模拟电路填空题期末复习题
模拟电路期末复习试卷及答案(十套)
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。
A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电路试题库及答案
模拟电路试题库及答案一、选择题1. 在模拟电路中，基本放大电路的放大倍数主要由哪个元件决定？A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 电感答案：C2. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 低阻抗B. 高阻抗C. 零阻抗D. 无穷大阻抗答案：D3. 以下哪个不是模拟电路中的滤波器类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器答案：D二、填空题4. 一个理想的电压源具有_______的内阻。
答案：零5. 在模拟电路设计中，为了减小电路的噪声，通常采用_______电路。
答案：差分6. 模拟电路中的反馈可以是正反馈也可以是负反馈，其中_______反馈可以提高电路的稳定性。
答案：负三、简答题7. 解释什么是负反馈，并说明其在模拟电路中的作用。
答案：负反馈是指反馈信号与输入信号相位相反的反馈。
在模拟电路中，负反馈可以减小电路的增益，但同时提高电路的稳定性和线性度，减少非线性失真。
8. 描述运算放大器的非理想特性，并说明它们对电路性能的影响。
答案：运算放大器的非理想特性包括有限的增益带宽积、有限的输入阻抗、有限的输出阻抗、存在输入偏置电流和输入偏置电压等。
这些非理想特性会影响电路的放大精度、稳定性、带宽和功耗等性能。
四、计算题9. 给定一个共射放大电路，其基极电流为20μA，基极-发射极电压为0.7V，求该晶体管的直流电流增益。
答案：首先计算集电极电流Ic = β * Ib，其中β为晶体管的直流电流增益。
由于题目中未给出β值，无法直接计算Ic。
但可以通过已知的Ib和Vbe，利用晶体管的直流工作点来估算β值，进而求得Ic。
10. 设计一个低通滤波器，其截止频率为1kHz，求所需的电阻和电容值。
答案：对于一个简单的一阶低通滤波器，截止频率f_c可以通过公式f_c = 1 / (2πRC)计算得出。
将f_c = 1kHz代入公式，解得R和C的值。
例如，如果选择R = 1kΩ，则C = 1/(1kΩ * 2π * 1kHz) ≈ 159μF。
模拟电路经典试题及答案
模拟电路经典试题及答案一、选择题1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是什么？A. 信号的调制B. 信号的解调C. 信号的放大D. 信号的滤波答案：C2. 以下哪个不是运算放大器的主要特性？A. 高增益B. 高输入阻抗C. 低输出阻抗D. 低频响应差答案：D3. 在理想运算放大器中，输入偏置电流的大小是：A. 非常大B. 非常小C. 适中D. 无法确定答案：B二、填空题4. 一个理想的放大器应该具有________的输入阻抗和________的输出阻抗。
答案：无穷大；零5. 在模拟电路设计中，________是用来减少噪声和干扰的一种电路。
答案：滤波器三、简答题6. 简述共射放大器的工作原理。
答案：共射放大器是一种使用NPN或PNP型晶体管构成的放大器，其特点是晶体管的发射极作为公共端接地，基极作为输入端，集电极作为输出端。
当基极电压增加时，晶体管导通程度增加，导致集电极电流增加，从而在集电极与电源之间形成电压变化，实现信号的放大。
四、计算题7. 假设有一个共射放大器，其晶体管的β值为100，基极电流为1mA，求集电极电流。
答案：由于基极电流为1mA，根据β值的定义，集电极电流Ic =β * Ib = 100 * 1mA = 100mA。
8. 如果在上述放大器中，集电极电阻Rc的值为1kΩ，求放大器的电压增益。
答案：电压增益Av = -Rc / (β * re)，其中re为晶体管的内部电阻。
假设re为β / Ic，则Av = -1kΩ / (100 * (100 / 100mA)) = -1kΩ。
五、分析题9. 分析在模拟电路设计中，为何需要考虑频率响应。
答案：在模拟电路设计中，频率响应是一个重要的考虑因素，因为它决定了电路对不同频率信号的放大能力。
如果电路的频率响应不佳，可能会导致高频信号的损失或失真，影响信号的完整性和质量。
因此，设计时需要确保电路在整个工作频率范围内都能提供稳定的增益和相位特性。
模拟电子线路期末试题及其答案(两套)
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕一、填空题（15分）1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。
2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。
3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。
4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。
5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。
6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。
7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。
8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。
二、单项选择题（15分）1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。
[ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。
[ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。
[ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响4．差动放大电路的主要特点是 。
[ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。
[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。
[ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。
[ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。
模电期末试卷
《模拟电子技术》考试试卷（01）一、填空题（本大题共4小题，每空1分，共10分）1．PN结正向偏置时，反向偏置时，所以PN结具有导电性。
2．有三个单管BJT放大电路，已知其电压增益分别为A v1＝20，A v2＝－10，A v3＝1，则可知它们分别为放大电路、放大电路、放大电路。
3．乙类互补功率放大电路存在失真，可以利用类互补功率放大电路来克服。
4．负反馈将使输出电阻减小，负反馈将使输出电阻增加。
一、1．导通，截止，单向；2．共基极，共发射极，共集电极；3．交越，甲乙类；4．电压，电流。
二、单项选择题(本大题共5小题，每小题2分，共10分)1．对BJT下列说法正确的是。
A．发射极和集电极可以调换使用，因为BJT发射区和集电区的结构对称B．发射极和集电极可以调换使用，因为BJT发射极和集电极的电流基本相同C．发射极和集电极不能调换使用，因为BJT发射区和集电区的结构不对称，发射区掺杂浓度比集电区高D．发射极和集电极不能调换使用，因为BJT发射区和集电区的结构不对称，发射区掺杂浓度比集电区低2．测得某电路中PNP型晶体管的三个管脚的电位分别为V B＝5V、V C＝2V、V E＝5．7V，则该管工作在状态。
A．放大B．截止C．饱和D．不能确定3．互补对称功率放大电路中的两个功放管应采用。
A．一个NPN型管和一个PNP型管B．两个NPN型管C．两个PNP型管D．任意组合4．理想运算放大器的两个输入端的输入电流近似等于零的现象称为。
A．断路B．虚短C．虚地D．虚断5．正弦波振荡电路的输出信号最初由产生的。
A．基本放大器B．选频网络C．干扰或噪声信号D．稳幅环节三、判断题(本大题共5小题，每小题2分，共10分)1．影响放大电路高频特性的主要因素是耦合电容和旁路电容的存在。
2．在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
3．集成运放是一种高增益的、直接耦合的多级放大电路。
4．P型半导体带正电，N型半导体带负电。
模拟电路复习资料
一、填空题1、画放大器的直流通路时，将视为开路，画出直流通路是为了便于计算；画交流通路是为了便于计算、和三个交流性能指标。
2、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和三类。
3、使用二极管时，应考虑的主要参数是和。
4、当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结、集电结时，工作在饱和区；发射结、集电结时，工作在截止区。
5、放大器的静态是指时的工作状态，分析静态工作点的方法有两种，一种是法，另一种是法。
6、对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻些，以减轻信号源的负担，输出电阻些，以增加带负载的能力。
7、三极管具有两PN结：结、结；还有三个区：、，。
8、固定偏置放大电路如图（a）所示，三极管的输出特性曲线及直流负载线MN，交流负载线AB如图（b）所示，由图可知，电源电压V G= ，I CQ= ，V CEQ= ，R C= ，R L= ，β=（a）（b）二、判断题1、PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。
（）2、二极管具有单向导通性。
（）3、造成放大器工作点不稳定的主要因素是电源电压波动。
（）4、当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小，当反向电压大于反向反向击穿电压时，其反向电流迅速增大。
（）5、 二极管加正向电压时一定导通。
（ ）6、 晶体三极管有两个PN 结，因此它具有单向导电性。
（ ）7、放大器具有能量放大作用。
（ ）8、晶体三极管集电极和发射极可以互换使用。
（ ）9、发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。
（ ） 10、放大器在工作时，电路同时存在直流和交流分量。
( ) 三、选择题1、把电动势为1.5V 的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（ ）。
A 、基本正常B 、将被击穿C 、将被烧坏D 、电流为零 2、当硅二极管加上0.4V 正向电压时，该二极管相当于（ ）。
A 、很小的电阻 B 、很大的电阻 C 、短路 D 、电阻 3、PN 结的最大特点是具有（ ）。
《模拟电子技术》复习题10套及答案
.《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型.图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电路考试试题套和答案
试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是_将交流电变成直流电_；滤波电路的任务是__滤除脉动直流电中的交流部分。
2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于_载流子浓度差__而产生的，漂移运动是____电场力___作用下产生的。
