昆明理工大学模拟电子技术基础历期末试卷真题
昆明理工大学模拟电子技术基础历年期末试卷真题版
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昆 明 理 工 大 学 试卷 (A )考试科目: 考试日期: 命题教师:一、单项选择题:(本大题共12小题,每小题2分,总计24分)1、电路如图所示,二极管为同一型号的理想元件,电阻R = 4k ,电位u A =1V ,u B =3V ,则电位u F 等于( )。
2、电路如图所示,已知D Z 正向压降为0.7V ,图中与之并联的锗管正向压降为0.3V ,若u i < 0,则输出u o =( )。
(a) 1 V (b) 3 V (c) 12 V3、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示,其中每一条曲线是由一个固定的( )确定。
(a) I C (c) I B (d) I E4、已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为V E =6V ,V B = 5.3V ,V C = 0V ,则该管为( )。
(a) PNP 型 锗 管 (b) NPN 型 锗 管 (c) PNP 型 硅 管 (d) NPN 型 硅 管5、电路如图所示,晶体管处于( )。
6、已知某场效应管的输出特性曲线如图所示,此管子的GS(off)U 约为( )。
7、高通滤波电路可以用于( )。
(a) -5V (b) -0.3V (c) -0.7V (a) 饱和状态 (b) 放大状态 (c) 截止状态(a) 0V (b) +2V(c) -2V (d) -1V(a) 滤除高于某一频率的无用信号 (b) 滤除高于某一频率的有用信号 (c) 阻止低于某一频率的无用信号通过8、电路如图所示,u i =2V ,负载电流i L 与负载电阻R L 的关系为( ) 。
(a) R L 增加,i L 减小 (b) i L 的大小与R L 的阻值无关 (c) i L 随R L 增加而增大9、在差动放大电路中,单端输入-双端输出时的差模电压放大倍数( )。
(a) 是双端输入-双端输出的差模电压放大倍数的一半 (b) 等于双端输入-双端输出的差模电压放大倍数 (c) 等于单端输入-单端输出时的差模电压放大倍数10、电路如图所示,若参数选择合理,要满足振荡的相应条件,其正确的接法是( )。
昆工09-10下模电A答案
![昆工09-10下模电A答案](https://img.taocdn.com/s3/m/817329fd18e8b8f67c1cfad6195f312b3069eb5d.png)
βb s be e o L e be b i R R r R R k R R r R R (2)图略 (4分) 四、(10分) 解:电流并联负反馈 (4分) IIz IL 3.33V 500 1000500 10U 416 1010O min =+?= <=-==截止当z z I D I m A I V U (3分) (3分) 五、(15分) 解:(1)(8分) (2)(7分) V uRR u u V u V u V u u V u u O D O D A I C I B 42271421-==-====== s tut u R u u R u u tV dt u C R u O O O D D o A o 0286.0014041401 313==+-=-=--==? 时,当 六、(10分) 解:(1)(6分) V u V u u u u u u A u u A oM Z oM oM Z oM N u N oM u 36.62 U 92 3
昆工 09-10下模电 A答案
模拟电子技术基础考试(A 卷答案) 题型:三基型(60%) 综合运用型(25%) 提高扩展型(15%) 一、 单项选择题:(本大题共10小题,每小题2分,总计20分) 1、d 2、b 3、b 4、c 5、c 6、a 7、a 8、c 9、a 10、a 二、(10分) 解:(1) (6分) 6V U D 25~5171229291 6 -35I 35V U O z I ==-=-=== =稳压,内,在当mA I mA I I I mA zLz (2)(4分) 稳压管损坏。 此时,负载开路,则当,25I , 291 6 35I I 35V U max I m A I m A z z z =>=-=== 三、(15分) 解:(1) (5分) (3)(6分) V U m A I A I R I U R I V CE C B e E BE b B CC 26.758.2,32===++=µ Ω ≈++=Ω≈++=≈361//// 76)//)1(//(1;=?+=+=?+=MIN OMAX IMIN MAX OMIN IMAX U U U U U U Z /V
最新昆明理工大学数字电子技术a-期末试卷(含答案)
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昆 明 理 工 大 学 试 卷 (A )考试科目:数字电子技术A 考试日期: 命题教师:集体一、填空题(每小题4分,共计28分)1.在函数F=AB+CD 的真值表中,F=1的状态有( )个。
2.由4变量组成的逻辑函数D C BC A D C B A F )(),,,(+=,其反函数的表达式为=F ( ), 原函数的最小项之和表达式为∑=m F ( ), 最大项之积表达式为M F ∏=( )。
3.具有8个、12个、16个触发器个数的二进制异步计数器,各有( )、( )、( )个状态。
4.一个十位二进制加法计数器在0.002s 内选通,假定初始状态为0,若计数器脉冲频率为250kHz 。
在选通脉冲终止时,计数器的输出是( )。
5、完成把输入数据分配给2n路输出通道的逻辑器件叫( )。
6、对COMS 或非门电路多余输入端的处理办法有( )和( )等。
