一文看懂半导体硅片所有猫腻
02 半导体中的杂质和缺陷
2.1.5 杂质的补偿作用
问题 假如在半导体材料中,同时存在着施主和受主杂质, 该如何判断半导体究竟是N型还是P型 ?
答
应该比较两者浓度的大小,
由浓度大的杂质来决定半导体的导电类型
杂质的补偿作用
施主和受主杂质之间有相互抵消的作用
考虑只有一种施主杂质和一种受主杂质的情况:
ND 施主杂质浓度
NA 受主杂质浓度
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质1
金刚石结构的特点
原子只占晶胞体积的34%,还有66%是空隙,这些空隙 通常称为间隙位置。 杂质的填充方式
一)杂质原子位于晶格 原子间的间隙位置, 间隙式杂质/填充;
间隙式杂质
二)杂质原子取代晶格 原子而位于晶格格点处
,替位式杂质
替位式杂质/填充。
2.1.3 受主杂质、受主能级1
硅中掺入硼(B)为例,研究Ⅲ族元素 杂质的作用。当一个硼原子占据了硅 原子的位置,如图所示,硼原子有三 个价电子,当它和周围的四个硅原子 形成共价键时,还缺少一个电子,必 须从别处的硅原子中夺取一个价电子, 于是在硅晶体的共价键中产生了一个 空穴。硼原子成为一个带有一个负电 荷的硼离子(B-),称为负电中心硼 离子。其效果相当于形成了一个负电 中心和一个多余的空穴。
情况二
NA>>ND时,施主能级上 的全部电子跃迁到受主能 级上后,受主能级还有 (NA-ND)个空穴,它们可 以跃迁到价带成为导电空 穴,p=NA-ND≈NA,半导 体是P型的
有效杂质浓度
经过补偿之后,半导体中的净杂质浓度
当ND >NA时,则(ND-NA)为有效施主浓度 当NA >ND时,则(NA-ND)为有效受主浓度
第二章 半导体中的杂质和缺陷e
受主杂质 受主能级
受主杂质 受主能级
受主杂质或p型杂质: Ⅲ族杂质,在硅、锗中电离时,能够接受电子而 产生导电空穴,并形成负电中心。 受主电离:空穴挣脱受主杂质束缚的过程。 受主杂质未电离时是中性的,称为束缚态或中性态; 电离后成为负电中心,称为离化态。
受主杂质 受主能级
受主杂质电离能
2.2 III-V族化合物中的杂质能级
III—V族化合物: IIIA族元素硼、铝、镓、铟、铊 VA族元素氮、磷、砷、锑、铋 组成 二元化合物,成分化学比都是1:1 由铝、镓、铟和磷、砷、锑形成的九种化合物(AlP, AlSb,AlAs,GaP,GaAs,GaSb,InP, InAs, InSb) 都结晶成闪锌矿型结构,与硅、锗的金刚石型结构很 相似。 每个原子有四个最近邻原子,该原于处于正四面 体中心时,四面体四个顶角为其最近邻的四个另一类 原于所占有。 即闪锌矿型结构与金刚石型结构不同处:金刚石 型结构中全由一种原子组成,闪锌矿型结构中由两种 不同的原子交替占据晶格点位置。
第二章 半导体中的杂质和缺陷
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 半导体中的杂质,施主和受主,类氢模型, 杂质的补偿作用,深能级杂质
2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级
2.3 缺陷、位错能级
半导体中的杂质和缺陷
在实际应用的半导体材料晶格中,总存在 偏离理想情况的各种复杂现象。 1、原子并非静止在严格周期性晶格格点 位置,而是在其平衡位置附近振动;
:
使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需要的能量。
受主杂质 受主能级
受主杂质的电离过程
受主杂质 受主能级
受主杂质的电离过程 实际上是电子的运动,是价带中的电子得到能量 后,跃迁到受主能级上,和束缚在受主能级上的空穴 复合,并在价带中产生了一个可以自由运动的导电空 穴,同时也就形成一个不可移动的受主离子。
第二章半导体中的杂质和缺陷能级
第二章 半导体中杂质和缺陷能级引言1.实际半导体和理想半导体的区别理想半导体实际半导体原子不是静止在具有严格周期性的晶格的格点上,而在其平衡位置附近振动原子静止在具有严格周期性的晶格的格点上半导体不是纯净的,含有若干杂质 半导体是纯净的,不含杂质 晶格结构不是完整的,含若干缺陷 晶格结构是完整的,不含缺陷2.杂质的种类根据杂质能级在禁带中的位置将杂质分为两种 浅能级杂质:能级接近导电底Ec 或价带顶Ev ; 深能级杂质:能级远离导带底Ec 或价带顶Ev ; 3.缺陷的种类点缺陷,如空位、间隙原子; 线缺陷,如位错;面缺陷,如层错、多晶体中的晶粒间界等§硅、锗晶体中的杂质能级一、杂质与杂质能级杂质:半导体中存在的与本体元素不同的其它元素。
