模拟电子技术基础第三章
《模拟电子技术基础》电子教案 第3章 负反馈放大电路
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3.1 反馈的基本概念
馈的放大电路称为开环放大电路。在反馈放大电路中,将输出 回路与输入回路相连接的中间环节称为反馈网络,一般有电阻、 电容、电感元件组成。反馈的形成实际上就是通过反馈网络, 将输出回路中的信号引回到输入回路,以一定的形式与输入信 号相叠加,将叠加后所得的信号作为净输入信号输入到电路中 去。
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3.2 反馈类型及判断
馈。由于输入的瞬时极性和反馈极性分别出现在输入端的基极 和发射极,不在同一电极上,应是串联反馈。故Rf引入的是电流 串联负反馈。 4.电流并联负反馈
通过反馈电阻Rf,从输出级的发射极引入到输入级的基极。 由于反馈的引出端与输出电压端不在同一电极,故为电流反 馈;反馈引入端与输入信号端在同一电极,故为并联反馈。按 瞬时极性法判断是负反馈。
从电路结构上也可判断串联反馈和并联反馈,即反馈信号
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3.2 反馈类型及判断
与输入信号出现在输入端的同一个电极上,是并联反馈,如果 反馈信号与输入信号出现在输入端的不同两个电极上,应是串 联反馈。
反馈信号在放大电路输入端是以电压形式(串联反馈)还 是以电流形式(并联反馈)出现,与其在输出回路中的采样方 式并无关系。也就是说,不论是电压反馈还是电流反馈,它们 的反馈信号在输入端都可能以电压或电流两种形式中的一种与 输入信号去叠加。是电压反馈还是电流反馈仅取决于从输出端 的采样方式,是串联反馈还是并联反馈则仅取决于输入端的叠 加方式。
负反馈放大电路主要由基本放大电路和反馈网络两大部分 组成。若设有反馈网络,仅有基本放大电路,则该电路就是一 个开环放大电路。有了反馈网络,该电路则为闭环放大电路。
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模拟电子技术基础第三章例题习题
rbe
若旁路电容同时使 Re/ =0、 Re =0,则电压放大倍数为
& = A u
Uo Ui
. .
=−
′ β ⋅ RL
rbe
=−
50 × (6 // 6) × 103 1.85 × 103
≈ −81
由此可见 Re 的存在使放大倍数下降很多。 放大电路的输入电阻为 Ri = Rb1 // Rb 2 //[ rbe + (1 + β ) Re ] = 60 // 20 //[1.85 + (1 + 50) × 0.3] ≈ 8 kΩ 若无 Re,放大电路的输入电阻 Ri = Rb1 // Rb 2 // rbe = 1.65 kΩ,故 Re 的存在提 高了放大电路的输入电阻。放大电路的输出电阻为
& & & 0.66 × 103 & = U o = Uo ⋅ Ui = A & ⋅ Ri = −120 × A ≈ −111.5 us u • 3 & • U Rs + Ri ( 0 . 05 + 0 . 66 ) × 10 i Us Us
若 Rs=500 Ω,RL=8.2 kΩ,则该放大器源电压增益为
IC =
U CC U CE 12 U CE − = − 3 3 Rc Rc
iC / mA
4 3 2 1 0
2 4 6 8
100 75
当 UCE=0 时,IC=4mA;当 IC=0 时,UCE=12V,在如例 3-1 图所示的输 出特性上作出这条直线。 再由直流通路得 U − U BE 12 − 0.7 I B = CC = ≈ 51μA Rb 220 × 103 故直流负载线与 IB=51μA 相对应的输出特性 的交点即为静态工作点 Q,由图得 IC=2mA, UCE=6V。 (2) 当 UCE=3V 时, 则由直流通路可得集电极 电流为 U − U CE 12 − 3 = I C = CC = 3 mA Rc 3 × 103 U CC − U BE I C 3 I = = = = 75 μA 于是,基极电流为 B Rb β 40 U − U BE 12 − 0.7 Rb = CC = = 150.1 kΩ 故 IB 75 × 10 − 6 可采用 150 kΩ 标称电阻。 (3)若使 IC=1.5mA,则
第3章电子技术基础_模拟部分
•3.1.5 温度对BJT参数及特性的影响
•1. 温度对BJT参数的影响
•(1) 温度对ICBO的影响 •温度每升高10℃,ICBO约增加一倍。
•(2) 温度对 的影响 •温度每升高1℃, 值约增大0.5%~1%。
•(3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 •温度升高时,V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。
•iB=f(vBE) vCE=const •iC=f(vCE) iB=const •可以写成:
•在小信号情况下,对上两式取全微分得
•BJT双口b+ hrevce
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•ic= hfeib+ hoevce 第3章电子技术基础_模拟部分
•1. BJT的H参数及小信号模型
部载流子传输体现出来的。
外部条件:发射结正偏 集电结反偏
• 由于三极管内有两种载流子(自 由电子和空穴)参与导电,故称为双 极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。