7、由555定时器组成的施密特触发器,在5脚接入6V 电压后,其上限阈值电压和下限阈值电压分别为( )和( )。
二、化简下列逻辑函数(方法不限,每题6分,共18分) 1、 Y=C A +ABC+D AC +CD2、 Y(A,B,C,D)=∑m(0,1,2,5,8,9,10,12,14)3、))(()(C B BA D CB B A Y ++++=,给定约束条件为ABC+ABD+ACD+BCD=0三、分析图中电路的逻辑功能,写出输出的逻辑函数式,列出真值表,说明电路逻辑功能的特点。
(7分)四、试画出用3线—8线译码器74LSl38和门电路产生如下多输出逻辑函数的逻辑图。
(9分)A⎪⎩⎪⎨⎧+=++==C AB C B Y BC C B A C B A Y AC Y 321 AA B C YA B C五、已知CMOS边沿触发结构JK触发器各输入端的电压波形如图所示,试画出Q、Q 端对应的电压波形。
(9分)六、用74LS161和74LS153设计一个灯光控制逻辑电路,要求红、绿、黄三种颜色的灯在时钟信号作用下按表规定的顺序转换状态。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
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《模拟电子技术》期末考试复习题班级:学号:姓名:成绩:一、填空题1.硅二极管导通时的正向管压降约为____ V,锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时,有一段死区电压,锗管约为____V,硅管约为____V。
0.70.30.20.52.半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3.电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会____;如果施加在二极管两端的反向电压过高,二极管将会____。
烧坏(开路)击穿(短路)4.使用二极管时,应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流(额定电流)最高反向工作电压(耐压)5.理想二极管的特点是正向导通时管压降为____,反向截止时反向电流为____。
0V0A6.用万用表测量二极管的正反向电阻时,若正、反向电阻均接近于零,则表明该二极管已____;若正、反向电阻均接近于无穷大,则表明二极管已____。
击穿烧坏7.在晶体管中,I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8.示波器是电子技术中常用的测量仪器,用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9.硅晶体管发射结的死区电压约为_____V,锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约为_____V,锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310.某晶体管的U CE不变,基极电流I B =30μA时,集电极电流I C =1. 2mA,则发射极电流I E =____ mA,若基极电流I B增大到50μA时,I C增大到2mA,则发射极电流I E =_____mA,晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011.用万用表测量晶体管时,应将万用表置于_____挡,并进行_____。
2021年云南昆明理工大学电工及电子技术基础考研模拟试题A卷
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2021年云南昆明理工大学电工及电子技术基础考研模拟试题A卷一、选择题(每题3分,共45分)1、图1所示桥式电路中电流i= ( )。
A 1AB 1.5AC 2A图 12、如图2所示两级直接耦合放大电路,设U BE=0.7V,要求在U i=0时,U o2=7V,则R E应为 ( )。
A 3.32k ΩB 4.32kΩC 5.32kΩ图 23、图3电路中a、b端子间的等效电阻为( )。
A 9ΩB 12ΩC 5Ω图 34、电路如图4所示,图中电阻R可调,R获得的最大功率为( )。
A 20WB 40WC 60W图 45、电路图5中输出电压v0与输入电压v i的比值v0 /v i =( )。
A -4B 6C -8图 56、图6所示运放电路为( )。
A 加法运算电路B 减法运算电路C 同相比例电路图 6β=,则当开关S合向( )时,晶体管处于放大7、在图7所示电路中,晶体管100工作状态。
A a端B b端C c端图 78、在电源对称的三相四线制电路中,不对称的三相负载作星型连接,负载各相电流( )。
A 不对称B 对称C 不一定对称9、一台三相异步电动机,其铭牌上标明额定电压为220/380V,其接法是( )。
A Y/△B △/YC △/△10、三相异步电动机在运行中提高其供电频率,该电动机的转速将( )。
A 基本不变B 增加C 降低11、如果晶体二极管的正、反向电阻都很大,则该晶体二极管( )。
A 正常B 已被击穿C 内部断路12、电路如图8所示,二极管D为理想元件,输入信号ui为如图所示的三角波,则输出电压uo的最大值为( )。
A 5VB 2VC 7VDuiRE5Vui5V0t uO+-+-+-图 813、电路如图9所示,晶体管T的电流放大系数β=50,RB=300kΩ,R E=3kΩ,晶体管T处于( )。
A 放大状态B 截止状态C 饱和状态12V14、当晶体三极管的两个PN结都正偏时,则晶体三极管处于()。
昆明理工大学模电试卷
