模电复习提纲(已整理)
模电期末复习提纲
期末复习提纲一、复习大纲：第一章绪论1.基本要求1．了解信号、频谱、模拟电路与数字电路等一些基本概念。
2．理解电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的基本概念，理解放大电路的模型。
3．掌握放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、通频带等主要性能指标。
2.重点：电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的输入电阻、输出电阻、增益及每种电路的应用场合第二章运算放大器1.基本要求1）了解集成运放电路的组成及成为线性电路的条件。
2）熟练掌握运用虚短和虚断的概念来分析基本运放电路。
3）熟练掌握比例、加减、积分运算电路。
2.重点：虚短和虚断的概念，理想运放所组成的电路的分析方法，并结合比例、加减、积分运算电路理解如何分析。
（大题出题点）。
第三章二极管及其基本电路1.基本要求1．了解本征半导体、空穴及其导电作用，2．理解P型半导体和N型半导体中的多子与少子及其决定因素以及与本征半导体导电的区别3．了解PN结的形成，掌握PN的单向导电性和V-I特性，理解PN结的反向击穿现象4．了解半导体二极管的结构，掌握它的V-I特性曲线。
5．掌握二极管的正向V-I特性建模，并会分析和计算由二极管组成的不同电路。
（P78-P81这4点应用）6．掌握稳压管工作特性，并分析常用的稳压电路，了解其它的特殊二极管。
2.重点：二极管V-I特性，二极管电路的分析与计算（出中大题点）。
第四章双极结型三极管及其放大电路基础1.基本要求1．了解BJT结构，理解电流分配与放大作用，各极电流间的关系，掌握BJT的输入、输出特性曲线和主要参数。
注意αβ的定义式及其应用2．理解共射极放大电路的工作原理。
3．理解用图解法来分析放大电路的静态工作点和动态工作情况。
（注意静态工作点设置与失真问题）4．掌握用小信号模型法分析共射电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。
5．理解温度对静态工作点的影响，掌握射极偏置电路能稳定Q点的工作原理。
6．理解用小信号模型来分析共集电极电路和共基极电路的分析，并能对三种基本组态电路进行比较。
模拟电子技术基础复习提纲-全文可读
模电复习纲要
〈〈模拟电子技术基础〉〉复习纲要第一章：常用半导体器件（1）熟悉下列定义、概念及原理：本征半导体、P型和N型半导体形成、自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区、PN结、耗尽层，导电沟道，二极管的单向导电性，稳压管、发光/光电二极管的作用，晶体管与场效应管的放大作用及三个工作区域。
（2）掌握二极管、稳压管、晶体管、场效应管的外特性、主要参数的物理意义。
掌握其应用电路。
（3）了解选用器件的原则。
了解集成电路制造工艺。
第二章：基本放大电路（1）掌握以下基本概念和定义：放大、静态工作点、饱和失真与截止失真、直流通路与交流通路、直流负载线与交流负载线、h参数等效模型、放大倍数、输入电阻和输出电阻、最大不失真输出电压。
掌握静态工作点稳定的必要性及稳定方法。
（2）掌握组成放大电路的原则和各种基本放大电路的工作原理及特点，理解派生电路的特点，能够根据具体要求选择电路的类型。
（3）掌握放大电路的分析方法，能够正确估算常用基本放大电路（共射、共集、共源为主）的静态工作点，掌握微变等效电路并据此估算动态参数Au、Ri、Ro，正确分析电路的输出波形和产生截止失真、饱和失真的原因及波形。
第三章：多级放大电路（1）掌握以下概念和定义：零点漂移与温度漂移，共模信号与共模放大倍数，差模信号与差模放大倍数，共模抑制比，互补电路。
（2）掌握各种耦合方式的优缺点，能够正确估算多级放大电路的Au、Ri、Ro。
（3）掌握差动放大器静态工作点和动态参数的计算方法，理解共模抑制比的意义及计算方法。
（4）掌握互补输出级（OCL电路）的正确接法和原理。
第四章：集成运算放大电路（1）熟悉集成运放的组成及各部分电路的特点和作用，正确理解其主要指标参数的物理意义、使用注意事项。
（2）理解电流源电路的工作原理和电流推导。
理解电流源电路在集成运放中的应用及作用。
（3）理解F007的电路原理，能分析运放电路。
第五章：放大电路的频率响应（1）掌握以下概念：上限频率，下限频率，通频带，波特图，增益带宽积，幅值裕度，相位裕度，相位补偿。
模电复习大纲
1.模拟信号和数字信号的基本概念2.PN结的形成及特性，单向导电性。
3.二极管的等效模型（理想、恒压降模型），二极管的基本电路及其分析方法；重点：二极管基本电路的分析方法4.稳压二极管的工作特性5.理解BJT的结构和输入、输出特性曲线；6.理解BJT的工作原理，重点掌握共发射极放大电路的直流偏置、基本分析方法和各种静态、动态参数计算（Q点计算、微变等效电路分析、交流参数计算等）重点：共发射极放大电路的分析方法和各种参数计算（基本型和分压偏置式）。
7、理解三种组态的基本放大电路的性能特点。
8、多级放大电路的耦合方式与电压增益的计算方式。
9、了解场效应管的分类，理解结型、绝缘栅型场效应管的工作原理及特点；重点是FET 与BJT的区别。
10. 功率放大电路的特点与分类。
