模拟电子电路课程作业(一).

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国家开放大学《模拟电子电路》形考任务-参考答案(一)

国家开放大学《模拟电子电路》形考任务-参考答案(一)

国家开放大学《模拟电子电路》形考任务-参考答案(一)国家开放大学学习班的《模拟电子电路》形考任务日前终于出炉,同学们可以参考下面的答案进行备考,轻松应对形考!一、单选题1.在二极管的I-V特性曲线上,正向截止与反向截止都具有如下特征:A.电流为0B.电压为0C.电流近似为常数D.电流随着电压增高而增强正确答案:A2.一个全桥逆变电路,当输入同步方波信号的占空比为50%时,输出的基本波形的占空比为:A.0%B.25%C.50%D.75%正确答案:C3.从简化的微小信号模型来分析场效应管的三个极间关系,其中下列表述正确的是:A.漏极电阻小,场效应管才是理想放大器B.栅极电压直接决定漏极电流C.源极直接耦合于信号源D.当栅极电极短路时,感性耦合也能产生放大效应正确答案:B4.样品保持电路是一种常见的电子测量技术,该电路可以实现的功能是:A.将直流信号转化为交流信号B.实现正弦波信号的调制C.实现信号放大的功能D.在短时间内记录并保持信号的幅度和电压值正确答案:D5.对于滤波器的响应特性,不精确但直观的表示方法为A.直流增益-相移曲线B.频率响应曲线C.群时延-相波曲线D.鉴别特性曲线正确答案:B二、计算题1.针对图1中的电路,请计算R=30kΩ时,电路的放大系数。

其中U1为一个齐纳二极管,其第三象限满足等效电路图相应参数为:Vbi=1.5V,I0=1mA。

另外,忽略传输非理想性。

解答:首先进行小信号模型分析,将电容滤波器变为补偿网络,计算出VB和IC的值。

VB=0.573V,IC=6.29μA。

将等效电路图代入计算,得到放大系数:Av=3.73。

2.对于图2的电路,请计算输出电压Vo的值。

其中U1是有源电阻,其电压增益为5。

设D1为2v截止二极管,D2和D3为1.6v截止二极管,C1=1μF。

解答:首先确定电容C1起到短路的作用,于是输出电压Vo等于U1+0.6(近似)。

由于U1的输入1V经过其增益为5的有源放大器,所以U1输出5V。

大工19秋《模拟电子技术》在线作业1满分答案

大工19秋《模拟电子技术》在线作业1满分答案

大工19秋《模拟电子技术》在线作业1-0001试卷总分:100 得分:100一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)【题目】在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。

A.饱和失真B.线性失真C.截止失真D.交越失真正确的选择是:A【题目】温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。

A.增大B.减小C.不确定D.不变正确的选择是:B【题目】反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。

A.越差B.越好C.无变化D.不确定正确的选择是:B【题目】在共射、共集和共基三种组态中,只具有电压放大作用的组态是()。

A.无法确定B.共集组态C.共射组态D.共基组态正确的选择是:D【题目】关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A.集电区面积大于发射区面积B.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C.基区很薄且掺杂浓度很低D.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度正确的选择是:B【题目】当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。

A.增大B.减小C.不确定D.不变正确的选择是:A【题目】在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A.温度B.杂质浓度C.晶体缺陷D.掺杂工艺正确的选择是:B【题目】在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。

A.相差90°B.同相C.反相D.不确定正确的选择是:B【题目】引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。

A.静态工作点偏高B.静态工作点偏低C.输出电阻太小D.输入电阻太小正确的选择是:A【题目】已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为【题目】3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。

A.集电极B.无法确定C.基极D.发射极正确的选择是:A二、判断题 (共 10 道试题,共 50 分)1【题目】与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。

正确的选择是:正确1【题目】对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。

大工18秋《模拟电子线路》在线作业123满分答案

大工18秋《模拟电子线路》在线作业123满分答案

大工18秋《模拟电子线路》在线作业123满分答案大工18秋《模拟电子线路》在线作业1PN结加正向电压时,()。

A.扩散运动大于漂移运动B.扩散运动小于漂移运动C.扩散运动与漂移运动平衡D.没有运动正确答案:A发光二极管发光时,其工作在()。

A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区D.反向饱和区正确答案:A当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。

