现代电子线路基础(陆利忠)第2章习题答案

合集下载
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

习题

145

习 题

2.1 求题图2.1电路的静态工作点I CQ 和V CEQ 的值。已知晶体管的V BE =-0.7V ,50β=。

R B1

R B2

R G

6.8k Ω

22k Ω

100k Ω

R G1

15k Ω

题图2.1

题图2.2

解:转换为戴维南等效电路如下图:

+V CC R C

其中2

2

1

21

2.8,|| 5.2B B CC B B B B B R V V V R R

R

k R R =⨯

=-==Ω+

列输入回路KVL 方程:||(2.80.7)38(5.2501)B BE BQ B E V V V

I A R R k μβ--=

==++⨯Ω

, 1.8CQ BQ I I mA β==

() 3.8CEQ CC CQ C E V V I R R V =++=-

2.2 已知题图2.2电路中场效应管的夹断电压V P =-2V ,工艺参数21.25mA/V k =。求静态工作点V GSQ 、I DQ 和V DSQ 的值。

解:耗尽型N 沟道MOSFET 管,采用混合偏置:

21

()

3.13GSQ G DQ S

DQ GSQ P G

G DD G G V V I R I

k V V R V V V

R R =-⨯=-=⨯

=+,解得:

12123.4, 1.93.67,0.67DQ DQ GSQ GSQ I mA I mA V mA V mA

===-=- 

作为耗尽型N 沟道MOSFET 管而言,要求2GSQ P V V ≥=-V 此时DQ ()I 24 1.911.27DSQ DD D S V R R mA k V =-+=-⨯Ω=V(4.7+2)

2.3 放大电路及其静态图解如题图2.3所示。试估算电路的静态工作点I CQ 和V CEQ 各为多少?集电极电阻R C 为多少?

R

L

4

12

8

(V)

(b)

(a)

题图2.3

解:从输出特性曲线可知:V CC =12 V

因此CC BE

BQ

B

V-V(120.7)12

I=60

R200200

V V

A

k k

μ

-

=≈=

ΩΩ

(必忽略V BE,否则输出曲线上无对应点)

对应输出特性曲线:

CQ

I=6m A(找出

B

I=60u A曲线,平行于横轴作平行线与纵轴交点)

CEQ CC CQ C

V=V-I R

⨯,故

C

1

R k

=Ω,

CEQ

6

V V

=。

2.4 在测绘某电子设备的部分电路时,画得放大电路如题图2.4所示,但半导体器件型号模糊不清。试判断画出一种可能的可以使该电路正常工作的管子符号。

1

2

4

3

5

题图2.4

题图2.5

解:因为直流偏置电压源是+

V CC

如果是晶体管,则为NPN型;如果是场效应管,则为N沟道(增强型或耗尽型);

1

2

3

2.5 某放大器的图解如题图2.5所示。问:

(1) 放大器的静态工作点(V CEQ,I CQ)为多少?

(2)放大器的直流负载和交流负载电阻各为多少?

(3)放大器的直流电源电压为多少?放大器的输出不失真动态范围约为多少伏?

解:1) 从输出特性来看,静态工作点是直流负载线和交流负载线的交点,故5,2

CEQ CQ

V V I mA

==;

2) 从特性曲线看,负载电阻是负载线斜率倒数,故

(75)8

1, 1.6

(20)5

A D

V V

R k R k

mA mA

-

==Ω==Ω

-

注:从特性曲线看,交流负载线与纵轴不相交,故需要把Q点作为参照;

3) 从输出特性来看,直流电压源是直流负载线与横轴交点,故8

CC

V V

=;

从输出特性来看,信号不失真动态范围是交流负载线左右两侧距Q点最小值,由于Q点偏低,故

直接取右侧,从图上可以看出,|()| 6.85 1.8

s

V t V

≤-=

习题

147

2.6 场效应管放大电路及其静态图解如题图2.6所示。试估算电路的静态工作点I DQ 和V GSQ 各为多少?源极电阻R S 的值为多少?漏极电阻R D 的值为多少?

R G

(a)

(b)

4128(V)

(c)

解:采用耗尽型N 沟道MOSFET ,且采用自给偏置。

() DS GS G S S D S D GS V

V V I R I R I f V =-=-⎫⎪⎬=⎪⎭

,从转移特性曲线看出:5,2DQ GSQ I mA V V ==- 由于GS D S V I R =-,以Q 点作参照,则400S R =Ω

由于()DSQ DD D S D V V I R R =-+,故直流负载线斜率倒数对应电阻()S D R R +,求得600D R =Ω; 2.7 在题图2.7所示放大电路中,已知晶体管的50β=,V BE =0.7V 。 (1) 计算工作点I CQ 和V CEQ ;

(2) 若要求I CQ =0.5mA ,V CEQ =6V ,求所需的R B 和R C 的值(标称值)。

R B2

R B1

47k Ω

15k Ω

R L 6.8k Ω

题图2.7 题图2.8

解:1) 工程估算法:CC BE BQ B

V -V (120.7)12I =24R 500500V V

A k k μ-=≈=Ω

Ω

5024 1.2CQ BQ I I mA β==⨯=,12 1.2 6.8 3.84CEQ CC C CQ V V R I V =-=-⨯= 2) 12CEQ CC C CQ C V V R I R k =-=Ω根据得到

/10BQ CQ I I A βμ==,CC BE B BQ V -V 12R = 1.2I 10uA V M ≈=Ω

说明:若考虑V BE 影响,则结果与书中参考答案一致。

2.8 电路如题图2.8所示。已知晶体管的100β=,V BE =-0.3V 。

(1) 当偏置电阻R B1、R B2分别开路,估算集电极电位V C 的值,并说明管子的工作状态。

(2) 若R B2开路时要求I CQ =2mA ,确定R B1应取多大 (标称值)。 解:1) 工程估算法:CC BE BQ B

V -V (120.7)12I =24R 500500V V

A k k μ-=≈=Ω

Ω

2.9 判断题图2.9中各电路是否具有正常放大作用?若无正常放大作用则说明理由。

相关文档
最新文档