华侨大学本科考试卷 微电子器件与电路(16集成)2017-2018期末测试卷B卷
6012微电子器件跟电路期末考试开卷资料精
1 / 12姓名：麻省理工学院电气工程与计算机系6.012微电子器件与电路期末考试开卷注意:1. 除非特殊说明,假设室温下对于Si来说KT/q的值为0.025 V, KT/q ln10=60 mV,ni=1010cm-3、q=1.6 x 10-19 Coul。
2. 考试的大部份题目都能够独立解决。
3. 所有的答案必须写在卷子上。
上交任何其他的答案纸将不计入成绩。
4. 可以取合理的近似值和假设。
说明且证明这些假定和近似是合理的。
5. 检查试卷共十二(12)页，确定在试卷顶部空白位置写上你的名字。
6. 可以从2002年1月7日开始在13-3058房间看到期末考试成绩。
教师评分用 第一题------- （30%）第二题------- （25%）第三题------- （20%）第四题------- （25%）总分2/12第一题（30分）三个独立的小问题a)一个独立的1017cm-3N-型Si样品，1600 cm2/V-s的电子迁移率，600 cm2/V-s的空穴迁移率，少数载流子寿命只有10-5s，在光照射下，它的表面均一的产生G L电子空穴对/cm3-s，过剩空穴数为1018 cm-3。
i）室温下热平衡状态下载流子浓度n o 和 p o分别是多少？n o =__________p o=__________ii）被照射样品的电导率σ是多少？σ=_____________iii）n' 和 p'与 G L的关系（近似）并解释。
是因为b)这个小问题涉及到的MOS电容器结构在下面有插图说明。
在这个电容器中，n+-Si作为金属门电极。
氧化物的厚度是50 nm (5 x 10-6cm) 电介质常数是3.3x10-13F/cm. Si的电介质常数是10-12F/cm ，室温下 n i= 1010cm-3。
i）本结构中平带电压V FB是多少？V FB=_________第一题在下页继续3/12继续第一题ii）在阈值情况下（也就是p-Si表面在x=0时是反型层开始），静电电压变化ΔΦ是多少，穿越p-型Si的耗尽区有多宽？ΔΦ=_____________x Dp=_____________iii)在与ii) 相同的情况下，在n+-Si中，耗尽区宽度和静电势变化分别是多少？xDn+ (在n+-Si时)=_____________ΔΦ (在n+-Si时)=_____________c）考虑下面给出的电路。
华侨大学电阻电路试题
电 阻 电 路 试 题
旷 建 军 的 讲 义
16. 如图16所示电路，电压 u 等于：( D ) (A) 1V, (B) 3V, (C) 5V, (D) 7V, (E) 9V.
v2
1Ω 1Ω 1Ω 1Ω 1Ω
v1
图16
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2Ω
2Ω
6Ω
图9
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电 阻 电 路 试 题
旷 建 军 的 讲 义
10. 如图10所示电路，电压 u = -6V .
S
3Ω
a
1Ω
3Ω
1Ω
图10
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电 阻 电 路 试 题
旷 建 军 的 讲 义
( 15. 如图15所示电路，电压 u 等于： A ) (A) 2V, (B) 4V, (C) 6V, (D) 8V, (E) 10V.
4Ω 2Ω
3Ω
1Ω
图15
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图10
电 阻 电 路 试 题
旷 建 军 的 讲 义
11. 如图11所示电路，a、b端的等效电阻等于：( D ) (A) 3Ω, (B) 4Ω, (C) 5Ω, (D) 6Ω, (E) 8Ω.
6Ω
18Ω
9Ω
12Ω
图பைடு நூலகம்1
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5. 如图5所示电路，电阻 R 等于： ( D ) (A) 2Ω, (B) 4Ω, (C) 6Ω, (D) 8Ω, (E) 10Ω.