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昆明理⼯⼤学模电试卷模拟电⼦技术试卷(第1套)⼀、⼀、填空题(20分,每空1分)1.双极型三极管是控制器件,当其⼯作在放⼤区时发射结需要加偏置,集电结需要加偏置。
场效应管是控制器件。
2.在有源滤波器中,运算放⼤器⼯作在区;在滞回⽐较器中,运算放⼤器⼯作在区。
3.在三极管多级放⼤电路中,已知A u1=20,A u2=-10,A u3=1,则可知其接法分别为:A u1是放⼤器,A u2是放⼤器,A u3是放⼤器。
4.在双端输⼊、单端输出的差动放⼤电路中,发射极R e 公共电阻对信号的放⼤作⽤⽆影响,对信号具有抑制作⽤。
差动放⼤器的共模抑制⽐K CMR =。
5.设某⼀阶有源滤波电路的电压放⼤倍数为2001200fj A += ,则此滤波器为滤波器,其通带放⼤倍数为,截⽌频率为。
6.如图所⽰的功率放⼤电路处于类⼯作状态;其静态损耗为;电路的最⼤输出功率为;每个晶体管的管耗为最⼤输出功率的倍。
⼆、基本题:(每题5分,共25分)1.如图所⽰电路中D 为理想元件,已知u i = 5sin ωt V ,试对应u i 画出u o 的波形图。
2.测得电路中NPN 型硅管的各级电位如图所⽰。
试分析管⼦的⼯作状态(截⽌、饱和、放⼤)。
3.已知BJT 管⼦两个电极的电流如图所⽰。
求另⼀电极的电流,说明管⼦的类型(NPN 或PNP )并在圆圈中画出管⼦。
4.如图所⽰电路中,反馈元件R 7构成级间负反馈,其组态为;其作⽤是使输⼊电阻、放⼤电路的通频带变。
三、如图所⽰电路中,β=100,Ω='100b b r ,试计算:(15分)1.放⼤电路的静态⼯作点;(6分)2.画出放⼤电路的微变等效电路;(3分)3.求电压放⼤倍数A u 、输⼊电阻R i 和输出电阻R o ;(6分)四、判断如图所⽰电路中引⼊了何种反馈,并在深度负反馈条件下计算闭环放⼤倍数。
(9分)五、电路如图所⽰。
试⽤相位条件判断下⾯的电路能否振荡,将不能振荡的电路加以改正。
理工大学模拟电子技术期末考试试卷1
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,考试作弊将带来严重后果!理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A (电类06级,2008.07.11)1. 考前请将密封线内填写清楚;2. 选择题和填空题在试卷首页的相应空白处作答,其它题直接答在试卷纸上; 3.考试形式:闭卷;4. 本试卷共 四 大题,满分100分,考试时间120分钟。
选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分,共20分)1.在本征半导体中加入( )元素可形成N 型半导体,加入( )元素可形成P 型半导体。
A.五阶,四阶 B.四阶,三阶C.三阶,五阶D.五阶,三阶2.增强型N 沟道MOS FET 构成放大电路,要求则其栅源间电压GS u ( ) A .GS(off )U > B.GS(off )U <C.GS(th )U > D.GS(th )U <3. 在共射基本放大电路中,适当增大集电极负载电阻R C ,电压放大倍数和输出电阻将( )A .放大倍数变大,输出电阻变大B .放大倍数变大,输出电阻不变C .放大倍数变小,输出电阻变大D .放大倍数变小,输出电阻变小4. 如右图所示电路中,晶体管≈100,估算该电路的电压放大倍数和输入电阻约为( )A .011k u i A .,R ≈≈ΩB. 012k u i A .,R ≈≈ΩC.1200k u i A ,R ≈≈ΩD.1100k u i A ,R ≈≈Ω5.NPN 型三极管构成的基本共射放大电路中,输入信号为1kHz,10mV 的正弦波,当出现饱和失真时,其输出波形的( )将削去一部分。
A. 底部B. 顶部C. 中间D. 顶部和底部同时6. RC 耦合放大电路中,当耦合电容容量增加时,下限截止频率L f 将( ),放大电路通频带BW 将( ).A.上升,变宽B.下降,变宽C.上升,变窄D.下降,变窄7. 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,便可以得到幅频特性和相频特性,条件是( )。
2019年昆明理工大学电子技术(含模拟、数字部分)考研真题
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昆明理工大学2019年硕士研究生招生入学考试试题(A卷) 考试科目代码:815 考试科目名称:电子技术(含模拟、数字部分)考生答题须知1.所有题目(包括填空、选择、图表等类型题目)答题答案必须做在考点发给的答题纸上,做在本试题册上无效。
请考生务必在答题纸上写清题号。
2.评卷时不评阅本试题册,答题如有做在本试题册上而影响成绩的,后果由考生自己负责。
3.答题时一律使用蓝、黑色墨水笔或圆珠笔作答(画图可用铅笔),用其它笔答题不给分。
4.答题时不准使用涂改液等具有明显标记的涂改用品。
一、选择题(30分)(每题3分,10题共30分)1、二极管D和灯泡HL相串联,电路如图所示。
设电源电压u =2U sinωt,且二极管的正向压降及反向漏电流可忽略,则灯泡两端的电压平均值U A B为()。
(A) 0.5U(B) 0.707U(C) 0.45U(D) U2、已知处于放大状态的三极管三个极的直流电位分别为:12V、11.8V、0V,判断管子的类型()。
(A) NPN型锗管(B) PNP型锗管(C) NPN型硅管(D) PNP型硅管3、射极带有恒流源的差动放大电路,单端输出时,对共模信号的电压放大倍数理想情况下等于()。
(A)零(B)单管电压放大倍数(C)单管电压放大倍数的一半4、阻容耦合放大电路在高频段电压放大倍数下降的主要原因是()。
(A)耦合电容的影响(B)晶体管的结电容和线路分布电容的影响(C)发射极旁路电容的影响U=时,不能够在恒流区工作的场效应管是()。