杂质出现在半导体中时,产生的附加势场使严格的周期性势场遭到破坏。
单位体积中的杂质原子数称为杂质浓度。
杂质能级:杂质在禁带中引入的能级。
二、替位式杂质、间隙式杂质杂质原子进入半导体后,有两种方式存在:1.间隙式杂质:杂质原子位于晶格原子间的间隙位置,形成该种杂质时,要求其杂质原子比晶格原子小;2.替位式杂质:杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处,形成该种杂质时,要求其原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较接近,而且二者的价电子壳层结构也比较接近。
三、施主杂质、施主能级(举例Si 中掺P)如图所示,一个磷原子占据了硅原子的位置。
磷原子有5个价电子,其中4个价电子与周围的4个硅原子形成共价键,还剩余一个价电子。
同时,磷原子所在处也多余一个正电荷+q ,称这个正电荷为正电中心磷离子(P +)。
所以磷原子替代硅原子后,其效果是形成一个正电中心P +和一个多余的价电子。
这个多余的价电子就束缚在正电中心P +的周围。
但是,这种束缚作用比共价键的束缚作用弱得多,只要有很少的能量就可以使它挣脱束缚,成为导电电子在晶格中自由运动,这是磷原子就成为少了一个价电子的磷离子(P +),它是一个不能移动的正电中心。
半导体中的杂质能级和缺陷能级
ε 0ε r h m = ε r ∗ a0 a= ∗ 2 π mn e mn
2
8
杂质补偿作用
Ec ED Ec
Ev (a)
a.
(b)
EA Ev
N D > N A 施主杂质的电子首先跃迁到受主能
b.
级,剩余的才向导带跃迁; N A > N D 受主杂质上的空位首先接受来自施主 杂质的电子,剩余的向价带释放空穴。
4
受主杂质和受主能级
Ec Eg
∆E A
EA Ev
n
n n n
硼原子这种能够向价带夺取电子的杂质称为受主杂质(p型 杂质)。 被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。 受主杂质向价带释放空穴的过程称为受主电离; 杂质能级上的电子挣脱杂质原子束缚所需要的最小能量成为 电离能,用 ∆E A 表示。 ∆E A = E A − EV
5
电离能的计算——类氢模型
n
浅能级:在硅和锗中的Ⅲ族和Ⅴ族杂质,它们作
为受主和施主的电离能和禁带宽度相比非常小的,这 些杂质形成的能级,在禁带中很靠近价带顶或导带 底,称这样的杂质能级浅能级。
n
类氢模型:以参入硅中的磷原子为例,磷原子比
周围的硅原子多一个电子电荷的正电中心和一个束缚 着的价电子,相当于在硅晶体上附加了一个“氢原 子”,所以可以用氢原子模型估计 的数值。 ∆ED
18
习题
n
P48,7,8题。
19
13
Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体中的杂质
n
Ⅱ 族元素可代替Ⅲ族元素镓成为受主杂质,Ⅵ 族
元素可代替Ⅴ族元素砷成为施主杂质。 Ⅳ 族元素如硅、锗,既可以代替镓成为施主杂质,也 可以代替砷成为受主杂质。这种杂质称为双性杂质。 当Ⅲ 族杂质(如硼、铝)和Ⅴ族杂质(如磷、锑)掺 入砷化镓时,它们将取代同族原子而形成既非施主也 非受主的中性杂质。通常称为等电子杂质。
硅片制造技术过程成本及难点
硅片制造技术过程成本及难点首先,硅片制造技术的过程包括:原料准备、晶圆生长、切割、抛光和检测等环节。
其中,原料准备是指从矿物中提取高纯度硅原料,然后通过冶炼、精炼等工艺,制备出适合硅片生长的硅材料。
晶圆生长是指将硅材料通过CZ法、FZ法或EFG法等技术,在高温高压条件下生长成大面积的硅单晶,形成硅片的基材。
切割是指将生长好的硅单晶切割成具有标准尺寸的圆片,通常使用划片机或线锯机进行加工。
抛光是指对切割好的硅圆片进行平整化处理,去除表面的缺陷和纹理,使硅片表面光洁度达到要求。
最后,检测是对硅片进行质量检验,包括对尺寸、平整度、杂质含量等进行测量,以确保硅片符合要求。
硅片制造技术的成本较高,主要原因是硅材料本身的制备和晶圆生长都需要耗费大量的能源和资源。
首先,原料准备阶段需要投入大量的电力和燃料来完成冶炼和精炼过程,这些能源消耗会直接转化为制造成本。
其次,晶圆生长阶段需要建造高温高压设备,并且控制好温度和气氛,这需要大量的能源和设备投资。
再者,切割和抛光过程也需要耗费能源和使用昂贵的刀具和磨料,不仅增加了成本,还会产生大量的废料和排放物,对环境造成一定的影响。
