华中科技大学模拟电子技术试卷三
模拟电子技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
模拟电子技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.理想运算放大器的参数是开环电压增益Avo = ，输入电阻ri = ，输出电阻ro = 。
参考答案:∞，∞，02.放大电路中，运算放大器的反相输入端为虚地，而放大电路中，运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。
参考答案:反相，同相3.欲将方波电压转换为三角波电压，应选用。
参考答案:积分运算电路4.欲将方波电压转换为尖脉冲电压，应选用。
参考答案:微分运算电路5.欲将输入电压信号放大-100倍，应选用。
参考答案:反相输入式放大电路6.在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。
参考答案:正确7.在线性运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
参考答案:错误8.电压跟随器的电压增益为1，所以其对信号放大没有贡献。
参考答案:错误9.在选择整流元件时，只要考虑负载所需的直流电压和直流电流。
参考答案:错误10.图示电路中，图中A点对地的电压为_____，B点对地的电压为_____。
【图片】参考答案:+15V，-15V11.在单相桥式整流电容滤波电路中，输出电压的平均值VL与变压器副边电压有效值V2的关系为通常为_______。
参考答案:VL=1.2 V212.图示电路满足正弦波振荡的相位平衡条件。
【图片】参考答案:正确13.只要满足相位平衡条件，且【图片】，就能产生自激振荡。
参考答案:正确14.若希望在输入电压小于-3V时，输出电压为高电平；而在输入电压大于+3V时，输出电压为低电平。
可采用________电压比较器。
参考答案:反相迟滞15.单门限比较器只有______个门限值，而迟滞比较器则有______个门限电压值。
参考答案:1，216.设计一个输出功率为100W的功率放大电路，则该功放电路的每个功放管的最大管耗至少应该为。
参考答案:20W17.为了使负载获得尽可能大的功率，对功率放大电路的基本要求是。
参考答案:输出信号的电压和电流都尽可能大18.只要基本放大电路的幅频响应在0dB以上的衰减斜率只有-20dB/十倍频，那么由电阻网络引入任何深度的负反馈时，都不会产生自激振荡。
《模拟电子技术》试卷模电2答案.doc
华中科技大学考试卷课程：模拟电子技术基础专业 ____________ 班号__________ 姓名_______________ 学号 ________________一、选择填空（每空2分共24分）1.非线性失真与线性失真（频率失真）的最主要差别是 D 。
（A）非线性失真使信号波形中任一点的幅值没有得到同样倍数的放大，而线性失真则不然；（B）对于周期信号来说，非线性失真改变了信号的周期，而线性失真则没有;（C）对于周期信号来说，非线性失真改变了信号的相位，而线性失真则没有;（D）非线性失真使信号中出现了新的谐波分量，而线性失真则没有。
2.多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比，通频带B □（A）变宽（B）变窄（C）不变（D）与单级放大电路无关3.差分放大电路共模抑制比的大小反映了 A 。
（A）抑制零漂的能力（B）带负载能力（C）差模增益的大小（D）共模增益的大小4.当有用信号的频率低于100Hz时，应采用A 滤波电路。
（A）低通（B）高通（C）带通（D）带阻5. ______________________________________________________ 放大电路如图1-1所示。
帯负载能力最强的放大电路是__________________________图1-16.在图1・2所示的两个电路中，它们的输入电阻Z间的关系是一C(A)尺|=Ri2=lkQ(B)/?u > R i2(C)R“ < 峙2(D)Rji = R[2 = oo图1-27. 场效应管放大电路如图1-3所示。
已知FET 的％】，设电容对交流信号呈现的阻抗 均很小，可视为短路。
(1) 该放大电路通频带内的电压增益为(2)该放大巾.路的输入巾阻为 B 8. RC 桥式正眩波振荡电路如图1—4所不。
(1) ________________________________________________ 当电路有稳泄的输出波形时，电阻&与尺2的关系应满足 _____________________________________________________ B(A) R2=R\(B) R 2=2R X(C) R2=3R\ (D) R 2 =*&(2) ____________ 当观察到电路的输出波形变成幅值约 为±12V 的方波吋，电路可能存在的故障 是 ___ 。
模拟电子技术试卷3答案
模拟电子技术试题3答案及评分标准一、（本题满分22分，每空1分）1．C 2．D C ． A B 3．B 4．A 5． C B A6．C B A D 7．D C A B 8．A B 9．B 10．C二．（本题满分10分, 每空2分）1．2V 2．减小 3．50 5Ωk 4．0.5V三．（本题满分16分）1．3级（1分）共源（1分） 共射（1分） 共射（1分）2．电流（2分）串联（2分）负反馈（2分）3．四．（本题满分10分）(1).U OH =5V (2分) V U OL 5-= (2分) (2).(4分) (3) 电压传输特性如图所示（2分）五．（本题满分10分）1．电压串联负反馈（3分）2．211)1(10i i f o u u R R u += 或比例除法运算关系（2分） 3．211)1(10i i f o u u R R u += (3分) o u 120mv = (2分) 六．（本题满分10分）1．D 1、D 2的作用：消除交越失真 （2分）2．OM P 16W = （2分）69.7%η= （2分）uf A 3= （4分）七．（本题满分12分）1.同极性端如图(a)图(b)所示（4分）2．图(a)的直流通路图如图2所示（4分）交流通路图如图3 所示（4分）八．（本题满分10分）1．电路图（4分） 2．U 2=100(2分) 3． F min R min I 6.6AU 155.1V == (4分) 383f 8R R F 2R R R =++ （分）38f 7L uf 38(R R R )R //R A R R ++= （4分）V U V U T T 28,821==图 (a) 图。