5、0GS(A)结型管(B)增强型MOS管(C)耗尽型MOS管6、高通滤波电路可以用于()。
(A)滤除低于某一频率的无用信号(B)滤除高于某一频率的无用信号(C)让低于某一频率的有用信号通过昆明理工大学2019年硕士研究生招生入学考试试题7、下列几种TTL 电路中,输出端可实现线与功能的电路是( )。
A 、或非门B 、与非门C 、OC 门8、在数字电路中将方波脉冲的周期扩展10倍,可采用( )。
模电2006-2007上学期期末试题A及答案_模拟电子技术
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云南师范大学2006—2007学年上学期期末考试《模拟电子技术基础》试卷1、在本征半导体中加入A元素可形成N型半导体,加入C 元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价2、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿3、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏4、(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A。
A. 增大B. 不变C. 减小5、U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有AC 。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是CD 。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定7、选用差分放大电路的原因是 A 。
A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 A ,共模信号是两个输入端信号的 C 。
A.差B.和C.平均值9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将使电路的B 。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大10、在输入量不变的情况下,若引入反馈后 D ,则说明引入的反馈是负反馈。
A.输入电阻增大B.输出量增大C.净输入量增大D.净输入量减小11、交流负反馈是指 C 。
A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B.只有放大交流信号时才有的负反馈C.在交流通路中的负反馈12、功率放大电路的转换效率是指 B 。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比13、整流的目的是 A 。
A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波14、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是 C 。
A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差 15、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 A 。
昆明理工大学07——09年电路A卷B卷试题及答案和电路期末复习题及答案
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昆明理⼯⼤学07——09年电路A卷B卷试题及答案和电路期末复习题及答案昆明理⼯⼤学2007--2008学年上学期期末试卷(B 卷)姓名学号班级课程电路理论A (1)学院专业⼀、填空题:在空格中填⼊最恰当的结果(每⼩题4分,共计28分)1、电路进⾏等效变换时,⽤来替代的电路应该与原电路具有相同的(伏安特性)。
⽤等效电路的⽅法求解分析电路时,电压和电流保持不变的部分仅限于等效电路(以外)。
2、已知某电路的图如下图所⽰,则该电路的独⽴回路个数为( 6 )个,该电路的结点个数为( 5 )个。
可以列写的独⽴的KCL ⽅程个数为( 4 )个,可以列写的独⽴的KVL ⽅程个数为( 6 )个。
3、动态电路的全响应可以分解为(零输⼊响应)与(零状态响应)之和;也可以分解为(暂态响应)与(稳态响应)之和。
4、在线性时不变集总参数电路中,如果某⽀路的电压已知,该⽀路可以⽤⼀个与已知电压⼤⼩和⽅向相同的(电压源)替代;电路中如果某⽀路的电流已知,该⽀路可以⽤⼀个与已知电流⼤⼩和⽅向相同的(电流源)替代。
经过替代后,电路中其他地⽅的电压、电流(不会改变)。
5、在线性电路中,电路中每个独⽴电源同时扩⼤或缩⼩K 倍,则电路中各⽀路上的电压、电流也会相应(扩⼤或缩⼩K 倍);电路中⼏个独⽴电源同时作⽤下在某⽀路上产⽣的电压或电流,等于各独⽴电源单独作⽤下在该⽀路上产⽣的电压或电流的(叠加)。
6、图⽰电路中,Ω===1C L X X R ,则电压表的读数为 ( 2 ) V 。
j CX7、⽆源⼀端⼝⽹络的端⼝电压U=240 ∠-45°V ,端⼝电流I=20∠15°A ,电压与电流为关联参考⽅向。
⼆端⼝⽹络的等效阻抗Z=( 12∠-60° Ω),此时电路呈(容)性。
⼆、单⼀选择题:(每⼩题4分,共计32分)1、如图所⽰电路,受控源吸收的功率是( D )。
A 、24W B 、-24W C 、96W D 、-96WΩ32、图⽰电路,已知当V 1=S U ,A 1=S I 时,V 10=U ;当V 0=S U ,A 2=S I 时,V 8=U 。
电力电子技术 昆明理工大学期末试卷