A.前者反偏、后者反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者正偏D.前者反偏,后者正偏正确答案:AXXX工作在放大区的工作条件是:()。

A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结正偏,集电结正偏C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏精确答案:A稳压管的稳压区是其事情在()。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.反向饱和精确答案:C用万用表鉴别放大电路中处于正常事情的某个晶体管的类型(指NPN型照旧PNP型),以测出()最为方便。

A.各极间电阻B.各极对地电位C.各极电流D.各极间的电压正确答案:B在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。

A.五价B.四价C.三价D.二价精确答案:A整流的目的是()。

A.将交流变成直流B.将高频变成低频C.将正弦波变成XXXD.以上均正确正确答案:APN结加正向电压时,空间电荷区将()。

A.变窄B.基本不变C.变宽D.完全不变精确答案:A共发射极放大电路输入输出电压相位关系是()。

A.同相B.反相C.不确定D.随机正确答案:B三极管构成的放大电路首要有:共射极放大电路、共基极放大电路、共集电极放大电路。

A.对B.错正确答案:A因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

T.对F.错正确答案:B晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。

T.对F.错正确答案:A杂质半导体的导电能力受温度的影响很小。

T.对F.错精确答案:A在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

模拟电子综合练习及答案(1)

模拟电子综合练习及答案(1)

模拟电子综合练习练习一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是___________ 。

2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。

3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。

4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。

5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。

这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。

6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( )。

A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。

A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,若uI= 20 mV,则电路的( )。

A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。

B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。

C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。

D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。

4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。

A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。

A.减小C,减小Ri B.减小C,增大RiC.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为( )。

模拟电子技术基础期末模拟试卷一(答案)(1)

模拟电子技术基础期末模拟试卷一(答案)(1)

期末模拟试卷一答案课程名称:模拟电子技术基础一、选择题1. 在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而____。

A 、增大 ,B 、减小,C 、不变 答案:A2. 在N 型半导体中,空穴浓度____电子浓度。

A 、大于,B 、小于 ,C 、等于 答案:B3. 直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是⎽⎽⎽⎽。

A 、所放大的信号不同,B 、交流通路不同,C 、直流通路不同 答案:C4. 在长尾式的差分放大电路中,Re 对__有负反馈作用。

A 、差模信号,B 、共模信号,C 、任意信号 答案:B5. 用直流电压表测出UCE ≈VCC ,可能是因为_____。

A 、CC V 过大 , B 、c R 开路, C 、b R 开路, D 、β 过大答案:C6. 已知图中二极管的反向击穿电压为100V ,测得I =1μA 。

当R 从10Ωk 减小至5Ωk 时,I 将____。

A 、 为2μA 左右,B 、为0.5μA 左右,C 、变化不大,D 、远大于2μA 答案:C7.测得某NPN型晶体管3个电极的电位分别为UB=1V,UE=0.3V,UC=3V,则此晶体管工作在____状态。

A.截止B.饱和C.放大 D. 开关答案:C8. 差动放大电路的主要特点是____。

A. 放大差模信号,抑制共模信号;B. 既放大差模信号,又放大共模信号;C. 放大共模信号,抑制差模信号;D. 既抑制差模信号,又抑制共模信号。

答案:A9.互补输出级采用射极输出方式是为了使____。

A. 电压放大倍数高B. 输出电流小C. 输出电阻增大D. 带负载能力强答案:D10.集成运放电路采用直接耦合方式是因为____。

A. 可获得较高增益B. 可使温漂变小C. 在集成工艺中难于制造大电容D. 可以增大输入电阻答案:C11、利用正反馈产生正弦波振荡的电路,其组成主要是____。

A、放大电路、反馈网络B、放大电路、反馈网络、选频网络C、放大电路、反馈网络、稳频网络答案:B13、分别指出下列传递函数表达式各表示哪一种滤波电路(A、低通,B、高通,C、带通,D、带阻,E、全通)。

大工22秋《模拟电子技术》在线作业1学习资料-答案

大工22秋《模拟电子技术》在线作业1学习资料-答案

大工22秋《模拟电子技术》在线作业1-00001试卷总分:100 得分:100一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)1.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。

