磁场中的磁介质PPT课件

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磁场中的磁介质ppt

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第五版
一、 H矢量的安培环路定理
几点说明
15
磁场中的介质

H dl I0
L
(1)只与传导电流有关,与束缚电流无关
(2) H 与 D 一样是辅助量,描述电磁场
ED

B H
B 0 H
9
(3)在真空中: M 0 r 1
第五版
15
磁场中的介质
当外磁场由 H m 逐渐减小时,这种 B 的变化落后于H的变 化的现象,叫做磁滞 现象 ,简称磁滞. 由于磁滞, H 0 时,磁感强度 B 0 Br 叫做剩余磁感强 , 度(剩磁).
Bm
H m Br
B
Q
P
Hm
H
O
P
'
Hc
Bm
磁滞回线 矫顽力
Hc
17
第七章 恒定磁场
r
第七章 恒定磁场
13
物理学
第五版
15
磁场中的介质
解 rd R
B H
dR
0 r I
H dl I
l
2π dH I
2π d H dl I I 0
l
r
I
2π dH 0 , H 0
d
I
B H 0
同理可求 d r , B 0
物理学
第五版
15
磁场中的介质
3 铁磁性材料 不同铁磁性物质的磁滞回线形状相差很大.
B B B
O
H
O
H
O
H
软磁材料
硬磁材料
第七章 恒定磁场
矩磁铁氧体材料

磁场中磁介质.ppt

磁场中磁介质.ppt
箭头表示 磁化方向
铁磁质的特性
1. 磁导率μ不是一个常量,它的值不仅决定于原线 圈中的电流,还决定于铁磁质样品磁化的历史。 B 和H 不是线性关系。
2. 有很大的磁导率。 放入线圈中时可以使磁场增强102 ~ 104倍。
3. 有剩磁、磁饱和及磁滞现象。
4.温度超过居里点时,铁磁质转变为顺磁质。
三 铁磁质的应用 (1)软磁材料
单位长度上的导线匝数为n。
求:环内的磁场强度和磁感应强度
解:
H
L
dl

H 2r

NI
H NI nI
r
2r
O
B H 0r H
例2 一无限长载流圆柱体,通有电流I ,设电流 I
均匀分布在整个横截面上。柱体的磁导率为μ,柱
外为真空。
求:柱内外各区域的磁场强度和磁感应强度。
静磁场(稳恒磁场)
BH

S B dS 0
L H dl I0 B H
12-3 铁磁质 一 铁磁质的磁化规律
电流表
A
测量H
换 向 开 关
测量磁滞回线的实验装置
测量B 的探头 螺绕环 (霍尔元件)
铁环 狭缝
0 5 10 15 20
磁强计
电阻
A
1、磁化曲线
I
解: r R
LH dl H 2r I
r2 R2 I
Ir
Ir
H 2R2 B 2R2
R
I
0
H
r
r R H2r I
H I B 0I
2r
2r
I R
0
r
H
B

第11章磁场中的磁介质PPT课件

第11章磁场中的磁介质PPT课件

分子磁矩的矢量和:
Pm 0
从介质横截面看,介质内分子电流两两反向,相互抵消。
导体边缘分子电流同向,未被 抵消的分子电流沿柱面流动
⊙ B0
B0
等效
分子电流可等效成磁
介质表面的磁化电流 Is,
Is
B
Is产生附加磁场。
B B0 B B0
磁化电流 Is 可产生附加磁场,但无热效应,因无宏观电 荷移动,磁第化13页电/共流2束6页缚在介质表面,也称为束缚电流。
Hc
矫顽力——加反向磁场Hc, 使介质内部的磁场为 0,
o
Hc
H
结论
继续增加反向磁场,介质
达到反向磁饱和状态; 铁磁质的r不是一个常数,
改变外磁场为正向磁场, 它是 H 的函数。
不断增加外场,介质又达 到正向磁饱和状态。
B的变化落后于H,从而具有 剩磁,即磁滞效应。
第17页/共26页
二、铁磁质的磁化机制
解 (1)当两个无限长的同轴圆柱体和圆柱面中有电流通过
时,它们所激发的磁场是轴对称分布的,而磁介质亦呈轴对
称分布,因而不会改变场的这种对称分布。设圆柱体外圆柱
面内一点到轴的垂直距离是r1,以r1为半径作一圆,取此圆为 积分回路,根据安培环路定理有
r3
I
R1 R2 rr12
II
第9页/共26页
H dl H
抗磁质:分子中各电子的磁矩完全抵消,整个分子无固有磁矩
第12页/共26页
(1)顺磁质的磁化机制
磁介质是由大量分子或原子组成,无外场时,顺磁质分子的磁矩排列杂 乱无章,介质内分子磁矩的矢量和
Pm 0
有外磁场时,这些分子固有磁矩就要受到磁场的力矩
作用,力矩的方向力图使分子磁矩的方向沿外场转向。