3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__线性__失真和___非线性__失真。
4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__耦合电容和旁路电容___的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的极间电容__的影响。
5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__稳定静态工作点___；引入交流负反馈的作用是稳定增益，改变输出电阻，减小非线性失真，展宽频带，抑制干扰和噪声__。
6．正弦波振荡电路一般由_选频网络__、_放大电路__、__正反馈网络___、__稳幅电路__这四个部分组成。
7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为___100___，总的放大倍数为_105__。
对__差模输入__信号8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻Re的放大无影响，对_共模输入__信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比KCMR 为__差模增益与共模增益__之比。
9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__37__dB。
二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、（√）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
2、（√）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、（√）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、（×）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。
模拟电子电路基础试题及答案(大学期末考试题)
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
345678914以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）3A4A5A6A7A8A9A12求：①ICQ②UCEQ③Au（取小数点后2位）④Ri⑤R0（10分）解：3、具有电流源的差分电路如图所示，已知UBEQ=0.7V，β=100，rbb=200Ω，试求：（1）V1、V2静态工作点ICQ、UCQ；（2）差模电压放大倍数Aud；（3）差模输入电阻Rid和输出电阻RO；（6分）4、电路如图所示，设UCES=0试回答下列问题：（6分）（1）ui=0时，流过RL的电流有多大？（2）若V3、V4中有一个接反，会出现什么后果？（516、调幅载波信号17、KUxUy二、选择题（每空2分共30分）1、BCF2、CD3、BCE4、BE5、C6、A7、B8、A9、AB三、分析与计算题（共30分）4分1、1）二极管V截止2）UA0=-4V10分2、1）ICQ=2.4mAUCEQ=7.2V2）AU=0.993）Ri=122k4)Ro=20Ω6分3、1）ICQ1=0.5mAUCEQ1=6V6分4、1）ui=0时，RL电流为零2）V3、V4有一个反接电路不能工作3）Uim=12V4)Pcl=[Vcc2(4-3.14)]/(4*3.14RL)=0.099W4分5、1）能振荡2）fo=280KHZ1234567891、三端集成稳压器CW7812的输出电压是（）。
模拟电路考试题及答案
模拟电路考试题及答案一、选择题（每题3分，共30分）1. 在模拟电路中，理想运算放大器的输入电阻是：A. 0ΩB. 1ΩC. ∞ΩD. 1kΩ答案：C2. 以下哪个元件不是模拟电路的基本元件？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 逻辑门答案：D3. 理想运算放大器的输出电阻是：A. 0ΩB. 1ΩC. ∞ΩD. 1kΩ答案：A4. 在模拟电路中，放大器的增益通常用以下哪个参数表示？A. 电压B. 电流C. 功率D. 阻抗答案：B5. 以下哪个是模拟信号的特点？A. 数字化B. 离散C. 连续D. 量化答案：C6. 模拟电路中的反馈可以分为：A. 正反馈B. 负反馈C. 混合反馈D. 以上都是答案：D7. 在模拟电路中，滤波器的作用是：A. 放大信号B. 滤除噪声C. 改变信号的相位D. 转换信号的频率答案：B8. 模拟电路中的积分器和微分器分别对应于数学上的：A. 积分和微分B. 加法和减法C. 乘法和除法D. 指数和对数答案：A9. 模拟电路中，为了减少噪声，通常采用的措施是：A. 增加电源电压B. 增加信号幅度C. 使用滤波器D. 增加电路复杂度答案：C10. 模拟电路中，为了提高信号的稳定性，通常采用的措施是：A. 增加电源电压B. 增加信号幅度C. 使用负反馈D. 增加电路复杂度答案：C二、填空题（每题4分，共20分）1. 在模拟电路中，理想运算放大器的输入电阻是______Ω。
答案：∞2. 理想运算放大器的输出电阻是______Ω。
答案：03. 模拟电路中的反馈可以分为正反馈和______反馈。
答案：负4. 模拟电路中的积分器对应于数学上的______运算。
答案：积分5. 模拟电路中，为了提高信号的稳定性，通常采用______反馈。
答案：负三、简答题（每题10分，共50分）1. 请简述模拟电路与数字电路的主要区别。
答案：模拟电路处理的是连续变化的信号，而数字电路处理的是离散的信号。
模拟电路中的信号可以是任意值，而数字电路中的信号只有有限的几种状态。
《模拟电子技术基础》复习题
