半导体行业常用名词解释
半导体行业内相关名词
半导体行业内相关名词
1. 微处理器（Microprocessor）: 是一种集成电路，用于执行计算机的指令和操作。
2. 芯片（Chip）: 是半导体材料上制造的集成电路，可以执行特定的功能。
3. 功率半导体（Power semiconductor）: 用于控制和调节电流和电压的半导体器件，常用于电力电子系统和功率放大器等应用。
4. 二极管（Diode）: 是一个具有两个电极的电子器件，主要用于限制电流的方向。
5. 晶体管（Transistor）: 是一种用于放大和开关电路的半导体器件，常用于电子设备中。
6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）: 是一种常用的功率半导体器件，被广泛应用于电子电路中。
7. LED（Light-emitting diode）: 是一种能将电能转化为光能的半导体器件，常用于照明、显示和指示等应用。
8. MEMS（Microelectromechanical systems）: 是一种微型机械器件，由微芯片上的微电子器件和微机械系统组成。
9. IC（Integrated circuit）: 是一种通过集成电路制造技术将多个电子器件集成在一起制成的器件。
10. Wafer（晶圆）：也称为半导体晶圆，是用来制造集成电路和微电子器件的基础材料之一。
以上只是半导体行业内的一些常见名词，还有许多其他名词和专业术语与该行业相关。
干货半导体行业重要术语解释
干货半导体行业重要术语解释来源：旺材芯片双极扩散系数：过剩载流子的有效扩散系数。
双极迁移率：过剩载流子的有效迁移率。
双极输运：具有相同扩散系数、迁移率和寿命的过剩电子和空穴的扩散、迁移和复合过程。
双极输运方程：时间和空间变量描述过剩载流子状态函数的方程。
载流子的产生：电子从价带跃入导电，形成电子-空穴对的过程。
载流子的复合：电子落入价带中的空能态（空穴）导致电子-空穴对消灭的过程。
过剩载流子：过剩电子和空穴的总称。
过剩电子：导带中超出热平衡状态浓度的电子浓度。
过剩少子寿命：过剩少子在复合前存在的平均时间。
产生率：电子-空穴对产生的速（#/cm3-s）。
小注入：过剩载流子浓度远小于热平衡多子浓度的情况。
少子扩散长度：少子在复合前的平均扩散距离：数学表示为，其中D和τ分别为少子寿命。
准费米能级：电子和空穴的准费米能级分别将电子和空穴的非平衡浓度状态浓度与本征载流费米能级联系起来。
复合率：电子-空穴对复合的速率#/cm3-s）。
表面态：半导体表面禁带中存在的电子能态。
电导率：关于载流子漂移的材料参数；可量化为漂移电流密度和电场强度之比。
扩散：粒子从高浓度区向底浓度区运动的过程。
扩散系数：关于粒子流动与粒子浓度剃度之间的参数。
扩散电流：载流子扩散形成的电流。
漂移：在电场作用下，载流子的运动过程。
漂移电流：载流子漂移形成的电流。
漂移速度：电场中载流子的平均漂移速度。
爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系。
霍尔电压：在霍尔效应测量中，半导体上产生的横向压降。
电离杂质散射：载流子忽然电离杂质原子之间的相互作用。
迁移率：关于载流子漂移和电场强度的参数。
电阻率：电导率的倒数；计算电阻的材料参数。
饱和速度：电场强度增加时，载流子漂移速度的饱和度。
受主原子：为了形成P型材料而加入半导体的杂质原子。
载流子电荷：在半导体内运动并形成电流的电子和（或）空穴。
杂质补偿半导体：同一半导体区域内既含有施主杂质又含有受主杂质的半导体。
半导体器件名词解释汇总
半导体器件名词解释汇总
半导体器件是一种基于半导体材料制造的电子元件，用于控制电流和电压。
以下是一些常见的半导体器件名词解释：
1. 二极管（Diode）：由P型半导体和N型半导体组成，用于
限制电流的流动方向。
2. 整流器（Rectifier）：将交流电转换为直流电的装置，常由
二极管组成。
3. 可变电阻（Varistor）：一种电阻值可变的器件，用于保护
其他元件免受电压过高的损坏。
4. 三极管（Transistor）：由三个区域组成的半导体器件，用
于放大和控制电流。
5. 场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）：一种三极管，其电流控制通过操控电场。
6. 绝缘栅双极型场效应晶体管（Insulated-Gate Bipolar Transistor，IGBT）：一种在功率控制电路中广泛应用的高压、大功率半导体器件。
7. 集成电路（Integrated Circuit，IC）：在一块半导体芯片上
集成了多个电子元件，如晶体管、电容和电阻。
8. 电容（Capacitor）：用于存储电荷的器件，由两个导体之间
的绝缘层组成。