华侨大学本科考试卷
华侨大学本科考试卷一、单项选择(15题,每题2分,共30分)1、以下系统中不能对企业的资金流信息进行管理的是（D ）。
A ERPⅡB MRPⅡC ERPD MRP2、下列项目中不属于信息特征的是（A ）A 有效性B 等级性C变换性 D 不完全性3、以下战略中（D）不能提高信息传递的速度。
A JITB 信息伙伴C 虚拟组织D 跨国公司4、以下各点中，（C）不是诺兰阶段模型中提出的信息系统发展的阶段之一。
A 初装B 蔓延C 成长D 成熟5、在以下各点中，（C ）不是UC矩阵的作用之一。
A 进行数据的完整性和匹配性检查B 划分子系统C 生成数据流程图D在网络中进行数据资源的分布6、系统可行性分析的主要内容是（D ）A 经济可行性B 技术可行性C 管理上的可行性D 以上全部7、系统设计的任务是：在系统分析提出的逻辑模型的基础上，科学合理地进行（C ）的设计。
A 概念模型B 逻辑模型C 物理模型D 数学模型8、系统设计工作的重点在于（D）A 了解当前系统的状况B 了解系统的要求C 对数据收集与调研D 以上都不是9、某种代码由两位字符组成，第一位为英文字母，第二位为0-9（数字），共可组成_A__种代码？A 260B 234C 250 D22510、下列系统切换方法中，最快捷的是（A ）A 直接切换B 并行切换C 分段切换D 试点切换11、管理信息系统的开发会受到来自企业各个层次的人员的阻力，其中（B）是来自基层的阻力。
A 不真正了解MIS及其作用，不重视、不亲自参与B 担心自己的工作被计算机代替或由于难以改变自己的工作方式而采取不合作态度C 没有全面掌握IT各方面的知识和技能，不了解最新的发展动态D 担心新的MIS会使权利结构与管理方式发12.信息系统的评价应有哪些人员参加（D ）。
A 系统开发人员、系统管理与维护文员、外部专家B 系统用户、企业领导、系统管理与维护人员C 外部专家D 以上全部13、DSS中最复杂与最难实现的部分是（B ）A 数据库B 模型库C 方法库D 知识库E 对话管理子系统14、GDSS可以哎相当大程度上克服传统群体决策中的多种弊端，但对（D）问题无能为力。
多功能集成电路考核试卷
B.硅
C.铝
D.钨
5.在集成电路设计中，以下哪个参数不是描述晶体管的重要参数？（）
A.电流放大倍数
B.饱和电压
C.耗散功率
D.频率响应
C.非门
D.异或门
7. TTL型集成电路的逻辑“1”输出电压通常是（）。
A. 0V
B. 5V
C. 10V
A.尺寸缩小
B.集成度提高
C.速度加快
D.功耗降低
E.成本上升
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.集成电路（IC）是由许多微小的电子元件组成的，这些元件主要是基于______材料制作的。
2.在数字电路中，逻辑门是实现逻辑功能的基本单元，其中与非门（AND-NOT）的逻辑表达式为______。
B.蚀刻技术
C.化学气相沉积
D.分子束外延
E.离子注入
12.数字集成电路的常见逻辑系列包括以下哪些？（）
A. TTL
B. CMOS
C. ECL
D. ICL
E. BiCMOS
13.以下哪些是微电子技术的应用领域？（）
A.计算机技术
B.通信技术
C.智能控制
D.医疗电子
E.航空航天
14.集成电路设计中需要考虑的电气特性包括以下哪些？（）
7.金属互连是集成电路中用于连接各个器件和层的主要材料。( )
8.集成电路的制造过程中，光刻技术的精度决定了电路的最小特征尺寸。( )
9.在模拟集成电路中，放大器的带宽与晶体管的电流放大倍数成正比。( )
10.随着技术的发展，集成电路的尺寸会越来越大，集成度会越来越低。( )
五、主观题（本题共4小题，每题5分，共20分）
华侨大学数电期末考试试卷
华侨大学 数字电子技术试卷（A）
班级 姓名 学号 考试日期 成绩 年 月 日
一、填空题： （15%） （1） ：(42 . 39 )10 = ( )余 3BCD ( )8 = ( )16 , 要求误差不大于 10% 。 （2） ：试计算基本 TTL 与非门 7410 带同类门时的扇出数 N= 。 （IOL=16mA，IIL= -1.6mA，IOH=0.4mA，IIH=0.04mA ） （3） ：逻辑函数 F A B C D E 的对偶式 F =（
华侨大学期末期中试卷09-10期末考计算题
其方向为逆时针绕行方向。
21
t 0 BS
B0 sin tS cos t B0 S sin 2t 2 d i B0 S cos 2t
dt
( )
3
22
t
3
2 / 3( s ) w
2
23
y A cos(t
x 0 )
0.04cos(0.4 t 5 x )
2
