程: 2 ∂E % ∇ × H =ε 0n ∂t

第二章 2.1 2.2 光波导理论

第二章 2.1 2.2 光波导理论
k y= 0
波导中的电场可写成: 波导中的电场可写成:
β = k 0 n 1sinθ 1
E i = E 0 exp[i (± k 0 n 1 cos θ 1 x + k 0 n 1 sin θ 1z )] = E 0 exp[i (± k 0 n 1 cos θ 1 x + β z )]
光波导理论光波导理论-折射率突变型二维波导
光波导理论光波导理论-折射率突变型二维波导

光波的传输方式

波导模的色散

波导层等效厚度
光波导理论光波导理论-折射率突变型二维波导
射线光学分析法
光波的传输方式
波动光学法
光波导理论光波导理论-折射率突变型二维波导
光波的传输方式-光波的传输方式 射线光学分析法
射线光学方法:在光波波长可以忽略的极限情况下,可 射线光学方法:在光波波长可以忽略的极限情况下, 以近似的认为光能是沿着一定的曲线传输的,用射线来 以近似的认为光能是沿着一定的曲线传输的, 分析光波传播的方法称为射线光学方法或几何光学方法。 分析光波传播的方法称为射线光学方法或几何光学方法。 优点:用射线光学方法分析波导中光的传输, 优点:用射线光学方法分析波导中光的传输,可以较简 单地得到一些有用的结论,并且比较直观。 单地得到一些有用的结论,并且比较直观。 缺点:不能导出电磁场严格理论的精确结果。 缺点:不能导出电磁场严格理论的精确结果。
B C’
推导导模条件
D d θ1 B’
A A’ E F C D’
则得到入射波与反射波的相位差为: 则得到入射波与反射波的相位差为:
k 0 n(BC - B' C') 2ϕ12 - 2ϕ13 = 2mπ(m = 0, 1, 2 L ± ± 1

平面介质光波导和耦合模理论ppt课件

平面介质光波导和耦合模理论ppt课件

0neff n3
n3 neff n2
n2 neff n1
M=1
M=0
ppt精选版
TE0
27
3、截止波长
如果某个模式在衬底出现辐射则称该模式截止,
由截止条件 k0n2 带入公式2.2.5a得到kx,带入
2.2.6a可得
k0d
n12n22
marctan
n22n32 n12n22
TEm模式的截止波长
2.2.0.3
BOHMOr HOH
ppt精选版
P-媒质极化强度,M-磁化强度 -媒质电导率,o、o-自由空 间的介电常数和磁导率
19
波动方程的推导思路:
1、光波导材料为不导电的均匀、各向同性,J=0,
=0,r为常数 2、对公式2.2.0.1前2个式子做旋度处理,并利用后两式
结果,可以得到
2E
n2
2
xa
xa 2.2.4
ax
式中
k
2 x
2
n
2 1
k
2 o
a
2 2
2
n
2 2
k
2 o
a
2 3
2
n
2 3
k
2 o
2.2.5a 2.2.5b 2.2.5c
kx---x方向的波数, a2、a3---分别为衬底层、覆盖层中电场沿X方向的 衰减常数,k0---真空中的波数,---场量在Z方向的传播常数 注:上式中省略了exp(-j z)
辐射模式 k 0 n 3 k 0 pn pt2 精 选版 0 k 0 n 3 2.2.8 26
平面光波导的模式及传播常数小结
sin c
n3 n1
n2 ≥ n3, s ≥ c

平面光波导(PLC, planar Lightwave circuit)技术

平面光波导(PLC, planar Lightwave circuit)技术

平面光波导(PLC, planar Lightwave circuit)技术平面光波导(PLC, planar Lightwave circuit)技术随着FTTH的蓬勃发展,PLC(Planar Lightwave Circuit,平面光路)已经成为光通信行业使用频率最高的词汇之一,而PLC的概念并不限于我们光通信人所熟知的光分路器和AWG,其材料、工艺和应用多种多样,本文略作介绍。