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《电力电子技术》参考答案与评分标准(B卷)一、单项选择题(每小题3分,共30分)BDAAB ABCBA二、简答题(每小题5分,共15分)1、答:产生逆变的条件:要有直流电动势,其极性须和晶闸管的导通方向一致,其值应大于变流器直流侧的平均电压。
要求晶闸管的控制角a>p/2,使Ud为负值。
两者必须同时具备才能实现有源逆变。
半控桥或有续流二极管的电路,因其整流电压ud不能出现负值,也不允许直流侧出现负极性的电动势,故不能实现有源逆变,欲实现有源逆变,只能采用全控电路。
2、答:电压型逆变电路的特点:直流侧为电压源或并联大电容,直流侧电压基本无脉动。
由于直流电压源的钳位作用,输出电压为矩形波,输出电流因负载阻抗不同而不同。
阻感负载时需提供无功功率,为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道,逆变桥各臂并联反馈二极管。
电流型逆变电路主要特点:直流侧串大电感,电流基本无脉动,相当于电流源。
交流输出电流为矩形波,与负载阻抗角无关,输出电压波形和相位因负载不同而不同。
直流侧电感起缓冲无功能量的作用,不必给开关器件反并联二极管。
3、答:载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制。
载波比N等于常数,并在变频时使载波和信号波保持同步的方式称为同步调制。
异步调制特点:在信号波的半个周期内,PWM波的脉冲个数不固定,相位也不固定,正负半周期的脉冲不对称,半周期内前后1/4周期的脉冲也不对称。
当fr较低时,N较大,一周期内脉冲数较多,脉冲不对称产生的不利影响都较小,PWM波形接近正弦波。
当fr增高时,N减小,一周期内的脉冲数减少,PWM脉冲不对称的影响就变大,输出PWM波和正弦波的差异变大,对于三相PWM型逆变电路来说,三相输出的对称性也变差。
同步调制特点:当逆变电路输出频率很低时,同步调制时的fc也很低,fc过低时由调制带来的谐波不易滤除,当负载为电动机时也会带来较大的转矩脉动和噪声;当逆变电路输出频率很高时,同步调制时的fc会过高,使开关器件难以承受。
昆明理工大学 数字电子技术 历年真题
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昆明理工大学试卷(A)考试科目:数字电子技术A 考试日期:命题教师:集体学院:专业班级:学生姓名:学号:任课教师:课序号:考试座位号:一、填空题(每题3分,共计39分)1、完成把输入数据分配给2N路输出通道的逻辑器件叫。
2、普通编码器和优先编码器的主要区别是。
3、在逻辑代数中,已知X+Y=Z+Y,则X=Z。
这一命题对吗?答:。
在逻辑代数中,已知XY=ZY,则X=Z。
这一命题对吗?答:。
4、TTL触发器按结构不同可以分为四种,它们是,,和。
5、要实现把1KH Z的正弦波转换为同频率的矩形波,可选用电路完成。
6、设在74系列TTL门电路中,已知V OH≥3.2V, V OL≤0.4V ; I IL≤-1.6mA ,I IH≤40μA,I OL(max)=16mA,I OH(max)= -0.4mA 。
问该门的扇出系数N O=(设每个负载门只接一个输入端)。
若V ILmax=0.8V ,V IHmin=2V ,噪声容限V NL= 和V NH= 。
7、对COMS或非门电路多余输入端的处理办法有和等。
8、逻辑函数式)(DE A C B A Y ++=的对偶式为: 。
9、RAM 字扩展的方法是利用新增加的地址线去控制各片RAM 的 端,如果用容量为1K ×4的芯片组成16K ×8存储器,所需的片数为 。
10 、由555定时器组成的施密特触发器,在5脚接入6V 电压后,其上限阈值电压和下限阈值电压分别为 和 。
11、试分析计数器在1=M 和M=0时各为几进制( )、( )。
12、在4位权电阻网络D/A 转换器中,若取V REF =5V ,当输入数字量为d 3d 2d 1d 0=0101时输出电压为( )。
13、某模/数转换器的输入为0~10V 模拟电压,输出为8位二进制数字信号(D 7 ~ D 0)。
若输入电压是2V ,则输出的二进制数字信号为 。
二、化简下列逻辑函数(方法不限,每题6分,共18分) 1、Y=C B A +A +B+C2、D C A D C A C B A D C ABD ABC Y +++++=3、Y(A,B,C,D)=∑m(2,3,7,8,11,14),给定约束条件为m0+m5+m10+m15=0三、某医院有一、二、三、四号病室4间,每室设有呼叫按钮,同时在护士值班室内对应地装有一号、二号、三号、四号4个指示灯。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
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《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF )BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
昆明理工大学电子技术(含模拟、数字部分)2010真题
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昆明理工大学2010年硕士研究生招生入学考试试题(A卷)考试科目代码:814 考试科目名称:电子技术(含模拟、数字部分)试题适用招生专业:080902电路与系统考生答题须知1.所有题目(包括填空、选择、图表等类型题目)答题答案必须做在考点发给的答题纸上,做在本试题册上无效。
请考生务必在答题纸上写清题号。
2.评卷时不评阅本试题册,答题如有做在本试题册上而影响成绩的,后果由考生自己负责。
3.答题时一律使用蓝、黑色墨水笔或圆珠笔作答(画图可用铅笔),用其它笔答题不给分。
4.答题时不准使用涂改液等具有明显标记的涂改用品。
昆明理工大学2010年硕士研究生招生入学考试试题由三端稳压器构成的直流稳压电源如图所示。