11. 乙类双电源互补对称功率放大电路和甲乙类互补对称功率放大电路的参数计算，如输出功率、最大输出功率、管耗、电源功率、效率等参数。
理解甲类、乙类和甲乙类功率放大器的性能特点。
重点掌握互补对称功率放大电路（包括OTL和OCL）的分析与各种相关参数计算。
12. 差分放大电路的特点与功能，四种接法，K CMRR。
13.集成运放内部主要结构和电路模型。
14. 掌握理想运放模型及线性运用时的重要特性（虚短、虚断）；15. 掌握闭环运放的两种基本电路（同相、反相放大电路）；16. 重点掌握运用同相、反相放大电路、KCL或叠加定理来分析多级运放构成的电路系统。
17. 4种有源滤波器的作用与通频带。
18.重点掌握单门限电压比较器与滞回比较器的分析，掌握门限电压求法，电压传输特性曲线绘制，输出波形的绘制。
（包含带限幅电路情况）19. 反馈的基本概念、分类与判断方法20. 重点掌握负反馈放大电路的四种组态的判别21. 负反馈放大电路增益的一般表达式，闭环增益的计算，深度负反馈的条件。
22. 负反馈对放大电路性能的影响23. 正弦波振荡电路的振荡平衡条件、起振条件24. RC、LC、石英晶体振荡电路的特点与应用25.掌握直流稳压电源的组成与工作原理；各部分的典型电路及参数运算。
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理；2、杂质半导体：杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子；3、PN 结：PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性；4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响；5、PN 结的伏安特性：)1(-=T U u S D e I I ，当T=300K 时mV U T 26=，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区；6、PN 结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）；7、PN 结的电容效应：势垒电容C T 、扩散电容C D ，PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。
§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号；2、二极管的伏安特性：)1(-=T D U u S D e I I ，⑴正向特性：死区开启电压U th =0.5V （Si ）、0.1V （Ge ），正向导通电压U D(on)=0.7V （Si ）、0.2V （Ge ），⑵反向特性：反向截止区，反向击穿区；3、二极管的温度特性；4、二极管的参数及其含义：F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=； 5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号（微变等效）模型（注意微变等效模型的应用条件）；6、二极管电路的分析方法：⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法（在Q 点附近i u 幅度较小时使用）、⑷微变等效电路分析法；7、稳压二级管：稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算；8、二极管应用（单向导电特性、二极管导通截止的判断）⑴静态工作分析、⑵整流电路（单管半波整流、双管全波整流、桥式整流）、⑶限幅电路（串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅）、⑷门电路；9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数，发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。
模拟电子技术考试复习提纲 (1)
模拟电子技术考试复习提纲第一章半导体二极管及其基本电路熟练掌握1．两种载流子，扩散和漂移，PN结的形成，半导体二极管的单向导电性，稳压管的稳压作用；2．半导体二极管的外特性，主要参数的定义；正确理解3．使用注意事项；第二章双极型晶体管及放大电路基础熟练掌握1．晶体管的外特性和放大作用，三种工作状态；2．放大倍数、输入电阻、输出电阻；3．静态、动态，直流通路、交流通路；4．微变等效电路；5．CE、CC、CB的工作原理及各种计算（单级、多级）；6．合理的近似。
7．晶体管的极限参数正确理解8．用图解法确定静态工作点及输出波形失真及最大不失真输出电压；9．三种组态的比较和选择；第三章场效应管及其放大电路熟练掌握1．耗尽层，沟道，场效应管的外特性及放大作用，三种工作状态；2．放大倍数、输入电阻、输出电阻；3．静态、动态，直流通路、交流通路；4．场效应管的微变等效电路；5．CS的工作原理及各种计算（单级、多级）；正确理解6．CD的工作原理及计算；7．阻容耦合、变压器耦合；第四章功率放大电路熟练掌握1．功放的基本原理，输出功率、效率和非线性失真；2．OCL直接耦合功率放大电路的工作原理、输出功率的估算；3．交越失真的概念，消除方法4．攻放管的选择及计算；正确理解5．甲乙类互补对称功率放大电路的工作原理、分析计算；第五章集成电路运算放大器熟练掌握1．零点漂移、差模、共模、恒流源等概念；2．差模放大倍数的有关计算；正确理解3．共模抑制比及其计算；4．镜象电流源及集成运算放大器的工作原理；5．运算放大器的主要参数。