此外,检测过程也需要投入昂贵的仪器设备和专业人员,进一步增加了成本。
与成本相对应的是硅片制造技术的难点。
首先,硅材料的制备过程需要高纯度的硅原料和精密的冶炼和精炼技术,以确保硅层中杂质的含量达到几十亿分之一的级别,这对生产工艺和设备要求非常高。
其次,在晶圆生长过程中,需要准确控制温度、压力和气氛等参数,以避免晶体中形成缺陷和纹理,这需要高级的控制技术和设备。
另外,对硅片的切割和抛光过程也要求高精度的设备和工艺,以确保硅片的尺寸和表面质量符合要求。
此外,随着硅片尺寸的不断增大和先进工艺的发展,对硅片的质量要求也越来越高,因此检测技术和方法也需要不断改进和创新。
综上所述,硅片制造技术的成本和难点是相关领域亟待解决的问题。
解决这些问题对于推动半导体产业的发展和提升技术水平具有重要意义。
半导体材料中的杂质
半导体材料中的杂质半导体材料中的杂质(impurity in semiconductor material)半导体晶格中存在的与其基体不同的其他化学元素原子。
杂质的存在使严格按周期性排列的原子所产生的周期性势场受到破坏,这对半导体材料的性质产生决定性的影响。
杂质元素在半导体材料中的行为取决于它在半导体材料中的状态,同一种杂质处于间隙态或代位态,其性质也会不同。
电活性杂质在半导体材料的禁带中占有一个或几个位置作为杂质能级。
按照杂质在半导体材料中的行为可分为施主杂质、受主杂质和电中性杂质。
按照杂质电离能的大小可分为浅能级杂质和深能级杂质。
浅能级杂质对半导体材料导电性质影响大,而深能级杂质对少数载流子的复合影响更显著。
氧、氮、碳在半导体材料中的行为比较复杂,所起的作用与金属杂质不同,以硅和砷化镓为例叙述杂质的行为。
硅中的杂质主要有金属杂质和氧、碳。
金属杂质分为浅能级杂质和深能级杂质。
Ⅲ族元素硼、铝、镓、铟和V族元素磷、砷、锑,它们在硅中的能级,位于导带底或价带顶的附近,电离能级小,极易离化,因此称为浅能级杂质。
它们是硅中主要的电活性杂质。
Ⅲ族元素起受主作用,V族元素起施主作用,常用作硅的掺杂剂。
这两种性质相反的杂质,在硅中首先相互补偿,补偿后的净杂质量提供多数载流子浓度。
其他金属杂质,尤其是过渡元素(重金属),如铜、银、金、铁、钴、镍、铬、锰、钼等,在硅中的能级位置一般远离导带底或价带顶,因此称为深能级杂质。
它们在硅中扩散快,并起复合中心作用,严重影响少子寿命。
它们本身可产生缺陷,并易与缺陷络合,恶化材料和器件的性能。
除特殊用途外,重金属元素在硅中都是有害杂质。
镍、钴、铜、铁、锰、铬和银所造成的“雾”缺陷,按次序降低。
铜和镍具有高的扩散系数和高的间隙溶解度,在“雾”缺陷形成中,它们会溶解、扩散并沉淀在硅中,而铁、铬、钴则在热处理中将留在硅的表面。
锂、钠、钾、镁、钙等碱金属和碱土金属离子,在电场作用下易在p—n结中淀积,使结退化,导致击穿蠕变,MOs阈电压漂移,沟道漏电,甚至反型。
半导体中的杂质和缺陷
不含任何杂质
实际应用中的
极其微量的杂质和缺陷, 能够对半导体材料的物理性质 和化学性质产生决定性的影响
在硅晶体中,若以105个硅原子中掺入一个杂质原子的比例掺入硼(B)原子,则硅晶体的导电率在室温下将增加103倍。 用于生产一般硅平面器件的硅单晶,位错密度要求控制在103cm-2以下,若位错密度过高,则不可能生产出性能良好的器件。(缺陷的一种)
添加标题
实验测得,Ⅴ族元素原子在硅、锗中的电离能很小,在硅中电离能约为0.04~0.05eV,在锗中电离能约为0.01eV,比硅、锗的禁带宽度小得多。
2.1.2 施主杂质、施主能级3
2.1.2 施主杂质、施主能级4
2.1.3 受主杂质、受主能级1
硅中掺入硼(B)为例,研究Ⅲ族元素杂质的作用。当一个硼原子占据了硅原子的位置,如图所示,硼原子有三个价电子,当它和周围的四个硅原子形成共价键时,还缺少一个电子,必须从别处的硅原子中夺取一个价电子,于是在硅晶体的共价键中产生了一个空穴。硼原子成为一个带有一个负电荷的硼离子(B-),称为负电中心硼离子。其效果相当于形成了一个负电中心和一个多余的空穴。
利用杂质补偿的作用,就可以根据需要用扩散或离子注入等方法来改变半导体中某一区域的导电类型,以制备各种器件。
若控制不当,会出现ND≈NA的现象,这时,施主电子刚好填充受主能级,虽然晶体中杂质可以很多,但不能向导带和价带提供电子和空穴,(杂质的高度补偿)。这种材料容易被误认为是高纯度的半导体,实际上却含有很多杂质,性能很差。
2.1.3 受主杂质、受主能级2
02