<-A.->NPN型锗管<-B.->PNP型锗管<-C.->PNP型硅管<-D.->NPN型硅管[本题参考选择是]:B2.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。

<-A.->越好<-B.->越差<-C.->无变化<-D.->不确定[本题参考选择是]:A3.在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。

<-A.->温度<-B.->掺杂工艺<-C.->杂质浓度<-D.->晶体缺陷[本题参考选择是]:A4.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。

<-A.->共射极<-B.->共集电极<-C.->共基极<-D.->不确定[本题参考选择是]:B5.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。

<-A.->同相<-B.->反相<-C.->相差90°<-D.->不确定[本题参考选择是]:A6.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。

<-A.->饱和失真<-B.->截止失真<-C.->交越失真<-D.->线性失真[本题参考选择是]:A。

北航14秋《模拟电路》在线作业一答案

北航14秋《模拟电路》在线作业一答案
A. 10μA
B. 15μA
C. 20μA
D. 40μA
正确答案:C
5.一NPN型三极管,三极电位分别有Vc=3.3V,VE=3V,VB=3.7V,则该管工作在()
A.饱和区
B.截止区
C.放大区
D.击穿区
?
正确答案:A
6.某放大电路输入电阻为Ri=10kΩ,如果用1μA电流源驱动,放大电路短路输出电流为10mA,开路输出电压为10V。求放大电路接4kΩ负载电阻时的电流增益AI()。
B.共集放大电路
C.共基放大电路
正确答案:A
19.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大( )
A.交流功率
B.直流功率
C.平均功率
正确答案:A
19.下列门电路属于双极型的是()
A. OC门
B. PMOS
C. NMOS
D. CMOS
?
正确答案:A
20.当PN结()时,回路中产生一个较大的正向电流,PN结处于()状态;当PN结()时,回路中的反向电流非常小,几乎等于零,PN结处于()状态。
A.
20W
B. 4W
C. 2W
D.
1W
?
正确答案:B
16.二极管加正向电压时,其正向是由()。
A.多数载流子扩散形成
B.多数载流子漂移形成
C.少数载流子漂移形成
正确答案:A
17.当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A.前者反偏、后者也反偏
B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏
最大值
B.有效值
C.平均值
D.瞬时值
?

20秋学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线平时作业1[附答案]

20秋学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线平时作业1[附答案]

[东北大学]20秋学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线平时作业1
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 15 道试题,共 60 分)
1.作幅值为1&mu;V以下微弱信号的量测放大器,集成运放应选用()。

A.通用型
B.高阻型
C.高速型
D.高精度型
[正确选择是]:D
2.选用差分放大电路的原因是()。

A.克服温漂
B.提高输入电阻
C.稳定放入倍数
[正确选择是]:A
3.LC并联网络在谐振时呈
A.容性
B.阻性
C.感性
[正确选择是]:B
4.在输入量不变的情况下,若引入反馈后(),则说明引入的反馈是负反馈。

A.输入电阻增大
B.输出量增大
C.净输入量增大
D.净输入量减小
[正确选择是]:D
5.为了稳定放大电路的输出电压,应引入()负反馈
A.电压
B.电流
C.串联
D.并联
[正确选择是]:A
6.欲将正弦波电压移相+90O,应选用
A.反相比例运算电路
B.同相比例运算电路
C.积分运算电路
D.微分运算电路
[正确选择是]:C
7.在OCL乙类功放电路中,若最大输出功率为1W,则电路中功放管的。

成人分院模拟电子技术作业

成人分院模拟电子技术作业

营口职业技术学院成人教育分院平时作业科目:模拟电子技术班级:______________________姓名:______________________任课教师:_秦绪玲_________________ 总成绩:____________________《模拟电子技术》作业一得分:一、单选题(每题2分,共20分)1、P型半导体中的多数载流子是,N型半导体中的多数载流于是。

