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RC = 1.5kΩ ， iB = 20µA ，求该器件的 Q 点。
解 由图题 3.3.1 已求得 β = 200 ，故图题 3.3.3 所示电路中的
IC = βI B = 200 × 20µA = 4000µA = 4mA
VCE = VCC − I C RC = 9V
3.3.4 若将图题 3.3.1 所示输出特性的 BJT 接成图题 3.3.3 所示电路，并设VCC = 12V ， 和
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解 图题 3.4.1 所示各电路的小信号等效电路如图解 3.4.1 所示。
3.4.2 单管放大电路如图题 3.4.2 所示，已知 BJT 的电流放大系数 β = 50 。（1）估算 Q 点； （2）画出简化 H 参数小信号等效电路；（3）估算 BJT 的输入电阻 rbe ；（4）如输出端接入 4kΩ
=
12V − 0.6V 500 ×103 Ω
≈
0.000024mA
=
0.024mA
有 I B < I BS ，故此时 BJT 工作在放大区， IC = βI B = 80 × 0.024mA = 1.92mA
（3） S 与 C 相连时，BJT 的发射结反偏，工作在截止区， IC ≈ 0 。
3.3.1 BJT 的输出特性如图 3.3.1 所示。求该器件的 β 值；当 iC = 10mA 和 iC = 20mA 时，
管子的饱和压降VCES 为多少？
解
由图题 3.3.1 可知，当 ∆iB
= 10µA 时， ∆iC
= 2mA ，故 β
=
∆iC ∆iB
= 200 ；
当 iC = 10mA 时，VCES ≈ 0.3V ； ic = 20mA 时，VCES ≈ 0.8V 。
3.3.2 测量某硅 BJT 各电极对地的电压值如下，使判别管子工作在什么区域。
= 300kΩ
由基极回路得 Rc
= VCC − VCE IC
= 3kΩ
（3）求输出电压的最大不失真幅度
由交流负载与输出特性的交点可知，在输入信号的正半周，输出电压 vCE 从 3V 到 0.8V ，变 化范围为 2.2V ；在输入信号的负半周，输出电压 vCE 从 4.6V ，变化范围为1.6V 。综合起来考 虑，输出电压的最大不失真幅度为1.6V 。
电压VCE = 10V ，则工作电流 IC 不得超过多大？若工作电流 IC = 1mA ，则工作电压的极限值为
多少？
解 BJT 工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否则将损坏。当工作电压VCE 确
定时，应根据 PCM 及 I CM 确定工作电流 I C ，即满足 I CVCE ≤ PCM 及 I C ≤ I CM 。当VCE = 10V 时，
则应有 iC ≤ 1.27mA 。
又 vE = VEE − iC Re ，将 iC ≤ 1.27mA 代入此式，则 vE ≥ 10V − 1.27 ×10−3 ×10 ×103V ，即
应有 vE ≥ −2.7V 。 从不进入截止区的角度考虑，应满足 vBE = 0.7V ，即 vB = vE − 0.7V ，故 vB ≥ −3.4V 时，
(b) 放大区，VBE = (2 −1.3)V = 0.7, VCB = (6 − 2)V = 4V ，发身结正偏，集电结反偏。
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第 3 章 半导体三极管及放大电路基础
(c) 饱和区。 (d ) 截止区。 (e) 饱和区。 3.3.3 设输出特性如图题 3.3.1 所示的 BJT 接入图题 3.3.3 所示的电路，图中VCC = 15V ，
最大比失真幅度；（4）要使该电路不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？
解 （1）由图题 3.3.6 可知，直流负载与横坐标轴的交点即VCC 值得大小，故VCC = 6V 。由
Q 点的位置可知， I B = 20µA ， IC = 1mA ，VCE = 3v 。
（2）由基极回路得 Rc
= VCC − VCE IB
解 由 I A = −2mA ， I B = −0.04mA 可知，图题 3.1.2 中电流 I A 、 I B 的方向与其实际的方 向相反，既 I A 、 I B 流入管子为正，而 IC 流出管子为正，故此 BJT 为 NPN 管。由 BJT 的电流 分配关系知，电极 A 是集电极， B 是基极， C 是发射极。其
3.1.2 某放大电路 BJT 中三个电极的电流如图 3.1.2 所示，用万用表直流电流挡测得 I A = −2mA ，I B = −0.04mA ，IC = +2.04mA ，试分析 A 、B 、C 中哪个是基极 b 、发射极 e 、 集电极 c ，并说明此管是 NPN管还是 PNP 管，它的 β = ?