(2)把x=0.2带入上式
对第五级亮条纹，有
k 5
sin '
x ' 5 0.58l D d x ' 1.99(cm)
解法2： 直Hale Waihona Puke 三角形线框所围平面上的磁通量为
b
0
0 Iy d x Ib 0.15 0 I b 0.05 0 ln 0.05 2 ( x 0.05)
2.59 108 I ( SI )
三角形线框中的感应电动势大小为
d /d t 2.5910 (d I /d t ) 5.1810 V
20.如图所示，长直导线AC中 dS=ydx=[(a+bx)l/b]dx 的电流I沿导线向上，并以dI m B d s s /dt = 2 A/s的变化率均匀增长. a b I a b x 0 ldx 导线附近放一个与之同面的直 a 2 x b 角三角形线框，其一边与导线 0 Il ab (a b) ln a b 平行，位置及线框尺寸如图所 2b 示. 求此线框中产生的感应电 l d l a b dI m 0 (a b) ln b ℰ dt 2b a dt 动势的大小和方向. 5.18 108V 负号表示逆 （a=5cm,b=10cm ) 解: 取顺时 y 时针 针为三角形 C 回路电动势 正向,得三 I l 角形面法线 垂直纸面向 x 里.取窄条 A a b 面积微元
微电子学基础考核试卷
B.高压测试
C.高速开关测试
D.热循环测试
10.以下哪些技术被用于微电子器件的互连技术？（）
A.铝互连
B.铜互连
C.金互连
D.硅互连
11.下列哪些因素会影响集成电路的功耗？（）
A.电压
B.频率
C.电路设计
D.制造工艺
12.以下哪些属于CMOS工艺的优点？（）
A.低功耗
B.高集成度
C.宽工作电压范围
3. NMOS晶体管在_______电平下导通，而PMOS晶体管在_______电平下导通。
4.微电子器件的_______测试是用来检测器件在高温条件下的性能稳定性。
5.金属-氧化物-半导体（MOS）结构中，金属通常指的是_______。
6.在微电子器件设计中，_______是指电路中电流流动的路径。
D.硼磷硅玻璃
6.数字集成电路的逻辑功能测试主要包括（）
A.功能测试
B.真值表测试
C.边沿测试
D.状态机测试
7.以下哪些是功率MOSFET的特点？（）
A.高电压
B.高电流
C.低导通电阻
D.高开关频率
8.下列哪些是集成电路封装的作用？（）
A.保护芯片
B.电气连接
C.散热
D.防止信号干扰
9.半导体器件的可靠性测试中，以下哪些测试方法可以用来评估器件的寿命？（）
D.易于与BiCMOS工艺兼容
13.下列哪些是微电子器件设计中考虑的安全因素？（）
A.电磁兼容性
B.静电放电
C.过压保护
D.短路保护
14.以下哪些技术被用于提高集成电路的散热性能？（）
A.散热片
B.热管
C.热电冷却器
电子工程与微电子技术应用考核试卷
A.电阻
B.电容
C.电感
D.晶体管( )
2.在CMOS技术中，N沟道MOSFET在导通状态下，其D-S之间的电压是：
A.正
B.负
C.零
D.无法确定( )
3.关于二极管的特性，下列描述正确的是：
A.正向导通，反向截止
B.正向截止，反向导通
C.正向截止，反向截止
D.正向导通，反向导通( )
A.单晶硅太阳能电池
B.多晶硅太阳能电池
C.非晶硅太阳能电池
D.硅薄膜太阳能电池( )
20.以下哪些是数字信号处理（DSP）的应用？
A.语音识别
B.图像处理
C.数据压缩
D.信号调制( )
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.在N沟道增强型MOSFET中，当VGS小于Vth时，MOSFET处于_______状态。
C. PGA封装
D. 3D封装( )
10.以下哪些是电子设计中常见的噪声源？
A.热噪声
B.散粒噪声
C.闪烁噪声
D.电源噪声( )
11.以下哪些是数字电路中的基本逻辑门？
A.与门
B.或门
C.非门
D.异或门( )12.以下些是光纤通信的优点？A.高带宽
B.抗电磁干扰
C.低损耗
D.成本低( )
13.以下哪些是微控制器的外设？
2. ABC
3. AB
4. BD
5. ABCD
6. ABCD
7. AB
8. ABCD
9. ABCD
10. ABCD
11. ABCD
12. ABC
13. ABC
微电子器件期末复习题含答案
。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（
13、PN 结扩散电流的表达式为（ Jd Jdp Jdn I 0 [exp(
压下可简化为（ Jd J 0 exp(
）
。
qv
。这个表达式在正向电
) 1] ）
KT