A.电子B.空穴C.正离子D.负离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体中载流子浓度。

A.大于B.等于C.小于3、室温附近,当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加。

A.载流子B.多数载流子C.少数载流子4、硅二极管的正向导通压降比锗二极管,反向饱和电流比锗二极管。

A.大B.小C.相等5、温度升高时,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压,反向电流。

A.增大B.减小C.不变6、工作在放大状态的晶体管,流过发射结的是电流,流过集电结的是电流。

A.扩散B.漂移7、当晶体管工作在放大区时,各极电位关系为:NPN管的u C u B u E,PNP管的u C u B u EA.>B.<C.=A.基极电流B.栅-源电压C.集电极电流D.漏极电流E.电压F.电流8、晶体管电流由形成,而场效应管的电流由形成。

因此晶体管电流受温度的影响比场效应管。

A.一种载流子B.两种载流子C.大D.小9.已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如下图3所示。

分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子。

图310.测得放大电路中六只晶体管的直流电位如下图4所示。

在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。

图4二、填空题(每题2分,共20分)1、纯净的半导体叫做。

2、PN结正偏时,正向电阻,正向电流,呈状态;PN结反偏时,反向电阻,反向电流,呈状态。

这就是PN结的单向导电性,3. 2AP9其中“2”表示“A”表示“P”表示4.对于指针式万用表,当测得电阻较小时,与黑表笔相接的极为二极管;测得电阻很大时,与红表笔相接的极为二极管。

模拟电路模拟试题与答案(1)

模拟电路模拟试题与答案(1)

第 页 共 页《模拟电路》课程试题一、电路如图1所示,已知u i =3sinωt,二极管导通压降U D =0.6V ,画出u i 对应的u O 波形.(u i 波形自绘,简要写明解题过程)(8分).+_+_u iO 图1二、用万用表电压档测电路中三极管各电极对地电位如图2所示,判断三极管处于哪种工作情况.说明原因.(9分)+4V+4V+3.5V−6V−18V−12V图2(a)(b)(c)三、电路如图3所示,T 1~T 5的电流放大系数分别为β1~β5,b-e 间动态电阻分别为r b e1~r b e5,解答下列问题(15分). 1.画出电路的交流通路.2.简述图中虚线所示电路名称与作用.3.写出u A 、R i 和R o 的表达式。

四、电路如图4所示,解答下列问题(18分)1.合理接上信号源与反馈电阻R f,并使电路输入电阻增大,输出电阻减小.2.若R f=190KΩ,计算合理连线后电路的增益A u.3.简述D1,D2在电路中的作用.如果V CC=12V,R L=8Ω,T1,T2=?管子饱和压降可以忽略不计,估算负载RL所能获得的最大功率P Lmax五、如图5为一运算放大器应用电路A1、A2、A3为理想运放。