（3）求 rbe
（4）求 A&V
rbe
=
200Ω + (1 +
β)
26mA IE
=
200Ω +
(1 + 50)
26mA 2mA
=
836Ω
A& V
=
V&0 V&i
= − βRL′ rbe

=
β (Rc || RL ) rbe
≈ −116
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（5）求 A&VS
A& VS
=
V&0 V&s
但其 I CEO 大，使放大电路的温度稳定性差，这是因为 I CEO 受温度影响较大。此外， I CEO 也是衡 量 BJT 寿命的一个指标， I CEO 小的寿命要长些。
3.1.4 某 BJT 的极限参数 I CM = 100mA ， PCM = 150mW V ， (BR)CEO = 30V ，若它的工作
3.3.5 设输出特性如图题 3.3.1 所示的 BJT 接成图题 3.3.3 所示的电路，其基极端上接
VBE = 3.2V 与电阻 RB = 20kΩ 相串联，而VCC = 6V ，RC = 200Ω ，求电路中的 I B 、IC 和VCE
的值，设VBE = 0.7V 。
解
IB
= VBB − VBE Rb
RB = 50kΩ 串联以代替电流源 iB 。求该电路中的 I B 、 IC 和VCE 的值，设VBE = 0.7V 。
解
IB
= VBB − VBE Rb
= 0.03mA
由题 3.3.1 已求得 β = 200 ，故
IC = βI B = 200 × 0.03mA = 6mA VCE = VCC − I C RC = 6V
又因 β = 100〉〉1，则 iE ≈ iC 即
vRe ≈ vR Re Rc
Re ≈ 8.3V Rc 10V
故取 Re ≈ 0.83Rc ，当取 Rc = 5.1kΩ 时， Re ≈ 4.3kΩ 。
3.4.1 画出图题 3.4.1 所示电路的小信号等效电路，设电路中各电容容抗可忽略，并注意标出
电压、电流的正方向。
=
V&0 V&i
×
V&i V&s
=
A&V
Ri Ri + Rs
=
A&V
Rs
Rb || rbe + (Rb || rbe )
≈ −73
3.4.3 一固定偏流放大电路，要求| A&V |≥ 100 ， IC = 1mA ，VCC = 12V ， BJT 的 β = 20 ，
解 由于锗 BJT 的 VBE ≈ 0.2V ,硅 BJT 的 VBE ≈ 0.7V ，已知 BJT 的电极 B 的VB = −6V ， 电极 C 的VC = −6.2V ，电极 A 的VA = −9V ，故电极 A 是集电极。又根据 BJT 工作在放大区时， 必须保证发射结正偏、几点、集电结反偏的条件可知，电极 B 是发射极，电极 C 是基极，且此 BJT 为 PNP 管。
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第 3 章 半导体三极管及放大电路基础
3.2.1 试分析图题 3.2.1 所示各组对正弦交流信号有无放大作用。并简述理由。（设备电容的 容抗可忽略）
解 图题 3.2.1a 无放大作用。因 Rb = 0 ，一方面使发射结所加电压太高，易烧坏管子；另 一方面使输入信号 vi 被短路。
图题 3.2.1b 有交流放大作用，电路偏正常，且交流信号能够传输。
β = 2mA = 50 0.04mA
3.1.3 有两个 BJT ，其中一个管子的 β = 150 ， ICEO = 200µA ，另一个管子的 β = 50 ，
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ICEO = 10µA 其他参数一样，你选择哪个管子？为什么？ 解 选择 β = 50 ， ICEO = 10µA ，既 ICEO 较小的 BJT 。β 大的 BJT 虽然电流放大作用大，
（4）基极正弦电流的最大幅值为 20µA 。
3.3.7 设 PNP 型硅 BJT 的电路如图 3.3.7 所示。问 vB 在什么范围内，使 T 工作在放大区？ 令 β = 100 。
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第 3 章 半导体三极管及放大电路基础
解 从不进入饱和区角度考虑，应有 vCE ≥ 1V ，即应满足 vCE = VEE − (VCC ) − iC (Re − Rc ) ≥ 1V vCE = 10V + 10V − iC (10 + 5) ×103 Ω ≥ 1V
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第 3 章 半导体三极管及放大电路基础
的电阻负载，计算 A&V = V&0 /V&i 及 A&VS = V&0 /V&s 。
解
（1）估算 Q 点
IB
≈ VCC Rb
= 40µA