qv
，在反向电压下可简化为（ Jd J ）。
)）
KT
型中性区与耗尽区的边界上少子浓度np与外加电压npxpexpqvkt型区的掺杂浓度na171510cm型区与耗尽区边界上的少子浓度np7351025cmpn结外加正向电压时中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度pn结外加反向电压时中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度10pn结的正向电流由空穴扩散电流电子扩散电流和势垒区复合电流三部分所组成
，
内建电势 Vbi 就越（大）
，反向饱和电流 I0 就越（小）[P20]，势垒电容 CT 就越（ 大 ）
，
雪崩击穿电压就越（小）
。
5、硅突变结内建电势 Vbi 可表为（ vbi
KT N A N D
ln
）[P9]在室温下的典型值为（0.8V）
2
q
ni
6、当对 PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小）
，从而使到达集电结的少
子比从发射结注入基区的少子（小）。
27、晶体管的注入效率是指（从发射区注入基区的少子）电流与（总的发射极）电流
之比。[P69]为了提高注入效率，应当使（发射）区掺杂浓度远大于（基）区掺杂
浓度。
28、晶体管的共基极直流短路电流放大系数 是指发射结（正）偏、集电结（零）偏
时的（集电极）电流与（发射极）电流之比。
华侨大学考试题及答案
华侨大学考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10题，满分20分）1. 华侨大学位于哪个国家？A. 美国B. 澳大利亚C. 中国D. 加拿大答案：C2. 华侨大学的校训是什么？A. 求真务实B. 创新求实C. 博学笃行D. 追求卓越答案：C3. 华侨大学成立于哪一年？A. 1960年B. 1980年C. 2000年D. 2010年答案：A4. 华侨大学的主要教学语言是什么？A. 英语B. 汉语C. 法语D. 西班牙语答案：B5. 华侨大学有多少个学院？A. 15个B. 20个C. 25个D. 30个答案：B6. 华侨大学的学生总数大约是多少？A. 10000人B. 20000人C. 30000人D. 40000人答案：B7. 华侨大学的校庆日是几月几号？A. 5月20日B. 6月1日C. 7月7日D. 8月8日答案：A8. 华侨大学是否提供海外交流项目？A. 是B. 否答案：A9. 华侨大学的图书馆藏书量大约是多少？A. 50万册B. 100万册C. 150万册D. 200万册答案：B10. 华侨大学是否设有研究生院？A. 是B. 否答案：A二、多项选择题（每题3分，共5题，满分15分）1. 华侨大学提供哪些类型的学位教育？A. 本科B. 硕士C. 博士D. 专科答案：ABC2. 华侨大学有哪些著名的校友？A. 张三B. 李四C. 王五D. 赵六答案：ABCD3. 华侨大学的主要研究领域包括哪些？A. 工程学B. 管理学C. 文学D. 医学答案：ABCD4. 华侨大学的学生可以参加哪些类型的社团活动？A. 文学社B. 体育社C. 艺术社D. 科技社答案：ABCD5. 华侨大学的学生有哪些奖学金可以申请？A. 国家奖学金B. 校级奖学金C. 企业奖学金D. 社会奖学金答案：ABCD三、简答题（每题5分，共4题，满分20分）1. 简述华侨大学的办学理念。
答案：华侨大学秉承“博学笃行”的校训，致力于培养具有国际视野和社会责任感的高素质人才。
微电子期末考试复习题(附答案)
1. 光敏半导体、掺杂半导体、热敏半导体是固体的三种基本类型。
( × ) 2．用来做芯片的高纯硅被称为半导体级硅，有时也被称为分子级硅。
(×)电子3. 硅和锗都是Ⅳ族元素，它们具有正方体结构。
( × ) 金刚石结构4．硅是地壳外层中含量仅次于氮的元素。
( × ) 氧5．镓是微电子工业中应用最广泛的半导体材料，占整个电子材料的95％左右。
( × ) 硅6．晶圆的英文是wafer，其常用的材料是硅和锡。
( × ) 硅和锗7．非晶、多晶、单晶是固体的三种基本类型。
( √ )8．晶体性质的基本特征之一是具有方向性。
( √ )9．热氧化生长的SiO2属于液态类。
( × ) 非结晶态10．在微电子学中的空间尺寸通常是以μm和mm为单位的。
( × )um和nm 11．微电子学中实现的电路和系统又称为数字集成电路和集成系统，是微小化的。
( × ) 集成电路12．微电子学是以实现数字电路和系统的集成为目的的。
( × ) 电路13．采用硅锭形成发射区接触可以大大改善晶体管的电流增益和缩小器件的纵向尺寸。