1.平面光波导材料PLC光器件一般在六种材料上制作,它们是:铌酸锂(LiNbO3)、Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物、二氧化硅(SiO2)、SOI(Silicon-on-Insulator, 绝缘体上硅)、聚合物(Polymer)和玻璃,各种材料上制作的波导结构如图1所示,其波导特性如表1所示。

图1. PLC光波导常用材料铌酸锂波导是通过在铌酸锂晶体上扩散Ti离子形成波导,波导结构为扩散型。

InP波导以InP为称底和下包层,以InGaAsP为芯层,以InP或者InP/空气为上包层,波导结构为掩埋脊形或者脊形。

二氧化硅波导以硅片为称底,以不同掺杂的SiO2材料为芯层和包层,波导结构为掩埋矩形。

SOI波导是在SOI基片上制作,称底、下包层、芯层和上包层材料分别为Si、SiO2、Si和空气,波导结构为脊形。

聚合物波导以硅片为称底,以不同掺杂浓度的Polymer材料为芯层,波导结构为掩埋矩形。

玻璃波导是通过在玻璃材料上扩散Ag离子形成波导,波导结构为扩散型。

表1. PLC光波导常用材料特性2. 平面光波导工艺以上六种常用的PLC光波导材料中,InP波导、二氧化硅波导、SOI波导和聚合物波导以刻蚀工艺制作,铌酸锂波导和玻璃波导以离子扩散工艺制作,下面分别以二氧化硅波导和玻璃波导为例,介绍两类波导工艺。

二氧化硅光波导的制作工艺如图2所示,整个工艺分为七步:1)采用火焰水解法(FHD)或者化学气相淀积工艺(CVD),在硅片上生长一层SiO2,其中掺杂磷、硼离子,作为波导下包层,如图2(b)所示;2)采用FHD或者CVD工艺,在下包层上再生长一层SiO2,作为波导芯层,其中掺杂锗离子,获得需要的折射率差,如图2(c)所示;3)通过退火硬化工艺,使前面生长的两层SiO2变得致密均匀,如图2(d)所示。

第二讲 光纤理论0

第二讲 光纤理论0
移及有效穿透深度、数值孔径等概念。
基本要求
(3)一维平面光波导的波动光学描述,介质光波导中导模的横向 谐振特性、截止特性、特征方程等重要光学性质以及传输模式、 导模截止波长等概念。 (4)柱坐标系下的矢量分析回顾及阶跃折射率光纤中的矢量模分 析,特征方程及其截止特性。 (5)弱导近似及阶跃折射率光纤中的线偏振模分析。特征方程及 其截止特性。 (6)弱导近似下矢量模的简并性及其与线偏振模的关系,光波导 中模式的完备性、正交性和稳定性及其所蕴含的物理意义。 (7)光纤的单模工作条件,普通单模光纤的基本物理结构及基模 场分布、功率限制因子、截止波长和模场直径。 (8)单模光纤的种类:G652、G653、G654、G655及偏振保持单 模光纤的结构及其特性。
基本要求
3.光纤的传输特性参数 三个传输特性参数: 1)损耗:损耗的成因,损耗的表示方法,典型损耗曲线 2)色散: 光纤色散的概念。 色散的各种成因:模式色散、材料色散、波导色散、 偏振模色散:保偏光纤和起偏光纤的特点 单模光纤的色散、数学表述及其物理意义。 光纤色散对光纤中信号传输的影响。 减小光纤色散的基本途径,光纤的色散补偿及色散优 化光纤的特性。 3)非线性 光纤中的光学非线性形成机理。 SPM、XPM、FWM、受激非弹性散射(SBS、SRS) 非线性对光纤中信号传输的影响 如何在光纤通信系统中避免和利用非线性效应。
第二讲 光纤理论
基本内容
1.光纤通信概论
光纤制造技术,光缆基本结构及特性。 2.光纤的基本特性 (1)光纤的基本结构、原理 基本结构----纤芯、包层、涂覆层; 单模光纤,多模光纤典型参数 基本原理----利用光的全反射,实现对光的定向引导 (2)Maxwell电磁理论回顾
对称和非对称一维平面光波导的基本结构及其导光原理,