1. 内部载流子的传输过程
发射区:发射载流子
集电区:收集载流子
基区:传送和控制载流子
(以NPN为例)
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第3章电子技术基础_模拟部分
•3.1.1 BJT的结构简介
•(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
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第3章电子技术基础_模拟部分
•3.1.1 BJT的结构简介
半导体三极管的结 构示意图如图所示。 它有两种类型:NPN型 和PNP型。
(a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管的电路符号 (d) PNP管的电路符号
模拟电子技术基础(童诗白 华成英)课后答案第3章
第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。
(1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。
( )(2)阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立,( )它只能放大交流信号。
( )(3)直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响,( )它只能放大直流信号。
( )(4)只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( ) (5)互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解:(1)× (2)√ √ (3)√ × (4)× (5)√二、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1k Ω至2k Ω,电压放大倍数大于3000,第一级应采用 ,第二级应采用 。
(2)要求输入电阻大于10M Ω,电压放大倍数大于300,第一级应采用 ,第二级应采用 。
(3)要求输入电阻为100k Ω~200k Ω,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用 ,第二级应采用 。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10M Ω,输出电阻小于100Ω,第一级应采用 ,第二级应采用 。
(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000io >I U A ui &&&=,输出电阻R o <100,第一级应采用 ,第二级应采用 。
解:(1)A ,A (2)D ,A (3)B ,A (4)D ,B (5)C ,B三、选择合适答案填入空内。
(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容(3)选用差分放大电路的原因是 。
《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲
模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论)信号、模拟信号、放大电路、三大指标。
(放大倍数、输入电阻、输出电阻)第三章二极管及其基本电路)本征半导体:纯净结构完整的半导体晶体。
在本征半导体内,电子和空穴总是成对出现的。
N型半导体和P型半导体。
在N型半导体内,电子是多数载流子;在P型半导体内,空穴是多数载流子。
载流子在电场作用下的运动称为漂移;载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。
P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结,在该区域中,多数载流子扩散到对方区域,被对方的多数载流子复合,形成空间电荷区,也称耗尽区或高阻区。
空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。
PN结最重要的电特性是单向导电性,PN结加正向电压时,电阻值很小,PN结导通;PN结加反向电压时,电阻值很大,PN结截止。
PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿;PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容,前者是正向偏置电容,后者是反向偏置电容。
)二极管的V-I 特性(理论表达式和特性曲线))二极管的三种模型表示方法。
(理想模型、恒压降模型、折线模型)。
(V BE=)第四章双极结型三极管及放大电路基础)BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。
(由三端的直流电压值判断各端的名称。
由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数))什么是直流负载线什么是直流工作点)共射极电路中直流工作点的分析与计算。
有关公式。
(工作点过高,输出信号顶部失真,饱和失真,工作点过低,输出信号底部被截,截止失真)。
)小信号模型中h ie和h fe含义。