设7809的。
忽略7809中3脚的电流。
估算后填空:)为了保证电源正常工作,7809的1、3脚之间所加电压不得低于(脚之间等效输入电阻R13为()如果电容器的数值满足要求,变压器的次级电压应为(六、在下图所示的电路中,已知V C C=15V,T1和T2管的饱和管压降│U C E S│=1V,二极管的导通电压为0.7V。
(本题共13分)(1)若输入电压幅值足够大,则电路的最大输出功率为多少?4分(2)为了提高输入电阻,稳定输出电压,且减小非线性失真,应引入哪种组态的交流负反馈?将Rf电阻的两端与图中所示节点相连画出电路图。
5分(3)若U i=0.1V时,U o=5V,则反馈网络中电阻的取值约为多少?4分七、用指定方法化简下列函数,并用或非门画出逻辑图。
(每题6分,本大题共12分)1、用代数法化简:BF+=+ACBAC2、用卡诺图化简下列函数Y(A、B、C、D)=Σm(0、13、14、15)+Σd(1、2、3、9、10、11)。
模拟电子技术期末考试试卷及答案.doc
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精品《模拟电子技术》期末考试卷一、填空题(20分)1 、二极管最主要的特性是。
2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为、。
3 、多级放大电路中,常见的级间的耦合方式有、、。
4 、负反馈放大电路中的四种组态为、、、。
5 、正弦波振荡电路的振荡条件为、。
二、选择题( 20 分)1 、P 型半导体中的多数载流子是,N 型半导体中的多数载流子是。
A 、电子 B、空穴 C、正离子2 、杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体载流子的浓度。
A 、大于B、小于 C、等于3 、温度升高,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压,反向电流。
A 、增大B、减小C、不变4 、如图所示复合管,已知V 1的1=30,V2的2=50 ,则复合后的V1V 2 约为()。
A . 1500 B.80 C.505 、 RC 串并联网络在f=f 0=1 /2 RC 时呈。
A 、感性B、阻性C、容性三、判断题(10 分)(对的打“√”,错的打“×”)1 、本征半导体温度升高后,两种载流子浓度还是相等。
()2 、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。
()3 、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
( )4 、负反馈越深,电路的性能越稳定。
()5 、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
()四、简答题:( 25 分)1 .写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D= 0.7V 。
2、判断下图所示电路中是否引入了反馈,如果有反馈试判断反馈类型?+v ccR2R FR1 V 2+ V 1 +R S¥u i R4 uo+ -R3 R5u i + u o+- - C1 -R L(a) (b)3 、电路下图所示:请将图中左右两部分正确连接起来,使之能够产生正弦波振荡五、计算题(25 分)1 、电路如下图所示,试求出电路 A U、 R i、和 R0的表达式。
2 、电路如下图所示,求下列情况下U 0和 U I的关系式。
模电B试卷
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昆 明 理 工 大 学 试 卷(B )考试科目:模拟电子技术基础 考试日期: 命题教师:集体命题学院: 专业班级: 学生姓名: 学号:任课教师: 上课班级: 考试座位号:一、选择题:(总 30 分,每小题 2 分)(1)下列符号中表示发光二极管的为( )。
(2)N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( )。
A.电子 B.三价硼元素 C.五价磷元素 (3)直耦放大电路初级选用差分放大电路的原因是( )。
A.提高输入电阻B.稳定放大倍数C. 抑制零点漂移 (4)所谓放大器工作在闭环状态,是指( )。
A.考虑信号源内阻B.有反馈网络C.接入负载 (5)长尾式差动放大电路R E 引入的负反馈主要是为了( )。
A.抑制零点漂移B.使电路和参数对称性好C.增大输入电阻 (6)表明晶体管质量优劣的主要参数是( )。
A. 、CBO I 、CEO I B. I CM 、P CM C. U (BR )CEO ,I CM (7)、欲将正弦波电压叠加上一个直流量,可以选用( )运算电路。
A. 比例 B. 加减 C. 积分 (8)直流稳压电源中滤波电路的目的( )。
A.将高频变为低频B.将交流变为直流C.减小脉动,使输出电压平滑(9)已知变压器二次电压为22sin u t ω=V ,负载电阻为R L ,则桥式整流电路中二极管承受的反向峰值电压为( )。
A. 22U 2 C. 20.9U(10)( )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。
A .同相比例B .微分C .同相求和 (11)功率放大电路的转换效率是指( )。
A .输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B .最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C .晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 (12)稳压二极管外加正向电压时处于( )状态。