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03
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01
2.1.3 受主杂质、受主能级3
半导体中的杂质和缺陷.ppt
杂质出现在半导体中时,产 生的附加势场使严格的周期 性势场遭到破坏。
杂质能级位于禁带之中
Ec
杂质能级
导带
Ev
价带
1.ⅤA 族的替位杂质
(1)在硅 Si 中掺入 P
= Si = ‖
= Si = ‖
= Si = ‖
Si
=
‖
P+ ●
=
‖
Si
=
‖
正电中心
Si = ‖ Si = ‖ Si = ‖
●Si ●P
3.2 半导体中的杂质和缺陷
杂质 缺陷 原子在平衡位置附近振动
实际半导体晶格偏离理想情况
杂质和缺陷 原子的周期性势场受到破坏
在禁带中引入能级 决定半导体的物理和化学性质
杂质:半导体中存在的与本体元素不同的
其它元素。
浅能级杂质:能级接近导 带底 Ec 或价带顶 Ev;
深能级杂质:能级远离导 带底 Ec 或价带顶 Ev。
施主杂质具有提供电子的能力。
施主的电离能
设施主杂质能级为ED
施主杂质的电离能△ED:即弱束缚的电子 摆脱束缚成为晶格中自由运动的电子(导带 中的电子)所需要的能量。
EC
ED
△ED=EC-ED
施 主 电 离 能:
Eg
△ED=EC-ED
EV
在 Si 中,掺 P: △ED=0.044eV As: △ED=0.049eV Sb: △ED=0.039eV
EA
Ev
n=ND-NA 此时为n型半导体
(2) ND<NA
Ec ED 电离施主 电离受主
EA Ev
p=NA- ND 此时为p型半导体
(3) ND≈NA 杂质的高度补偿
半导体行业骗局揭秘
半导体行业骗局揭秘半导体行业一直以来被视为高科技领域的重要组成部分,但在这个充满竞争和变化的行业中,也存在着各种各样的骗局。
本文将深入分析和揭露半导体行业中常见的骗局,帮助读者更好地保护自己。
材料质量虚假宣传有些公司为了追求短期利润,可能会在广告、宣传资料中夸大其产品的性能和质量。
实际上,这些产品可能存在缺陷或质量不符合标准,消费者购买后很可能会受到损失。
因此,在选择半导体产品时,消费者应该审慎选择可信赖的供应商,避免因虚假宣传而上当受骗。
价格欺诈在半导体行业中,价格往往是竞争的焦点。
有些不法商家可能会通过虚构价格和优惠活动来吸引消费者,实际上产品的质量并不符合所宣传的标准。
消费者在购买半导体产品时,应该对市场行情有一定了解,避免被虚假的价格欺诈所误导。
技术盗窃半导体行业的技术创新成果往往是公司的核心竞争力,某些竞争对手可能会采取不正当手段,如盗窃商业机密、侵犯专利权等来获取竞争优势。
保护公司的知识产权和技术成果至关重要,合法维护自己的权益,避免受到技术盗窃的危害。
资金诈骗在半导体行业中,一些投机公司可能会通过引诱投资者投入资金来筹集资金,并承诺高额回报。
但实际上,他们可能会将投资者的资金挪作他用或者存在风险投资,最终让投资者遭受损失。
投资者在进行投资决策时,应该慎重选择合规的投资项目,避免落入资金诈骗的陷阱。
结语半导体行业作为高科技领域的重要组成部分,充满着机遇和挑战。
面对各种骗局和风险,消费者和投资者应该保持警惕,增强风险意识,选择可信赖的合作伙伴,避免受骗上当。
只有在完全了解市场和公司的基础上,才能做出明智的决策,保护自己的权益和财产安全。
半导体光伏硅片简介介绍
半导体光伏硅片的生产需要大量的原材料和设备,企业需要加强供 应链管理,确保生产效率和产品质量。
未来发展前景与方向
市场需求持续增长
随着全球对可再生能源的需求不断增加,未来半导体光伏硅片的 市场需求仍将持续增长。
技术创新推动发展
未来随着技术的不断发展,将会有更多新型的半导体光伏硅片产品 出现,推动行业的快速发展。
检测
对硅片进行外观检测、电性能测试和可靠性测试以确保其符合规格要求。
包装
将检测合格的硅片进行包装以防止其受到物理损伤和氧化。
03
半导体光伏硅片的性能特点
电学性能
01
02
03
载流子类型与浓度
半导体光伏硅片通常以电 子为主要的载流子,其浓 度通常达到10^18 cm^3。
电阻率与掺杂
通过掺杂工艺,半导体光 伏硅片的电阻率可以被精 确控制,从而影响其电学 性能。
工业硅
通常使用石英砂与碳质还原剂在电弧 炉中冶炼得到,纯度通常为 98%~99%。
高纯度硅
通过化学气相沉积(CVD)或热分解反 应将工业硅转化为高纯度硅,纯度通 常为99.9999%。
单晶硅生长