9. 电阻（Resistor）：用于控制电流流过的器件，阻碍电流流动。
10. 电感（Inductor）：通过电磁感应产生电动势的元件，能够抵抗电流变化。
这些是一些常见的半导体器件名词解释，实际上还有许多其他类型的半导体器件。
半导体行业的英单词和术语
半导体行业的英单词和术语1. Semiconductor（半导体）：指一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，广泛应用于电子器件中。
3. Integrated Circuit（集成电路）：简称IC，将大量的微小电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一块半导体芯片上。
4. Transistor（晶体管）：一种半导体器件，具有放大信号和开关功能，是现代电子设备的基础组件。
5. Diode（二极管）：一种具有单向导通特性的半导体器件，常用于整流、稳压等电路。
6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：一种常见的晶体管类型，广泛应用于放大器和开关电路。
7. CMOS（互补金属氧化物半导体）：一种集成电路技术，采用NMOS和PMOS晶体管组合，具有低功耗、高集成度等优点。
8. Wafer（晶圆）：指经过切割、抛光等工艺处理的半导体材料，用于制造集成电路。
9. Photolithography（光刻）：在半导体制造过程中，利用光刻技术将电路图案转移到晶圆上的过程。
10. Etching（刻蚀）：在半导体制造过程中，通过化学反应或物理方法去除晶圆表面不需要的材料。
11.掺杂（Doping）：在半导体材料中引入其他元素，以改变其导电性能。
12. Chip（芯片）：指经过封装的集成电路，是电子设备的核心组成部分。
13. PCB（印刷电路板）：一种用于支撑和连接电子元件的板材，上面布满了导电线路。
14. Moore's Law（摩尔定律）：指集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，预测了半导体行业的发展趋势。
15. EDA（电子设计自动化）：指利用计算机软件辅助设计电子系统，包括电路设计、仿真、验证等环节。
16. Foundry（代工厂）：专门为其他公司生产半导体芯片的企业。
17. Semiconductor Equipment Manufacturer（半导体设备制造商）：为半导体行业提供生产设备的公司。
半导体相关的名词解释
半导体相关的名词解释引言在当今高科技时代，半导体技术得到了广泛应用，成为现代社会的重要支柱。
然而，对于普通大众来说，半导体技术可能还比较陌生。
因此，本文将为您解释一些半导体相关的名词，帮助您更好地了解这一领域的知识。
一、半导体半导体是指电阻介于导体与绝缘体之间的物质，其电导率介于导体与绝缘体之间。
它的特殊之处在于，其导电性能可以通过施加外加电场或温度的改变而发生显著变化。
半导体材料常用的有硅（Silicon）和锗（Germanium），其在电子学和光电子学等领域具有广泛的应用。
二、PN结PN结是半导体器件中常见的一种结构，由P型（正型）半导体和N型（负型）半导体结合而成。
P型半导体中的“P”代表的是正电荷载体空穴（holes），而N型半导体中的“N”代表的是负电荷载体电子。
PN结的作用是将半导体划分为两个区域，形成电场和不同的导电性质，常用于二极管和晶体管等电子元件中。
三、二极管二极管是半导体器件中最简单也是最基本的一种。
它由PN结组成，电流在正向偏置（即P端为正，N端为负）时能够被导通，而在反向偏置时则能够阻断电流的流动。
二极管常用于电路中的整流和信号检测等功能。
四、晶体管晶体管是一种三端的半导体器件，由PNP或NPN三层结构组成。
它是电子技术领域的重要基石，被广泛应用于放大、开关、模拟信号处理和数字信号处理等电路中。
晶体管的工作原理是利用电场和电子流控制电流的放大和传输。
五、集成电路集成电路是将大量的晶体管、二极管和其他元件集成在一起的电路。
与传统的离散式电路相比，集成电路具有体积小、功耗低和可靠性高的优点。
它是现代电子设备的核心组成部分，广泛应用于计算机、手机、电视等电子产品中。
六、半导体光电子学半导体光电子学是指将半导体材料应用于光电子技术的领域。
在半导体材料中，电子和空穴之间的能级距离较小，因此半导体具有良好的光电转换特性。
半导体激光器、光电二极管和太阳能电池等都是半导体光电子学领域的重要应用。
半导体名词解释
1.何谓 PIE? PIE 的主要工作是什幺 ?答： Process Integration Engineer( 工艺整合工程师 ), 主要工作是整合各部门的资源 , 对工艺持续进行改善 , 确保产品的良率（ yield ）稳定良好。