模拟电子技术基础复习题图1 图2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是，输入电阻最小的电路是，输出电阻最小的电路是，频带最宽的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是；只能放大电流，不能放大电压的电路是；只能放大电压，不能放大电流的电路是。
2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。
填空：（1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为，U CEQ的表达式为（2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为（3）若减小R B，则I CQ将，r bc将，A 将，R i将，R o将。
uA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生失真。
A.饱和B.截止3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数A =；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则u放大电路的输入电阻R i=。
（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 。
（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将增大或将减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以、、和各为一臂而组成的。
5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为、和三种电路，其中振荡电路的振荡频率最为稳定。
6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振蒎电路。
7、稳压电源一般由、和三部分电路组成。
8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用滤波电路，而负载电流较大时应采用滤波电路。
9、为了使输出电压有比较大的调节范围，应采用稳压电路。
二、判断题（下列各题是否正确，对者打“√”错者打“×”）1、半导体中的空穴带正电。
模拟电子复习题
模拟电⼦复习题模拟电路复习题第⼀章⼀：填空题1.半导体三极管处在饱和状态时，e 结和c 结的偏置情况是___________2.将PN 结的N 区接电源的正极，P 区接电源的负极，则为PN 结的_______偏置。
3.按照⼆极管的材料分,可分为________⼆极管和锗⼆极管两种。
4.PN 结加正偏导通，加反偏截⽌，称为PN 结的________________性能。
5.某放⼤状态的晶体管，知β＝50，测得其I E ＝2.04mA ，忽略穿透电流，则其I B 为________________mA 。
6.PN 结正向偏置时，应该是P 区的电位⽐N 区的电位________________。
7.N 型半导体是在本征半导体中掺⼊_______价元素构成的，其多数载流⼦是_______。
8.某放⼤状态晶体管，知I B =0.02mA,β=50，忽略其穿透电流，则I E =_________mA 。
9.图⽰电路中，⼆极管导通时压降为0.7V ，若U A =0V,U B =3V,则U O 为________。
10.PN 结反向偏置时，应该是N 区的电位⽐P 区的电位__________11.某放⼤状态的晶体三极管，当I B =20µA 时，I C =1mA ，当I B =60µA 时，I C =3mA 。
则该管的电流放⼤系数β值为__________。
12.图⽰电路，⼆极管VD 1，VD 2为理想元件出，则U AB 为_________伏。
⼆：选择题1．PN 结加反向偏置时，其PN 结的厚度将（） A ．变宽B ．变窄C ．不变D ．不能确定2．理想⼆极管构成的电路如题2图，其输出电压u 0为（）A ．-10VB ．-6VC ．-4VD ．0V3．NPN 型三级管，处在饱和状态时是（） A ．U BE <0,U BC <0 B ．U BE >0,U BC >0 C ．U BE >0,U BC <0 D ．U BE <0,U BC >04．某放⼤状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U 1=2.3V ，②脚电位U 2=3V ，③脚电位U 3=-9V ，则可判定（） A ．Ge 管①为e B ．Si 管③为e C ．Si 管①为eD ．Si 管②为e5、在N 型半导体中，多数载流⼦为电⼦，N 型半导体是（） A ）带正电 B ）带负电 C ）不带电 D ）不能确定6、如果在NPN 型三极管放⼤电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的⼯作状态为（）A ）放⼤状态B ）截⽌状态C ）饱和状态D ）不能确定7.加在⼆极管上的正向电压从0.65V 增⼤10%，流过的电流增⼤量为（） A ）⼤于10% B ）⼩于10% C ）等于10% D ）不变 8.半导体三极管的特点是( )A.输⼊电流控制输出电流B.输⼊电压控制输出电压C.输⼊电流控制输出电压D.输⼊电压控制输出电流 9.实验测得放⼤电路中半导体三极管的三个电极位分别为U 1=3.2V,U 2=2.5Ｖ,U 3=12Ｖ,则( )A.该管为硅管B.1为基极，2为发射极，3为集电极C.该管为NPN型D.该管为PNP型E.1为集电极，2为基极，3为发射极10.理想⼆极管构成的电路如题2图，该图是( )A.V截⽌U=-4V=+4VB.V导通U=+8VC.V截⽌U=+12V11．某锗三极管测得其管脚电位如题3图所⽰，则可判定该管处在（）A．放⼤状态B．饱和状态C．截⽌状态D．⽆法确定伏态12. 对半导体三极管，测得其发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于( )。
2014-2015学年第一学期《模拟电子》(本)复习题.