第六章放大电路的频率响应熟练掌握1．频率特性等概念及影响频率特性的因素；2．波特图与表达式的转换；3．能够定性画出含有一个时间常数的波特图正确理解4．多级放大电路与单级放大电路频宽之间的关系。
第六章负反馈放大电路熟练掌握1．开环、闭环、正反馈、负反馈、直流反馈、交流反馈等概念；2．负反馈放大电路增益的一般表达式3．判断组态的方法；4．深度负反馈放大电路的近似估算；5．四种组态的特点及其对放大电路性能的影响；正确理解6．负反馈放大电路产生自激的原因；7．用Bode图判断负反馈放大电路是否会自激；消除自激的基本方法。
模电复习大纲
模电复习大纲复习提纲：第0章导言不作要求第1章常用半导体器件1.2.6,1.3.6,1.4.4,1.5~1.7 不作要求第2章基本放大电路2.7~2.8 不作要求第3章多级放大电路3.1.4,3.3.4,3.4 不作要求第4章集成运算放大电路仅4.1作要求第5章放大电路的频率响应不作要求第6章放大电路中的反馈6.6~6.8 不作要求第7章信号的运算和处理7.1.5~7.1.7 ,7.2~7.5 不作要求第8章波形的发生和信号的转换8.2.5，8.3.4~8.3.5,8.4~8.5 不作要求第9章功率放大电路9.3~9.5 不作要求第10章直流电源10.5.2~10.5.3,10.6~10.7 不作要求第1章：内容包含二极管、稳压管、晶体管、场效应管这四种半导体器件的工作原理，外特性和主要参数。
1.熟悉基本概念：PN结，二极管的单向导电性，稳压管的稳压作用，晶体管和场效应管的三个工作区。
2.掌握二极管、稳压管、晶体管、场效应管这四种半导体器件的工作原理，外特性。
课后练习：自测题一，二，三，习题1.1,1.2,1.3,1.6,1.9第2章内容包含晶体管和场效应管放大电路的原理，结构，分析方法，以及五种基本放大电路性能的比较。
1. 熟悉基本概念：放大，静态工作点，直流通路与交流通路，饱和失真与截止失真，直流负载线与交流负载线，h参数等效模型，放大倍数，输入电阻，输出电阻，最大不失真输出电压。
2. 掌握放大电路的分析方法（图解法，等效电路法）。
3. 能够正确估算基本放大电路的静态工作点和动态参数。
4. 了解静态工作点稳定的必要性及方法。
课后练习：第3章内容包含多级放大电路的耦合方式，动态参数求解，差分放大电路组成和工作原理，互补输出级（OCL电路）的工作原理。
1. 熟悉基本概念：共模信号与共模放大倍数，差模信号与差模放大倍数，共模抑制比，互补输出。
2. 掌握各种耦合方式的优缺点，能正确估算多级放大电路的参数。
模电复习提纲
3、差动放大电路
差放的输入信号？ 什么是差放的共模抑制比？
4、总结反馈的判断方法，掌握负反馈对放大电路性能的影响
总结复习提纲（4）四、集成运算放大器 Nhomakorabea线性应用
内容:反相与同相比例电路、加法与减法电路、积分与微分电路 1、运放工作在线性区的条件与特点是什么？ 2、总结对工作在线性状态 的运放电路的两类分析方法 利用线性应用的特点 利用叠加原理
3、如何分析放大电 放大电路的交流通路与微变等效电路如何？ 路的动态工作？ 动态参数的计算方法？ 4、不同放大电路的特点与性能比较
总结复习提纲（3）
三、多级放大电路与反馈
内容:阻容耦合放大电路、直接耦合放大电路、差动放大电路 1、为什么要采用多级放大电路？阻容耦合与直接耦合放大电 路的优点与缺点如何？ 2、阻容耦合放大电路的动静态分析方法 为什么要使用差动放大电路？
七、正弦波形发生电路
1、产生正弦波振荡的条件是什么？ 2、正弦波振荡电路应包括哪些部分？ 3、RC正弦波振荡电路的分析。
五、集成运算放大器的非线性应用
内容:单限电压比较器、滞回电压比较器 1、运放工作在非线性区的条件与特点是什么？ 2、电压比较器的阈值是如何定义的？电压比较器分析的 一般步骤是什么？
总结复习提纲（5）
六、功率电子电路
内容:桥式整流电路、滤波电路、稳压管稳压电路、集成三端 稳压器、乙类功率放大电路 1、直流稳压电源各环节的作用是什么？ 2、各环节的电路结构、工作原理、输出参数是什么？ 3、功率放大电路有哪些工作状态？ 4、如何计算乙类功率放大电路有关参数；什么是交越失真？
总结复习提纲（1）
一、半导体器件 内容:二极管、稳压管、三极管 1、器件的伏安特性是什么？ 2、器件的工作状态有哪几种？
模电复习提纲(16级)