2. 200mm ， 300mm Wafer 代表何意义 ?答： 8 吋硅片 (wafer) 直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即 12 吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片 (wafer) 工艺？未来北京的 Fab4(四厂 ) 采用多少 mm的 wafer 工艺？答：当前 1~3 厂为 200mm(8英寸 ) 的 wafer, 工艺水平已达 0.13um 工艺。
未来北京厂工艺wafer 将使用 300mm(12英寸 ) 。
4. 我们为何需要 300mm?答： wafer size 变大，单一 wafer 上的芯片数 (chip) 变多，单位成本降低200→300 面积增加 2.25 倍 , 芯片数目约增加 2.5 倍5.所谓的 0.13 um 的工艺能力 (technology) 代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到 0.13 um的栅极线宽。
当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。
6.从 0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的 technology 改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。
从 0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um ->0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
7. 一般的硅片 (wafer) 基材 (substrate) 可区分为 N,P 两种类型（type ）,何谓 N, P-type wafer?答： N-type wafer 是指掺杂 negative As) 的硅片 , P-type 的 wafer 是指掺杂 positive B、In) 的硅片。
半导体物理名词解释
1、离子晶体：正负离子交替排列在晶格格点上，靠离子键结合成的晶体。
共价晶体：由共价键结合形成的晶体。
2、布拉菲点阵：实际晶体可以看作基元在空间的周期性重复排列。
把基元看作是一个几何点，按晶体相同的周期在空间进行排列得到的点阵称为这种晶体的布拉菲点阵。
3、原胞：构成布拉菲点阵的最小平行六面体，格点只能在顶点。
晶胞：布拉菲点阵中能反映其对称性前提下的体积最小的重复单元。
4、施主杂质：能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质。
受主杂质：能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心的杂质。
施主电离能：多余的一个价电子脱离施主杂质而成为自由电子所需要的能量。
受主电离能：使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需要的能量。
5、量子态密度：单位K空间中的量子态数目称为量子态密度。
状态密度：单位能量间隔内的量子态数目称为状态密度。
有效状态密度：所有有可能被电子占据的量子态数。
6、深杂质能级：能在半导体中形成深能级的杂质元素。
将其引入半导体中，形成一个或多个能级。
该能级距离导带底、价带顶较远，且多位于禁带的中央区域。
浅杂质能级：能在半导体中形成浅能级的杂质元素。
在半导体禁带中靠近导带边缘的杂质。
7、空穴：在电子挣脱价键的束缚成为自由电子，其价键中所留下来的空位。
8、有效质量：粒子在晶体中运动时具有的等效质量，它概括了半导体内部势场的作用。
有效质量表达式为：9、理想半导体：晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，纯净不含杂质的，晶格结构是完整的。
实际半导体：原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动，含有若干杂质，存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。
10、直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。
间接复合：导带中的电子通过禁带的复合中心能级与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为间接复合。
11、复合率：单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。
非平衡载流子的复合率（净复合率）：产生率：单位时间单位体积内所产生的电子-空穴对数。