磁场中的磁介质

磁场中的磁介质
续增加时,B急剧地增加;到达点N后,再 增大H时,B的增加就比较缓慢了,呈现出 磁化饱和的程度。点P所对应的B值一般称为 饱和磁感应强度Bm,这时在铁磁质中,几乎 所有磁畴都已沿着外磁场B0方向排列。
实验表明,铁磁质的磁化曲线都是不可逆的。即达到饱和
后,如果逐渐减小电流I,B并不沿起始磁化曲线逆向地随H的 减小而减小,而是沿下图所示中另一条曲线PQ比较缓慢地减 小。这种B的变化落后于H的变化规律称为磁滞现象(简称磁 滞)。由于磁滞的缘故,当磁场强度H减小到零时,磁感应强 度B并不等于零,而是仍有一定的数值Br,Br称为剩余磁感应 强度(简称剩磁)。这时撤去线圈,铁磁质就是一块永磁体。
物理学
磁场中的磁介质
1.1 磁介质
磁介质是指在磁场作用下,其内部状态发生变化,并反过 来影响磁场存在和分布的物质。磁介质在磁场作用下内部状态 的变化称为磁化。
磁化了的磁介质会产生附加磁场,对原磁场产生影响。磁 介质在磁感应强度为B0的外磁场中,受外磁场的作用而被磁化 产生附加磁场B'。此时,在磁介质中的磁场B是这两个磁感应 强度的矢量和,即
2.磁化曲线与磁滞回线
铁磁质的特点是:① r 1 ,可达102~105数量级;② 相 对磁导率μr和磁导率μ会随着磁场强度H的变化而变化,即磁感 应强度B与磁场强度H不成线形关系。以上这些特点可以用B-H 曲线(也称磁化曲线)来描述。
B和H的关系可用实验测定。在实验中,可得出某一铁磁质 开始的B-H曲线,称为初始磁化曲线,如下图所示。从曲线可以 看出,当外加的磁场强度H从零逐渐增大时,可以看出介质的磁 感应强度B也逐渐增加;到达点M后,H继
顺磁质在没有外磁场时,磁介质中各分子磁矩的方向是杂 乱无章的。大量分子的磁矩相互抵消,所以宏观上磁介质不显 磁性。当有外电场B0时,所有分子磁矩都受到磁场力矩的作用 ,使各分子都不同程度地沿磁场方向排列,分子电流产生了一 个沿外磁场B0方向的附加磁场B',从而使总的磁感应强度增加 ,即磁感应强度的值为B=B0+B'>B0。

大学物理-磁场中的磁介质_图文_图文

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试 求(1)磁介质中任意点
I
P 的磁感应强度的大小;
(2)圆柱体外面一点Q
I
的磁感强度.

I I
同理可求
三 铁磁质
1 磁畴
有 外 磁 场
无外磁场
2 磁化曲线 磁滞回线
B/10-4T
15
ห้องสมุดไป่ตู้10
B=f (H)
5
θ
0
400
600 800 1 000 H/(Am-1)
顺磁质的B-H曲线
当外磁场由 逐渐减小时,这种 B 的变化落后于H的变 化的现象,叫做磁滞 现象 ,简称磁滞.
由于磁滞, 时,磁感强度 , 叫做剩余磁感强 度(剩磁).
O
磁滞回线 矫顽力
3 铁磁性材料 不同铁磁性物质的磁滞回线形状相差很大.
O
O
O
软磁材料
硬磁材料 矩磁铁氧体材料
4 磁屏蔽
把磁导率不 同的两种磁介质 放到磁场中,在 它们的交界面上 磁场要发生突变 ,引起了磁感应 线的折射.
磁屏蔽示意图
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2 顺磁质和抗磁质的磁化 分子圆电流和磁矩
顺磁质的磁化
无外磁场
顺磁质内磁场
有外磁场
无外磁场时抗磁质分子磁矩为零
抗磁质的磁化
同向时
抗磁质内磁场
反向时
3 磁化强度
分子磁矩 的矢量和
体积元
单位:
意义 磁介质中单位体积内分子 的合磁矩.
二 磁介质中的安培环路定理
分子磁矩
C
(单位体积分子磁矩数

