2019年砷化镓行业分析报告

2019年砷化镓行业分

析报告

2019年9月

目录

一、砷化镓行业概况 (5)

1、砷化镓材料简介 (5)

2、砷化镓单晶片生产流程 (6)

3、砷化镓材料的应用领域 (9)

4、砷化镓产业链概况 (11)

二、砷化镓行业市场规模测算 (13)

1、预计2023年全球砷化镓元件市场规模突破千亿元 (13)

2、砷化镓衬底材料市场规模测算 (15)

（1）砷化镓衬底应用领域：光电子器件 (17)

（2）砷化镓衬底需求测算：LED器件 (19)

3、预计2023年全球砷化镓衬底市场规模为10.5亿美元，中国3.5亿美元 20

三、砷化镓行业竞争格局 (21)

1、砷化镓产业链各环节呈寡头垄断格局 (21)

（1）砷化镓上游衬底到下游元件价值量逐级放大 (21)

（2）砷化镓产业链各环节均处于寡头垄断的竞争格局 (22)

（3）与国外相比，我国砷化镓产业链竞争格局仍处于弱势 (22)

（4）用于射频器件的半绝缘型砷化镓生产目前由国际厂商垄断 (23)

（5）国内厂商技术水平和国外差距较大，主要以生产LED用半导体型衬底为主，半绝缘型砷化镓材料渗透率仅为1.3% (23)

2、国内砷化镓衬底生产商盈利能力低于国外 (24)

四、相关企业简况 (25)

1、云南锗业：受益自主可控，砷化镓衬底业务迎来黄金期 (26)

（1）公司砷化镓衬底技术领先且产能充足 (26)

（2）光纤用四氯化锗龙头，客户渠道优秀 (27)

（3）上游锗战略资源优势明显，支持公司向锗深加工业务转型 (27)

（4）公司开拓锗深加工业务，预计未来深加工产品营收占比快速升高 (27)

2、三安光电：行业出清尚需时日，关注Mini/Micro LED布局 (28)

（1）布局LED全产业链，龙头地位稳固 (28)

（2）芯片持续跌价叠加存货减值等影响，公司19H1业绩承压，预计行业出清仍需时日 (28)

（3）LED芯片竞争激烈，公司全面推进Mini/Micro LED新布局 (28)

（4）化合物半导体业务进展顺利 (29)

未来手机PA芯片、光电子、LED等领域消费增长将带动砷化镓需求快速提升。在国内半导体产业链自主可控趋势下，预计国内拥有技术优势和产能布局的企业将显著受益。上游原材料环节重点推荐拥有高端砷化镓单晶片产能的云南锗业；下游元件环节推荐已经布局高端射频和光电领域的三安光电。

砷化镓是性能优异的第二代半导体材料，分为半导体型和半绝缘型。砷化镓属于第二代半导体，具有远优于第一代硅半导体的频率、功率和耐压性能。根据电阻的不同，砷化镓材料可以分为半导体型和半绝缘型。半绝缘型砷化镓衬底由于电阻率较高、高频性能好，主要用来制作手机中的PA 元件。半导体型砷化镓的主要应用在LED和VCSEL（垂直共振腔表面发射激光器）等光电子器件。

射频芯片、光电子、LED拉动下，全球砷化镓市场规模料将快速增长。2018年全球砷化镓元件市场总产值约89亿美元，到2023年有望增长至143亿美元，未来5年保持10%左右的年均增速。5G趋势下手机射频芯片的消费增长成为主要推动力。砷化镓衬底材料方面，2018年行业产值约为4.6亿美元，预计到2023年将增长至10.5亿美元，2019-2023年CAGR为21%。

自主可控趋势下，国内砷化镓市场规模增速高于海外。2018年，国内砷化镓元件和衬底材料市场规模分别约为100亿元、4.1亿元。随着全球射频器件、光电子等高端砷化镓市场向国内转移以及国家对半导体核心原材料自主可控的推动，预计到2023年，国内砷化镓元件市场规模将增长至628亿元，衬底材料市场规模增长至24.6亿元，

2019-2023年CAGR 均超过40%。

砷化镓产业链各环节寡头垄断明显，未来行业利润将主要由高端芯片和衬底厂商获取。砷化镓产业链各环节的CR2均超过50%，整个产业链呈现明显的寡头垄断格局。尤其是上游砷化镓衬底生产环节，90%以上的半绝缘型高端衬底被国外厂家垄断，国内市场主要集中在低端LED领域。随着国内砷化镓行业的快速发展，预计拥有技术优势，能够生产高端产品的公司业绩将快速增长。

一、砷化镓行业概况

1、砷化镓材料简介

砷化镓属于第二代半导体，具有远优于第一代硅半导体的频率、功率和耐压性能。半导体材料是制作半导体元件的核心，是芯片和电子设备制造工业的基础。砷化镓属于III-V族化合物半导体，是第二代半导体材料的代表，其物理性能远优于第一代硅材料。砷化镓的禁带宽度大于硅，可以耐受更高电压；砷化镓的电子迁移率更是硅的6~7倍，因此高频性能十分优异。