复习提纲(一)常用半导体器件1.PN结的单向导电性2.二极管的伏安特性3.稳压二极管的应用4.三极管的类型、电流放大原理、主要参数、输出特性曲线（理解三个工作区）(二)基本放大电路1.基本放大电路：三种组态及特点2.基本放大电路的分析方法（重点共射、共集Q点、动态分析）1)图解法（失真分析）2)小信号等效电路法(三)多级放大电路1.多级放大电路的耦合方式及分析（简单理解Au Ri Ro）2.几个概念：零点漂移、差模信号、共模信号、共模抑制比3.差分放大电路的分析（电路识别、定性分析）（四）放大电路的频率响应（会看波特图、f L、f H、BW、A u）（五）负反馈放大电路三会：1)会判断负反馈的组态2)会估算负反馈放大电路的放大倍数（重点：电压放大倍数A uf）3)会连线(即负反馈对性能指标的影响，根据要求，引入负反馈)（六）信号的运算与处理1.理想运算放大器a)条件b)虚断和虚短2.运算放大电路的分析a)同相比例运算（放大)电路（电压跟随器）b)反向比例运算电路c)求和运算电路d)减法运算电路e)积分运算电路及应用f)微分运算电路及应用3.滤波电路的基本概念和分类、滤波电路的选用（定性）（七）波形的发生和信号的转换1.RC正弦波振荡电路（振荡器组成、振荡条件、振荡频率计算、引入负反改善波形）2.LC正弦波振荡电路（起振相位条件的判断）3.电压比较器的分析（重点：单限比较器）（八）功率放大电路甲乙类OCL、OTL主要考查双电源互补对称电路的分析计算（P om、效率、选管、交越失真等）（九）直流电源1.桥式整流电路2.电容、电感滤波电路3.串联型稳压电路4.三端稳压器。
模电复习提纲(仅供参考)
模电复习提纲（仅供参考）第十章 直流电源考点：概念 直流电源的组成，各部分的作用，稳压管；几个输出电压与U2的关系；1. 直流稳压电源的组成及作用直流稳压电源是由变压、整流、滤波以及稳压四个部分构成。
直流稳压电源：将50Hz 、220V （或380V ）的单相交流电压转换为幅值稳定、输出电流为几百毫安以下的直流电压。
1) 电源变压器：将电网电压变换（降压）成所需要的交流电压。
2) 整流电路：将交流电压转换成单方向的脉动电压。
3) 滤波电路：滤除交流分量，减小脉动，产生平滑的直流电压。
4) 稳压电路：使输出电压获得更高的稳定性。
负载变化输出电压基本不变； 电网电压变化输出电压基本不变。
2. 单相半波整流电路（U 2为有效值）输出电压的平均值：3. 桥式整流电路（U 2为有效值）输出电压的平均值：4. 电容滤波电路输出电压的平均值：5.稳压二极管稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。
稳压区：反向击穿区稳定电压 UZ ：稳压管的击穿电压稳定电流 IZ ：使稳压管工作在稳压状态 的最小电流最大耗散功率 P ZM ：允许的最大功率， P ZM = I ZM U Z动态电阻 r z ：工作在稳压状态时，O(AV )2U 0.45U ≈O(AV )2U 0.9U ≈o(AV )2U 1.2U ≈伏安特性符号等效电路r z＝ΔU / ΔI6.稳压管稳压电路限流电阻的选择第九章功率放大电路（9.11）考点：熟背几个公式，概念功率放大电路与一般放大电路的区别1.2.3.最大效率:4.5.在电路参数一定时，负载上可能获得的最大的交流功率称为最大输出功率，用P om表示。
6.功率放大电路与一般放大电路的区别1)功率放大电路要有尽可能大的输出功率2)功率放大电路要有尽可能高的效率3)非线性失真尽可能小4)功率放大电路的功放管要不超过极限运用状态5)重视功率管的散热和保护第七章信号的运算和处理（习题7.6 7.10 7.19）考点：多级电路，求Uo与Ui的关系，概念有源滤波电路1.反相比例电路2.同相比例运算电路3.4.电压跟随器5.反相求和运算电路6.同相求和运算电路fO IRu uR∴=-⋅fO IRu(1)uR∴=+⋅O Iu u=I3I1I2O f123uu uu R()R R R =-++7. 加减运算电路8. 滤波电路：一种能够使特定频率的有用信号通过，同时滤除信号中无用信号频率的电路。
模电复习提纲
模电复习提纲模电复习提纲第1章1.N型半导体中的“多子”是自由电子，“少子”是空穴。
P型半导体中的“多子”是空穴，“少子”是自由电子。
2.半导体二极管具有的特性：单向导电性。
3.看P15-例1-4（考点：判断二极管是导通还是截止）和P22-1.2,1.34.稳压二极管工作在反向击穿区5.看P19-例1-5第2章1.会画会识别晶体管的符号P26-图2-22.晶体管的工作状态：放大状态――发射结正向偏置、集电结反向偏置饱和状态――发射结正向偏置、集电结正向偏置截止状态――发射结反向偏置、集电结反向偏置 3.看P30-例2-14.对于NPN型管，输出电压波形顶部失真为截止失真，底部失真为饱和失真；对于PNP型管，输出电压波形顶部失真为饱和失真，底部失真为截止失真；5.共发射极放大电路的分析要求会求静态工作点以及动态性能指标（看P62例2-8，P65-例2-9）6.共集电极放大电路、共基极放大电路只要求了解它们的特点即可（P72-73）第4章（没时间可不看，考小题）1.了解直接耦合、阻容耦合的优缺点P118、P1202.什么叫零点漂移：一个直接耦合多级放大电路的输入端短路时输出电压并非始终不变，而是会出现电压的随机漂动，这就是零点漂移，简称零漂。
3.多级放大电路总的电压放大倍数应该是各级放大电路电压放大倍数的乘积4.抑制零点漂移的概念P1295.给出一个类似P172-例5-2的图会看上限截止频率、下限截止频率、中频放大倍数第6章1.会判定反馈类型P188以及负反馈类型P1912.引入反馈的原则6点P205第7章7.2基本运算电路（同相反相比例电路、加减法运算电路）P229虚短、虚断第9章P303-9.2.2RC正弦波振荡电路选频网络能选出的频率公式要知道第11章P374-11.2.3单相桥式整流电路必须掌握（4个二极管组成那个）老师上课讲过的整流电路那题要会（附图）感谢您的阅读，祝您生活愉快。
模拟电子技术复习提纲
第3章 二极管及其基本电路知识重点：1、杂质半导体的导电机理；2、PN 结的形成及其单向导电性；3、半导体二极管的伏安特性；4、稳压管的应用基本知识：1、空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点，在本征半导体中掺入三价元素杂质后即成为P 型半导体。