集成光学ppt课件 第二章第1节 平面介质光波导理论

集成光学ppt课件 第二章第1节 平面介质光波导理论
对于各向同性介质来说,相关的物质方程为
相对介电常数
D 0 E P = E = r0 E
介质磁导率
介电常数 真空介电常数
B H r 0H
J E 介质相对磁导率 真空磁导率
介质电导率
对于各向异性介质, , 是二阶张量。
3
Di ij E j i, j 1 3
Bi ij H j i, j 1
第二章 平面介质光波导理论
§2.1 电磁场基本方程 平面电磁波
2.1.1 麦克斯韦方程 物质方程 边界条件
根据经典理论,电磁场的基本规律可以用麦克斯韦方程表述,为:
E B t D
HJ t
D
B0
要能从给定的电流和电荷分布唯一地确定各个场矢量,还必 须对麦克斯韦方程组补充一些描述物质在电磁场作用下的特 性的经验关系式,它们称为物质方程。
满足缓变条件。因此上面形式的波动方程是分析光波导中光
波传播的基本方程。
与机械波的波动方程
2 1
v2
2
t2
0
相比较,可见在各向同性均匀非磁性介质中传播的电磁波的
波速为
v 1 0
按照麦克斯韦所创立的光的电磁理论,这就是在介质中的光 速。在真空中的光速为
c 1 00
介质中的折射率为 n c v
0
波振幅的极大值由
t k z m ( m = 0 , 1 , 2 L )
给出!
波长略不相同的两个光波沿同一方向传输时干涉产生一个幅 度以群速度运动的波包
+
包络
E max
E max
群速度:表征光信号包络的传输速度
vg d dk
相速度
costkz
costddkz
-k曲线形状决定了群速度g和相速度p

第二章平面介质光波导和耦合模理论

第二章平面介质光波导和耦合模理论

IBM Cell Processor
14
集成光学国际研究进展-理论、器件
围绕新型集 成光学器件 的结构设计、
集成器件 的结构和 性能模拟
功能模拟与

特性参数的

计算
设计方法


传递矩阵法 时域有限差 分法
光束传播法 有限元法
从基本原理入手,设计具有一 定功能的光学器件
从功能角度出发,以提高器件 性能,减少器件损耗,或者使
✓ 光波导的结构;平板光波导,条形光波导, 阶跃折射率光波导, 渐变折射率光波导;
✓ 模式,导模,基底模,辐射模,传播常数;
✓ 平板光波导中的TE模和TM模;

条形光波导中的E
y mn
模和E
x mn
模;
• 耦合模理论
✓ 模式耦合,平行耦合,反向耦合的概念; ✓ 平面介质光波导的耦合模微扰理论; ✓ 导模之间的耦合,导模与辐射模之间的耦合; ✓ 定向耦合器和分支Y波导;
其他集成光 学器件
混合集成光隔离器 光束偏转器
光学双稳态材料、器件与集成的研究— —光子计算机
传感器的集成光学器件与性能的研究
集成光学的基本单元:平面光波导
(1)光束能限制在光波导中传播;
(2)利用光波导可以制成各种光波导器件;
(3)将光波导和光波导器件集成起来可构成有特定功能的集成光路
核心:平面光波导
8
集成电子学和集成光学
• 集成光学正经历着 于集成电子学同样
transistor radio
1954
的发证轨迹:
– 更小的单个器件。 – 更紧密的集成。
intel 4004 1971
– 更低成本的加工工 艺。