)用h参数分析共射极放大电路。
(画小信号等效电路,求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻)。
)常用的BJT放大电路有哪些组态(共射极、共基极、共集电极)。
各种组态的特点及用途。
P147。
(共射极:兼有电压和电流放大,输入输出电阻适中,多做信号中间放大;共集电极(也称射极输出器),电压增益略小于1,输入电阻大,输出电阻小,有较大的电流放大倍数,多做输入级,中间缓冲级和输出级;共基极:只有电压放大,没有电流放大,有电流跟随作用,高频特性较好。
第3章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
·12· 第3章 多级放大电路与频率特性3.1 乘积、输入电阻、交流负载。
3.2 电压放大倍数、幅频特性、相位差、相频特性。
3.3 零、–270°、–90°。
3.4 b 、e3.5 a 、e 、f3.6 b 、f 、j3.7 (√)3.8 (×)3.9 (√)3.10 (1)图题3.10(a)第一级为分压式射极偏置放大电路,第二级为固定偏置共射放大电路;图题(b )第一级为分压式射极偏置共射放大电路,第二级为射极跟随器(共集电极放大电路)(2)图题3.10(a) i1b1b2be11e1////[(1)]R R R r R β=++i2b3be2//R R r =1c1i21be11e1(//)(1)u R R A r R ββ=-++,2c22be2u R A r β=- 总12i i1b1b2be11e1,////[(1)]u u u A A A R R R R r R β===++o o2c R R R ==图3.10(b),i1b1b2be1i2b3be22e2L ////,//[(1)//]R R R r R R r R R β==++1c1i22e2L 12be1be22e2L (//)(1)(//),(1)(//)u u R R R R A A r r R R βββ+=-=++ 总be2b3c112i i1b1b2be1o o2e22(//),////,//1u u u r R R A A A R R R R r R R R β⎡⎤+=====⎢⎥+⎣⎦3.11 (1)总的电压增益A u =20 dB+24 dB+18 dB=62 dB=20 lg A u ,故电压放大倍数162lg 1258.920A -==倍,O 2.51258.9mV =3147 mV =3.147V u =⨯。
(2)A u =20 lg 4 000 dB=72 dB 。
模拟电子技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第三章思考题与习题解答
模拟电⼦技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第三章思考题与习题解答第三章思考题与习题解答3-1 选择填空(只填a 、b 、c 、d)(1)直接耦合放⼤电路能放⼤,阻容耦合放⼤电路能放⼤。
(a.直流信号,b.交流信号,c.交、直流信号)(2)阻容耦合与直接耦合的多级放⼤电路之间的主要不同点是。
(a.所放⼤的信号不同,b.交流通路不同,c.直流通路不同)(3)因为阻容耦合电路 (a1.各级Q 点互相独⽴,b1.Q 点互相影响,c1.各级Au 互不影响,d1.Au 互相影响),所以这类电路 (a2.温漂⼩,b2.能放⼤直流信号,c2.放⼤倍数稳定),但是 (a3.温漂⼤,b3.不能放⼤直流信号,c3.放⼤倍数不稳定)。
⽬的复习概念。
解 (1)a 、b 、c ,b 。
(2)a 、c 。
(3)a1,a2,b3。
3-2 如图题3-2所⽰两级阻容耦合放⼤电路中,三极管的β均为100,be1 5.3k Ωr =,be26k Ωr =,S 20k ΩR =,b 1.5M ΩR =,e17.5k ΩR =,b2130k ΩR =,b2291k ΩR =,e2 5.1k ΩR =,c212k ΩR =,1310µF C C ==,230µF C =,e 50µF C =,C C V =12 V 。
图题3-2(a)放⼤电路;(b)等效电路(答案)(1)求i r 和o r ;(2)分别求出当L R =∞和L 3.6k ΩR =时的S u A 。
⽬的练习画两级放⼤电路的微变等效电路,并利⽤等效电路求电路的交流参数。
分析第⼀级是共集电路,第⼆级是分压供偏式⼯作点稳定的典型电路,1V 、2V 均为NPN 管。
解 (1)求交流参数之前先画出两级放⼤电路的微变等效电路如图题3-2(b)所⽰。
注意图中各级电流⽅向及电压极性均为实际。
第⼀级中b1I 的⽅向受输⼊信号i U 极性的控制,⽽与1V 的导电类型(NPN 还是PNP)⽆关,i U 上正下负,因此b1I 向⾥流,输出电压o1U 与i U 极性相同;第⼆级中b 2I 的⽅向受o1U 极性的控制,o1U 上正下负,因此b 2I 向⾥流,也与2V 的导电类型⽆关,或者根据c1I 的⽅向(由1c 流向1e )也能确定b 2I 的⽅向是向⾥流。
经典模拟电子技术基础知识总结习题(选择,填空,解答题)
1)开关S合上时,电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为
多少?
V:12V A1:12mA A2:6mA
2)开关S打开时,流过稳压管的电流为多少? IZ:12mA
3)开关S合上,且输入电压由原来30 V上升到33 V时,
此时电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少?