2、半导体二极管只有一个PN 结，它的基本特性是具有单向导电特性。
3、稳压二极管接入电路时，一定要串入一个电阻，其原因是利用电阻调节作用。
4、下面电路中电阻R 1=6kΩ，R 2=1kΩ，试判断理想二极管D 1与D 2是导通还是截止,并计算电压V ab ，。
（）第4章 三极管及其放大电路知识重点：1、半导体三极管的放大条件以及电流控制和放大作用；2、BJT 的输入特性、输出特性及主要参数；3、BJT 的代表符号、BJT 的特性曲线，尤其是输出特性曲线的四个区域的理解；基本知识：1、双极性晶体管放大电路的三种基本放大方式为共射、共基与共集放大，其中共集放大 放大电路也叫做射极输出器。
2．三极管的输入电阻Rbe 是个动态电阻，但是与静态工作点是有关联的。
3、双极性晶体管对温度变化较敏感，硅管与锗管相比，硅管受温度影响较小。
aba b4．电压放大器的输出电阻越小，意味着放大器带负载能力越强。
5、双极性晶体管是一种电流型控制元件。
6．在基本共射电路中，若晶体管的β增大一倍，电压放大倍数也相应增大，但达不到一倍。
7、在放大电路中测得某管的3个电极电位分别为-2.5V, -3.2V,-9V，则这个三极管的管型是PNP型硅管。
8、单极放大电路的3种组态都有功率放大作用。
9、多极放大器的电压放大倍数为各级放大倍数之积。
10、一个NPN管在电路中正常工作，现测得Ube>0,Ubc>0,Uce>0，则此管的工作区为饱和区。
11、图示电路中β=50, V CC=6V, R b1=10KΩ, R b2=2KΩ , R c=2KΩ，R e=300Ω，R L=2 KΩ，试：①估算Q点(取V BE =0.7V)；②画出小信号模型图；③r be=1KΩ时，计算Av、r i与r o。
模拟电子技术复习提纲资料
;
1
;
E
C B
C
I I I I 中小值
和取不产生饱和失真不产生截止失真om
om
om CES
CEQ
om
L
CQ om
U
U
U U U U R I U 模拟电子技术复习提纲
（各章重点及公式汇编）
第三章1. 半导体
2．PN 结正偏时：反偏时：
削弱内电场增强内电场PN 结变窄，导通；
PN 结变宽，截止
第四章
1、三极管工作在放大区
2、电流分配关系
条件关系式NPN 型
PNP 型
BE 结正偏
BC 结反偏
Ic=βIb 放大功能
V BE = 0.7V(Si)
0.2V(Ge)
U CE ＞1V
V BE =- 0.7V (Si)
-0.2V (Ge) U CE ＞-1V
I E = I C +I B
3、三极管热稳定性差;
I E ≥I C ＞＞I B
反向饱和电流
I CBO ；穿透电流I CEO = (1+β) I CBO
4、共射放大器
（2）最大不失真
V om （振幅）计算
（1）图解方法：
半导体N 型P 型掺杂
5价施主杂质
3价受主杂质多子电子空穴少子
空穴
电子。
15物本《模电》复习提纲
第一章1、掺杂半导体（P型和N型）的性质。
2、PN结的特性（单向导电性）。
2、三极管是电流控制器件。
3、三极管的电流放大倍数的定义及计算。
第二章1、三极管三种基本组态电路（共射极、共集电极电路）2、放大电路的画微变等效电路图。
3、静态工作点的计算。
4、共射极放大电路输入和输出电阻。
电压放大倍数和源电压放大倍数。
（参考：中考题二、1）第三章1、上限截止频率f H、下限截止频率f L的定义。
通频带宽f Bw=f H-f L.2、信号失真：分为线性失真和非线性失真。
线性失真又分为频率失真和相频失真。
3、造成放大电路高频和低频放大位数下降的原因。
4、多级放大电路的放大倍数和通频带的变化。
第四章1、场效应管是电压控制器件。
2、场效应管的种类：结型场效应管和MOS管的性质、工作原理，挟断电压和开启电压。
第五章1、瞬时极性法及其应用。
2、四种负反馈组态及反馈类型的判断。
（第5章作业13题；中考题二、2）3、负反馈对放大电路性能的影响。
4、负反馈如何改变电路的输入、输出电阻。
第六章1、集成运放的组成部分（方框图）及各部分的作用和名称。
2、差动放大电路设计的最初目的是什么？。
3、造成直接耦合电路零点漂移内因。
4、长尾式放大电路的计算（参看P127）第七章1、运放的理想化条件是什么？2、同、反相比例运算电路。
3、代数求和电路（使用反相求和形式）的计算（参看P163）.4、各种电压比较器的传输特性（P175）第八章。
即：包含：1）正反馈；2）选频网络；3）放大电1、产生正弦波振荡的条件：1A⋅F≥.路，4）稳定电路。
同时，满足1A⋅F≥2、LC电路谐振（振荡）频率计算。
3、RC振荡电路电压放大位数的计算。
（课本P 206）。
振荡频率计算。
4、LC正弦波振荡电路的相位判断（作业P213第11题）第九章1、复合管的类型判断。
2、低频电路计算（练习：P229第10题）。
第十章1、直流电源方框图，各部分构成的名称。
2、220伏降压变压器、桥式整流电路、π型滤波器电路。
模拟电子技术复习提纲
第8 章
波形的发生和信号的转换
（1）了解振荡电路的组成、产生正弦波振荡的振荡条 了解振荡电路的组成、 相位平衡条件和幅度平衡条件， 件、相位平衡条件和幅度平衡条件，集成电压比较器种 类和各自的特点。 类和各自的特点。 （2）理解电压比较器的作用和分类以及迟滞比较器和 窗口比较器的工作原理和传输特性。 窗口比较器的工作原理和传输特性。