第2章光波导理论基础

第2章光波导理论基础

sinsc
n2, n1
sinoc
n3 n1
当 oc sc 时,则平面光波在衬底和覆盖层与波导层
的交界面处都得不到全反射,而只有部分反射,因此,会
有一部分光将辐射到衬底和覆盖层里去,称它们为辐射模
式,如图2.7a)所示。此时又称为空气模式。
当 oc sc 时,则。平面光波在覆盖层与波导层的交界面
处发生全反射,但在衬底和波导层的交界面处只发生部分
抛物线形和双曲线形。图2.2a)当中,在 axa
区域折射率为 n2 nxn1,在 x a 区域折射率为
n2
第2章 光波导的理论基础
要点与习题
什么是平面波导? 什么是条形波导? 什么是柱形波导? 什么是突变波导? 什么是渐变波导?
第2章 光波导的理论基础
2.1 光波导种类 2.2 光波导的射线光学理论 2.3 古斯-汉欣线移和有效厚度原理 2.4 光波导的电磁理论
1、波导中的平面波。平面波的表达式为:
E v (r v ,t) E v 0e x p ik v r v t
(2.2-20)
波矢量的标量形式
k
c/n1
k0n1
(2.2-21)
由图2.4可知,若入射角为 i ,则波矢量的x分量和z分量
可写为:
长春理工大学
第2章 光波导的理论基础
kx k0n1cosi
2.2.2 射线光学模型
射线光学模型就是光线在薄膜-衬底和薄膜-覆盖层 分界面上发生全内反射,沿z字形路径在薄膜中传播, 如图2.4所示。
长春理工大学
第2章 光波导的理论基础
2.2.3 光入射到介质界面处的基本定律
长春理工大学
第2章 光波导的理论基础

2008第2章11(一维平面光波导8)

2008第2章11(一维平面光波导8)

2 n3 k y 2 n1 a3
m, n 1,2,3,..
10
选作作业一: 利用计算机分析条形光波导的hx分量的场 图,各个区域的折射率自己设定。要求首 先通过特征方程计算出传输常数,然后化 成几个低阶模式的hx的场图。
11
k0 2 hx 0 i 1,2,3,4,5
4

n
2 t
2
i
k0 2 hx 0 i 1,2,3,4,5
2

2
b/2
5 -a/2 1
-b/2
a/2
4
3
2 2 2 2 2 2 2 hx 2 hx nx k0 n y k0 n12 k0 2 hx 0 x 2 y
2 1 3
b/2
5
1
4
-b/2
6
2
c1 cosk x x x a / 2 x a / 2 X c 2 exp a 4 x a / 2 x a / 2 c exp a x a / 2 x a / 2 5 3 c4 cosk y y y b / 2 y b / 2 Y c5 exp a 2 y b / 2 y b / 2 c exp a y b / 2 y b / 2 3 6
3
分析 E
y mn

hx
2 k y k 02 n12 hx 芯区 ey 2 2 2 ai k 0 n hx i 2,3,4,5
n k
2 t 2
2 t 2 2 i
2 0

2
h
x
0
矩形波导各个区域的波动方程为

光波导平面

光波导平面

导模(TE)本征解
• 覆盖层:x>0 Ey=Aexp(-W0x/d) • 芯区: -d<x<0 Ey=Acos(Ux/d)+Bsin(Ux/d) • 衬底: x<-d Ey= (AcosU-BsinU)exp[(W2(x+d)/d] • 纵向:Hz=(j/wm0)dEy/dx)
本征值方程
• 边界条件:TE模式: Ey,Hz在上下界面连续; TM模式: Hy,Ez在上下界面连续。 • 本征值方程:

* j m z dBm / dz = jw (P E m e ) dxdy


§3-3 耦合波方程及耦合系数
• 耦合波方程式:
dAm dz dBm dz = j A ( Km Km )e
t z


j ( m ) z
B ( Km Km )e
fTE = 2tg 1
n k , 2 2 n1 k0
2 2 2 j 0 2
fTM = 2tg 1
2 n1 2 n 2 k j 0 n n2k 2 2 j 1 0
4
光程相移
x n0 n1 D fD=n1k0(CD-AB) n2
C 0 q A
• 光线轨迹:锯齿形折线 • 约束光线条件:
– 上界面全反射:q10qc10=arcsin(n0/n1) – 下界面全反射:q12qc12=arcsin(n2/n1) – 相位匹配:上下两次反射经历相移为2p整数倍
• 附加相移: Df=fD-f12-f10
– 光程相移: fD=2n1k0dcosq – 全反射相移:f12, f10
W2 2p
V