A.导通 B.截止 C.放大 (13)负反馈放大电路中,反馈信号( )。
A. 仅取自输出信号B. 取自输入信号或输出信号C. 仅取自输入信号 (14)集成运算放大器实质上是一个具有高电压放大倍数( )电路。
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昆 明 理 工 大 学 试 卷 (A )考试科目: 考试日期: 命题教师:一、单项选择题:(本大题共12小题,每小题2分,总计24分)1、电路如图所示,二极管为同一型号的理想元件,电阻R = 4k ,电位u A =1V ,u B =3V ,则电位u F 等于( )。
2、电路如图所示,已知D Z 正向压降为0.7V ,图中与之并联的锗管正向压降为0.3V ,若u i < 0,则输出u o =( )。
3、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示,其中每一条曲线是由一个固定的( )确定。
(a) I C (c) I B (d) I E4、已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为V E =6V ,V B = 5.3V ,V C = 0V ,则该管为( )。
(a) PNP 型 锗 管 (b) NPN 型 锗 管 (c) PNP 型 硅 管 (d) NPN 型 硅 管 5、电路如图所示,晶体管处于( )。
(a) 1 V (b) 3 V (c) 12 V(a) -5V (b) -0.3V (c) -0.7V6、已知某场效应管的输出特性曲线如图所示,此管子的GS(off)U 约为( )。
7、高通滤波电路可以用于( )。
(a) 滤除高于某一频率的无用信号 (b) 滤除高于某一频率的有用信号 (c) 阻止低于某一频率的无用信号通过8、电路如图所示,u i =2V ,负载电流i L 与负载电阻R L 的关系为( ) 。
(a) R L 增加,i L 减小 (b) i L 的大小与R L 的阻值无关 (c) i L 随R L 增加而增大9、在差动放大电路中,单端输入-双端输出时的差模电压放大倍数( )。
(a) 是双端输入-双端输出的差模电压放大倍数的一半 (b) 等于双端输入-双端输出的差模电压放大倍数 (c) 等于单端输入-单端输出时的差模电压放大倍数10、电路如图所示,若参数选择合理,要满足振荡的相应条件,其正确的接法是( )。
(a) 饱和状态 (b) 放大状态 (c) 截止状态(a) 0V (b) +2V(c) -2V (d) -1V11、电路如图所示,R C =3k Ω,晶体管的β=50,欲使晶体管工作在放大区,R B 应调至( )。
(a) 10 k Ω (b) 100 k Ω(c) 300 k Ω (d) ∞12、电路如图所示,若输入电压u i = -10 V ,则u O 约等于( ) 。
(a) 50 V (b) -50 V (c) 15 V (d) -15 V二、(本大题8分)已知共射放大电路的波特图如图所示,求电路下限频率f L 、上限频率f H ,放大电路的通频带f B W ,写出uA 的表达式。
(a) 1与3相接,2与4相接 (b) 1与4相接,2与3相接 (c) 1与3相接,2与5相接三、(本大题10分)求解如图所示比较器电路的阈值电压U T ,在图(a )中画电压传输特性,根据电压传输特性在图(b )中画u o 的波形。
四、( 本大题12分)图示整流电路,二极管为理想元件,已知变压器副边电压2V u t ω=,负载电阻Ω=315L R 。
求直流电流表)(A 3、电压表 (V)的读数各是多少?(设电流表内阻视为零,电压表内阻视为无穷大),然后在不考虑电压波动情况下计算二极管最高反向电压U RM 和电流I D ,在表中选择合适的二极管。
(a )(b )五、(本大题14分)电路如图所示,晶体管的 =80,r b e=1kΩ。
(1)求出电路静态值I B、U C E;(2)画电路的小信号模型,求出R L=3kΩ时电路的A u和R i。
六、(本大题13分)如图所示电路中,已知u I1=4V,u I2=1V。
求解电流i、A、B、C、D各点电位和u O的值。
七、( 本大题6分)判断图示电路中引入了哪种组态的交流负反馈,并计算反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数。
八、(1)若电路需要按以下要求形成负反馈,问应该分别引入什么类型的负反馈?(6分)A、减小放大电路从信号源索取的电流并增强带负载能力;B、将输入电流i i转换成与之成稳定线性关系的输出电流i o;C、将输入电流i i转换成稳定的输出电压u o答:A为B为C为(2)若需要引入一个电流并联型负反馈,以提供的图为框架,构建该反馈。
(7分)昆明理工大学试卷(A)考试科目:模拟电子技术考试日期:命题教师:集体学院:专业班级:学生姓名:学号:任课教师:上课班级:考试座位号:一、基础题(36分)1、写出图(a)、(b)所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
(6分)(a) (b)2、测得放大电路中图(a)和图(b)两只晶体管的直流电位如图所示。
在圆圈中画出管子,并分别说明它们的管型(NPN、PNP)是硅管还是锗管。
(6分)(a) (b)3、分别改正图所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
(6分)4、已知两级放大电路的第一级和第二级的电压增益分别是20dB 和40dB ,问总电压增益为多少?相当于把信号放大了多少倍?如果另有一个放大器的电压放大倍数为5000,用分贝表示应是多少?(6分)5、电路如图所示,试说明各晶体管的作用。