电路参数如图。

1.写出v o1~v i之间函数关系式和v o~v o2之间函数关系式。

2.图中v i(t)波形已图6中试在坐标平面中画出与v i(t)所对应v o2 与v o信号波形。

(20分)第页共页第 页 共 页1u u六、电路如图6所示, 稳压管D Z 起稳幅作用,其稳定电压±U Z =±6V 。

试估算:(15分)(1)输出电压不失真情况下的有效值; (2)振荡频率。

第 页 共 页七、如图直流稳压电源电路,解答下列问题(15分)1.说明各元件作用,在图中标出运放的同相端与反向端.2.D Z 的稳压为U Z ,估算输出电压U O 范围.3.若U I =24V ,T 1管饱和压降为U CES1≈2V 计算U 2(有效值)与U O 的最大值U Omax.图8《模拟电路》课程试题一、如图1所示电路,二极管导通电压V D =0.7V ,常温下U T =26mV ,电容C 对交流信号可视为短路,u i 为一交流小信号源.计算(8分) 1.求二极管静态工作电流I DQ 以及二极管的直流导通电阻R D . 2.常温下D 的交流电流有效值以及交流等效电阻.第 页 共 页Du二、判断下列放大电路能否完成信号的正常放大作用.说明原因.(10分)12VDD(a)(b)图2三、图3所示放大电路的交流通路中已知g m1=1mS,r be =1KΩ,晶体管β=100.其余参数如图,计算放大电路的A v ,R O ,R i .(10分)第 页 共 页四、如图差动放大电路,已知参数如下,其余参数如图所标.V CC =−V EE =12V ,I =1mA,V BEQ =0.6V ,r be =3KΩβ1=β2=50 求(12分) 1.计算静态V C1电位(图中所标).2.画出电路的交流通路,已知信号输入信号为u i1,u i2,写出共模与差模信号表达式,该电路抑制的是那个分量?3.共模抑制比K CMR =?图4五、如图5所示电路,元件参数如图,解答以下问题(15分)1.如果使电路的输入电阻增大,输出电阻减小应该引入何种负反馈?怎样合理在图5中接线??==iOuU U A第 页 共 页2.如R f =200KΩ,计算放大器增益图5第 页 共 页六、A 1,A 2为理想运放,u i1=−2mV ,u i2=2mV ,计算u o1,u o2,u o3.(15分)七、如图7电路,已知u o1的峰值为10V ,电路元件参数如图,A 1,A 2为理想运放.解答下列问题:1.A 1;A 2组成什么类型电路?R 2数值如何确定?2.对应画出u o1,u o2波形图.3.已知C=0.01μF,K Ωπ50R ,确定u o2频率.(15分)第 页 共 页八、如图直流稳压电源电路,解答下列问题(15分)1.说明各元件作用,在图中标出运放的同相端与反向端.2.D Z 的稳压为U Z ,估算输出电压U O 范围.3.若U I =24V ,T 1管饱和压降为U CES1≈2V 计算U 2(有效值)与U O 的最大值U Omax.图8《模拟电子技术》课程试题一、单项选择题(10×2=20分):1.在P型半导体中,多数载流子是()。

新版模拟电子技术 部分参考答案(一)

新版模拟电子技术 部分参考答案(一)

习 题 11.1. 当负载开路(R L =∞)时测得放大电路的输出电压o u'=2V ;当输出端接入R L =5.1kΩ的负载时,输出电压下降为u o =1. 2V ,求放大电路的输出电阻R o 。

解:'L o o L o R u u R R =•+,'o o(1) 3.4k o L u R R u =-=Ω 1.2 当在放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ,内阻 R s =1k Ω的信号源时,测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ,求放大电路的输入电阻 R i 。

解:ii s i s R u u R R =•+, ∴()2k i i s s iu R R u u ==Ω-1.3 当在电压放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ,内阻 R s = 1k Ω的信号源时,测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ;放大电路输出端接 R L = 3k Ω的负载,测得输出电压为u o =1.5V ,试计算该放大电路的电压增益 A u 和电流增益 A i ,并分别用 d B (分贝)表示。

解:oi150u u A u ==,dB A dB A u u 5.43lg 20)(== 100()o o Li i s i sI u R A I u u R ===-,dB A dB A i i 40lg 20)(== 1.4 某放大电路的幅频响应特性曲线如图1.1所示,试求电路的中频增益A um 、下限截止频率f L 、上限截止频率f H 和通频带f BW 。

解:dB dB A um 40)(= ∴100=umAHz f H 510= Hz f L 20= ∴Hz f f f f H L H BW 510=≈-=图1.1 习题1.4电路图 图1.2 习题1.5电路图1.5 电路如图1.2所示,已知:当输入电压为0.4V 时,要求输出电压为4V 。

试求解R 1和R 2的阻值。

模拟电子技术课程试卷及答案

模拟电子技术课程试卷及答案

模拟电子技术课程试卷及答案(本题共5小题,每小题4分,共20 分)一、填空题1. 稳压二极管正常工作在伏安特性曲线上的区;变容二极管正常工作在伏安特性曲线的区;发光二极管正常工作在伏安特性曲线的区,光敏二极管正常工作在伏安特性曲线的区。

2. 双极型三极管是用控制集电极大电流的控制型器件;单极型三极管是用控制漏极大电流的控制型器件。

3. 根据静态工作点设置的不同,功率放大电路可分为类放大电路、类放大电路和类放大电路三种类型。

其中类功放电路存在交越失真。

4. 集成运算放大器的理想化条件是:差模输入电阻r id=∞;电压放大倍数A UO= ;输出电阻r o=0;共模抑制比K CMR= 。

根据上述理想化条件导出和两个重要概念,成为分析线性运放应用电路的重要依据。

5. 小功率并联型直流稳压电源系统中,整流部分采用的电路是整流电路,滤波环节采用的元件是元件;串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态;开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。