半导体 标准术语
半导体标准术语
半导体是指电导率介于导体和绝缘体之间的材料。
标准术语是指在半导体领域中被广泛接受和使用的术语和定义。
以下是一些半导体领域常见的标准术语：
1. PN结：由p型半导体和n型半导体构成的结，具有整流性质。
2. 硅：半导体材料中最常用的元素之一，常用符号为Si。
3. 锗：半导体材料中常用的元素之一，常用符号为Ge。
4. 掺杂：向半导体材料中引入少量杂质，改变其电导性质的过程。
5. 芯片：由半导体材料制成的微小电子器件，常用于集成电路中。
6. 导带：半导体中的能带，带有自由电子，可导电。
7. 价带：半导体中的能带，带有能够容纳电子的轨道。
8. 势垒：在PN结中形成的电势差，阻止电流的流动。
9. 禁带宽度：导带和价带之间的能量差，决定了半导体的导电性质。
10. 整流器：利用PN结的整流性质将交流电转换为直流电的
器件。
这些是半导体领域中常见的一些标准术语，但并不包括全部。
半导体科学和技术的发展不断涌现出新的术语和概念，因此标准术语也在不断更新和发展。
半导体部分名词解释
1.单电子近似：即假设每个电子是周期性排列且在固定不动的原子核势场及其它电子的平均势场中运动。
该势场是具有与晶格同周期的周期势场。
2.电子共有化运动：电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去。
因而电子将可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运动。
电子的共有化运动只发生在能量相同的壳层，其中最外层电子的公有化运动最显著。
3.电子在晶体内的共有化运动：晶体中电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其它晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动。
这种运动称为电子在晶体内的共有化运动。
4.准自由电子：组成晶体的原子的外层电子共有化运动较强，其行为与自由电子近似，称为准自由电子。
5.本征激发：价带上的电子激发成为准自由电子。
亦即价带电子激发成为导带电子的过程称为本征激发。
6.有效质量的意义：它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用。
7.间隙式杂质：杂质原子进入半导体后，杂质原子位于晶格原子间的间隙位置称为间隙式杂质。
通常外来杂质半径臂、比原晶格原子半径小很多。
8.替位式杂质：杂志原子进入半导体后，杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，常称为替位式杂质。
通常外来杂质半径与原晶格原子半径大小比较相近。
9.杂质电离：电子脱离杂志电子的束缚成为导电电子的过程称为杂质电离。
10.施主电离：施主杂质释放电子的过程叫做施主电离。
11.受主电离：空穴挣脱受主杂志束缚的过程称为受主电离。
12.施主杂质：杂质电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或n型杂质。
13.n型半导体：通常把主要依靠导带电子导电的半导体称为电子型或n型半导体。
14.受主杂质：杂质在纯净半导体中能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称它们为受主杂质或p型杂质。
15.施主能级：被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级。
半导体行业术语
反向的直流电压，如此残留在晶粒上氧化层与金属层之外来杂质离子或
腐蚀性离子将容易游离而使故障模式（Failure Mode）提早显现出来， 达到筛选、剔除「早期夭折」产品之目的。预烧试验分为「静态预烧」
（Static Burn in）与「动态预烧」（Dynamic Burn in）两种，前者在试验 时，只在组件上加上额定的工作电压即消耗额定的功率，而后者除此外
半导体行业术语
1 Active Area 主动区（工作区） 主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制 造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。在标准之MOS制造过程中 ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧 化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受 到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的 小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK存在， 也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。 2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。3. 在FAB内之用途，主要在 于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤 黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激
鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心度1000PPM。 3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目 的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如 覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。3.方法： 利用目检、显微镜为之。
半导体物理名词解释
(1)晶态:固体材料中的原子有规律的周期性排列,或称为长程有序。
(2)非晶态:固体材料中的原子不是长程有序地排列,但在几个原子的范围内保持着有序性,或称为短程有序。
(3)准晶态:介于晶态和非晶态之间的固体材料,其特点是原子有序排列,但不具有平移周期性。
(4)单晶:原子呈周期性排列的晶体。
(5)多晶:由许多取向不同的单晶体颗粒无规则堆积而成的固体材料。
(6)原子价键:主要的原子价键有共价键、离子键、π键和金属键。
(7)共价键与非极性共价键:共价键是相邻原子间通过共用自旋方向相反的电子对电子云重叠)与原子核间的静电作用形成的,成键的条件是成键原子得失电子的能力相或是差别较小,或者是成键原子一方有孤对电子(配位体),另一方有空轨道(中心离如果相邻原子吸引电子的能力是一样的,则共用电子对不会发生偏移,这样的共价就是非极性共价键。
共价键的数目遵从8-N原则(8)空穴:光激发或热激发等激发因素会使原子键断裂而释放出电子,在断键处少掉1个电子,等效于留下一个带(+q)电量的正电荷在键电子原来所在的位置,这就是空穴（9）半导体的载流子:有两种载流子,带负电的电子和带正电的空穴。
（10)基态:在0K下,半导体中的电子空穴对产生之前的固体所处的状态。
（11）激发态:电子空穴对产生之后的固体所处的状态（12）光激发:光照产生电子空穴对的过程。
(1)量子:热辐射的粒子形态。
(2)德布罗意波长:普朗克常量与粒子的动量p的比值。
(3)海森伯堡测不准原理:对于同一粒子,不可能同时确定其坐标和动量。
(4)量子化能级:束缚态粒子的分立的能级。
(5)波粒二象性:微观粒子有时表现为波动形态,而电磁波有时表现为粒子形态。
(6)光生载流子:光照产生的载流子。
(7)热生载流子:热激发产生的载流子(8)半导体能带结构:分为E-k图和E-x图。
(9)导带:价带上能量最低的允带(10)价带:价电子所在的允带。
(11)禁带:导带底与价带顶之间的能量区域(12)禁带宽度:导带底与价带顶之间的能量差。
半导体用语
半导体用语
1、半导体用语
（一）硅片
1、硅片：半导体器件的基础，是由半导体绝缘体（如硅或硅基）制成的片状结构，平面可有一块。
2、基板：是硅片的基本结构，包括基板片、连接和双面封装用硅片，以及可能存在的外部电极等。
3、印制电路板（PCB）：用于连接硅片上的电路元件，分为直接印制电路板和印制电路板，可以增加元件的密度。
4、热熔带：用于接通硅片上的电路，由熔融状态的热熔料组成，是一种常用的安装电路的简单方法。
5、焊锡：用于将硅片上的元件与PCB相连，由高熔点锡料组成，可根据元件要求进行不同的焊接工艺。
（二）封装
1、封装：半导体器件完成后，需要经过封装工艺，将器件封装到管壳中，以保护其芯片。
2、套管：硅片采用双层结构封装，一层是外部的硅管壳，另一层是内部的硅封装，套管可能是聚氯乙烯、铝箔、陶瓷或塑料。
3、外壳：用于封装硅片，外壳种类多样，如塑料壳、铝合金壳等，可以阻止外部环境的污染，并对结构进行支撑。
4、表面安装封装（SMT）：将器件封装到PCB表面上，可以使器件的安装密度更大。
5、浸渍封装（DIP）：将器件放入陶瓷中，再通过高温和高压，使器件固定在陶瓷中，可以提高封装的可靠性。
半导体 行业术语
半导体行业术语
1.芯片：一种半导体材料制成的微型电子元件，可用于存储和处理数据。
2. 集成电路：一种由许多芯片组成的电子元件，它能够实现许多复杂的功能。
3. 逻辑门：一种用于控制逻辑运算的电子元件，包括与门、或门、非门等。
4. MOSFET：金属氧化物半导体场效应管，是一种常见的半导体器件，可用于控制电流和电压。