V:12V
A1:14mA A2:6mA
7.电路如图所示,试估算输出电压 U o 1 和 U o 2,
并标出输出电压对地极性。
-
-45V
+
+9V
8.电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示
u2102si n t( V )试求:
(1)画出图中4只二极管和滤波电容(标出极性);
(2)正常工作时,Uo =? 12V
(3)若电容脱焊,Uo=? 9V
_偏置。
正向
反向
7.当_三_极管工作_在偏_置截_,止_集_电区极时_,_I_C≈偏0置;。发射极_
零或反向
反向
8.当_三正_极向_管_工偏作置在,_集_饱电_和极__区_正时_向,_U偏CE置≈。0。发射极
9.当NPN硅管处在放大状态时,在三个电极电位中, 以____集极电的电位最高,___发_射极电位最低, ____极基和____极发电射位差等于____。
28V
(5)若其中一个二极管开路,Uo =? 20V
10. 试分析图示电路的工作原理, 标出电容电压的极性和 数值,并标出电路能输出约多少大的输出电压和极性。
+
+
约
+
+
2 U 2 、 22 U 2 、 32 U 2 、 42 U 2
第二章 半导体三极管
一、填充题
1.三极管从结构上看可以分成__N_PN__和__PN_P__ 两种类型。
模拟电子技术第三章 习题与答案
第三章习题与答案3.1 问答题:1.什么是反馈?答:在电子线路中,把输出量(电压或电流)的全部或者一部分,以某种方式反送回输入回路,与输入量(电压或电流)进行比较的过程。
2.什么是正反馈?什么是负反馈?放大电路中正、负反馈如何判断?答:正反馈:反馈回输人端的信号加强原输入端的信号,多用于振荡电路。
负反馈:反馈回输入端的信号削弱原输入端的信号,使放大倍数下降,主要用于改善放大电路的性能。
反馈极性的判断,通常采用瞬时极性法来判别。
通常假设某一瞬间信号变化为增加量时.我们定义其为正极性,用“+”表示。
假设某一瞬间信号变化为减少量时,我们定义其为负极性,用“-”表示。
首先假定输入信号某一瞬时的极性,一般都假设为正极性.再通过基本放大电路各级输入输出之间的相位变化关系,导出输出信号的瞬时极性;然后通过反馈通路确定反馈信号的瞬时极性;最后由反馈信号的瞬时极性判别净输入是增加还是减少。
凡是增强为正反馈,减弱为负反馈。
3.什么是电压负反馈?什么是电流负反馈?如何判断?答:根据反馈信号的取样方式,分为电压反馈和电流反馈。
凡反馈信号正比于输出电压,称为电压反馈;凡反馈信号正比于输出电流,称为电流反馈。
反馈信号的取样方式的判别方法,通常采用输出端短路法,方法是将放大器的输出端交流短路时,使输出电压等于零,如反馈信号消失,则为电压反馈,如反馈信号仍能存在,则为电流反馈。
这是因为电压反馈信号与输出电压成比例,如输出电压为零,则反馈信号也为零;而电流反馈信号与输出电流成比例,只有当输出电流为零时,反馈信号才为零,因此,在将负载交流短路后,反馈信号不为零。
4.什么是串联负反馈?什么是并联负反馈?如何判断?答:输入信号与反馈信号分别加在两个输入端,是串联反馈;加在同一输入端的是并联反馈。
反馈信号使净输入信号减小的,是负反馈。
判断反馈的极性,要采用瞬时极性法。
3.2 填空题:1.放大电路中,为了稳定静态工作点,可以引入直流负反馈;如果要稳定放大倍数,应引入交流负反馈;希望扩展频带,可以引入交流负反馈;如果增大输入电阻,应引入串联负反馈;如果降低输比电阻,应引入电压负反馈。
模拟电子技术基础 胡宴如 耿苏燕 高等教育出版社 第三章 课后答案
Ri = R B1 // R B 2 // rbe = (62 // 16 // 1.3)kΩ = 1.2kΩ uo Ri 1.2 × (−144) = Au = = −96 u s Rs + Ri 0.6 + 1.2
− 60 × ( 4.3 // 5.1 ) = −140 1 Ri = ( 62 // 16 // 1 )kΩ = 0.93kΩ Ro = RC = 4.3kΩ Au =
.c
图 P3.3
om
(2)画 H 参数等效电路,求 Au、Ri、Ro
U BQ =
RB 2 16 × 24V VCC = = 4.92V RB1 + RB 2 62 + 16 U BQ − U BEQ 4.92 − 0.7 I CQ = = mA = 1.92 mA RE 2 .2 U CEQ = VCC − I CQ ( RC + RE ) = 24V − 1.92 × ( 4.3 + 2.2 )V = 11.5V
rbe = 200Ω + 81×
由图(c)可得
Au =
u o − β ( R B 2 // RC // R L ) − 80 × (100 // 3.9 // 10)kΩ = = = −157 ui rbe 1.4kΩ
w w
所以
w
求 Au、Ri、Ro。
3.6 放大电路如图 P3.6 所示,已知三极管的β=50,rbb’=200Ω,UBEQ=0.7V,各电容
.c
om
求静态工作点 ICQ、UCEQ; (2)画出 H 参数小信号等效电路,求 Au、Ri、Ro; (3)求源电压增 益 Aus。 解: (1)求静态工作点
U BQ = I CQ ≈
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外,uN
R R Rf
uo,uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示,各引入那种组态的负反馈?设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V,填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为:-R2/R1。
