模拟电子技术基础教程

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5.晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的?场效 应管是通过什么方式来控制漏极电流的?为什么它 们都可以用于放大?
7
小结:
1. 半导体中两种载流子
带负电的自由电子 带正电的空穴
2. 本征半导体中,自由电子和空穴总是成对出现,
称为 电子 - 空穴对。
3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi

华科大出版社

陈 洁主编, 《EDA软件仿真技术快速入门-

Protel99SE+Multisim10+Proteus 7 》中国电力出版社
2
目录
1 常用半导体器件(10学时)
2 基本放大电路(8学时)
3 多级放大电路 (6学时)
4 集成运算放大电路(4学时) 5 放大电路的频率响应(6学时)
第 6 放大电路中的反馈(6学时)
表示,显然 ni = pi 。

4. 由于物质的运动,自由电子和空穴不断的产生又
四 不断的复合。在一定的温度下,产生与复合运动
版 会达到平衡,载流子的浓度就一定了。
童 诗
5. 载流子的浓度与温度密切相关,它随着温度的升

高,基本按指数规律增加。
13
1.1.2 杂质半导体
杂质半导体有两种
N 型半导体 P 型半导体
3 价杂质原子称为受主原子。


空穴浓度多于电子浓度,即 p >> n。空

穴为多数载流子,电子为少数载流子。



17
+4
+4
+4
空穴
+4
+34
+4
受主 原子
第 四
+4
+4
+4




图 1.1.4 P 型半导体
18
说明:
1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度;温度决 定少数载流子的浓度。
2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导 体,因而其导电能力大大改善。
一、PN 结的形成
P
PN结
N






图 PN 结的形成
20
PN 结中载流子的运动
1. 扩散运动
P
电子和空
穴浓度差形成
多数载流子的
扩散运动。
2. 扩 散
第 运动形成空
P
四 间电荷区
版 —— PN 结,
童 诗
耗尽层。

耗尽层 空间电荷区
Fra Baidu bibliotek
N N (动画1-3)21
3. 空间电荷区产生内电场
空间电荷区正负离子之间电位差 Uho —— 电位壁垒;— — 内电场;内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。
一、 N 型半导体(Negative)
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素,如
第 磷、锑、砷等,即构成 N 型半导体(或称电子型
四 版
半导体)。

诗 白
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
14
本征半导体掺入 5 价元素后,原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子,其中 4 个与硅构成共价键,多余一个电子只受 自身原子核吸引,在室温下即可成为自由电子。
4
模拟电子技术:
模拟电子技术主要研究处理模拟信号的电子电路。 模拟信号就是幅度连续的信号,如温度、压力、流量等。
幅度
幅度
时间
T 2T 3T 4T 5T 6T
时间
第 数字电子技术:


数字电子技术主要研究处理数字信号的电子电路。

数字信号通常是指时间和幅度均离散的信号,如电报
诗 信号、计算机数据信号等等。
四 7 信号的运算和处理(6学时)
版 童
8 波形的发生和信号的转换(6学时)
诗 9 功率放大电路(4学时)
白 10 直流稳压电源(8学时)
3
电子技术:
电子技术就是研究电子器件及电路系统设计、分析 及制造的工程实用技术。目前电子技术主要由模拟电子 技术和数字电子技术两部分组成。
通常我们把由电阻、电容、三极管、二极管、集成
3. 杂质半导体总体上保持电中性。
4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。





(a)N 型半导体
(b) P 型半导体

图 杂质半导体的的简化表示法
19
1.1.3 PN结
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体,
另一侧掺杂成为 N 型半导体,两个区域的交界处就形
成了一个特殊的薄层,称为 PN 结。
4. 漂移运动
内电场 有利于少子
阻挡层
P
空间电荷区
N
运动—漂移。


少子
版 童
的运动与
诗 多子运动
白 方向相反
内电场 Uho
22
5. 扩散与漂移的动态平衡 扩散运动使空间电荷区增大,扩散电流逐渐减小;
导言
1. 本课程的性质
电子技术基础课
2. 特点
非纯理论性课程
实践性很强
以工程实践的观点来处理电路中的一些问题
3. 研究内容

以器件为基础、以电信号为主线,研究各种模拟电子电路的工作
四 原理、特点及性能指标等。
版 童
4. 教学目标
能够对一般性的、常用的模拟电子电路进行分析,同时对较简单
诗 的单元电路进行设计。
自由电子浓度远大于空穴的浓度,即 n >> p 。
第 四
电子称为多数载流子(简称多子),
版 空穴称为少数载流子(简称少子)。

诗 白
5 价杂质原子称为施主原子。
15
+4
+4
+4
自由电子
+4
+45
+4

施主原子

+4
+4
+4


诗 白
图 1.1.3 N 型半导体
16
二、 P 型半导体
在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素,如 硼、镓、铟等,即构成 P 型半导体。

5
本章讨论的问题:
1.为什么采用半导体材料制作电子器件?
2.空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗?
3.什么是N型半导体?什么是P型半导体? 当二种半导体制作在一起时会产生什么现象?

4.PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗?它为什么

具有单向性?在PN结中另反向电压时真的没有电流吗?
版 童 诗 白

1
导言
5. 学习方法
重点掌握基本概念;基本电路的结构、性能特点;基本分析估算方法。
6. 课时及成绩评定标准
课时:80学时=64(理论)+16(实验) 平时10%+实验30%+卷面60%
第 7. 教学参考书

康华光主编,《电子技术基础》 模拟部分 第三版,高教出版社

陈大钦主编,《模拟电子技术基础问答:例题 • 试题》,
电路等电子元器件组成并具有一定功能的电路称为电子
电路,简称为电路。
一个完整的电子电路系统通常由若干个功能电路组
成,功能电路主要有:放大器、滤波器、信号源、波形
第 发生电路、数字逻辑电路、数字存储器、电源、模拟/数 四 字转换器等。

在电子技术迅猛发展的今天,电子电路的应用在日
童 诗 白
常生活中无处不在,小到门铃、收音机、DVD播放机、 电话机等,大到全球定位系统GPS(Global Positioning Systems)、雷达、导航系统等。
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