5. PN结：一种半导体器件结构，由P型半导体和N型半导体组成，可用于制造二极管、光电器件等。
6. 晶体管：一种基于半导体材料的电子元件，可用于放大和开关电路。
7. 闪存：一种用于存储数据的半导体存储器，可用于制造USB 闪存驱动器、SSD等。
8. CMOS：互补金属氧化物半导体技术，是一种用于制造集成电路的主流技术。
9. MEMS：微电子机械系统，是一种将微型机械和电子技术相结合的技术。
10. LED：发光二极管，是一种半导体器件，可用于制造照明产品、指示灯等。
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半导体物理学名词解释
半导体物理学名词解释1、直接复合：电子在导带与价带间直接跃迁而引起非平衡载流子的复合。
2、间接复合：指的是非平衡载流子通过复合中心的复合。
3、俄歇复合：载流子从高能级向低能级跃迁发生电子-空穴复合时，把多余的能量传给另一个载流子，使这个载流子被激发到能量更高的能级上去，当它重新跃迁回到低能级时，多余的能量常以声子的形式放出，这种复合称为俄歇复合，显然这是一种非辐射复合。
4、施主杂质：V族杂质在硅、锗中电离时，能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或n型杂质。
5、受主杂质：Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴，并形成负点中心，所以称它们为受主杂质或p型杂质。
6、多数载流子：半导体材料中有电子和空穴两种载流子。
在N 型半导体中,电子是多数载流子, 空穴是少数载流子。
在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
7、能谷间散射：8、本征半导体：本征半导体就是没有杂质和缺陷的半导体。
9、准费米能级：半导体中的非平衡载流子，可以认为它们都处于准平衡状态（即导带所有的电子和价带所有的空穴分别处于准平衡状态）。
对于处于准平衡状态的非平衡载流子，可以近似地引入与Fermi能级相类似的物理量——准Fermi能级来分析其统计分布；当然，采用准Fermi能级这个概念，是一种近似，但确是一种较好的近似。
基于这种近似，对于导带中的非平衡电子，即可引入电子的准Fermi能级；对于价带中的非平衡空穴，即可引入空穴的准Fermi能级。
10、禁带：能带结构中能态密度为零的能量区间。
11、价带：半导体或绝缘体中，在绝对零度下能被电子沾满的最高能带。
12、导带：导带是自由电子形成的能量空间，即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。
13、束缚激子：等电子陷阱俘获载流子后成为带电中心，这一中心由于库仑作用又能俘获另一种带电符号相反的载流子从而成为定域激子，称为束缚激子。
14、浅能级杂质：在半导体中、其价电子受到束缚较弱的那些杂质原子，往往就是能够提供载流子（电子或空穴）的施主、受主杂质，它们在半导体中形成的能级都比较靠近价带顶或导带底，因此称其为浅能级杂质。
半导体制造行业专业术语
半导体词汇1. ac cepta nce t estin g (WA T: wa fer a ccept ancetesti ng) 2. ac cepto r: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.ACCES S：一个E DA（En ginee ringDataAnaly sis）系统4. Acid：酸5. Act ive d evice：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Ali gn ma rk(ke y)：对位标记7. All oy：合金8.Alumi num：铝9.Ammon ia：氨水10. Ammo niumfluor ide：N H4F 11. A mmoni um hy droxi de：NH4OH 12. A morph ous s ilico n：α-S i，非晶硅（不是多晶硅）13. An alog：模拟的14. A ngstr om：A（1E-10m）埃15. A nisot ropic：各向异性（如POL Y ETC H）16. AQ L(Acc eptan ce Qu ality Leve l)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17.ARC(A ntire flect ive c oatin g)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Ant imony(Sb)锑19. Argo n(Ar)氩20. Ars enic(As)砷21.Arsen