(3)交流负反馈是指 。 A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B.只有放大交流信号时才有的负反馈 C.在交流通路中存在的负反馈
解:(1)D (2)B (3)C
4、选择合适答案填入空内。
A.电压 B.电流 C.串联 D.并联
(1)为了稳定放大电路的输出电压,应引入 负反馈;
(2)为了稳定放大电路的输出电流,应引入 负反馈;
解:将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路,图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中,已知晶体管β,rbe,RB,RC=RL,VCC。
(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
(2)当考虑信号源内阻为RS时,Aus的数值。
6. 电路如图所示,晶体管的=100,=100Ω。
模拟电子技术基础A 第3章习题的答案-PPT课件
U GS 2 ID ID S( 1 ) S U GS (o f) f
2. 两种基本接法电路的分析:CS、CD
2)动态性能指标的计算:微变等效电路
2 gm ID ID O Q U G S (th )
2 g ID ID m S S Q U G S (o ff)
3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给出 四种状态下的UGS和UDS 的值,判断各状态下的管子工作在什 么区。( a.恒流区 b.可变电阻区 c.截止区 )
2. 两种基本接法电路的分析:CS、CD 1)静态工作点的分析计算。 • 利用场效应管栅极电流为0,得到栅源电压与 漏极电流之间关系式。 • 列出场效应管在恒流区的电流方程。 联立上述两方程,求解UGSQ和IDQ,并推算 UDSQ。 • 注意解算后应使得管子工作在恒流区。
5
U 2 GS ID IDO ( 1 ) U GS (th )
-
3-7:如图所表示的电路图。已知 UGS=-2V,场 效应管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。
• 1.计算ID和Rs1的值。
解:
I I ( 1 ) 0 . 5 m A D Q D S S U G S ( o f f)
2
U G S Q
U GSQ U GQ U SQ 2V RS1 U GSQ ID 2V 4 k 0 . 5 mA
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。
• 绝缘栅型N沟道耗尽型ห้องสมุดไป่ตู้场效应管。 • 因为没有漏极电阻, 使交流输出信号到地 短路uo无法取出。 • 不能。
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。
• 满足正常放大条件。 如在输入端增加大电 阻RG,可有效提高输入 电阻。 • 能。
《模拟电子技术基础》课后习题答案(童诗白,华成英版,高教版)3章 多级放大电路题解
基础课程教学资料第三章多级放大电路自测题一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。
(1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。
( )(2)阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,( )它只能放大交流信号。
( )(3)直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响,( )它只能放大直流信号。
( )(4)只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( )(5)互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解:(1)×(2)√√(3)√×(4)×(5)√二、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第一级应采用,第二级应采用。
(2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用,第二级应采用。
(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用,第二级应采用。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用,第二级应采用。
(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000io >I U A ui ,输出电阻R o <100,第一级应采用 ,第二级应采用 。
解:(1)A ,A (2)D ,A (3)B ,A (4)D ,B (5)C ,B三、选择合适答案填入空内。
(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容(3)选用差分放大电路的原因是 。
《模拟电子技术基础》第3章 双极型晶体管及其基本放大电路
3.2 双极型晶体管
3.2.4 晶体管的共射特性曲线
2.输出特性曲线—— iC=f(uCE) IB=const
以IB为参变量的一族特性曲线
(1)当UCE=0V时,因集电极无收集
作用,IC=0;
(2)随着uCE 的增大,集电区收集电
子的能力逐渐增强,iC 随着uCE 增加而
增加;
(3)当uCE 增加到使集电结反偏电压
电压,集电结应加反向偏置电压。
3.2 双极型晶体管
3.2.3 晶体管的电流放大作用
1. 晶体管内部载流子的传输
如何保证注入的载流
子尽可能地到达集电区?