传导电流 分布电流
B
C
A
D
磁场强度

磁场中的磁介质

磁场中的磁介质
§11-1 磁介质的磁化 磁化强度 11-
磁场中的磁介质 第十一 章 磁场中的磁介质
一.磁介质
v v v' B = B0 + B
真空中的 磁感强度 介质磁化后的 附加磁感强度
磁介质中的 总磁感强度 顺磁质 抗磁质 铁磁质
v v B > B0 v v B < B0
v v B >> B0
(铝、氧、锰等) 锰等) (铜、铋、氢等) 氢等) (铁、钴、镍等) 镍等)
R1 < r < R2
v v ∫ H dl = I
l
r
d
I
R2
I 2 π rH = I H= 2πr 0 r I B = H = 2πr
R1
磁场中的磁介质 第十一 章 磁场中的磁介质 §11-2. 磁介质中的安培环路定理、磁场强度 11磁介质中的安培环路定理、
R1 < r < R 2
I
B =
0 r I
弱磁质
§11-1 磁介质的磁化 磁化强度 11分子圆电流和磁矩
磁场中的磁介质 第十一 章 磁场中的磁介质
v m
I
B = B0 + B
'
顺 磁
Is
v B0

无外磁场
有外磁场
§11-1 磁介质的磁化 磁化强度 11-
磁场中的磁介质 第十一 章 磁场中的磁介质
v 无外磁场时抗磁质分子磁矩为零 无外磁场时抗磁质分子磁矩为零 m = 0 v v B0 v' B0 v m 抗 ω 磁 v 质 q v v v q F 的 F v' v 磁 v' m v m v 化 v m' ω
H
O

西北工业大学《大学物理上》课件-第十一章磁场中的磁介质

西北工业大学《大学物理上》课件-第十一章磁场中的磁介质
·26 ·
Chapter 11. 磁场中的磁介质 §11. 3 铁磁质及其磁化特性
例 试判断下列起始磁化曲线所对应的磁介质类型。
a :铁磁质; b :顺磁质 ( μ >μ0 ); c :抗磁质 ( μ <μ0 );
·27 ·
Chapter 11. 磁场中的磁介质 §11. 3 铁磁质及其磁化特性
一、物质的分子磁矩
1. 电子的轨道磁矩: 等效成圆电流:
§11. 1 磁介质 磁化强度
2. 电子自旋磁矩: 3. 核自旋磁矩: 分子磁矩 =电子轨道磁矩+电子自旋磁矩+核自旋磁矩
·3 ·
Chapter 11. 磁场中的磁介质
二、顺磁质与抗磁质
§11. 1 磁介质 磁化强度
1. 顺磁质: 分子磁矩≠0 (亦称分子的固有磁矩)
·12 ·
Chapter 11. 磁场中的磁介质
§11. 1 磁介质 磁化强度
1. 磁介质: 顺磁质:介质内B > B0 ; 抗磁质:介质内B < B0 ;
2. 磁化强度:
3. M与磁化电流的关系:
( The end )·13 ·
Chapter 11. 磁场中的磁介质
§11. 2 磁介质中的安培环路定理
§11. 1 磁介质 磁化强度
js : 面磁化电流的线密度。 一般地有如下关系:
: 磁介质表面外法线单位 矢量。
·11 ·
Chapter 11. 磁场中的磁介质
§11. 1 磁介质 磁化强度
试判断 : 顺磁质中的磁化电流方向。
分析: 顺磁质
与 同向。
即:磁化电流 内侧:向上 外侧:向下
( 俯视图 )
抗磁质
氢 铜 铋 汞×10 - 5 -3.2×10 - 5

大学物理磁介质(老师课件)

大学物理磁介质(老师课件)