第5 章 放大电路的频率响应 主要以课件为主） （主要以课件为主）
（1）掌握概念：三极管的特征频率fT ,放大电路的中频 掌握概念：三极管的特征频率 放大电路的中频 增益A 下限频率f 和上限频率f 增益 VM、下限频率 L和上限频率 H 。 （2）掌握频率响应的概念和分析方法，掌握波特图 掌握频率响应的概念和分析方法，掌握波特图 频率响应的概念和分析方法
第10章 10章
直流电源
（1）要求学生掌握桥式整流电容滤波电路的构成、工 要求学生掌握桥式整流电容滤波电路的构成、 作原理
第9 章
功率放大电路
（1）了解功率放大的基本概念以及主要技术指标。理 了解功率放大的基本概念以及主要技术指标。
解功率放大电路的基本要求以及功率放大电路的主要特 点。 （2）掌握甲类、乙类和甲乙类工作状态的概念和特点 掌握甲类、 电路的组成和工作原理、 （3）掌握OCL和OTL电路的组成和工作原理、最大输 掌握 和 电路的组成和工作原理 出功率和效率的估算方法； 出功率和效率的估算方法；掌握交越失真的概念以及克 服交越失真的基本方法。 服交越失真的基本方法。
习
集成运放构成的放大电路
半导体二极管及其基本电路
（1）掌握概念：空穴、扩散运动、漂移运动、 掌握概念：空穴、扩散运动、漂移运动、 型半导体、 型半导体、多子、少子、 N型半导体、P型半导体、多子、少子、 反向击穿、反向击穿电压、 反向击穿、反向击穿电压、导通电压等 （2）掌握PN结偏置电压的加法和PN结的单向导电性。 掌握PN结偏置电压的加法和PN结的单向导电性。 PN结偏置电压的加法和PN结的单向导电性 （3）掌握二极管的符号和伏安特性 （4）了解二极管电路的分析方法，熟练掌握应用二极管 了解二极管电路的分析方法， 的理想模型和恒压降模型分析电路的方法。 的理想模型和恒压降模型分析电路的方法。 （5）掌握稳压管的符号、伏安特性和应用。 掌握稳压管的符号、伏安特性和应用。
（完整版）模电总结复习资料
（完整版）模电总结复习资料第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素（多⼦是空⽳，少⼦是电⼦）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素（多⼦是电⼦，少⼦是空⽳）。
6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度，少⼦浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截⽌。
8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通，反向截⽌。
*⼆极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析⽅法------将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。
第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
模拟电子复习大纲
电子技术1（模拟部分）复习要点第一章绪论了解电子系统的构成与基本作用、放大电路的基本知识。
第二章运算放大器1、放大的概念、放大电路框图、2、放大电路主要性能指标（输入电阻、输出电阻、放大倍数（或增益））3、运放的电压传输特性，线性工作区特点4、理想运放、虚短、虚断和虚地的概念，及其在推导运算放大器线性运算关系时的应用。
掌握：运算放大器线性运算输入输出关系的推导方法，包括：①同相和反相放大（比例运算）②求差、求和（减法运算、加法运算）③微分、积分运算电路④多个运算放大器组合的运算电路（例题、习题要很熟悉）5、单限比较器、滞回比较器（阀值电压、传输特性、波形）第三章半导体基础知识1、熟悉下列定义、概念：本征半导体、杂质半导体、载流子、扩散与漂移、复合，PN结、耗尽层、PN结的特性曲线、2、二极管的单向导电性，V-I特性、主要参数，二极管的简化模型（理想模型、恒压降模型），温度对二极管的性能的影响3、二极管电路的分析（判断理想二极管导通与否的方法及其应用，共阴极或共阳极二极管的优先导通问题。
）。
4、齐纳（稳压）二极管V-I特性、主要参数，稳压管稳压电路，限流电阻的作用（IZMAX ＜IZ＜Izmin第四章双极结型三极管及其放大电路一、三极管1、BJT的电流放大作用及电流分配关系三个重要的电流分配关系式：2、晶体管的输入特性和输出特性α、β，I CM, P CM：P CM ,U CBO、U CEO和U EBO。
过损耗区、过电流区、击穿区和安全工作区。
5、温度对晶体管特性及参数的影响温度对I CBO和I CEO等由本征激发产生的平衡少子形成的电流影响非常严重。
U BE具有负温度系数。
当温度升高时，I CEO和β增大，输入特性左移，最终导致集电极电流增大。
6、根据静态电位判断三极管及其工作状态。
二、基本放大电路的分析计算1、三极管放大电路的基本接法（基本组态），信号放大原理（从图解分析法来理解）共射极放大电路： [包括：固定偏置电路和工作点稳定电路]共集电极放大电路(射极输出器)：共基极放大电路：）2、基本放大电路的静态分析直流通路、静态工作点及其稳定、直流负载线、求静态工作点的估算法，电路参数对静态工作点的影响。