( √ )14．集成电路封装的类型非常多样化。
按管壳的材料可以分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装。
( √ )15．源极氧化层是MOS器件的核心。
( × ) 栅极16. 一般认为MOS集成电路功耗高、集成度高，不宜用作数字集成电路。
( × ) 功耗低，宜做17. 反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是迁移率。
( √ )18. 双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为开关来使用。
( √ )19. 在P型半导体中电子是多子，空穴是少子。
( × ) 空穴是多子20. 双极型晶体管其有两种基本结构：PNP型和NPN 型。
( √ )21. 在数字电路中，双极型晶体管是当成开关来使用的。
( √ )22. 双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种模拟电信号。
集成电路分析与设计实验上机考试2015-2016数据(以此为准)
//netlist description begin
//netlist description end
endmodule
模块电路模块图1.b仿真结果(VSIM窗口所示结果，如下图所示)
模块电路模块图1.b仿真结果波形如下图所示：
第二题
第二题
模块
测试激励
功能电路模块图2
CELL2_EXAM2015
endmodule
模块电路模块图2仿真结果(VSIM窗口所示结果，如下图所示)
模块电路模块图2仿真结果波形如下图所示：
第三题
第三题
模块
测试激励
功能电路模块图3
CELL3_EXAM2015
CELL3_EXAM2015_UP_TB
CELL3_EXAM2015_DOWN_TB
模块电路模块图3最终的Verilog源代码描述如下图所示：
// Key Laboratory of ASIC and System ofXiamen
// The Department of Electronic Enineering,HuaqiaoUniversity
// Final EXAM 2015-2016
// Part II
// Good luck!
//netlist description end
endmodule
单元电路模块图1.a仿真结果(VSIM窗口所示结果，如下图所示)
单元电路模块图1.a仿真结果波形如下图所示：
电路模块图1.b最终的Verilog源代码描述如下图所示：
模块名称
CELL1B_EXAM2015.v
module CELL1B_EXAM2015(SUM,COUT,A,B,CIN);
华侨大学考试题及答案
华侨大学考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 华侨大学位于哪个国家？A. 美国B. 加拿大C. 中国D. 澳大利亚答案：C2. 华侨大学的主要教学语言是什么？A. 英语B. 法语C. 汉语D. 俄语答案：C3. 华侨大学的校训是什么？A. 求实创新B. 厚德博学C. 笃学力行D. 明德至善答案：B4. 华侨大学成立于哪一年？A. 1950年B. 1960年C. 1980年D. 2000年5. 华侨大学的学生来自多少个国家？A. 20个国家B. 50个国家C. 80个国家D. 100个国家以上答案：D6. 华侨大学的校歌名称是什么？A. 华侨之歌B. 华大之歌C. 华侨大学之歌D. 华大校歌答案：C7. 华侨大学的主要校区位于哪个城市？A. 北京B. 上海C. 厦门D. 广州答案：C8. 华侨大学提供哪些类型的学位课程？A. 本科B. 硕士C. 博士D. 所有以上答案：D9. 华侨大学有多少个学院？B. 20个C. 30个D. 40个答案：B10. 华侨大学的特色学科是什么？A. 工程学B. 管理学C. 法学D. 文学答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 华侨大学提供的学位课程包括以下哪些类型？A. 本科B. 硕士C. 博士D. 专科答案：ABC2. 华侨大学的校园文化活动包括以下哪些？A. 学术讲座B. 体育竞赛C. 文艺演出D. 社团活动答案：ABCD3. 华侨大学的学生可以参加哪些类型的国际交流项目？A. 短期交换B. 长期留学C. 暑期学校D. 实习机会答案：ABCD4. 华侨大学的特色教学方法包括以下哪些？A. 小班教学B. 双语教学C. 项目导向学习D. 翻转课堂答案：ABCD5. 华侨大学的校园设施包括以下哪些？A. 图书馆B. 实验室C. 体育馆D. 艺术中心答案：ABCD三、简答题（每题5分，共20分）1. 请简述华侨大学的历史背景。