ic tr ioxid e(As2O3)三氧化二砷22. A rsine(AsH3)23. Ash er：去胶机24. Asp ect r ation：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. A utodo ping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Bac k end：后段（C ONTAC T以后、P CM测试前）27. Bas eline：标准流程28. Benc hmark：基准29. B ipola r：双极30.Boat：扩散用（石英）舟31. C D：（C ritic al Di mensi on）临界（关键）尺寸。
半导体常用术语
半导体常用术语1. PN结：两种不同材料的半导体晶体形成的界面，其中一侧为正电荷载体（P区），另一侧为负电荷载体（N区）。
2. 栅极：在MOSFET器件中，用于控制电流和开关的电极。
3. 基极：在双极型晶体管中，用于控制电流和放大信号的电极。
4. 门极：在MOSFET器件中，类似于基极的功能，用于控制电流和信号。
5. 整流器：将交流电转换为直流电的电子器件。
6. 极化：在半导体器件中，通过施加电压或电流来改变材料的电特性。
7. 导电性：半导体材料具有可变的电导率，可以是n型（负载体）或p型（正载体）。
8. 掺杂：在半导体材料中添加杂质以改变其电导率或电特性。
9. 流明：用于衡量光通量的单位，表示单位面积上通过的光的总量。
10. 电子迁移率：表示材料中电子在电场中移动的能力，是衡量材料导电性能的指标。
11. 集成电路：将多个电子元件集成到一个芯片上的电路。
12. 噪声：随机电信号中的不规则波动，对电子设备和电路性能产生不利影响。
13. 功耗：电子器件或电路从电源耗电的功率。
14. 延迟：在电子器件或电路中，信号传播的时间延迟。
15. 反向偏置：对PN结施加电场，使电流不流过结的过程。
16. 正向偏置：对PN结施加电场，使电流流过结的过程。
17. 散射：电子或光子在材料中碰撞并改变方向或能量的过程。
18. 热传导：通过材料中原子或分子之间的振动转移热量的机制。
19. 量子效应：在纳米尺度下，量子力学效应对材料电子行为的影响。
20. 功能集成：将多个不同功能的电子元件或系统集成到一个芯片上的过程。
半导体名词解释
第七章突变结近似：认为从中性半导体区到空间电荷区的空间电荷密度有一个突然的不连续。
内建电势差：热平衡状态下pn结内p区与n区的静电电势差。
耗尽层电容：势垒电容的另一种表达。
耗尽区：空间电荷区的另一种表达。
超突变结:一种为了实现特殊电容-电压特性而进行冶金结处高掺杂的pn结，其特点为pn结一侧的掺杂浓度由冶金结处开始下降。
势垒电容（结电容）：反向偏置下pn结的电容。
线性缓变结：冶金结两侧的掺杂浓度可以由线性分布近似的pn结。
冶金结:pn结内p型掺杂与n型掺杂的分界面。
单边突变结：冶金结一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的pn结。
反偏:pn结的n区相对于p区加正电压，从而使p区与n区之间势垒的大小超过热平衡状态时势垒的大小。
空间电荷区：冶金结两侧由于n区内施主电离和p区内受主电离而形成的带净正电与负电的区域。
空间电荷区宽度：空间电荷区延伸到p区与n区内的距离，它是掺杂浓度与外加电压的函数。
变容二极管：电容随着外加电压的改变而改变的二极管。
第八章雪崩击穿：电子和（或）空穴穿越空间电荷区时，与空间电荷区内原子的电子发生碰撞产生电子-空穴对，在pn结内形成一股很大的反偏电流，这个过程就成为雪崩击穿。
载流子注入：外加偏压时,pn结体内载流子穿过空间电荷区进入p区或n区的过程。
临界电场：发生击穿时pn结空间电荷区的最大电场强度。
扩散电容：正偏pn结内由于少子的存储效应而形成的电容。
扩散电导：正偏pn结的低频小信号正弦电流与电压的比值。
扩散电阻：扩散电导的倒数。
正偏:p区相对于n区加正电压。
此时结两侧的电势差要低于热平衡时的值。
产生电流:pn结空间电荷区内由于电子-空穴对热产生效应形成的反偏电流。
长二极管：电中性p区与n区的长度大小少子扩散长度的二极管。
复合电流：穿越空间电荷区时发生复合的电子与空穴所产生的正偏pn结电流。
反向饱和电流:pn结体内的理想反向电流。
短二极管：电中性p区与n区中至少有一个区的长度小于少子扩散长度的pn结二极管。
半导体名词解释
1)Acetone 丙酮丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3性质：无色，具剌激性薄荷臭味的液体用途：在FAB内的用途，主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