(6分)6、电路如图所示,场效应管的夹断电压V U o f f GS 4)(-=,饱和率漏极电流mA I DSS 4=,试问:为保证L R 上的电流为恒流,L R 的取值范围应为多少?(6分)u O R L二、两级交流放大电路如图所示,各电容足够大。
已知:V CC =24V ,β1=β2=50,r be1=r be2=1.6K ,U BE1=0.7V ,R L =R C =10K ,R B =300K ,R E1=27K ,R B1=82K ,R B2=48K 。
(22分)1)画出该放大电路的微变等效电路(小信号模型);(6分) 2)求第一级放大电路的静态值I B1、I E1、U CE1;(4分) 3)求电路的输入电阻R i 和第二级电压放大倍数A u2。
(4分)4)第一级和第二级电路中1E R 、2E R 对本级电路产生的反馈分别是什么组态?(4分)5)A u =u o /u i 的大小,在求出A u2后,可否不经计算而估计出来?约为多少?u o 、u i 的相位关系如何?(4分)R B1R B2R BR E1R E2R C u ioR T 1T 2+E C+V CC三、判断所示电路是否可能产生正弦波振荡,为什么?(10)(a) (b)四、由理想运放构成的电路如图(a )、(b )所示。
V U OM 13±=。
(12分) 1)判断两图引入何种极性的反馈?若为负反馈说明反馈组态。
(4分) 2)分别画出两图的电压传输特性曲线: )(i o u f u =。
(8分)10k Ω10k Ω10k Ω(a )(b )五、求解如图所示各电路的运算关系(提示21I I I u u u -=)。
(10分)六、某直流稳压电源如图所示:(共10分)1)估计W R 变化时O U 的变化范围;(6分) 2)如果滤波电容器C 取值满足2)5~3(TRC =,其中T 是交流电的周期,为了使电容器两端的直流电压是24伏,所需变压器的副边电压2U 有效值是多少?(4分)昆明理工大学试卷(B)考试科目:电子技术考试日期:命题教师:集体学院:专业班级:学生姓名:学号:任课教师:课序号:040304032 考试座位号:一、单项选择题:(每题2分,共30分)1、在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体,加入( )元素可形成P型半导体。
(a)五价(b)四价(c)三价2、设二极管导通电压U D=0.7V,则下图中输出U O等于()。
(a)2.7V (b)1.3V (c)2V (d)0V ΩΩΩU O 2VA3、稳压管的稳压区是其工作在( )状态。
(a )正向导通 (b )反向截止 (c )反向击穿4、晶体管工作在放大区时,发射结和集电结的偏置情况应为( )。
(a )前者反偏,后者也反偏 (b )前者正偏,后者反偏 (c )前者正偏,后者也正偏5、工作在放大区的三极管,如果I b 从12μA 增大到22μA,I c 从1mA 增大到2mA,则交流β约为( )。
(a )83 (b )91 (c )1006、一个两级放大电路,各级的放大倍数都是100,则该放大电路总的放大倍数是( )。
(a )等于100 (b )等于200 (c )等于10000 7、整流的目的是( )。
(a )将交流电压变成直流电压 (b )将高频电压变成低频电压 (c )将正弦波变成方波8、某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( )。
(a)处于放大区域 (b)处于饱和区域 (c)处于截止区域 (d)已经损坏9、差动放大电路作为集成运算放大电路的输入级,其主要优点是( )。
(a )放大倍数稳定 (b )输入电阻很大 (c )可以有效抑制零漂10、由开关组成的逻辑电路如图所示,设开关接通为“1”,断开为“0”,电灯亮为“1”,电灯暗为“0”,则该电路为( )。
(a)“与”门 (b)“或”门(c)“非”门11、全加器逻辑符号如图所示,当=i A “1”,=i B “0”,=-1i C “0”时,C i 和S i 分别为( )。
S I C IA IB IC I 1-12、阻容式耦合放大电路可以对以下那些信号进行放大( )。
(a)交流信号 (b)直流信号 (c)所有信号13、 如图所示电路,若D 1开路,则输出( )。
(a )只有半波整流波形输出 (b )全波整流波形输出(c )无波形输出且变压器损坏14、用作电压比较器的运放与用于运算电路中的运放应用的主要区别在于,前者的运放是工作在( )。
(a )开环或正反馈状态 (b )深度负反馈状态(c )放大状态 (d )线性工作状态15、振荡电路自激振荡的幅度条件是( ),相位条件是( )。
(a )│A U F │=1,u f 与u i 同相 (b )│A U F │=1,u f 与u i 反相 (c )│A U F │≠1,u f 与u i 反相 (d )│A U F │≠1,u f 与u i 同相(a) =i C 0 =i S 0(b) =i C 1 =i S 1(c) =i C 0 =i S 1D 1u oD 3 D 2D4二、在图示电路中,已知晶体管的β=80,r be =1k Ω, =20mV ;静态时U BEQ =0.7V ,U CEQ =4V ,I BQ =20μA 。
判断下列结论是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。
(12分)(1)200102043-=⨯-=-uA ( ) (2)71.57.04-≈-=u A ( ) (3)4001580-=⨯-=u A ( ) (4)20015.280-=⨯-=uA ( )(5)Ω=Ω=k 1k )2020(i R ( ) (6) Ω=Ω=k 35k )02.07.0(i R ( )(7)Ω≈k 3i R ( ) (8)Ω≈k 1i R ( )(9)Ω≈k 5o R ( ) (10)Ω≈k 5.2o R ( )(11)s U ≈20mV ( ) (12)sU ≈60mV ( )三、求所示电路的运算关系,假设电容未充电。