答：华侨大学成立于1980年，是中国第一所以“华侨”命名的高等学府，由国家侨务办公室主管，旨在培养具有国际视野的高素质人才。
微电子学考试试题
微电子学考试试题一、选择题1. 下列哪种半导体器件主要利用PN结的整流作用？A. 晶体管B. 二极管C. 肖特基势垒二极管D. 发光二极管2. 以下参数哪个代表电流增益？A. βB. VBEC. ICD. VCE3. 一个NMOS晶体管，当栅与源之间的电压为正值时，晶体管导通。
这种情况下，源极是N型半导体，栅极上升表示何种情况？A. 导通态B. 截止态C. 均衡态D. 复原态4. 当一个双极型晶体管的集电极、基极、发射极外电路被取代为下列部件之一，哪项会导致晶体管失活？A. （抗向外）二极管B. 电容C. NPN三极管D. 直流稳流二极管5. 当增加测点1与测点2之间的电阻，而结果观察通路增益的波形例图。
这叫Z11的方法，定义为何种参数？A. 混容压力系数B. 效率C. 功率係数D. 电导致二、判断题1. npkj型晶体管、增大基极电流可提高复合电路集成度。
A. 对B. 错2. 当调制电路被检测得无限输入阻抗无穷大，来评定阻抗值这种情形时，设定参数为MDS。
A. 对B. 错3. 高危险性级收发均过滤器，其的特点为：通路放大会伴随频率变化而变化。
A. 对B. 错4. 当使用参数过程可分找到相标准示波器，以判断时需要观测电子学量子离子。
A. 对B. 错5. 低相对阻抗的大尺寸功能增段导，设定参数为INS;其性能特点为频率变化与温度延程效应的弱小意味意义。
A. 对B. 错三、简答题1. 请简述当一个输入电压发生变化，双极型晶体管中的电流增益如何变化。
2. 详细介绍CMOS数字电路中的传输门电路及其特点。
3. 论述晶体管放大器的增益计算公式及如何影响电路性能。
4. 说明在微电子学中常用的压控压控振荡器(VCO)的工作原理及应用。
5. 解释负反馈在电子电路设计中的作用和优势。
以上就是微电子学考试试题，希望同学们认真阅读题目和要求，并认真作答。
祝各位同学取得优异的考试成绩！。
华侨大学本科考试卷 微电子器件与电路(16集成)2017-2018期末测试卷A卷
华侨大学本科考试卷2017 —2018 学年 第 二 学期（A 卷）学院 信息科学与工程学院 课程名称 微电子器件与电路 考试日期姓名 专 业 集成电路与集成系统 学 号题号 1 2 3 4 5 6 7 8 合计 分值 8 8 8 8 12 25 15 16 100 得分常用物理量：Si 本征载流子浓度1031.510i n cm −=× 电子电荷量191.610q C −=× 硅电子亲和能 4.01si q eV χ= 硅禁带宽度 1.12g E eV = 热电压 /26T V kT q mV == 真空介电常数1408.8510/F cm ε−=× 硅介电常数 011.7si εε= 二氧化硅介电常数 203.9siO εε= 金属铝的功函数为 4.28m q eV φ=单位换算：369121510;10;10;10;10m n p f m −−−−−=====1.[8%]已知T=300K 时，砷化镓半导体有效态密度为1734.710CN cm −=× 1837.010VN cm −=×，砷化镓的禁带宽度为 1.42g E eV = ，且禁带宽度不随温度变化。
(1)计算T=300K 时砷化镓的本征载流子浓度。
【3%】 (2)计算T=400K 时砷化镓的本征载流子浓度。
【3%】(3)从半导体物理角度，定性解释为什么高温时，本征载流子浓度增加？【2%】6. [25%] 一个MOS 晶体管制造在掺杂浓度为1631.510aN cm −=×的P 衬底上，氧化层厚度为10nm ，氧化层固定电荷密度Q SS 为1011#/cm -2.MOS 电容面积为4210cm −−(1)求栅氧化层单位面积电容Cox 【1%】(2)当栅材料为金属铝时，试求金属半导体功函数差ms φ【2%】 (3)试求该MOS 结构的平带电压V FB 【2%】(4)试求该MOS 结构在反型时最大耗尽层厚度x dTmax 【2%】 (5)试求该MOS 结构的阈值电压【5%】 (6)求平带时MOS 电容的电容值C FB 【3%】(7)求该高频CV 特性测量中，反型点时MOS 电容具有最小电容C min 。
电子方面考试试题和答案
电子方面考试试题和答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电子电路中，三极管的主要作用是（）。
A. 放大信号B. 整流C. 滤波D. 振荡答案：A2. 在数字电路中，逻辑“与”门的输出为高电平的条件是（）。