2014-2015学年第一学期《模拟电子技术》期末考核参考复习题适用于2013级（本）自动化、电气自动化、电子信息工程专业一、填空题1、在本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（ N ）型半导体，其多数载流子是（自由电子 ）；若掺入微量的三价元素，则形成（ P ）型半导体，其多数载流子是（ 空穴 ）。
2、PN 结在（ 正偏 ）时导通，（ 反偏 ）时截止，这种特性称为（ 单向导电 ）性。
3、晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结（ 正偏导通 ），集电结（ 反偏 ）4、某晶体管工作在放大区，如果基极电流从uA 10变化到uA 20，集电极电流从mA 1变化到mA 99.1，则交流电流放大系数=β（ 99 ）5、如图：，它是（ NPN ）（填NPN 还是PNP)，其电流放大系数β=（ 49）6、场效应管从结构上可分为（MOS ）和（ 结型 ）；根据导电沟道的不同又可分为（ P 沟道）和（ N 沟道）；对于MOSFET ，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为（耗尽型 ）和（ 增强型 ）7、场效应管的转移特性曲线如图：，画出该场效应管的符号：（ MOS ，N 沟道,耗尽型 ）8、共集电极放大电路的特点是输出电压与输入电压（ 同 ）相，电压放大倍数近似为（ 1 ），输入电阻（ 大 ），输出电阻 （ 小）9、差分放大电路对（ 差模 ）输入信号具有良好的放大作用，对（ 共模 ）输入信号具有很强的抑制作用。
10、在单管共射放大电路中，如果静态工作点设置过高，则容易出现（ 饱和）失真。
（填截止或饱和）11、在晶体管乙类互补对称功率放大电路中，采用双电源供电的电路称为（ OCL ）电路，采用单电源供电的电路称为（ OTL ）电路。
12、两级放大电路中，第一级的电压增益为40dB ，第二级的电压放大倍数为10倍，则两级总电压的放大倍数为（1000 ）13、反馈放大电路中，若反馈信号取自输出电压，则为（电压 ）反馈。
模拟电路考试题及答案
自测题一一、判断题1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。
〔F 〕2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
〔T 〕3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。
〔F 〕二、单项选择题1．半导体中的少数载流子产生的原因是〔 D 〕。
A ．外电场B ．电场C ．掺杂D ．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为〔C 〕。
A ．正、反向电阻相等B ．正向电阻大，反向电阻小C ．反向电阻比正向电阻大很多倍D ．正、反向电阻都等于无穷大3．二极管的伏安特性曲线的正向局部在环境温度升高时将〔B 〕。
(X 轴为电压)A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，假设工作温度升高，二极管的正向导通电流将〔A 〕。
A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映〔B 〕能力的参数。
〔三极管可改为电流控制电流源〕A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压6．温度升高时，三极管的β值将〔A 〕。
A ．增大B ．减少C ．不变D ．不能确定7．以下选项中，不属三极管的参数是〔B 〕。
A ．电流放大系数B ．最大整流电流C ．集电极最大允许电流D ．集电极最大允许耗散功率8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，那么对应该管的管脚排列依次是〔B 〕 。
A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e9．晶体三极管的反向电流是由〔 B 〕运动形成的。
A ．多数载流子B ．少数载流子C ．扩散D ．少数载流子和多数载流子共同10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ，那么此三极管是〔D 〕。
〔发正偏集反偏〕A ．PNP 型硅管B ．PNP 型锗管C ．NPN 型锗管D ．NPN 型硅管11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的〔 B 〕。
模电期末复习填空题
期末复习填空题（每空1分，共200空）1、下图是N 沟道JFET 的转移特性曲线，可知其饱和漏极电流DSS I mA ，夹断电压为 V 。
2、双极型三极管内部由 个PN 结构成，结型场效应三极管内部有 个PN结,MOS 场效应管共有 种类型。
3、由NPN 管组成的单管共射放大电路中，当静态工作电流太 时，将产生饱和失真，输出电压波形被削去 ；饱和失真时集电结 偏。
4、本征半导体的导电能力比杂质半导体的导电能力 。
电子型半导体称为 型半导体。
5、二极管的正向电流是由 载流子的 运动引起，温度升高时，其反向饱和电流 。
6、二极管最主要的特性是 。
7、如果双极型三极管三个极电位分别为-2.5V ，-3.2V ，-9V ，则可以判断此三极管为型三极管。
8、稳压管通常工作在 区，反向电流在较大范围变化时，两端电压 。
9、PN 结加正向电压，空间电荷区将 ；PN 结加反向电压，空间电荷区将 。
10、双极型三极管是 控制器件，双极型三级管放大电路除共射连接外还有和 连接方式。
场效应管是 控制器件。
11、P 型半导体是在本征半导体中掺入 原子（填“受主”或“施主”）形成的杂质半导体，其少子是 。
12、杂质半导体的导电性能决定于 。
13、PN 结反偏电压越大其势垒电容越 。
14、测得放大状态中三极管三个管脚的直流电位分别是（-11.3V ）、（-5V ）、（-12V ），则U GS (V)该管是管（填“NPN”或“PNP”）。
15、N型半导体是在本征半导体中掺入价元素的原子，其多数载流子是。
16、二极管的伏安特性方程为d i= 。
17、三极管工作在放大状态时，发射结偏，集电结偏。