2)硬磁材料
HC — 104~106 A/m
特点:剩余磁感应强度大 矫顽力大 不容易磁化 也不容易退磁 剩磁性强 磁滞回线宽 磁滞损耗大 应用: 适合制作永久磁铁 永磁喇叭 用于拾音器、扩音 器、麦克风、收录 音机等 B
H
3)矩磁材料: 特点:磁滞回线呈矩形状
应用:作计算机中的记忆元件 磁化时极 性的反转构成了“0”与“1”
二、铁磁质的磁化
三、铁磁性材料的分类
四、磁致伸缩
一、 铁磁质的宏观性质
1. r 1 可使原场大幅度增加 B r B 0 0 r H
2. r与磁化历史(H)有关,不是常数。 B—H和r—H曲线是非线性关系 3. 磁滞现象----B的变化落后 B (B T) 于H 的变化 4. 居里温度----铁磁性 消失的临界温度
B H
四、磁致伸缩 B变 M 磁畴方向改变 晶格间距改变
铁磁体长度和体积改变— 磁致伸缩
长度相对改变约10-5量级 温下可达10 -1
某些材料在低
磁致伸缩有一定固有频率 当外磁场变 化频率和固有频率一致时 发生共振
可用于制作激振器、超声波发生器等
磁介质与电介质的比较
无磁荷 基本场量 B
4
取回路如图,设总匝数为N H dl H 2πr NI
L
O R1 r R2
NI nI H 2πr
细螺绕环
R1 R2 r
H nI B μ H μ nI
长直螺线管亦然
M ( μr 1) H ( μr 1)nI
j M 表
代入数据
M 7.9410 A/m
· 当T > Tc时,铁磁性消失, 铁磁质顺磁质
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L H dl I0
即:磁场强度沿任意闭合路径的线积分(环流),等于穿过 以该回路为边界的传导电流的代数和。
说明:
H 是为消除磁化电流的影响而引入的辅助物理量。
H 的环流仅与传导电流I0 有关,与介质无关(当I 相同时,
尽管介质不同,H 在同一点上却相同)。因此可以先求磁 场强度 H ,再求磁感应强度B。 H的单位:安培/米(A/m)
0H
0Ir 2R12
I
(2)磁介质内的磁场分布
lHdlI I
H I 2 r
B0rH20rrI
(3)磁介质外的磁场分布 Hdl I 0 l
I
B0
磁介质中的安培环路定理 电介质中的高斯定理
L B d l0 I00 i'
L
L
S
1
EdS0
S
(q0q')
H
B
B
0r
D 0 rE E
一、磁介质对磁场的影响
与电介质的情况类似,稳恒磁场 中的磁介质因磁化而产生磁化电流 和附加磁场;磁介质内的总场为原
磁场B0 与附加磁场B’的矢量和。 BB0B'
实验已经证明,B 与 B 之0 间的关系为:
BrB0
称r 为磁介质的相对磁导率。
顺磁质:μr≥ 1 如金属铝、锰、铬等。 抗磁质:μr ≤ 1 如金属金、银、铜等。 铁磁质:μr >> 1 如金属铁、钴、镍等。