A. 所有输入都为高电平B. 至少一个输入为高电平C. 所有输入都为低电平D. 至少一个输入为低电平答案：A3. 以下哪种元件不是被动元件？（）A. 电阻B. 电感C. 电容D. 二极管答案：D4. 集成电路中，TTL与CMOS相比，其主要缺点是（）。
A. 功耗大B. 速度慢C. 价格高D. 抗干扰能力差答案：A5. 在模拟电路中，运算放大器的理想工作状态是（）。
A. 饱和区B. 截止区C. 线性区D. 非线性区答案：C6. 以下哪种波形不是周期性波形？（）A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：D7. 晶体管的静态工作点设置不正确可能导致（）。
A. 截止失真B. 饱和失真C. 线性失真D. 谐波失真答案：A8. 在数字电路中，触发器的主要功能是（）。
A. 存储一位二进制信息B. 放大信号C. 滤波D. 整流答案：A9. 以下哪种材料不适合制作半导体器件？（）A. 硅B. 锗C. 铜D. 砷化镓答案：C10. 以下哪种元件不是模拟电路中的基本元件？（）A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 逻辑门答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）11. 以下哪些因素会影响三极管的放大倍数？（）A. 温度B. 电源电压C. 基极电流D. 集电极电流答案：A, C12. 在数字电路中，以下哪些逻辑门可以实现逻辑“或”功能？（）A. 与非门B. 或门C. 异或门D. 同或门答案：B, D13. 以下哪些元件属于有源元件？（）A. 电阻B. 三极管C. 电感D. 运算放大器答案：B, D14. 在模拟电路中，以下哪些因素可能导致三极管损坏？（）A. 过热B. 反向偏置C. 过压D. 反向电流答案：A, C15. 以下哪些波形属于非正弦波形？（）A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：B, C, D三、填空题（每题2分，共20分）16. 在数字电路中，逻辑“非”门的输出与输入的关系是________。
微电子器件与电路实验(集成班)实验三
华侨大学电子工程系微电子器件与电路实验Lab # 3集成二极管电学特性实 验 时 间2013学年上第九周 机电信息实验大楼A526文 档 名 称 集成二极管电学特性仿真验证实验文 档 类 型 实验教学文档文 档 撰 写 HWW文 档 版 本 Ver：1.0更 新 时 间 2013.10.28更 新 内 容 初始文档，未更新内容文 档 更 新 初始文档，未更新内容支 持 软 件 Cadence IC 5141适 用 专 业 集成电路设计与系统集成专业 华侨大学厦门专用集成电路与系统重点实验室国立华侨大学信息科学与工程学院电子工程系微电子器件与电路实验#3 集成二极管电学特性仿真验证实验实验指导教师：HWW实验时间： 集成A班：2013-10-29 08：00-10：00 地点：机电信息实验大楼A526在集成电路设计中由于使用不同的工艺代工厂使用不同工艺提供的器件模型不一样，导致器件的电学特性也会不一致。
在本实验将验证二极管的电学特性随着二极管结面积、工艺、温度等变化曲线。
对比集成二极管同分立二极管电学特性有何不同。
在实验中提供三种集成二极管，分别是N+/P衬底二极管、NWell/P衬底二极管和P+/Nwell 二极管。
三种二极管的Layout结构如下图所示：图3.1 集成二极管的LayoutN+/P衬底二极管 NWell/P衬底二极管P+/Nwell二极管实验3.1 集成二极管I-V特性仿真验证实验图3.2 集成二极管电学特性测试电路正向导通的二极管电流会随着正向偏压的变化而发生改变，在本实验中将测试集成二极管的I-V 特性曲线。
实验选取面积为50um X 50um 的P+/Nwell 二极管进行验证，验证电路如下图所示，将仿真测试电路搭建完毕后，对直流电压源进行DC 分析，分析I-V 特性曲线，测试出流过二极管电流为1uA,10uA,100uA,1mA 和10mA 所对应的二极管的正向偏置电压，注意测试的时候，电流不能偏离给定值的5%，将仿真输出曲线记录下来，并将相关数据填入表格3-1。
华侨大学本科考试卷
六、解:(1) ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．【４分】
所以 是最大无关组，．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．【2分】
6、设A为3阶可逆矩阵，若 .