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模拟电子线路课程内容概要(复习提纲)1. 半导体器件基础：(1) 了解半导体的结构，弄清什么是本征半导体,什么是N 型半导体，什么是P 型半导体，以及它们的多数载流子是什么？少数载流子是什么？答：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。
在4价的硅(或错)晶体中掺入少量的 5价杂质元素，如磷，镣，碑等，这种杂质半导体主要依靠电子导电的半导体称电子型半导体或 N 型半导体。
其多数载流子为电子，少数载流子为空穴；在4价的硅(或错)晶体中掺入少量的 3价杂质元素，如硼，镣，锢等，这种杂质半导体主要依靠空穴导电的半导体称空穴半导体或 P 型半导体。
其多数载流子为空穴，少数载流子为电子。
(2) PN 结具有哪些特性，主要特性是什么？二极管的导通条件是什么？二极管的管压降为多少？什么是门坎电压？必须了解二极管的伏安曲线。
答：PN 结有单向导电性、感光特性、感温特性、变容特性、变阻特性，其主要特性是单向导电性。
二极管的导通条件是 PN 结正向偏置。
硅二极管的管压降为 0.6~0.8V ，错二极管的管压降为 0.2~0.3V 。
门坎电压即死区电压，是指二极管刚好导通时两端的电压差，硅二极管的死区电压为0.5V 左右，错二极管的死区电压为0.1V 左右'正向电(3) 三极管的导电机理是什么？三极管起正常放大作用的外部条件是什么？能否通过三极管各电极电位来判断它的工作状态。
三极管的输出特性曲线分为哪几个区域？起正常放大作用的三极管必须工作在哪些区域上？答：三极管导电机理是当基极电压Ub 有一个微小的变化时，基极电流也会随之有一小的变化，受基极电流 Ib 的控制，集电极电流Ic 会有一个很大的变化，基极电流Ib 越大，集电极电流Ic 也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。
三极管起正常放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。
发射极反偏，集电极反偏为截止状态；发射极正偏，集电极反偏为放大状态；发射极正偏，集电极正偏为饱和状态，由此来判断它的工作状态。
三极管的输出特性曲线分饱和区、放大区和截止区，起正常放大作用的三极管必须工作在放大区。
2. 放大电路基础：(1) 要弄清放大电路有哪几个部分组成，什么是输入回路和输出回路。
放大器的电压放大倍数以及通频带是怎样定义的？静态工作点是指哪些参数，为什么要设置静态工作点？稳定静态工作点的电路有哪些？怎样稳定？答：放大电路有信号源、放大器、负载组成。
输入信号与晶体管组成的回路就是输入回路，负载与晶体管组成的回路就是输出回路。
1将放大器输出电压与输入电压的变化量之比定义为放大器的电压放大倍数；通常将放大倍数在高频和低频段分别下降至中频段放大倍数的 花 时所包括的频率范围，定义为通频带。
静态工作点是指Ib, Ic , Uce 。
设置合适的静态工作点，使信号的整个周期内晶体管始终工作在放大状态，输出信号才不会产生失真。
稳定静态工作点的电路有电压负反馈的偏置稳定电路、电流负反馈式工作点稳定电路和典型的分压式偏置稳定电路。
电压负反馈的偏置稳定电路的特点是将电阻Rb 的上端从原来的接正电源改接为三极管集电极，这样就能将集电极的电压变化情况反映回输入端(基极)以稳-可编辑修改-50正向电压Ube -Uce Uce定工作点，这种电路的基极电流为Ib = ------------------ & ----- ，可见Ib 是随Uce 的变化而变化，假设温度上升时，E 要增大，Ib 增加，Ic 也增加，则UceRb Rb要下降，而Uce 的下降又牵引到Ib 的降低。
即这样的电路会自动调整 Ib 基本不随温度变化而变化，即达到工作点基本稳定的目的。
Uce - Ube - Ue Uce — Ue电流负反馈式工作点稳定电路的特点是在发射极中串接一个R e 和 Ce ，则Ib =& ,式 中 Rb RbUe = Ie •Res ： Ic,Re ，可知发射极电阻 Re 上的电压Ue 对基极电流Ib 有影响。
当温度上升时，Ib 增加，Ie 也增加，使Ue 也增加，于是Ib 会 相应地减小，这样可利用它来牵制 Ie 和Ic 变化，达到工作点稳定的目的。
Rb2Rb1和Rb2进行分压来固定基极电位，Ub 财Vcc • ，由于Vcc ，Rb1，Rb2是不Rb1 Rb2随温度而变化的，所以Ub 能基本保持不变。
再利用发射极电阻Re 来获得反映电流Ie 的变化信号，然后再反馈到输入端实现工作点的稳定。
(2)要能画出所学习过的放大器的直流通路、交流通路和微变等效电路。
答：画直流通路时，应将隔直电容开路；画交流通路时，应将电容短路，此外，集电极直流电源 Vcc 也应短路。
微变等效电路的画法为：①画出交流通路；②在图中找出三极管的三个极，用简化 H 参数等效电路来代替三极管；③将其它元件按照原来的相应位置画出，并用向量符号标出各电压和电流量。
(3) 应能利用直流通路、交流通路和微变等效电路来计算共射电路及共集电路的静态工作点、答：静态工作点：画出直流通路:输入输出电阻：画出交流通路和微变等效电路:典型的分压式偏置稳定电路的特点是利用电阻 电压放大倍数、输入与输出电阻。