等 效
I′
对各向同性(均匀)磁介质, 从导体横截面看,导体内部分 子电流两两反向,相互抵消。 导体边缘分子电流同向。
对各向同性(均匀)磁介质, 分子电流可等效成磁介质表面 的磁化电流I′,I′产生附加磁 场B'。
B B o B B o
对各向同性(均匀)磁介质,磁化电流I′只出现在介质表面, 介质内部无磁化电流,且磁化电流I′不可引出,因此,磁化电 流也称为束缚电流。
例1、长直单芯电缆的芯是一根半径为R1 的金属导体,它与
外壁之间充满均匀磁介质,其相对磁导率为 r ,外筒半径为
R2 ,电流从芯流过再沿外壁流回。求(1)导线内的磁场分布;(2)
磁介质中磁场分布;(3)磁介质外的磁场分布。
解:(1)导线内的磁场分布
Hdl
l
H
Ir
2 R12
I
B
Ir 2 R 12
B0
I
B0
I B'
弱磁性物质 强磁性物质
二、磁介质的磁化
任何物质皆由原子或分子构成。原子(分子)中的电子同 时参与两种运动:自旋及绕核的轨道运动,对应有轨道磁矩 和自旋磁矩。
分子磁矩——分子所有电子的轨道磁矩与 自旋磁矩的矢量和,称为分子固有磁矩, 简称为分子磁矩 m。分子磁矩的方向与电 子运动的角速度方向相反。
第十一章 磁场中的磁介质
上章我们学习了真空中稳恒电流激发的磁场及其 规律。当空间有介质(导体、绝缘体)存在时,磁场 将与介质发生相互作用,我们把磁场中的介质称为 磁介质。磁介质在外加磁场作用下自身产生附加磁 场的过程称为磁化。
本章简要介绍磁介质的性质、磁化的机制、以及 磁介质中的安培环路定理。
§11.1 磁介质对磁场的影响
lH dl I0
DdSq0
S
§ 11.2 铁磁质
在工程技术上常用的磁介质是铁磁质,如电机、变压器和电表等。铁 磁质有如下特点:
1.在外磁场作用下能产生很强的磁感应强度;μ>>1
2.当外磁场停止作用时,仍能保持其磁化状态;
3.B与H之间不是简单的线性关系;
4.铁磁质都有一临界温度。在此温度(居里温度)之上,铁磁性
在无外磁场时,各磁畴 排列杂乱无章,铁磁质不 显磁性;在外磁场中,各 磁畴沿外场转向,介质内 部的磁场迅速增加,在铁 磁质充磁过程中伴随着发 声、发热。
2.磁畴的形成
按照量子理论, 铁磁质内电子间存在着很强的由电子自旋引起的相互作 用——电子交换作用, 使各电子的自旋磁矩排列整齐,从而形成磁畴。每 个磁畴内的电子自旋磁矩整齐排列,磁性很强——自发磁化。
4. 磁畴与温度的关系: 当温度持续升高到某值时, 由于剧烈的热运动, 磁畴 瓦解, 铁磁质的铁磁性消失, 过渡到顺磁质。此温度叫做居里温度或居里点。
5. 磁饱和状态
随着外磁场增加,能够提供转向的磁畴越来越少,铁磁质中的磁场增加 的速度变慢,最后外磁场再增加,介质内的磁场也不会增加,铁磁质达到 磁饱和状态。
3.磁畴与外磁场的关系
无外磁场时, 各个磁畴由于热运动其方向排列无序, 因而整体对外不 显磁性。
有外磁场时, 各个磁畴的磁矩在外磁场的磁力矩作用下以整体的形式
趋向外磁场方向排列, 从而对外显示很强的磁性。出现高m 值。
具体过程: 与外磁场方向一致和相同的磁畴范围扩大, 磁畴磁矩方向同时 尽力转向外磁场的方向。
L B d l0 ( I0 I')
磁介质的总磁场 传导电流 磁化电流总和
由于磁化电流的计算很繁,所以我们从无磁介质时出发。
无磁介质时: LB 0d l0 I0
根据实验规律 BrB0
B
dl
L0r
I0
定义磁场强度: H
B
B
0r
L H dl I0
磁介质中的安培环路定理:
B
c b a
o
磁饱和状态
d
H
二、铁磁质的磁化规律——磁滞回线
2. 抗磁质的磁化机理——抗磁性 B
在无外磁场时,抗磁质中 分子固有磁矩为零:m=0, 物质不显磁性。
有外场时,电子的轨道角动量会绕着磁场方向旋进, 形成一个电的环流,但电子带负电,这就相当于一个与 原磁场方向反向的正的环流,产生的磁矩指向磁场的 相反方向.
三、磁介质中的安培环路定理
有磁介质时,安培环路定理是:
完全消失而成为顺磁质。
Fe(1040K) Co(630K) Ni(1390K)
B
(H)
BS
CS
B
磁化曲线——磁介质内磁感应强度
B随磁场强度H的变化关系曲线。
A
O
H
一、铁磁介质的磁化机理——磁畴
1.磁畴
磁畴——铁磁质中因电子自旋而引 起的强烈相互作用,在铁磁质内形 成磁性很强的小区域 。磁畴的体积 约为 10-12 m3 。
分子电流——分子磁矩产生的磁效应可以用一等效的圆电流 的磁矩来表示。
这就是安培提出的分子电流假设。
顺磁质和抗磁质的磁化可用安培分子电流假说解释,而铁磁 质的磁化很复杂。
1. 顺磁质的磁化机理——顺磁性
无外场Bo时,Leabharlann 子的磁矩 排列杂乱无章,介质内分 子磁矩的矢量和 m=m=0
有外场Bo时,分子磁矩转 到与外磁场方向一致,分 子磁矩的矢量和 m=m≠0
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