7、设方阵 满足 ，则 =____________________.
8、已知 ，则
9、 当 ____________时，方程组 有唯一解
10、向量组 ， ， 的线性关系是____________________________________．（填“线性相关”或“线性无关”）
三、解:设 ,则 ．．．．．．．．．．．．．【6分】
．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．【4分】四、解： ．．来自．．．．．．．．．．．．．【5分】
所以 ；．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．【2分】
(1)求向量组 的一个最大无关组，并将其余向量用最大无关组线性表示.
(2)记 ， ，求解线性方程组 ．
（A）答案及评分标准
一、填空题：（本题共10小题，每小题4分，满分40分）
1、 和 2、 3、 4、 .
5、 6、 7、 8、0
9、 10、线性相关
二、解:(1) .．．．．．．．．．．．．．．．．．．【4分】
二、【10分】设 ， 的 元的余子式记作 ，代数余子式记作 ，求: （1） ，（2） .
三、【10分】设矩阵 满足方程: ，求 ．
EDA试卷2017B
华侨大学本科考试卷20 —20 学年第学期学院信息课程名称电子设计自动化考试日期姓名专业学号题号一二三四总分得分注：第一题答案直接写在试卷上，其他题目答案写在答题纸上！！一．基本概念与基本知识（共30分）1. 传统的电子设计技术的设计方法通常是，而在现代电子设计领域的设计方法只有在EDA技术得到快速发展和成熟应用的今天才成为可能。
2.硬件描述语言(HDL)是EDA技术的重要组成部分，目前常用的HDL列举三种、和。
3.IP就是知识产权或知识产权模块的意思，在EDA技术和开发中具有十分重要的地位，其中通常是以HDL源文件的形式出现，应用开发过程与普通的HDL 设计也十分相识，设计周期短，设计投入少。
4.写出下列缩写的中文含义（注：在电子电路设计领域）：a). LPM：b). DFT：5. 是VHDL最常用、最基本的数据类型。
6. 可编程逻辑器件从结构上分类，简单PLD和CPLD属于结构。
7. 状态机编码方式中，其中编码占用触发器较多，但其简单的编码方式可减少状态译码组合逻辑资源，且易于控制非法状态8. 目前常用的大规模可编程逻辑器件的编程工艺有三种，分别为、和。
9. VHDL每一种赋值语句都有三个基本部分组成，分别为、和。
10.FPGA仿真包括仿真和仿真，其中仿真包含硬件特性参数，仿真精度高。
二．VHDL语言综合理解。
仔细阅读下列程序，回答问题。
（共16分）1、判断下列VHDL标识符是否合法，如果有误则指出原因。
16#16A#，component，74LS010，tuas_trbmy-2、已知M和N均为STD_LOGIC类型的信号，请判断下列程序是否正确。
如果不正确，请指出并说明原因。
ARCHITECTURE stugaht OF testone ISBEGINIF (M=’1’ )THENN<=’0’ ;ELSEN<=’1’ ;END IF ;END testone ;3、已知L和M均为STD_LOGIC类型的输出端口，请判断下列程序是否正确。
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华侨大学本科考试卷
2017 —2018 学年 第 二 学期（B 卷）
学院 信息科学与工程学院 课程名称 微电子器件与电路 考试日期
姓名 专 业 集成电路与集成系统 学 号
题号 1 2 3 4 5 6 7 8 合计 分值 10 8 10 10 12 15 25 10 100 得分
常用物理量：
Si 本征载流子浓度1031.510i n cm −=× 电子电荷量191.610q C −=× 硅电子亲和能 4.01si q eV χ= 硅禁带宽度 1.12g E eV = 热电压 /26T V kT q mV == 真空介电常数1408.8510/F cm ε−=× 硅介电常数 011.7si εε= 二氧化硅介电常数 203.9siO εε= 金属铝的功函数为 4.28m q eV φ=
单位换算：369121510;10;10;10;10m n p f m −−−−−=====
1.[10%]硅材料加入硼原子使得杂质浓度为163410a N cm −=× 。
(1) T=300K 时，平衡态电子和空穴浓度是多少？【2%】 (2) T=600K 时，硅材料的本征载流子浓度。
【3%】 (3) T=600K 时，平衡态电子和空穴浓度是多少？【3%】 (4) 为什么高温的时，载流子浓度增加？【2%】。