共射电路:I BQVcc -U BEQ - ----- -- ,RbBQ ,UCEQ = Vcc - I CQ Rc 。
I BQVcc - U BEQRb （1 ：）ReCQ=：I BQU CEQ =Vcc -I EQ Re : Vcc-ICQRe 。
电压放大倍数：共射电路:，其中 R L = Rc// R L 。
共集电路:U iU O U irbe（1 ：） Re '「be （1：）Re '其中 Re =Re//R L 。
共射电路:Ri =「be // Rb , Ro=RG共集电路:Ri = [r be +（1+E ）Re ']//Rb , Ro「be RS1 ://Re 。
(4)要能判断放大电路属于哪种接法的电路,要能分析基本放大器的工作原理。
要了解多级放大器(包括直流放大器)的级间耦合方式以及多级放大器的放大倍数的计算。
答：画出等效电路，看三极管的哪个端是输入信号和输出信号的公共端。
常用的耦合方式有阻容耦合，变压器耦合，光电耦合，直接耦合等，最常用的是阻容耦合和直接耦合。
(具体的在笔记)多级放大器的放大倍数：多级放大电路总的放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积，即Au = Au 1 • Au 2 • Au 3 , ♦Au n 为了方便计算，常Gu = 20lg 生 =20 lg Au ,单位dB利用对数的方法来表示放大倍数，称为增益，电压增益Gu与电压放大倍数Au的关系为U i(5)要能判断电路能否起放大作用，不能起放大作用的，应能说明原因。
答：3, 集成运放电路与运算电路：(1) 要了解集成运放电路的特点及基本结构，直流放大器为什么会产生零点漂移问题，如何利用补偿法来抑制“零漂”,为什么运放的输入级都要采用差动放大器，差动放大器的公共发射极电阻主要起什么作用。
共模抑制比是什么？答：集成运放电路的特点：①由于制造的原因，几乎大部分电路采用直接耦合方式。
②为克服零点漂移问题，大多数电路采用差动放大电路。
③通常采用恒流源来代替大阻值的电阻，或用来设置电路的静态工作点。
④采用复合管的连接来改善单管的性能。
产生零点漂移的的主要原因是放大器件的参数受温度的影响而发生波动，导致放大电路的静态工作点不稳定，是静态工作点的缓慢变化逐级传递和放大。
因此，一般来说，直接耦合放大电路的级数越多，放大倍数越高，则零点漂移问题越严重。
在放大电路中接入另一个对温度敏感的元件，如热敏电阻，半导体二极管等，使该元件在温度变化时产生的零漂，能够抵消放大三极管产生的零漂。
(课本P89)将两个参数对称的单管放大电路接成差动放大电路，理想状态下，在静态时，两管子产生的零点漂移是完全相同的，这样就可以使它们产生的零漂互相抵消。
差动放大器的公共发射极电阻Re的作用是引入一个共模负反馈，使共模放大倍数Ac减小，降低了每个管子的零点漂移，但对差模放大倍数Ad没有影响，因此提高了电路的共模抑制比。
K CMR = 20lg俱。
K CMR越大，说明抑制零漂的能力共模抑制比定义为差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比，一般用对数表示单位为dB,即Ac越强。
(2) 集成运放用于运算电路中必须引入什么样的负反馈？而用在电压比较器电路中呢？• •答：集成运放用于运算电路中必须引入深度负反馈，即AF »1。
而电压比较器则工作于开环或正反馈状态下。
(3) 在分析计算运算电路时。
所考虑的运放的“虚地”、“虚断”和“虚短”的意思是什么？要求应能计算常用的运算电路的输出电压。
答：虚短：由于运放工作在线性区，故输出、输入之间符合关系式uo=A od(u + — u_),而且，因理想运放的A o^°° ,所以可得u。
u + — u = ----- = 0 ,即u + = u ，此式表示运放同向输入端与反向输入端两点电压相等，如同将该两点短路一样，所以将这种现象称为“虚短”。
一A od 一虚断：由于理想运放的差模输入电阻r id=°°，因此在其两个输入端均没有电流，即i + =i_=0，此时，运放的同向输入端和反向输入端的电流都等于零,如同该两点被断开一样，这种现象称为“虚断” 。
虚地：输入端一端接地即u + = 0或u_ = 0，由于有虚断即u+ = u_的概念，则u+ = u_=0，此时运放的同向输入端和反向输入端的电压都为零，如同两端都接地了一样，这种现象称为“虚地" 。
常用运算电路：①反向比例运算：R f …一一一——u i ,其中R2 = R i // R f。
R i〃R f、u°= (1 +—川，其中R2 = R i // R f oR i③其他运算：a.加法运算:=-i F R f = -R f (也土业（其它运算电路参照笔记）4, 放大电路中的反馈：（1）要弄清楚反馈的概念，什么是反馈通路，应能判断正反馈还是负反馈，是交流反馈还是直流反馈，是电流反馈还是电压反馈（即判断反馈电路的组态）答：反馈通常是指将放大电路中的输出量（输出电压或输出电流）或输出量的一部分通过一定方式，反送到放大电路的输入回路中去。
如果引入的反馈信号增强了外加输入信号的作用，从而使放大电路的放大倍数得到提高，这样的反馈称为正反馈；相反，如果反馈信号削弱了外加输入信号的作 用，使放大电路的放大倍数降低，则称为负反馈。
如果反馈信号中只包含直流成分，则称为直流反馈；若反馈信号中只有交流成分，则称为交流反馈。
如果反馈信号取自输出电压，称为电压反馈；如果反馈信号取自输出电流，则称为电流反馈。