【2024版】模拟电子技术试题库及答案
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。
华中科技大学数字电子技术考试三
华中科技大学数字电子技术考试三————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：试卷三及其参考答案试卷三一、（16分） 1．（12分）逻辑电路如图1-1 a 、b 、c 、d 所示。
试对应图e 所示输入波形，分别画出输出端L 1、L 2、L 3和L 4的波形。
（触发器的初态为0）A B CABTG （a ）C≥1≥11AL 2B≥11CB 1&EN1A L 3（e ）C（c ）C（b ）CL 110k Ω1JC1 Q ABL 41K 1(d) R11图1-12．（4分）用代数法化简：CB AC B A C B A F ++++=1)D C A D C (A B C)(A F +⊕=2二、（10分）已知逻辑函数：1221F F F BCDC B CD A D C B A (A,B,C,D)F D C B A D B A C A AB (A,B,C,D)F ⋅=+++=+++=画出逻辑函数F 1、F 2 和F 的卡诺图；用最少的与非门实现逻辑函数F ，画出逻辑图。
三、（8分）分析图3所示逻辑电路，写出输出端的逻辑函数表达式，列出真值表，说明电路能实现什么逻辑功能。
1 =1 AB& & ≥1L 1C=1 L 2图3四、（12分）用数据选择器组成的多功能组合逻辑电路如图4所示。
图中G 1、G 0为功能选择输入信号，X 、Z 为输入逻辑变量，F 为输出逻辑函数。
分析该电路在不同的选择信号时，可获得哪几种逻辑功能，请将结果填入表4中。
Z1 01 F74HC151 D 0 D 1 D 2 D 3 D 4 D 5 D 6 D 7 E S 2S 1S 0 YXG 1 G 0 图4表4G 1 G 0 F功 能五、（12分）设计一个组合逻辑电路。
电路输入DCBA 为8421BCD 码，当输入代码所对应的十进制数能被4整除时，输出L 为1，其他情况为0。
《模拟电子技术》模拟题及答案
《模拟电子技术》模拟题及答案（本题共5小题, 每小题4分, 共 20 分）一、填空题1.在本征硅中掺入三价杂质元素, 可获得 型半导体, 其多子是 载流子, 少子是 载流子, 不能移动的定域离子带 电。
2.稳压二极管正常工作......区；光电二极管正常工作...... 区；变容二极管正常工作......区；发光二极管正常工作......区, 其导通压降至少应... V 以上。
3.双极型晶体管是以基极小电流控制集电极大电流的器件, 所以称....控制型器件；单极型场效应管则是以栅源间小电压控制漏极大电流的器件, 因之称... 控制型器件。
4.放大电路静态分析的目的是找出合适......., 以消除非线性失真；动态分析的目的是寻求放大电路......., 根据动态分析结果来确定放大电路的适用场合。
5.文氏桥正弦波振荡器主要......网络和集成运放构成..... 构成的。
电路中的正反馈环节起.....作用；电路中的负反馈环节则起.....作用。
6.小功率并联型直流稳压电源的输出电压是.......调整的；串联型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态；开关型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态。
（本题共11小题, 每小题1分, 共11分）二、 判断正、误题 1.雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿, 不会损坏二极管。
2.双极型三极管各种组态的放大电路, 输入、输出均为反相关系。
3.本征半导体中掺入五价杂质元素后, 生成N 型半导体, 其多子是自由电子载流子。
..）4.OCL 甲乙类功放采用了单电源供电方式, 其输出大电容起负电源的作用。
..）5.功率放大器中, 甲乙类功放的性能最优良, 高保真较甲类强, 效率较乙类高。
..）6.NPN 型三极管工作在放大状态时, 其发射极电位最低, 集电极电位最高。
..）7.“虚短”和“虚断”两个重要概念, 无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。
华中科技大学《模拟电子技术基础》——CH07-1
ID2=IO EF
两臂电流互相相等。 称为电流源是因为工作在饱和区
-VSS
iD2=iO ID2 1 斜率＝ ro 击穿
2.为什么采用这样的结构？
用T1管为T2提供稳定的VGS电压使 T2管工作在饱和区。
Rd ID2=IO + VDS2 -
(VGS2 VTN2 )2 ID2 (W2 / L2 )Kn2 (VGS1 VTN1 )2 IREF (W1 / L1 )Kn1
-VSS
iD2=iO 1 斜率＝ ro 击穿
IO I D2 W2 / L2 I REF I D1 W1 / L1
I B 2 rce
i C 2 1 ro ( ) vCE 2
R c1 T1
2IB c2 b1 b2
IC1
iC2=IC2 = IO= IREF T2 vCE
一般ro在几百千欧以上
－VEE
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华中科技大学 刘勃
7.1.2 BJT电流源电路
1. 镜像电流源
其他形式
＋VCC IREF IC1 T1 R c1
24
可用范围
0
VGS-VTN
VDS
VBR
vDS2
华中科技大学 刘勃
7.1.1 FET电流源电路
1. MOSFET镜像电流源
I O I D2 I REF VDD VSS VGS R
2