(本题共10小题,每小题1分,共10分)二、判断正、误题1. 二极管只要发生击穿现象,一定会造成二极管的永久性损坏。

()2. 三极管无论是哪种组态的放大电路,均有输入、输出反相。

()3. 若本征半导体掺入三价杂质元素,会生成N型半导体,其多子是自由电子载流子。

()4. OCL甲乙类功放采用了单电源供电方式,输出大电容起负电源的作用。

()5. 差动放大电路利用其对称性,可以有效地抑制零点漂移现象。

()6. 放大电路的输出无论发生饱和失真或截止失真,还是频率失真,都属于非线性失真。

()7. 非线性应用的集成运算放大电路中,虚断的概念不再成立,虚短的概念仍然适用。

()8. 相对于单门限比较器,滞回比较器的灵敏度高,但抗干扰能力较弱。

()9. 文氏桥正弦波发生器中的RC串并联网络的主要作用是放大反馈信号。

()10. 复合管的类型,总是与输入相连接的第一只管子的类型相同。

()(本题共10小题,每小题2分,共20分)三、单项选择题1. NPN型三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于()。

西南交通大学网络教育学院《模拟电子技术A》第1次作业

西南交通大学网络教育学院《模拟电子技术A》第1次作业
参考答案:
开关S断开,UO=0.45U2= 0.45×100= 45 V
电压表(V2)的读数为45V,IO= = 45 mA,电流表(A)的读数为45 mA。
开关S闭合,UO = 0.9U2= 0.9×100 = 90 V,电压表(V2)的读数为90 V,
IO= = 90 mA,电流表(A)的读数为90 mA。
参考答案:
当 时,二极管D2,D3,D4外加正向电压而导通,a点电位2.1 V,二极管D1外加反向电压而截止。
当 时,二极管D1导通,a点电位为0.7V,不足以使二极管D2,D3和D4导通故而截止。
13.放大电路如图所示,晶体管的电流放大系数 , ,RB1= , = ,RC= 6 k,RE= 400,RL=6 k,要求:
(A)电流放大作用
(B)单向导电性
(C)电压放大作用
正确答案:B
解答参考:
8.在运算放大器电路中,引入深度负反馈的目的之一是使运放( )。
(A)工作在线性区,降低稳定性
(B)工作在非线性区,提高稳定性
(C)工作在线性区,提高稳定性
正确答案:B
解答参考:
9.整流电路如图所示,设二极管为理想元件,已知变压器副边电压 ,若二极管D1损坏而断开,则输出电压的波形应为图()。
(1)计算静态工作点;(2)画出微变等效电路;(3)计算电压放大倍数。
参考答案:
(1)
(2)
(3)
其中
14.图示电路中,二极管为理想元件,ui为正弦交流电压,已知交流电压表 的读数为100V,负载电阻RL = 1k,求开关S断开和闭合时直流电压表 和电流表(A)的读数。(设各电压表的内阻为无穷大,电流表的内阻为零)
(A)(B)
(C)(D)

模拟电子技术课程习题之多级放大电路

模拟电子技术课程习题之多级放大电路

多级放大电路3.1 放大电路产生零点漂移的主要原因是( )A.放大倍数太大B.采用了直接耦合方式C.晶体管的噪声太大D.环境温度变化引起参数变化3.2 差动放大电路的设置是为了( )A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂D.扩展频带3.3 差动放大电路用恒流源代替Re是为了( )A.提高差模电压放大倍数B.提高共模电压放大倍数C.提高共模抑制比D.提高差模输出电阻3.4 在长尾式差动放大电路中, Re的主要作用是( )A.提高差模电压放大倍数B.抑制零点漂移C.增大差动放大电路的输入电阻D.减小差动放大电路的输出电阻3.4 差动放大电路的主要特点是( )A.有效地放大差模信号,强有力地抑制共模信号B.既可放大差模信号,也可放大共模信号C.只能放大共模信号,不能放大差模信号D.既抑制共模信号,又抑制差模信号3.5 若三级放大电路的A V1=A V2=20dB,A V3=30 dB,则其总电压增益为( )A. 50dBB. 60dBC. 70dBD. 12000dB3.8 乙类放大电路是指放大管的道通角等于( )A.360oB.180oC.90oD.小于90o3.9 集成功率放大器的特点是( )A.温度稳定性好,电源利用率高,功耗较低,非线性失真较小。