直拉法
将高纯度硅装入坩埚,在单晶炉中加热至熔化,然后通过籽晶从熔体表面向上拉 晶。
悬浮区熔法
将高纯度硅棒通过悬浮区熔技术在单晶炉中熔化,然后通过籽晶从熔体表面向上 拉晶。
能转化为电能。
集成电路
半导体光伏硅片也可用于制造 集成电路,作为电子设备的核
心部件。
传感器和执行器
在传感器和执行器中,半导体 光伏硅片可被用于感测环境变
化或驱动机械运动。
通信和医疗设备
半导体光伏硅片在通信和医疗 设备中有广泛应用,如光纤通 信、激光器、心电图监测等。
(优选)半导体物理学半导体中杂质和缺陷能级
空穴束缚在Ⅲ族原子附近,但这种束缚很弱 很小的能量就可使空穴摆脱束缚,成为在晶格中自由运动的
导电空穴,而Ⅲ族原子形成一个不能移动的负电中心。 硅、锗中的Ⅲ族杂质,能够接受电子而在价带中产生空穴,
并形成负电中心的杂质,称为受主杂质或P型杂质,掺有P 型杂质的半导体叫P型半导体。受主杂质未电离时是中性的, 电离后成为负电中心。
称电子为多数载流子,简称多子,空穴为少 数载流子,简称少子。
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
2.1.3 受主杂质 受主能级
Si
+
Si
Si
Si
B-
Si
Si
Si
Si
受 主 掺 杂(掺硼)
硼原子接受一个电子后, 成为带负电的硼离子, 称为负电中心(B- ) 。 带负电的硼离子和带正 电的空穴间有静电引力 作用,这个空穴受到硼 离子的束缚,在硼离子 附近运动。
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对于Si中的P原子, 剩余电子的运动
半径:r ~ 6○5 Å
对于Ge中的P 原子,r 85 Å
多余 价电子
+4 +4
磷原子
+5 +4
Ⅴ族元素有5个价电子,其中的四个价电子与周围 的四个硅原子形成共价键,还剩余一个电子,同 时Ⅴ族原子所在处也多余一个正电荷,称为正离 子中心,所以,一个Ⅴ族原子取代一个硅原子, 其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子。
半导体封装不良术语
半导体封装不良术语半导体封装是指将硅片上的芯片封装在包裹材料中,以保护芯片并提供连接电路的技术。
在半导体封装过程中,可能会出现一些不良现象和术语。
下面是一些常见的半导体封装不良术语:1.基材开裂:在封装过程中,基材(如硅片或基板)会发生开裂现象。
这可能是由于温度变化、机械应力或材料瑕疵等原因引起的。
基材开裂会导致封装失效和电性能下降。
2.焊点开裂:焊点是连接芯片和封装材料的重要部分。
如果焊点出现开裂现象,则会导致芯片与封装材料之间的连接不良,从而影响电性能和可靠性。
3.内应力:封装材料在固化过程中会产生一定的内应力。
如果内应力过大,则可能导致封装材料的开裂、位移或变形,从而影响封装质量和芯片性能。
4.气泡:在封装材料中产生的气泡可能会导致封装结构不密封。
气泡通常由残留的挥发性物质或有机杂质引起,会使封装材料的绝缘性能下降,从而对芯片的电性能和可靠性产生负面影响。
5.异物:在封装过程中,可能会有杂质或异物进入封装材料中。
这些异物可能来自环境、生产设备或操作人员,如灰尘、化学物质残留或金属碎屑等。
异物会导致封装材料的绝缘性能下降,同时还可能引起短路、失效和降低芯片可靠性。
6.未覆盖敏感区域:在封装过程中,有些芯片可能具有敏感区域,需要特殊处理,如保护盖或金属屏蔽层。
如果这些敏感区域未得到适当的保护或覆盖,可能会引起电磁干扰、电气失效或硬件故障。
7.漏胶:封装材料在封装过程中可能会发生漏胶现象,即封装材料未充分填充到封装结构内部,导致封装不完整或存在孔隙。
漏胶会导致封装结构不牢固,可能引起失效、短路或电性能下降。
8.异常电气性能:封装过程中可能会出现异常的电气性能,如电阻值过大、电容值不稳定或电感值异常等。
这些异常可能是由封装材料的质量问题、设备故障或操作错误等原因引起的。
9.封装不良率:封装不良率是指封装过程中出现的不良产品数量与总产量之比。
封装不良率高可能是由于生产设备的问题、操作人员的技术水平不高或材料质量的问题等引起的。
一文看懂半导体硅片所有猫腻
一文看懂半导体硅片所有猫腻半导体单晶硅片的生产工艺流程单晶硅片是单晶硅棒经由一系列工艺切割而成的,制备单晶硅的方法有直拉法( CZ 法)、区熔法( FZ 法)和外延法,其中直拉法和区熔法用于制备单晶硅棒材。
区熔硅单晶的最大需求来自于功率半导体器件。
单晶硅制备流程直拉法简称 CZ 法。