+VDD IREF d1 + VDS1 T1 g T2 + VGS R NMOS d2 d2
Rd ID2=IO ID2=IO + VDS2 -
华中科大模拟电子技术习题试卷及答案
试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一〔总分150分〕〔成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术根底试卷之一〕一、选择题〔本大题10个小题，每题4分，共40分。
在每题给出的四个选项中，只有一项为哪一项符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。
〕1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，假设改用R ×1k 档，测量同一二极管，那么其正向电阻值〔 〕a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管〔 〕a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这说明该放大电路的输出电阻为〔 〕a. 10k Ωb. 2k Ωc. 1k Ωd. 0.5k Ω4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，那么在静态时该三极管处于〔 〕 a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,那么电路的电压增益为〔 〕a.L m R g 'b.s m L m 1R g R g +'-C.L m R g '- d.m L /g R '-图56. 图5中电路的输入电阻R i 为〔 〕a. R g +(R g1//R g2)b. R g //(R g1+R g2)c. R g //R g1//R g2d.[R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S7. 直流负反应是指〔 〕a. 存在于RC 耦合电路中的负反应b. 放大直流信号时才有的负反应c. 直流通路中的负反应d. 只存在于直接耦合电路中的负反应8. 负反应所能抑制的干扰和噪声是〔 〕a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反应环内的干扰和噪声c. 反应环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，那么电路的输出电压约为〔 〕a. －2.5Vb. －5Vc. －6.5Vd. －7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中，假设输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,那么差模输入电压△υid 为〔 〕a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题〔本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。
华中科技大学模电第六版答案
华中科技大学模电第六版答案1、正弦量可以用相量来表示，因此相量等于正弦量。
（） [单选题] *A：是B：否(正确答案)2、波形图可完整的描述正弦交流电随时间的变化规律。
（） [单选题] *A：是(正确答案)B：否3、只有同频率的几个正弦量的矢量，才可以画在同一个矢量图上进行分析。
（）[单选题] *A：是(正确答案)B：否4、交流电是指大小和方向随时间作周期变化的电动势。
交流电分为正弦交流电和非正弦交流电两大类，应用最普遍的是正弦交流电。
（） [单选题] *A：是(正确答案)B：否5、只要是大小随时间变化的电流就是正弦交流电流。
（） [单选题] *A：是B：否(正确答案)6、一只额定电压为220V的白炽灯，可以接在最大值为311V的交流电源上。
（）[单选题] *A：是(正确答案)B：否7、交流电压表测得单相插座两孔间电压220V该电压是瞬时值。
（） [单选题] * A：是B：否(正确答案)8、用交流电压表测得交流电压是220V，则此交流电压的最大值为311V。
（）[单选题] *A：是(正确答案)B：否9、正弦量的三要素是它的最大值，角频率和相位。
（） [单选题] *A：是B：否(正确答案)10、正弦交流电u2=311sin(628t+45°)其中45°表示相位。
（） [单选题] *A：是B：否(正确答案)11、反相是指两个同频率交流电的相位差为180°的情况。
（） [单选题] *A：是(正确答案)B：否12、有效值、频率和角频率是指正弦交流电的三要素。
（） [单选题] *A：是B：否(正确答案)13、正弦交流电的有效值除与最大值有关外，还与它的初相有关。
（） [单选题] * A：是B：否(正确答案)14、最大值是正弦交流电在变化过程中出现的最大瞬时值。
（） [单选题] *A：是(正确答案)B：否15、只有在正弦交流电中，最大值才是有效值的根号2倍（） [单选题] *A：是(正确答案)B：否16、两个不同频率的正弦量在相位上的差叫相位差（） [单选题] *A：是B：否(正确答案)17、交流电在单位时间内电角度的变化量称为角频率。
模拟电子技术试卷五套(含答案)
模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。
2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。
4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。
A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。
B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。
D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。
A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。