P
N
IE=IEN + IEP
IEN >> IEP
IC= ICN +ICBO
ICN= IEN – IBN
IEN>> IBN
ICN>>IBN
N
IEP
IE
3. 晶体管的电流放大系数
(1) 共基极直流电流放大系数
通常把被集电区收集的电子所形成的电流ICN 与发射极电流
IE之比称为共基电极直流电流放大系数。
ത
I CN
IE
由于IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN,且ICN>> IBN,ICN>>IEP。通常ത
的值小于1,但≈1,一般
ത
为0.9-0.99。
ത
3.2 双极型晶体管
3.2.3 晶体管的电流放大作用
3. 晶体管的电流放大系数
(2) 共射极直流电流放大系数
I C I CN I CBO I E I CBO ( I C I B ) I CBO
(完整)《模拟电子技术基础教程》华成英——第三章习题解答
PTER半导伸二嘏管及其基市应用电路3. 1判断下列说法的正、误,在相应的括号内蔺表示正确・画“X”衣示错谋.(1)本征半导体是指没冇博杂的纯净晶体半导体.( )(2)本征半异体温度升高后两种栽流子浓度仍然相等.( )(3)P®半导体帯正电( ),N®半导体带负电( ).(4)空间电荷区内的潦移电流址少数戏流子在内电场作用下形成的.Z )(5)二极管所加正向电压增大时,其动态电限增大.( )(6)只耍在稳圧管两端加反向电压就能起稳压作用.( )解(2) 7 (3) X.X (4> V (5)X (6) X3.2选择正确的答案填空.(1) N凤半导体是空本征半导体中捧人 ____________ » P51半导体是在本征半导体中掺人 _______ ・A.三价元索,如硼導B.四价元索,如错铮C.五价元素•如磷等(2) PN结加正向电压时.由__________ 形成电流,其耗尽层__________ I加反向电压时, 由 _______ 形成电流,其耗斥煨__________ ・A.扩散运动B.漂移运动C.变龙D.变牢(3) 当温度升高时•二极管的反向饱和电流___________ ・A.增大.B.不变C.减小(4) 硅二极管的正向导通电压比诸二极管的_____________ ,反向饱和电流比緒二极管的 _______ ・A.大B.小C.相等(5) 稳压暂工作在槍压区时,其丁•作状态为_________ .A.正向导通B.反向截止C.反向击穿解 (1) Cl A (2) Al D» B ; C (3) A (4) A» B (5> C 3.3填空(1) PN 结的导电特性定 __________ ・(2) 徃外加直流电压时,理想二极管正向导通阻抗为 _________________ ,反向截止阻抗为 ________ 。
(3) PN 结的结电容包插 __________ 电容和 _________ 电容。
电路与模拟电子技术基础(第2版)第3章正弦稳态电路的分析习题解答..
第3章 正弦稳态电路的分析习题解答3.1 已知正弦电压,当时,。
求出有效值、频率、()V 314sin 10θ-=t u 0=t V 5=u 周期和初相,并画波形图。
解 有效值为 V07.7210==U ;Hz 502314==πf s 02.01==f T 将 , 代入,有 ,求得初相。
波形图如下0=t V 5=u )sin(105θ-=︒-=30θ3.2 正弦电流的波形如图3.1所示,写出瞬时值表达式。
i图3.1 习题3.2波形图解 从波形见,电流的最大值是,设的瞬时值表达式为i A 20i A π2sin 20⎪⎭⎫ ⎝⎛+=θt T i 当 时,,所以 ,求得或 。
0=t A =10i θsin 2010=︒=30θ6π=θ当 时,,所以 ,求得 。
s 2=t A =20i ⎪⎭⎫ ⎝⎛+⨯=6π2π2sin 2020Ts 12=T 所以 。
A ⎪⎭⎫ ⎝⎛︒+=306πsin 20t i 3.3正弦电流,。
求相位差,说明超前滞()A 120 3cos 51︒-=t i A )45 3sin(2︒+=t i 后关系。
解 若令参考正弦量初相位为零,则的初相位,而初相位1i ︒-=︒-︒=30120901θ2i,其相位差 , 所以滞后于 角,或︒=452θ︒-=︒-︒-=-=75453021θθϕ1i 2i ︒75超前 角。
2i 1i ︒753.4 正弦电流和电压分别为(1)V)60 4sin(23o 1+=t u (2)V)75 4cos(52︒-=t u (3)A)90 4sin(2o 1+-=t i (4) V)45 4cos(252︒+-=t i 写出有效值相量,画出相量图。
解 (1) ,相量图如图(1)V 6031︒∠=∙U (2) V)15 4sin(5)75 4cos(52︒+=︒-=t t u 有效值相量为 ,相量图如图(2)V 15252︒∠=∙U (3) ()()A90 4sin 290 4sin 21︒-=︒+-=t t i 有效值相量为 ,相量图如图(3)A 9021︒-∠=∙I (4) ()()A45 4sin 2545 4cos 252︒-=︒+-=t t i 有效值相量为 ,相量图如图(4)A 4552︒-∠=∙I3.5 图3.2中,已知,,求。
模拟电子技术基础(九江职业技术学院)智慧树知到答案章节测试2023年
第一章测试1.PN结形成后,空间电荷区由( )构成。