CZ 法的特点是在一个直筒型的热系统汇总,用石墨电阻加热,将装在高纯度石英坩埚中的多晶硅熔化,然后将籽晶插入熔体表面进行熔接,同时转动籽晶,再反转坩埚,籽晶缓慢向上提升,经过引晶、放大、转肩、等径生长、收尾等过程,得到单晶硅。
区熔法是利用多晶锭分区熔化和结晶半导体晶体生长的一种方法,利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区,再熔接单晶籽晶。
调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动,通过整根棒料,生长成一根单晶,晶向与籽晶的相同。
区熔法又分为两种:水平区熔法和立式悬浮区熔法。
前者主要用于锗、GaAs 等材料的提纯和单晶生长。
后者是在气氛或真空的炉室中,利用高频线圈在单晶籽晶和其上方悬挂的多晶硅棒的接触处产生熔区,然后使熔区向上移动进行单晶生长。
由于硅熔体完全依靠其表面张力和高频电磁力的支托,悬浮于多晶棒与单晶之间,故称为悬浮区熔法。
巨头垄断硅片市场进口替代可能性高直拉法和区熔法的比较单晶硅是从大自然丰富的硅原料中提纯制造出多晶硅,再通过区熔或直拉法生产出区熔单晶或直拉单晶硅,进一步形成硅片、抛光片、外延片等。
直拉法生长出的单晶硅,用在生产低功率的集成电路元件。
而区熔法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。
直拉法加工工艺:加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长,长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出,即完成一次生长周期。
悬浮区熔法加工工艺:先从上、下两轴用夹具精确地垂直固定棒状多晶锭。
用电子轰击、高频感应或光学聚焦法将一段区域熔化,使液体靠表面张力支持而不坠落。
移动样品或加热器使熔区移动。
这种方法不用坩埚,能避免坩埚污染,因而可以制备很纯的单晶,也可采用此法进行区熔。
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一文看懂半导体硅片所有猫腻半导体单晶硅片的生产工艺流程单晶硅片是单晶硅棒经由一系列工艺切割而成的,制备单晶硅的方法有直拉法(CZ 法)、区熔法(FZ 法)和外延法,其中直拉法和区熔法用于制备单晶硅棒材。
区熔硅单晶的最大需求来自于功率半导体器件。
单晶硅制备流程直拉法简称CZ 法。
CZ 法的特点是在一个直筒型的热系统汇总,用石墨电阻加热,将装在高纯度石英坩埚中的多晶硅熔化,然后将籽晶插入熔体表面进行熔接,同时转动籽晶,再反转坩埚,籽晶缓慢向上提升,经过引晶、放大、转肩、等径生长、收尾等过程,得到单晶硅。
区熔法是利用多晶锭分区熔化和结晶半导体晶体生长的一种方法,利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区,再熔接单晶籽晶。
调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动,通过整根棒料,生长成一根单晶,晶向与籽晶的相同。
区熔法又分为两种:水平区熔法和立式悬浮区熔法。
前者主要用于锗、GaAs 等材料的提纯和单晶生长。
后者是在气氛或真空的炉室中,利用高频线圈在单晶籽晶和其上方悬挂的多晶硅棒的接触处产生熔区,然后使熔区向上移动进行单晶生长。
由于硅熔体完全依靠其表面张力和高频电磁力的支托,悬浮于多晶棒与单晶之间,故称为悬浮区熔法。
巨头垄断硅片市场进口替代可能性高直拉法和区熔法的比较单晶硅是从大自然丰富的硅原料中提纯制造出多晶硅,再通过区熔或直拉法生产出区熔单晶或直拉单晶硅,进一步形成硅片、抛光片、外延片等。
直拉法生长出的单晶硅,用在生产低功率的集成电路元件。
而区熔法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。
直拉法加工工艺:加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长,长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出,即完成一次生长周期。
悬浮区熔法加工工艺:先从上、下两轴用夹具精确地垂直固定棒状多晶锭。
用电子轰击、高频感应或光学聚焦法将一段区域熔化,使液体靠表面张力支持而不坠落。
移动样品或加热器使熔区移动。