华中科技大学模拟电子技术试卷三
试卷三（本科）及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd=A，共模电压增益m V5Vm V,10,0i2i1c===VAV，则输出电压oV为（）。
a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。
a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。
电子技术基础模拟部分(第六版) 康华光ch06
0.1fL
fL
10fL 100fL
0
f/Hz
3dB
当 f fL 时， L 90
-20
当 f fL 时， L 45
当0.1 fL f 10 fL 时，
-40
斜率为 45 / 十倍频的直线 L
因为
AV
Vo Vi
AV
90
所以 o i 表示输出与
45
输入的相位差。
20dB/十倍频 -45/十倍频
/
f
)
其中
第1项是与频率无关的通带内源电压增益
后三项分别是3个与6.2节RC高通电路相同的低频响应。
可见共源放大电路的低频响应是由3个RC高通电路共同作
用的结果。
为简单起见，假设3个下限截止频率fL1、fL2和fL3之间相距
较远（4倍以上），可以只考虑起主要作用的截止频率的影响。
例如有fL2 > 4 fL1，fL1 > fL3，则上式简化为
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华中科技大学 张林
6.1 放大电路的频率响应
放大电路对不同频率信号产生不同响应的根本原因
1、电抗元件的阻抗会随信号频率的变化而变化。 2、放大电路中有耦合电容、旁路电容和负载电容，FET或BJT也存在 PN结电容，此外实际电路中还有分布电容。
因此，放大电路对不同频 率的输入信号具有不同的放大 能力，即增益是输入信号频率 的函数。
低频时，输出超前输入
0
f/Hz
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华中科技大学 张林
6.2.2 RC低通电路的频率响应
1. 增益的传递函数
AVH (s)
Vo (s) Vi (s)
模拟电子技术练习题库(附参考答案)
模拟电子技术练习题库（附参考答案）一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.PNP型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。
（）A、对 :B、错正确答案：A2.集成运放的非线性应用存在（）现象。
A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短。
正确答案：B3.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B4.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、提高输入电阻B、抑制零漂C、稳定放大倍数D、克服交越失真正确答案：B5.理想集成运放的开环放大倍数Au0为( )。
A、∞;B、0;C、不定。
正确答案：A6.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现( )。
A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。
正确答案：B7.射极输出器的特点是（）A、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻大、输入电阻小C、只有电压放大而没有电流放大，输出电阻小、输入电阻大D、既有电流放大也有电压放大，输出电阻小、输入电阻大正确答案：A8.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是( )。
A、虚短;B、虚地;C、虚断。
正确答案：A9.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近( )。
A、饱和区B、死区C、截止区正确答案：A10.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。
A、正弦半波；B、矩形方波；C、等腰三角波；D、仍为正弦波。
正确答案：A11.晶体三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（）A、对 :B、错正确答案：B12.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：A、I=βIbB、Ic=βIbC、Ie=βIb正确答案：B13.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、直接耦合B、变压器耦合C、光电耦合D、阻容耦合正确答案：A14.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是 ( )A、共集电放大电路B、射极输出器C、共射放大电路D、共基放大电路正确答案：C15.共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。
模拟电子技术习题及答案完整版本
习题88.1判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
（1）与分立元件比较，集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。
（）（2）集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。
（3）直接耦合的主要缺点是零点漂移。
（）（4）晶体管的参数受温度的影响，但不影响零点漂移。
（）（5）零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。
（）（6）在集成电路中元件的对称性差。