18、当温度升高时，三极管电流放大倍数变化的趋势是。
19、测得放大状态中三极管三个管脚的直流电位如下图所示，则该管是管（填“NPN”或“PNP”）。
20、下图所示场效应管可能工作在区（填“夹断”或“恒流”）。
21、在NPN型单管共射放大电路中，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如下图所示，该电路产生了失真（填“饱和”或“截止”）。
(完整word版)模拟集成电路设计期末试卷
《模拟集成电路设计原理》期末考试一．填空题（每空1分，共14分)1、与其它类型的晶体管相比,MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。
2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区,电流受栅源过驱动电压控制,我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。
3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。
4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。
5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高,因此可以做成___恒定电流源_.6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。
7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。
8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。
9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示,电路的输入电容C in为__ C F（1－A）__。
10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。
二．名词解释（每题3分，共15分)1、阱解:在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上,其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。
2、亚阈值导电效应解:实际上，V GS =V TH 时，一个“弱”的反型层仍然存在,并有一些源漏电流，甚至当V GS <V TH 时,I D 也并非是无限小，而是与V GS 呈指数关系,这种效应叫亚阈值导电效应。
3、沟道长度调制解：当栅与漏之间的电压增大时,实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说,L 实际上是V DS 的函数，这种效应称为沟道长度调制。
4、等效跨导Gm解:对于某种具体的电路结构，定义inDV I ∂∂为电路的等效跨导，来表示输入电压转换成输出电流的能力 5、米勒定理解:如果将图（a ）的电路转换成图（b ）的电路，则Z 1=Z/(1-A V )，Z 2=Z/（1—A V -1），其中A V =V Y /V X .这种现象可总结为米勒定理。
模拟电子技术期末考试复习资料
《模拟电子技术》课程综合复习资料一、判断题1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
答案：错2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。
答案：对3.同相求和电路跟同相比例电路一样，各输入信号的电流几乎等于零。
答案：错4.差动放大电路可以放大共模信号，抑制差模信号。
答案：错5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。
答案：错一、单选题1．测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为UE =3V，UB=3.7V，UC=3.3V，则该管工作在（）。
A．放大区B．饱和区C．截止区D．击穿区答案：B2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的，当输入信号的频率为Hf时，放大器增益的幅值将（）。
A．降为1B．降为中频时的1/2倍C．降为中频时的1/D．降为中频时的倍答案：C3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB，Av3=15dB，则总的电压增益为（）dB。
A．35C．45D．60答案：A4.某三极管各个电极的对地电位如图所示，可判断其工作状态是（）。
A．放大B．饱和C．截止D．已损坏答案：D5.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（）。
（设二极管的导通压降为0.7V）A．-5VB．-4.3VC．-5.7VD．-10V答案：C6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示，由此可知该管为（）。
A．Ge，PNP管B．Ge，NPN管C．Si，PNP管D．Si，NPN管答案：B7.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共集电极放大电路时，则vo和vi的相位（）。
A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：A8.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共发射放大电路时，则vo和vi的相位（）。
A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：B9.理想运放的开环差模增益AOd为（）。
模拟电路复习资料Ⅰ
模拟电路复习资料Ⅰ一、填空题1. P型半导体的多子是，N型半导体的少子是，PN结具有特性。
2. 在P型半导体中，电子浓度空穴浓度；在N型半导体中，电子浓度空穴浓度。
3. 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于，少子的浓度受的影响很大。