这种方法不用坩埚,能避免坩埚污染,因而可以制备很纯的单晶,也可采用此法进行区熔。
半导体单晶硅片加工工艺流程工业生产中对硅的需求主要来自于两个方面:半导体级和光伏级。
半导体级单晶硅和光伏级单晶硅在加工工艺流程中存在着一些差异,半导体级单晶硅的纯度远远高于光伏级单晶硅。
半导体级单晶硅片的加工工艺流程:单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V 型槽处理→切片,倒角→研磨,腐蚀--抛光→清洗→包装。
半导体单晶硅片切割工艺流程单晶硅片产业链分析单晶硅的制备工艺不同,所得到产品的纯度和性能差异很大,因此其下游应用领域也有所区别。
单晶硅在日常生活中是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
电视、电脑、手机、汽车,处处都离不开单晶硅材料,单晶硅作为科技应用普及材料之一,已经渗透到人们生活中的各个角落。
单晶硅及其应用分类整个单晶硅的产业链比较长,从最上游的多晶硅原料和设备等,到中游的单晶硅硅片,延伸至下游的电力电子器件、高效率太阳能光伏电池、射频器件和微电子机械系统、各种探测器和传感器等,最后到计算机、汽车、光伏等各大行业。
日本信越化工和SUMCO公司在单晶硅片领域占据了市场重要地位。
单晶硅产业链全景图(1)上游设备原材料格局半导体元件所使用的单晶硅片系采用多晶硅原料再经由单晶生长技术所生产出来的。
晶硅是单质硅的一种形态,熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格的形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来形成的晶体就叫多晶硅。
多晶硅所使用的原材料来自硅砂(二氧化硅),以盐酸(或氯气、氢气)和冶金级工业硅为原料,将粗硅(工业硅)粉与盐酸在高温下合成为三氯氢硅,然后对三氯氢硅进行化学精制提纯,接着对三氯氢硅进行多级精馏,使其纯度达到9 个9 以上,其中金属杂质总含量应降到0.1ppba 以下,最后在还原炉中在1050℃的硅芯上用超高纯的氢气对三氯氢硅进行还原而长成高纯多晶硅棒,再通过单晶生长技术生产处单晶硅片。
电子级多晶硅(用于制备半导体单晶硅)与太阳能级多晶硅的区别主要就在于对纯度的控制,最明显的就在精馏工序,电子级和太阳能级的塔高和数量相差很大。
太阳能能多晶硅纯度为小数点后6 个9,电子级多晶硅小数点12 个9,整个工艺流程电子级比太阳能级在原料纯度,管道清洗,提纯塔,厂房洁净度等要求都要高。
电子级多晶硅的等级及相关技术要求电子级多晶硅材料的生产与太阳能级多晶硅相比,对产品纯度、杂质控制的要求都非常苛刻,此过程中氯硅烷的分离提纯工艺是关键步骤。
三氯氢硅除硼一直是国内电子级多晶硅材料领域的技术瓶颈。
电子级多晶硅与太阳能级多晶硅的区别近几年来,随着消费电子的快速发展以及未来汽车产生的大量需求,全球电子级多晶硅料需求量稳步,预计未来几年对于硅片的消费量会保持现在的上升趋势。
全球电子硅材料需求情况(2)关键生产设备都来自国外单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的加工流程:单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V 型槽处理→切片,倒角→研磨,腐蚀--抛光→清洗→包装。
通常一条生产线需要如下的设备配置。
目前国产设备虽然已经覆盖生产线的各个环节,但在质量和精度方面与进口设备差距较大。
因此,目前国内单晶硅厂商都采用进口设备来进行生产。
单晶硅生产线设备配置单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。
单晶硅炉型号有两种命名方式,一种为投料量,一种为炉室直径。
比如120、150 等型号是由投料量决定,85 炉则是指主炉筒的直径大小。
单晶硅炉的主体构成由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。
半导体材料有别于一般电子产业,不仅在纯度与不纯物的规格要求相当高,连从原物料的来源与合成制造的生产过程都必须完全符合半导体制造商的规定,才有机会打入供应体系。
再者,材料供应商与半导体制造商就先进制程技术的开发时,材料业者须亦步亦趋随时配合与反应制程参数调整的结果,国内材料厂虽具有就近协助与供应的优势,但配合度与效率却不如国际大厂。