第二章 一维平面光波导

第二章 一维平面光波导
半导体光电子器件、 波导器件、平面光波回路PLC 半导体光电子器件、LiNbO3波导器件、平面光波回路 一维平面光波导的基本结构 由多层平板介质构成的波导结构, 由多层平板介质构成的波导结构,折射率 在垂直于介质分界面的方向上发生变化。 在垂直于介质分界面的方向上发生变化。 三层均匀一维平面光波导
n1 ,0 ≤ x ≤ h n(x ) = n2 , x ≤ 0 (n1 > n2 ≥ n3 ) n , x ≥ h 3
4πh n1 − n2 = 2mπ − ϕ 2 − ϕ 3
2 2
二、一维平面光波导的波动光学描述
对称性考虑 场分解与模式分类 场方程和解 模式的特征方程
一维平面光波导的描述
• 几何光学描述: 几何光学描述: 给出波导特性清晰的物理图象和解释; 给出波导特性清晰的物理图象和解释; 结论粗糙, 结论粗糙,不能够获得有关电磁场模式在 波导内的具体场分布和传输特性等方面的完整 细节。 细节。 • 波动光学描述: 波动光学描述: 方程组出发, 从Maxwell方程组出发,结合电磁场的边 方程组出发 界条件获得光波导的严格理论分析: 界条件获得光波导的严格理论分析:各模式的 场分量分布和特征方程。 场分量分布和特征方程。
δ (γ 2 + γ 3 ) k x h = arctan 2 + mπ δ − γ 2γ 3
特征方程
j dH y Ez = − ϖε dx
TM模 模 Ez连续
δk12 k3 2γ 2 + k 2 2γ 3 tan (δh ) = 2 2 2 4 k 2 k3 δ − k1 γ 2γ 3
一维平面光波导的波动光学描述
• 波动光学描述: 波动光学描述: 各模式的场分量分布和特征方程的 获得----由于 由于Maxwell方程组的约束,实 方程组的约束, 获得 由于 方程组的约束 际当中,并不需要对其逐一求解, 际当中,并不需要对其逐一求解,只要 求得电场或磁场的两个分量, 求得电场或磁场的两个分量,即可以获 得电磁场的其他四个分量。 得电磁场的其他四个分量。对应关系如 下:

《波导光学》1-2

《波导光学》1-2
n1Ei cosi n1Er cosi n2Et cost
n2
t • Et
z
将(1)代入 消去折射分量
n2 (Ei Er ) cost
Ht 折射光
TE波
(n1 cosi n2 cost )Ei (n1 cosi n2 cost )Er
12
菲涅耳(Fresnel)公式
得到TE波的反射系数
10
TM波: 横磁波
光波的偏振态
10、横磁波(TM波, P波):E矢量 入射面,H矢量 入射面
20、横电波(TE波, S波) : E矢量 入射面,H矢量 入射面
x
入射光 Ei
Er 反射光
Hi • i r • Hr
n1 n2
TM波
t • Ht
Et z 折射光
x
入射光
Ei
Er
Hi • i r •
3
沿空间任意方向传播的平面波
在均匀介质中光沿直线传播。
(在非均匀介质中,光线向折射率大的方向弯曲)
x
p(x,y,z)
k
r a
γ
z
β
y
4
单色平面波的复数表达式
E(r ,t) E0 exp{i[k • r t) 0 ]}
时空分离
E
(r,
t
)
E
0
exp
i
k•
r
exp
it
E
r
exp
it
其中
n2
反射光线位于入射光线和法线 n1 所决定的平面内,反射光线和 入射光线处于法线的两侧,且
t i r
i r , n1 sini n2 sint
菲涅耳(Fresnel)公式