4. 当PN 结正向偏置时，耗尽层将，反向偏置时空间电荷区将。
5. 引起PN结击穿的机理一般认为有两种，即击穿和击穿。
6. PN结之间存在着两种电容，分别叫作电容和电容。
7．在PN结形成过程中，载流子扩散运动是由于作用下产生的，漂移运动是由于作用下产生的。
8．当环境温度升高时，二极管的死区电压将，二极管的反向饱和电流将。
9．稳压二极管有作用，在电路中是将其阳极接于电源的极，阴极接于电源的极。
10．利用二极管的特性可以制成稳压管。
利用二极管在反向偏置时的电容效应可制成。
11. 晶体管三极管在作正常放大运用时,必须使处于正向偏置, 处于反向偏置。
12. NPN型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中极电位最高，极电位最低。
13. 在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是失真，失真的主要原因是。
14．若三级放大电路中A u1= A u2=30dB，A u3==30dB ，则其总电压增益为dB，折合为倍。
15．在三极管的三种基本组态放大电路中，组态电压增益最小，组态输入电阻最小。
16．在三极管的三种基本组态放大电路中，组态输入电阻最大，组态放大倍数最大且为正。
17．实验中用直流电流表测量三极管的静态电流,其中流进电极的电流为3.66mA,流出电极的电流分别为0.06mA和3.6mA。
则该管是型三极管，其β值为。
18．场效应管属于____控制型器件，它们的导电过程仅仅取决于____载流子的流动。
19．耗尽型N沟道FET的导电载流子是，一般把在漏源电压作用下开始导电的栅源电压U GS 叫做。
20. 结型场效应管利用栅源极间所加的(反偏电压、反向电流、正偏电压)来改变导电沟道的电阻；P沟道结型场效应管的夹断电压U GS为(正值、负值、零) 。
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1．双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。
4、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是。
6、晶体管工作在放大状态的外部条件是。
7、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V，发射极电位为0V,集电极电位为
5V,则该管是型的晶体管,工作在状态.
9、多级放大电路的耦合方式有、、。
10、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的_______失真，而采用_______类互
补功率放大器。
13、OCL电路是_______电源互补功率放大电路；
OTL电路是_______电源互补功率放大电路。
15、差分放大电路能够抑制_______漂移，也称_______漂移，所以它广泛应用于
_______电路中。
16、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有_______导电性。
19、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外
加电压_______。
20、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与_______有关，而与
外加电压无关。
21、漂移电流是温度电流，它由_______载流子形成，其大小与温度有关，而与
外加电压无关。
26、空穴为_______载流子。
自由电子为少数载流子的杂质半导体称为P型半导
体。
27、空穴为多数载流子。
自由电子为_______载流子的杂质半导体称为P型半导
体。
28、稳压二极管工作在稳压状态, 其稳定电流IZ要_______IZmin并且要小于
IZmax。
29、稳压二极管工作在稳压状态, 其稳定电流IZ要大于IZmin并且要
_______IZmax。
30、基本晶体管放大电路输出特性曲线可以分为截止区、饱和区和_______。
33、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用直流负反馈。
为稳定交流输出
电压，采用_______负反馈，为了提高输入电阻采用串联负反馈.。
34、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用直流负反馈。
为稳定交流输出
电压，采用电压负反馈，为了提高输入电阻采用_______负反馈.。
35、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用_______负反馈。
36、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称_______漂移，所以它广泛应用于集
成电路中。
37、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于
_______电路中。
38、差分放大电路能够抑制_______漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集
成电路中。
39、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用_______类互补
功率放大器。
40、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的_______失真，而采用甲乙类互补
功率放大器。
41、共射级放大电路输出信号如果出现顶部失真叫_______失真，如果出现底部
失真叫饱和失真。
42、共射级放大电路输出信号如果出现顶部失真叫截止失真，如果出现底部失
真叫_______失真。
43、集成运算放大电路的负反馈方式有四种，分别是电压串联负反馈，
_______，电流串联负反馈，电流并联负反馈。
44、集成运算放大电路的负反馈方式有四种，分别是电压串联负反馈，电压并
联负反馈，_______，电流并联负反馈。
45、集成运算放大电路的负反馈方式有四种，分别是电压串联负反馈，电压并
联负反馈，电流串联负反馈，_______。