允许浓度：1000ppm2)Active Area 主动区域MOS核心区域，即源，汲，闸极区域3)AEI蚀刻后检查（1）AEI 即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。
（2）AEI的目的有四：提高产品良率，避免不良品外流。
达到品质的一致性和制程的重复性。
显示制程能力的指标。
防止异常扩大，节省成本（3）通常AEI检查出来的不良品，非必要时很少做修改。
因为除去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。
生产成本增高，以及良率降低的缺点。
4）A l-Cu-Si 铝硅铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为Target，其成份为0.5%铜，1%硅及98.5%铝，一般制程通常是使用99%铝1%硅．后来为了金属电荷迁移现象(Electromigration) 故渗加0.5%铜降低金属电荷迁移5）A lkaline Ions 碱金属雕子如Na+，K+，破坏氧化层完整性，增加漏电密度，减小少子寿命，引起移动电荷，影响器件稳定性。
其主要来源是：炉管的石英材料，制程气体及光阻等不纯物。
6）A lloy 合金半导体制程在蚀刻出金属连线后，必须加强Al与SiO2间interface的紧密度，故进行Alloy步骤，以450℃作用30min，增加Al与Si的紧密程度，防止Al层的剥落及减少欧姆接触的电阻值，使R C 的值尽量减少。
7）A luminum 铝一种金属元素，质地坚韧而轻，有延展性，容易导电。
普遍用于半导体器件间的金属连线，但因其易引起spike及Electromigration，故实际中会在其中加入适量的Cu或Si8）A nneal 回火又称退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。
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系統
設備/材料
其他
常用名詞解釋
項次 簡稱 PCW DIWS DIWR CW GEX SEX VEX AEX PV CV GIS GDS GMS SCADA HPCDA C/R L/C EFS DPS DPG EMO GALV AP BA BAS EP EPS V+V C-22 SS MSDS SL1/SL2 NO NC CQC SPEC 英文名稱 Process Cooling Water Deionized Water Supply Deionized Water Return City Water General Exhaust Scrubber Exhaust Solvent Exhaust Ammonia Exhaust Process Vacuum Clean Vacuum Gas Information System Gas Detector System Gas Monitoring System Supervisory Control And Data Acquisiton High Pressure Compress Dry Air Clean Booth Clean Room Load Cell(Scale) Excel Flow Sensor Differential Pressure Switch Differential Pressure Gauge Emergency Menual Shut-Off Galvanized Acid Pickled Bright Annealing Bright Annealing+Super Micro Cleaning Electro Polishing Electro Polishing+Super Micro Cleaning Vim(Vacuum Induction Melting)+Var(Vacuum Arc Remelting) Hastelloy Stainless Steel Material Safety Data Sheet Safety Level 1/2 Normally Open Normally Close Continue Quality Control Specification 中文說明 製程冷卻水 純水（去離子水）供應端 純水（去離子水）回水端 自來水 一般排 酸鹼排 有機排 氨排 製程真空 清潔用真空 氣體監控系統 電力遙控系統 高壓壓縮乾燥空氣 無塵隔間 無塵室 磅秤 過流量計 差壓計 差壓表 緊急開斷裝置 鍍鋅管材 化學酸洗 鈍化處理 鈍化處理＋精密洗淨 電解拋光 電解拋光＋精密洗淨 真空二重溶解超清淨鋼 耐腐蝕性（材料） 不銹鋼 物質安全資料表 安全等級1/2 常開 常關(閉) 連續品質控制 規範 備註