A:自由电子B:杂质离子C:空穴D:价电子答案:B2.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( )。
A:减小B:增大C:基本不变答案:C3.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( )。
A:基本不变B:减小C:增大答案:B4.变容二极管在电路中主要用作( )。
A:可变电容器B:整流C:稳压D:发光答案:A5.PN结加正向电压时,空间电荷区将()A:变窄B:变宽C:基本不变答案:A第二章测试1.有人选用最大允许集电极电流ICM=20mA,最大允许电压UCEO=20V,集电极最大允许耗散功率PCM=100mW的三极管组成放大电路,其静态工作点IC=15mA,UCE=10V,则该管应属于下列四种状态中的()。
A:可能击穿B:过热或烧坏C:可以正常放大D:放大性能较差答案:B2.某放大电路在负载开路时的输出电压为6V,当接入2kΩ的负载后,其输出电压为4V,这表明该放大电路的输出电阻是()。
A:1kΩB:2kΩC:0.5kΩD:10kΩ答案:A3.放大电路如图所示,如UCC>>UBE,且ICEO≈0,则在静态时,该三极管工作的状态是()。
A:放大状态B:饱和状态C:截止状态D:不定答案:B4.放大电路如图所示,三极管β=50,电压增益为A1,如果用β=100的管子替换β=50的管子,这时电压增益为A2,则满足()。
A:|A2|<|A1|B:|A1|<|A2|<|2A1|C:A2=2 A1D:A2= A1答案:B5.电路如图所示,若不慎将旁路电容Ce断开,则将()。
A:不影响静态工作点,也不影响电压增益。
B:不仅影响静态工作点,而且也影响电压增益。
C:只影响静态工作点,但不影响电压增益。
D:不影响静态工作点,只影响电压增益。
答案:D第三章测试1.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。
模拟电子技能技术总结基础第四版(童诗白)课后答案第三章
精心整理第3章多级放大电路自测题一、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第一级应采用(A),第二级应采用(A)。
(2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用(D),第二级应采用(A)。
(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用(B),第二级应采用(A)。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用(D),第二级应采用(B)。
(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000oui iU A I =>,输出电阻R o <100,第一级应采用采用(C),第二级应(B)。
二、选择合适答案填入空内。
(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是(C 、D)。
A .电阻阻值有误差B .晶体管参数的分散性C .晶体管参数受温度影响D .电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是(C)。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容(3)选用差动放大电路的原因是(A)。
A .克服温漂B .提高输入电阻C .稳定放大倍数(4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的(A),共模信号是两个输入端信号的(C)。
A.差B.和C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的(B)。
A .差模放大倍数数值增大B .抑制共模信号能力增强C .差模输入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使(C)。
A.放大倍数的数值大B.最大不失真输出电压大C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示,所有晶体管均为硅管,β均为200,'200bb r =Ω,静态时0.7BEQ U V ≈。
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1.阻容耦合
Rb1
RS
Cb+1
+
+
us
ui
-
-
Rc1
+
Cb 2
Rb2
T1
+ UCC
R
c2
+
Cb3
T2
+
RL uo
-
信号源US经耦合电容Cb1与第一级的输入电阻 Ri1联系起来,经第一级放大后的信号又经耦合电 容Cb2与第二级的输入电阻Ri2联系起来,信号是通 过电阻和电容的连接进行传递的,这种方式为阻 容耦合方式。
3.1.1 模拟集成电路特点
模拟集成电路一般是由一块厚约0.2- 0.25mm的P型硅片制成,这种硅片是集成电 路的基片。它上面可以做出包含有几十个或 者更多的BJT或FET、电阻和连接电路。和分 立元件相比,模拟集成电路有如下几个方面 的特点:
(1)电路结构与元件参数具有对称性。
(2)电阻和电容值不易做太大,电路结构上采 用直接耦合方式。