[理学]第二章 一维平面光波导

[理学]第二章 一维平面光波导

模式分类
场的迭加原理:波导内的电磁场总可以分解为两种正交的 偏振状态来进行分析
TE模 Ex 0 Ez 0
j dEy Hx Ey , H z , Ez H y 0 0 0 dx
TM模 E y 0 H z 0
j dH y Ex H y , Ez , Hz Hy 0 dx
基模:TE0模 截止2 2 cos cos 1 sin n n c c 1 2 模式数 n1 4h 特征方程 2 2 n1 n2 2 3 偏振简并:TE、TM 2k0n1h cos 2 3 2m mM 模式总数约2M 2
纵向场与横向场
横向电场和横向磁场之间关系
Et 1 1 ez j 0 H t e z t t e z H t z j H t 1 ez j 0Et e z t t e z Et z j 0


特征方程
2k0n1h cos 2 3 2m
AD BC 2h cos
返回
横向谐振条件 = 特征方程
kx
k kz
2kx h 2 3 2m
k x k0 n1 cos
TE模、TM模反射时相位损失(2+3)不同,一个m,两个模式 因此特征方程不同。 TEm模、TMm模 截止波长cm 当光波波长超过cm时,指标m的模式截止
x h
y z
限制层
波导层 限制层
n3 n1 n2
( x) exp( jz)
z j
满足:
y 0,
n1 ,0 x h n1 n2 n3 波导结构(折射率空间分布): n x n2 , x 0 n , x h 3

光波导

光波导


d
(tg1

1
tg
) sin1
BC d
c os1
BC BC 2d cos1
2k0n1 cos1d 22 23 2m
tg IE
n
2 1
sin 2
1

n2 2
n1 cos1
tgTM

n12 n2 2
n12 sin 2 1 n22 n1 cos1
sin 2 e12 sin 2 e13 tg 1 cos e12
n22 n32 ,TE波 n12 n22
3TM
tg1( n1 )2 n3
n22 n32 ,TM波 n12 n22
le

2d n12 n22 m 3
, 将3TE ,3TM 代入。
不同T E, T M的模,截至波长
当 1 c sin1 sinc
n2 n1 sin1
为虚部
A jB
A jB
exp(2jf)
RTE
RTM
B C 1
1
tg IE
n
2 1
sin 2
1