（）（1）集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。
（）答：（1）√（2）√（3）√（4）×（5）√（6）×（7）√8.2选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。
A．高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。
A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。
A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路答：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A8.3 电路如题图8.3所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的V B E均为0.7V，试求I C2的值。
题图8.3解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAC2E2C11C1C0C2C0C22C2222(2)111111()2210022B R R I I I I I I I I I I I I A ββββββββββββββμββ++==+===+++++=+=+++==++8.4 多路电流源电路题图8.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，V B E 均为0.7V ，β0=β1=β2=β3=100。
模拟电子技术基础习题及答案
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1 章习题及答案 (1)第2 章习题及答案 (14)第3 章习题及答案 (36)第4 章习题及答案 (45)第5 章习题及答案 (55)第6 章习题及答案 (70)第7 章习题及答案 (86)第8 章习题及答案 (104)第9 章习题及答案 (117)第10 章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第 1 章习题及答案1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体，加入元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C写出图P1.2.1 所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V （2）二极管截止U O2=2V （3）二极管导通U O3=2V 写出图P1.2.2 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V （2）二极管导通U O2=-1.3V （3）二极管截止U O3=-2V 电路如P1.3.1 图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V电路如图P1.3.2 所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解：当u i>0V 时，D 导通，u o =u i；当u i≤0V 时，D 截止，u o=0V。
模拟电子技术基础试卷3答案
院（系）_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________ ……………………密………………………封……………………线…………………………《模拟电子技术基础》试卷3 答案一、填空题（请将答案填在相应的答题线上。
每空2分，共22分）1．在本征半导体中加入价元素可以形成P型半导体。
2．场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的，所以它是 3．电路如图1-1所示，设二极管导通电压，则该电路的输出电压值。
4．电路如图1-2所回示，则该电路输出电压uO与输入电压uI的关系为5．已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示，则其中频电压放大倍数|Aum|为 100 ，电路的上限频率fH。
4020100图1-1 图1-2 图1-36．按照滤波电路的工作频率，阻止某一频率范围的信号，频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均能通过的滤波器称为带阻滤波器。
7．正弦波振荡电路由放大电路、、正反馈网络和稳幅环节四部分组成。
8．RC桥式正弦波振荡电路以RC串并联网络为选频网络和放大环节，具有振荡频率稳定，带负载能力强，输出电压失真小等优点。
9．在放大电路中，为了稳定输出电压，应引入反馈。
10．在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器副边电压有效值U2为10V，测得输出电压平均值UO(AV)可能的数值为 12V 。
卷3 （第1页共4页）院（系）_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________ ……………………密………………………封……………………线…………………………二、单项选择题（从下列各小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将其代号填在答题线上。
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试卷三（本科）及其参考答案
试卷三
一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）
1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）
a. 输入电阻大
b. 输入电阻小
c. 输出电阻大
d. 输出电阻小
2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。