Rc1
T1
+UCC
R c2
T2
Re2
R c1
T1
R c2
+UCC
T2
D1
D2
D3 D4
(a)利用电阻Re提高射极电位 (b)利用二极管提高射极电位
(2)零点漂移问题 如果将直接耦合放大电路的输入端短路,其输出
端应有一固定的直流电压,即静态输出电压。但是, 实际输出电压将随时间变化而偏离初始值作缓慢的随 机波动,这种现象称为零点漂移,简称零漂。
U CC R
I REF R
2IB
IC1
T1
U CC
RC
IC 2
T2
UCC
3.微电流源
在上图的电路中的
T2加上一个发射极电阻 ,就可以构成集成电路
IREF
R
2IB
中常用的一种微电流源
,如图所示。
IC 1
T1
+
I C2
IE2
U BE1 U BE2 R e2
ΔU BE R e2
-UBE1
IC2
+ T2
- UBE2
IE2
Re2
3.2 多级放大电路
3.2.1 级间耦合方式 3.2.2 多级放大电路的基本性能指标分析
3.2.1 级间耦合方式
多级放大电路内部各级间的连接方式称 为放大器级间耦合方式。
常见的耦合方式有三种,即阻容耦合、 直接耦合和变压耦合。不管采用何种耦合方
式,都必须保证:前级的输出信号能顺利传 递到后一级的输入端;各级放大器都有合适 的静态工作点。
U CC
固定,在一定范围内IC
基本恒定。
(a) 三极管电流源电路
C
R0
(b)符号
I
2.镜像电流源
镜像电流源如图所 示,设T1、T2的参数 完全相同,则IE1=IE2 ,IC1=IC2,当三极管 的β较大时,基极电 流IB可以忽略。则
IC2=IC1=IREF-2IB≈IREF=
U CC U BE ≈ R
为了抑制零漂,常用的措施有:
①引入直流负反馈稳定静态工作点,减小零点漂移。
②利用温敏元件补偿放大管的零漂。
③采用差分放大电路作为输入级。
3.2.2 多级放大电路的基本性能指标分析
1.电压放大倍数 在多级放大电路中,由于各级之间是互相
串联起来的,前一级的输出就是后一级的输入 ,所以,多级放大电路总的电压放大倍数等于 各级电压放大倍数的乘积。
-
为直接耦合。
直接耦合存在的问题:
(1)级间直流电位匹配问题
在直接耦合电路中,前后级之间直接连接,造成 各级静态工作点互相影响。即前级的静态输出电压便 是后级的偏置电压,该电压的大小既要保证前级晶体 管的Q点合适,又要给后级提供合适的偏置电流。
常采用提高后级的射极电位的方法,实现级 间电位匹配,使两级工作点都满足要求。
2.输入电阻和输出电阻
一般来说,多级放大电路的输入电阻Ri就是第 一级放大电路的输入电阻,而多级放大电路的输出 电阻Ro就是末级放大电路的输出电阻。
多级放大电路的第一级常称为输入级,多级放 大电路的最后一级又称为输出级。因此,在考虑输 入级和输出级的电路形式和参数时,常常需要考虑 实际工作对输入电阻和输出电阻的要求,而把放大 倍数放在次要地位,至于放大倍数可主要由中间各 放大级来提供。
+
R2
11 k
R4 51 R7
R5
1k
+
-C2
3.3k
RL
5.1k
uo
O 47F
-
3.试分别计算接在第一级输出端和第二 级输出端时,电路的电压放大倍数。
解:(1)各级静态工作点彼此独立,可分级计算。
第一级:
U B1
UCCR 2 R1 R2
1211 V 11 51
2V
IE1
UB1 UBE R4 R5
(2 0.7)V (1 0.051)KΩ
1.24mA
IC1 IE1
I B1
I C1 β
1.24mA 50
24.8A
UCE1 UCC IC (R 3 R 4 R 5 ) 12V 1.24mA(5.1 0.0511)kΩ 4.37V
第二级:
IB2
UCC UBE R 6 (1 β2 )R 7
(12 0.7)V 0.035mA (150 51 3.3)KΩ
例3.2.1 共射-共集两级阻容耦合放大电路 如图。
β1 β2 50
UBE 0.7V
rbb1 rbb2 200
+
1. 求各级的静态工作点;
us
2.求电路的输入电
阻和输出电阻;
-
Ucc(12V )
I
R3
R6
R1 5.1k 150k
51k
C1 +
IB1
10 F
A 10F T1
T2 + C3
10F
(3)为克服直接耦合的零点漂移,常采用差分 放大电路。
(4)采用半导体三极管(或者场效应管)来代 替电阻、电容和二极管等元件。
3.1.2 集成运放中的电流源
1.三极管电流源
UCC
由三极管构成的电 流源如图(a)所示。 Rb1
IC
当UCC、Rb1、Rb2、Re确
T
定后,基极电位
Rb2 Re
UB
R b2 R b1 R b2
2.变压器耦合
变压器Tr1将 第一级的输出信号 传送给第二级, Tr2将第二级的输 出信号传送给负载 。两级放大器均为 共射组态,实现信 号的放大。
3.直接耦合
Rc1
Rb1
+
T1
ui
-
+ UCC
为了避免耦合电
Rb2
Rc2
容或耦合变压器对缓 慢变化信号带来的不
+
T2
u0
良影响,可以把前级 的输出端直接或通过 电阻接到下级的输入 端,这种连接方式称
第3章 集成电路运算放大器
3.1 模拟集成电路概述 3.2 多级放大电路 3.3 差分放大电路 3.4 集成运算放大器及其主要参数 3.5 专用集成运放及使用
学习要点: • 集成电路的特点 • 多级放大电路的分析 • 差分放大电路的分析和计算
3.1 模拟集成电路概述
3.1.1 模拟集成电路特点 3.1.2 集成运放中的电流源