n2 2
n1 cos1
tgTM

n12 n2 2
n12 sin 2 1 n22 n1 cos1
2)对高价模, 1大,穿透n1, n2的深度大,
高阶模比低阶模有更多的能量处存在这 层介质中。这时计算损耗和波导间耦合 时要考虑
3)等效折射 :对不同的模式来说,在光导波中反 射的次数不同,若仅考虑波的前面方向上距离与 时间的关系,可得
2a
v
n12 n22 2.405
l
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4πh n1 − n2 = 2mπ − ϕ 2 − ϕ 3
2 2
二、一维平面光波导的波动光学描述
对称性考虑 场分解与模式分类 场方程和解 模式的特征方程
一维平面光波导的描述
• 几何光学描述: 几何光学描述: 给出波导特性清晰的物理图象和解释; 给出波导特性清晰的物理图象和解释; 结论粗糙, 结论粗糙,不能够获得有关电磁场模式在 波导内的具体场分布和传输特性等方面的完整 细节。 细节。 • 波动光学描述: 波动光学描述: 方程组出发, 从Maxwell方程组出发,结合电磁场的边 方程组出发 界条件获得光波导的严格理论分析: 界条件获得光波导的严格理论分析:各模式的 场分量分布和特征方程。 场分量分布和特征方程。
δ (γ 2 + γ 3 ) k x h = arctan 2 + mπ δ − γ 2γ 3
特征方程
j dH y Ez = − ϖε dx
TM模 模 Ez连续
δk12 k3 2γ 2 + k 2 2γ 3 tan (δh ) = 2 2 2 4 k 2 k3 δ − k1 γ 2γ 3
纵向场与横向场
横向电场和横向磁场之间关系
∂Et 1 1 ez × e z × ∇ t ∇ t ⋅ (e z × H t ) = − jϖµ 0 H t − jϖ ∂z ε ∂H t 1 ez × = jϖε 0 Et + e z × ∇ t (∇ t ⋅ (e z × Et )) ∂z jϖµ 0
∂ψ ∂y = 0, ∂ψ ∂z = − jβψ
E x = 0 βE y = −ϖµ 0 H x
dE y dx = − jϖµ 0 H z dH z = − jϖεE y dx
βH y = ϖεE x
dH y dx = jϖεE z dE z = jϖµ 0 H y dx
Ey = 0
jβH x +
jβE x +
(
)
特征方程
2k0 n1h cosθ + ϕ 2 + ϕ 3 = 2mπ
AD − BC = 2h cos θ
返回
横向谐振条件 = 特征方程
kx
k kz
2k x h + ϕ 2 + ϕ 3 = 2mπ
k x = k0 n1 cosθ
TE模、TM模反射时相位损失(ϕ2+ϕ3)不同,一个m,两个模式 模 模反射时相位损失( 模反射时相位损失 ϕ 不同,一个 , 因此特征方程不同。 因此特征方程不同。 TEm模、TMm模 截止波长λcm 截止波长λ 当光波波长超过λ 指标m的模式截止 当光波波长超过λcm时,指标 的模式截止 基模: 基模:TE0模 截止波长最长! 截止波长最长!
λcm
全反射条件 1 2 2 2 cosθ < cosθc = 1 − sin θc = n1 − n2 模式数 n1 4πh 特征方程 2 2 n1 − n2 + ϕ 2 + ϕ3 偏振简并:TE、TM 偏振简并: 、 2k0n1h cosθ + ϕ2 + ϕ3 = 2mπ λ m≤M = 模式总数约2M 模式总数约 2π
第二章 一维平面光波导
主要内容
一、一维平面光波导及其几何光学描述 二、一维平面光波导的波动光学描述 附: Maxwell电磁理论基础 电磁理论基础
一、一维平面光波导及其几何光学描述
一维平面光波导的基本结构 Snell定律 定律 一维平面光波导中模式的几何光 学描述
一维平面光波导基本结构
平面光波导
(
)
kx
δ 2 = k12 − β 2 , γ 2 2 = β 2 − k 2 2 , γ 3 2 = β 2 − k3 2 , k j = k0 n j , ( j = 1,2,3) k
kz δ
2
= k1
2
− β
2
= k
2 x
波导内各模式场分布与传输特性的求解
波动光学获得TE模式和TM模式的特征方程与几何光 波动光学获得TE模式和TM模式的特征方程与几何光 TE模式和TM 学分析获得的横向谐振条件类似, 学分析获得的横向谐振条件类似,但是表述起来更 为严格。 为严格。 求解特征方程,可以获得传输常数的一系列解, 求解特征方程,可以获得传输常数的一系列解,每 一个解对应一个模式。 一个解对应一个模式。 由传输常数可以获得其他的分布参数, 由传输常数可以获得其他的分布参数,进一步得出 电磁场的各个场分量。 电磁场的各个场分量。 分别对TE TM模 TE和 分别对TE和TM模,找出满足 k0n2 < β < k0n1 的β 的个数(总是有限的), ),按从大到小依次记为 的个数(总是有限的),按从大到小依次记为βm m=1,2…M) M); TE或TM模式的传输 (m=1,2 M); βm 即为第 m 个TE或TM模式的传输 常数, 常数,其随 ω 的变化关系决定了该模式在波导中 的传输特性