国内外主要单晶硅炉生产厂商的现金产品(3)半导体硅片全球格局情况国际半导体产业协会(SEMI)最新统计数据显示,2016 年第三季全球硅晶圆出货面积再度打破历史纪录,达到27.30 亿平方英寸。
与前一季27.06 亿平方英寸相比,第三季出货面积成长0.9%,也较2015 年第三季的25.91 亿平方英寸增加5.4%。
硅晶圆是制造半导体器件的基础材料,对于电脑、通讯、消费性电子等所有电子产品来说,都是十分重要的物资。
其出货面积持续成长,也显示市场对电子产品的需求仍在不断成长。
近五季全球硅晶圆出货面积不断上升全球硅片市场规模近几年稳步上升,未来上升将成为主要趋势。
以工艺为标准可以将半导体材料分为晶圆制造材料和封装材料。
2015 年,总体晶圆制造市场达到241 亿美元,封装材料市场达到193 亿美元。
2015 年全球半导体单晶硅市场产值已达434 亿美元,在整个半导体行业中所占比重达到13%。
2013-2016 年全球硅片市场规模半导体材料分为晶圆制造材料和封装材料,晶圆制造材料主要包括大硅片、光刻胶、湿化学品、特种气体、抛光液和抛光垫等。
硅片及硅基材是半导体材料中最重要的部分,占半导体材料市场份额的32%,由于我国半导体产业起步较晚,再加上半导体硅片的制备工艺要求极高,该部分市场几乎均由国外厂商垄断。
目前主流半导体硅片市场的全球寡头垄断已经形成,日本、中国台湾、德国和韩国资本控制的 6 大硅片公司的销量占到95%。
信越化学工业株式会社作为日本半导体材料行业的龙头企业之一,是全球最大的半导体硅片供应商,2015 年在全球半导体硅片市场中占有27%的份额,SUMCO 公司紧随其后。
硅晶圆产业几乎由国外厂商垄断半导体单晶硅片下游市场前景广阔半导体单晶硅片下游市场整体向好,继续保持增长趋势。
2015 年全球半导体代工市场增长4.4%,达到488 亿美元。
在新技术(云计算、人工智能、智能驾驶)逐步兴起的背景下,基于对深度大数据处理的需求大幅增加,将带来半导体硬件设备的快速更新升级。
半导体行业或迎来大规模发展契机。
硅片是最主要的半导体材料,历年来硅晶圆片的市场销售额占整个半导体材料市场总销售额的32%~40%。
近些年来,硅晶圆占半导体材料市场的比重基本保持稳定,2013 年硅晶圆占半导体材料市场的比重为35%,2015 年占比34%。
可以预见在未来几年内,硅晶圆依旧将在半导体材料市场占据重要地位。
2015 年全球半导体前道各材料市场比重数据显示,2015 年硅抛光晶圆与硅外延晶圆合计10434MSI(百万平方英寸);SEMI 协会表示,2015 年硅晶圆片总出货量超越2014 年创下的历史记录,预计2016 年和2017 年有望再创新高。
2013-2017 年全球硅晶圆片的出货量计虽然在2005 年至2010 年期间,不同尺寸硅片市场数据波动起伏,但是从2011 年至2015年,全球不同尺寸硅片市场规模稳步上升。
预计在2017 年硅片总量将超过120 亿平方英寸,同时12 英寸硅片所占比重越来越大,牢牢占据主流地位。
全球硅片市场现状及发展预测2015 年全球半导体市场增长缓慢,主要是因为3.9%的亚太地区增长抵消了10.3%的日本下滑和8.2%的欧洲下滑。
半导体需求主要受到PC 出货放缓、美元升值、日本经济萎缩、欧洲危机和中国股票市场影响。
其中,中国半导体销售额占到全球半导体消费的50%以上。
未来几年内全球半导体市场将呈现回暖趋势,2016年和2017年将分别增长 1.4%和3.1%。
迄今为止,主要半导体市场亚太地区已经推动半导体行业增长;鉴于中国经济疲软,半导体市场将呈现缓慢增长的趋势。
2017 年全球的半导体市场将呈现增长势头,这将直接带动全球半导体级硅片市场的增长,虽然增长率有所放缓,但是增长的趋势是一定的。
2014-2017 年全球半导体市场规模由于半导体行业去库存已接近尾声,随着市场需求逐渐回暖,半导体行业景气度逐步提升。
预计全球半导体的资本支出和设备投资规模在未来两年能够保持相对稳定的增长率,半导体级硅片行业也会因此受益,在未来对于硅片的需求将稳步上升。
2014-2018 年全球半导体的资本支出和需要强调的一点就是300mm硅片需求持续增长。
半导体芯片制造技术遵循摩尔定律,不同尺寸硅片市场的消长和发展轮换,硅片整体沿大尺寸趋势发展。
单晶硅片直径越大,所能刻制的集成电路越多,芯片的成本也就越低。
300mm 硅片从1990 年代末迅速切入市场,经过几年发展,迅速成为市场的主流,并且未来也将占据主流地位。
根据SEMI 发布的市场消息,2015 年全球硅片材料市场消耗约100亿平方英寸。
其中300mm 占约70%。