B.温度稳定性好,电源利用率高,功耗较低,但非线性失真较大。

C.温度稳定性好,功耗较低,非线性失真较小,但电源利用率低。

D.温度稳定性好,非线性失真较小,电源利用率高,功耗也高。

3.10集成运放电路采用直接耦合方式是因为。

A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容3.11通用型集成运放适用于放大。

A.高频信号B.低频信号C.任何频率信号3.12集成运放制造工艺使得同类半导体管的。

A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一致性好3.13集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。

A.减小温漂B.增大放大倍数C.提高输入电阻3.14为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用。

模拟电子技术基础-作业答案1

模拟电子技术基础-作业答案1

模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压,则空间电荷区将( b )。

(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点sdf 是具有( b )。

(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。

(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4电路如图1所示,设D 1,D 2均为理想元件,已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示,试画出电压u O 的波形。

20V100V 0u Iu i V/ωtD 2D 140k Ω40k Ω150u O+- 图1+-图2+-+-答案u i V /ωt150ωt 10060u i V /0100605电路如图1所示,设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示,若忽略二极管的正向压降,试画出输出电压u O 的波形,并说明t 1,t 2时间内二极管D 1,D 2的工作状态。

u I2R Lu Ot 1t 2tt2D 1D 2图1图2u I1+-u I1/ V-22-2u I2/ V答案t 1t 2tu O /V -2t 1:D 1导通,D 2截止t 2:D 2导通,D 1截止第2章 基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。

++++++++U CCu oU CCU CCU CC()a ()b (c)(d)+-+-+-+-+-+-+-+-u iu iu ou ou iu ou i++++2图示电路,已知晶体管β=60,U BE .V =07,R C k =2 Ω,忽略U BE ,如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ,R B 应取( a )。

(a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω++C 2C 1R BR C u ou i+-+-+12V3固定偏置放大电路中,晶体管的β=50,若将该管调换为β=80的另外一个晶体管,则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。

模拟电子技术(第2版)课后习题答案第一章

模拟电子技术(第2版)课后习题答案第一章

第一章 半导体器件1.1 电路如图P1.1所示,设二极管为理想的,试判断下列情况下,电路中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端的电压AO U 。

(1)V V DD 61=,V V DD 122=;(2)V V DD 61=、V V DD 122-=;(3)V V DD 61-=、V V DD 122-=。

解:1、当V V DD 61=、V V DD 122=时,假设二极管是截止的,则V V B 6=、V V A 12=二极管承受反偏电压,所以二极管截止假设成立。

V V U DD AO 122==。

2、当V V DD 61=、V V DD 122-=时,假设二极管是截止的则V V B 6=、V V A 12-=二极管承受正偏电压,所以二极管截止假设不成立,二极管导通。

V V U DD AO 61==。

3、当V V DD 61-=、V V DD 122-=时,假设二极管是截止的,则V V B 6-=、V V A 12-= 二极管承受正偏电压,所以二极管截止假设不成立,二极管导通。

V V U U DD BO AO 61-===。

1.2 二极管电路如图P1.2所示,二极管的导通电压VU D 7.0)on (=,试分别求出Ω=k R 1、Ω=k R 4时,电路中的电流O I I I 、、21和输出电压O U 。

解:1、当Ω=k R 1时,假设二极管是截止的,则mA I I O 5.41192=+=-= V R I U V L O O B 5.415.4-=⨯-===V V A 3-= (V V V B A 5.1=-)由上分析可知,二极管承受正偏电压导通(假设不成立)故可得其等效电路如图P1.2b 所示:根据KCL 、 KVL :⎪⎩⎪⎨⎧+-=-+=+=RI R I R I I I I LO O222197.039 解之:mA I mAI mA I 3.56.17.3210==-=V R I U L O O 7.317.3-=⨯-==2、当Ω=k R 4时,假设二极管是截止的,则mA I I O 8.11492=+=-=VR I U V L O O B 8.118.1-=⨯-===V V A 3-= V U U B A 2.1-=-由上分析可知,二极管承受反偏电压截止(假设成立)01=I mA I I 8.102=-=V R I U L O O 8.118.1-=⨯-==3.3 设二极管为理想的,试判断P1.3所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出AO两端的电压AO U解:(a )假设21V V 、均截止,则V V A 10=、V V B 6-=、V V O 0=, 21V V 、均承受正偏电压,但2V 管的正向偏值电压更大,故它首先导通。