相干加强条件
k = k0n1
k0 n2 < β < k0 n1
满足全反射条件时, 满足全反射条件时,只有某 些以特定角度入射的光线才 同一波阵面上各点的振动情况完全相同,相位相同或相差2π 同一波阵面上各点的振动情况完全相同,相位相同或相差 π整数倍 能在波导内传导, 能在波导内传导,每一种可 2πn1 AD − BC + ϕ 2 + ϕ 3 = 2m以传导的电磁波称为波导的 π , m = 0,1,2,... λ 一种模式 模式。 一种模式。
(
)
导模条件: k 0 n 2 < β < k 0 n1
模式解
0≤ x≤h A cos(δx ) + B sin (δx ) , x<0 ψ ( x ) = A exp(γ 2 x ) [ A cos δh + B sin (δh )]exp[− γ ( x − h )] x>h 3
一维平面光波导的场方程及其解
光波导将空间分为三个均匀的区 域,各区域内电磁场分量的切向 分量在介质分界面上满足连续性 条件。 条件。三个区域内的电磁场的各 个直角分量均满足下述波动方程: 个直角分量均满足下述波动方程: y
∇2Ψ + k = 0 k = k 0 n, k 0 =
x h z
限制层 波导层 限制层
δ 2 = k12 − β 2 , γ 2 2 = β 2 − k 2 2 , γ 3 2 = β 2 − k3 2 , k j = k0 n j , ( j = 1,2,3)
切向分量连续 Ψ(Ey,Hy),(Ez,Hz) ?
γ:衰减系数
特征方程
TE模 模 Hz连续
j dE y Hz = ϖµ 0 dx
n3 n1 n2
ϖ
c
=
2πf 2π = c λ
ψ = ψ ( x) exp(− jβz )
∇2 = ∇t +
2
d 2ψ 2 2 + k0 n j − β 2 ψ = 0, j = 1,2,3 dx 2
TE :ψ = E y TM :ψ = H y
(
)
∂ ∂z 2
2
场方程
TE :ψ = E y d 2ψ 2 2 2 + k0 n j − β ψ = 0, j = 1,2,3 2 TM :ψ = H y dx
TE
TM
利用纵向场与横向场的对应关系进一步可得: 利用纵向场与横向场的对应关系进一步可得:
TE模 E x = 0 E z = 0
β j dE y Hx = − Ey , H z = , Ez = H y = 0 ϖµ 0 ϖµ 0 dx
TM模 E y = 0 H z = 0
j dH y β Ex = − H y , Ez = ,Hz = Hy = 0 ϖε ϖε dx
n1 n2 n3 n4 限制层
x h y z
n3 n1 n2
波导层 限制层
对称结构: 对称结构: n2 = n3 非对称结构: 非对称结构:n2 ≠ n3
光在介质分界面上的全反射
H E k E H TM k
Snell定律 定律
θ1 = θ1 , n1 sin θ1 = n2 sin θ 2
Goos- Haenchen位移 δ 位移 波动特性——穿透深度 波动特性 穿透深度 入射点与反射点的位移 反射相位损失 ϕ 振幅反射系数 R = R exp(− jϕ )
一维平面光波导的波动光学描述
• 波动光学描述: 波动光学描述: 各模式的场分量分布和特征方程的 获得----由于 由于Maxwell方程组的约束,实 方程组的约束, 获得 由于 方程组的约束 际当中,并不需要对其逐一求解, 际当中,并不需要对其逐一求解,只要 求得电场或磁场的两个分量, 求得电场或磁场的两个分量,即可以获 得电磁场的其他四个分量。 得电磁场的其他四个分量。对应关系如 下:
满足: 满足:
限制层 z 波导层 限制层
n3 n1 n2
ψ = ψ ( x) exp(− jβz )
∂ψ ∂z = − jβψ
∂ψ ∂y = 0,
n1 ,0 ≤ x ≤ h 波导结构(折射率空间分布): 波导结构(折射率空间分布): n( x ) = n2 , x ≤ 0 (n1 > n2 ≥ n3 ) n , x ≥ h 3

n2 TE θ2 n1 θ 1 θ 1’
δ
二维矩形光波导— —x偏振基模
二维矩形光波导— —y偏振基模
全反射条件 θ>θc12>θc13 θ θ 传输常数
波矢量在传输方向上的分量
sin θ > n2 n1 h kx
k kz
ϕ2 A θ B
C
n3 n1 D n2
ϕ3 波前
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