集成电路设计基础 课后答案五

集成电路设计作业三

姓名：赵庆超 学号：20071201297 学院：07级通信二班

1. 画出MOSFET 的基本结构。

MOSFET 的基本结构为：

2. 写出MOSFET 的基本电流方程。

I DS =εox μW /t ox L [(V GS -V T )V GS -0.5V GS 2

] 3. 什么是MOS 器件的休效应？

通常情况下，衬底是接地的，但源极未必接地，它将影响V T 值，称为体效

应。

4.说明L 、W 对MOSFET 的速度、功耗、驱动能力的影响？ 减小L 和t ox 将提高MOSFET 的电流控制能力；减小W 将降低MOSFET 的电流

控制能力和减小输出功率；同时减小L 、t ox 、和W ，可保持I DX 不变，但将导 器件占用面积的减小和电路集成度的提高。

5.MOSFET 按比例收缩后对器件特性有什么影响？

Scaling-down 对MOSFET 速度的影响：

（L ↓,W ↓,t ox ↓）I DS ↓

V DD ↓ }

所以，R 基本不变，但是：

（L ↓,W ↓，t ox ↓）[C G =C gs +C gd =εWL /t ox

]↓ 所以，器件尺寸连同V DD 同步缩小后，器件的速度是提高的。