a. 放大倍数越稳定
b. 交流放大倍数越大
c. 抑制温漂能力越强
d. 输入信号中的差模成分越大
3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a. 变宽
b. 变窄
c. 不变
d. 与各单级放大电路无关
4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
a. 43dB
b. 40dB
c. 37dB
d. 3dB
图1-4 图1-5
5．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡
b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡
c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡
d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡
6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，
设差模电压增益
100
vd
=
A
，共模电压增益m V
5
V
m V,
10
,0
i2
i1
c
=
=
=V
A
V，则输出电压o
V
为（）。
a. 125mV
b. 1000 mV
c. 250 mV
d. 500 mV
图1-6 图1-7
7．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。
a. CEO2CEO I I =
b. CEO2CEO1CEO I I I +=
c. CEO1CEO I I =
d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=
8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。
a. 电流串联负反馈
b. 电压并联负反馈
c. 电流并联负反馈
d. 电压串联负反馈
二、判断下列管子的工作状态（共10分）
1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示，试判断它们分别工作在什么状态（饱和、放大、载止、倒置）。
设所有的三极管和二极管均为硅管。
图2-1
2．电路如图2-2 a 、b 所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区（饱和区、夹断区、可变电阻区）。
图2-2
三、两级放大电路如图3所示，已知三极管的5021==ββ，k Ω6.1be1=r ，k Ω3.1be2=r ，各电容的数值都足够大，在中频区可视为短路。
（共15分）
1．试说明T 1和T 2各组成什么电路组态？
2．画出中频区的h 参数小信号等效电路；
3．计算放大器的输入电阻R i 和输出电阻R o ;
4．计算中频区源电压增益s o s /V V A V =。
图3
四、电路如图4所示，设所有运放为理想器件。
（共15分）
1．试求V o1=? V o2=? V o3=?
2.设电容器的初始电压为2V，极性如图所示，求使V04=－6V所需的时间t=?
图4
五、一正弦波振荡电路如图5所示。
问（共12分）
1．a、b两输入端中哪个是同相端，哪个是反相端？请在图中运放A处标出；
2．该电路的振荡频率是多少？
3．R t应具有正温度系数还负温度系数？
4．在理想情况下的最大输出功率P om=?
图5
六、多级放大电路如图6所示。
（共12分）
1．用瞬时变化极性法判别T1和T2的两个基极（b1和b2）中哪个是同相输入端，哪个是反相输入端，分别标以+和－；
2．为了降低电路的输出电阻，应如何连接反馈电阻R f,试在图上画出连线，并说明是哪种反馈极性和组态；
3．在满足深度负反馈条件下，试写出闭环电压增益i O F /V V A V 的近似表达式。
图6
七、电路如图7所示，A 1、和A 2均为理想器件，V z =5V 。
（共10分）
1．试画出2o 1o v v 及的波形（注意相位关系）；
2．求出的2o 1o v v 和幅值；
3．求出1o v 的周期。
图7
八、电路如图8所示，已知T 1和T 2的V BE =0.7V ，C 1的放电时间常数大于（3~5）2T
，V i =25V 。
试估算变压器副边电压2v 的有效值V 2、直流输出电压V O 和负载最大电流I Om 的值。
（共10分）
图8
试卷三参考答案
一、1．b 2.c 3.b 4.c 5.d 6.d 7.d 8.a
二、1．T 1截止，T 2倒置，T 3饱和
2．T 4工作在饱和区（放大区），T 5工作在可变电阻区
三、1．T 1组成共射电路，T 2组成共集电路
2．（略）
3．[]k Ω36.6)1(////41bel b2b1i =++=R r R R R β
k Ω21.01////263be27o =++=βR R r R R
4．[]5.27)1()//)(1(////41bel 872be2631V1-=++++-=R r R R r R R A βββ
,12≈V A V A 5.27V2V1-≈=A A
四、1．V 2.0V,5,V 2.5o o2o1=-=-=3v v v
2．t = 2 s
五、1．a 为反相端，b 为同相端
2．kHz 1.4o ≈f
3．R 4应有正温度系数
4．W 5.4R 2/L C 2C om ==V P
六、1．b 1为反相输入端，b 2为同相输入端
2．电压并联负反馈，R f 接在e 4和b 1间
3．由f O b i f i //R V R V I I -≈≈有，即得 b f i o F //R R V V A V -==
七、1．2o v 为方波，1o v 为三角波（2o v 为高电平时，1o v 由正向负方向变；反之，1o v 由负向正方向变）
2．1o v 、2o v 的幅值都为±5V
3．1o v 的周期T=0.2ms
八、V i /V 2=1.1,V 2=22.7V;由V z=3V,得V o =12V;
I om =V BE /R =(0.7/2)A=0.35A=350mA。