《模拟电子电路(本)》模拟习题1

《模拟电子电路(本)》模拟习题1

《模拟电子电路(本)》模拟试卷1总分:100分 时间:90分钟一、填空题(共8小题,每空1.5分,总分30分)1.本征半导体中,自由电子浓度 空穴浓度;杂质半导体中,多子浓度与 有关。

2.集成运放实质上是一个具有高放大倍数的多级直接耦合放大电路,内部通常包含四个基本组成部分,即 、 、 和 。

3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O ;若1100i u v =,280i u v =则差模输入电压u Id = μV ;共模输入电压u Ic = μV 。

4.正弦波振荡电路发生自己振荡的相位平衡条件是 振幅平衡条件 ,起振条件是 。

防止负反馈放大电路发生自激振荡的幅值条件是 。

5.三极管按其结构分为 型和 型两大类。

当温度升高时,三极管的β将 。

6.结型场效应管的栅源之间通常加 偏置电压,因此栅极电流很小。

7.分压式偏置电路稳定静态工作点的原理是利用了 。

8电流源对提高集成运放性能有重要作用,其作用主要有两个一是 ,二是 。

二、选择题(共5小题,每题2分,总分10分)1.要使光电三极管正常工作,以下结论正确的是( )A .发射结正偏,集电结反偏;B .发射结正偏,集电结正偏C .发射结反偏,集电结反偏;D .发射结反偏,集电结正偏。

2.基本共射放大电路输出电压的波形出现负半周削波,可判断放大电路产生的失真为( )A .频率失真;B .饱和失真;C .截止失真;D .交越失真。

3.RC 串并联网络振荡电路中,若R=10KΩ,C=1.6μf ,其振荡频率f =( )A .1HZ ;B .10HZ ; .C .100HZ 。

4.用一只直流电压表测量一只接在电路中的稳压二极管的电压,读数只有0.7伏,这表明该稳压管( )A .工作正常;B .接反;C .已经击穿。

5.关于场效应管以下结论正确的是( )A .场效应管多数载流子与少数载流子均参与导电B .N 沟道场效应管的漏极电流是由电子在电场作用下形成的C .N 沟道场效应管的漏极电流是由空穴在电场作用下形成的。

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图1-6
7.题1-26在图1-7所示两级直接耦合放大电路中,已知两个三极管的ß均为30,UBEQ均为0.7V,rbb'=300Ω,稳压管DZ的稳压值为2V。
① 估算各级静态工作点;
② 估算Au1、Au2和总的Au;
③ 估算放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro。
图1-7
① 试估算静态工作点;
② 分别求出当RL=∞和RL=3kΩ时,放大电路的电压放大倍数Au;
③ 估算输入电阻Ri和输出电阻Ro;
④ 如果信号源内阻Rs=1kΩ,RL=3kΩ,此时的Aus=?
图1-5
6.题1-17判断图1-6中的各放大电路,属于共射、共集、共基三种基本组态中的哪一种。
(a)(b)
(c)
模拟电子电路课程作业(一)
1.题1-1判断图1-1中各电路有无放大作用,简述理由。
(a) (b)
(c) (d)
(e) (f)
图1
2.题1-2设图1-2各电路中的电容均足够大。试画出各电路的直流通路和交流通路,计算它们的静态工作点,并说明各电路的直流负载和交流负载。
(a) (b)
图1-2
3.题1-5假设图1-3中各三极管的ß均为50,UBEQ均为0.7V。试判断它们分别工作在什么区(截止区、放大区或饱和区)。
(a) (b) (c)
图1-3
4.题1-10在图1-4的放大电路中,三极管的ß=100,UBEQ=-0.2V,rCQ和UCEQ;
② 计算三极管的rbe值;
③ 求出中频时的电压放大倍数Au。
5.题1-14在图1-5的共射输出器中,三极管的ß=100,UBEQ=0.7V,rbe=1.5kΩ。
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