电子封装材料封装工艺及其发展
环氧树脂电子封装材料的研究现状和发展趋势
环氧树脂电子封装材料的研究现状和发展趋势摘要：电子封装材料包括金属基封装材料、陶瓷基封装材料和高分子封装材料。
其中高分子封装材料（主要为环氧树脂）以其在成本和密度方面的优势在封装材料中一枝独秀，有95%的封装都由环氧树脂来完成。
环氧树脂作为集成电路的支撑材料，有着极大的市场容量。
随着集成电路的集成度越来越高，布线日益精细化，芯片尺寸小型化以及封装速度的提高，以前的环氧树脂已不能满足性能要求，为适应现代电子封装的要求，电子级环氧树脂应具有优良耐热耐湿性、高纯度低应力低张膨胀系数等特性，以适应未来电子封装的要求。
本文以此为环氧树脂封装材料的发展方向，着重论述了环氧树脂电子封装材料的研究现状和发展趋势。
关键词：环氧树脂封装材料研究现状一、环氧树脂电子封装材料的研究现状环氧树脂是泛指分子中含有两个或两个以上环氧基团的有机高分子化合物。
由于其分子结构中含有活泼的环氧基团，能与胺、酸酐、咪唑、酚醛树脂等发生交联反应，形成不溶、不熔的具有三向网状结构的高聚物。
这种聚合物结构中含有大量的羟基、醚键、氨基等极性基团，从而赋予材料许多优异的性能，比如优良的粘着性、机械性、绝缘性、耐腐蚀性和低收缩性，且成本比较低、配方灵活多变、易成型生产效率高等，使其广泛地应用于电子器件、集成电路和LED的封装1962年，通用电气公司的尼克·何伦亚克（Hol-onyak）开发出第一种实际应用的可见光发光二极管就是使用环氧树脂封装的。
环氧树脂种类很多，根据结构的不同主要分为缩水甘油醚型、缩水甘油酯型、缩水甘油胺型、脂肪族、脂环族、酚醛环氧树脂、环氧化的丁二烯等。
由于结构决定性能，因此不同结构的环氧树脂，其对所封装的制品的各项性能指标会产生直接的影响。
例如Huang J C等以六氢邻苯二甲酸酐为固化剂，以TBAB为催化剂，分别对用于LED封装的双酚A型环氧树脂D E R.-331、UV稳定剂改性后的双酚A型环氧树脂Eporite-5630和脂环族环氧树脂ERL-4221进行了研究。
中国封装材料行业发展现状
中国封装材料行业发展现状全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：中国封装材料行业发展现状随着智能手机、电脑、电视等电子产品的普及，封装材料行业在中国市场中扮演着举足轻重的角色。
封装材料是电子产品的核心组件之一，起到了保护元器件、连接元器件、导热散热等重要作用。
在中国，封装材料行业已经经历了多年的快速发展，取得了显著的成就，但同时也存在一些问题和挑战。
一、发展现状1. 市场规模不断扩大随着智能手机、5G通信、物联网等领域的快速发展，封装材料市场需求不断增长。
根据数据显示，2019年中国封装材料市场规模达到了数百亿元，预计未来几年还将持续增长。
2. 技术水平不断提升在封装材料行业，技术是核心竞争力。
中国的封装材料企业在材料研发、工艺创新等方面取得了长足进步，有些企业甚至在国际上处于领先地位。
3. 产业链日趋完善中国的封装材料产业链辐射面广，涉及到材料研发、生产，设备制造等多个环节。
不仅有大型企业，还有很多中小型企业，形成了一个完整的产业生态圈。
4. 国内外市场并重中国的封装材料制造商既服务国内市场，也出口到国际市场。
目前，中国封装材料在东南亚、欧美等地区市场占有一席之地。
二、存在问题及挑战1. 技术创新不足尽管中国封装材料行业在技术水平上取得了进步，但与国际先进水平相比，仍存在一定差距。
当前，追赶国际先进技术、加快自主创新是亟待解决的问题。
2. 行业集中度不高目前，中国封装材料市场上的竞争激烈，但很多企业规模较小，生产技术和产能不能满足市场需求。
行业整合是未来的趋势，需要优胜略汰，形成规模效应。
3. 环保问题尚未得到重视封装材料生产过程中会产生污染物，对环境造成一定影响。
目前，很多企业在环保方面投入不足，环保问题也亟待行业协会和政府部门加大监管力度。
4. 国际市场竞争激烈封装材料是一个全球性的产业，国际市场竞争十分激烈。
国外企业拥有先进的技术和规模优势，中国企业需要提高自身竞争力，拓展国际市场份额。
三、发展方向和建议1. 加强技术研发投入封装材料行业是高技术含量的产业，技术创新是企业发展的关键。
微电子封装技术的发展趋势
微电子封装技术的发展趋势本文论述了微电子封装技术的发展历程，发展现状和发展趋势，主要介绍了几种重要的微电子封装技术，包括:BGA 封装技术、CSP封装技术、SIP封装技术、3D封装技术、MCM封装技术等。
1.微电子封装的发展历程IC 封装的引线和安装类型有很多种，按封装安装到电路板上的方式可分为通孔插入式(TH)和表面安装式(SM)，或按引线在封装上的具体排列分为成列、四边引出或面阵排列。
微电子封装的发展历程可分为三个阶段：第一阶段：上世纪70 年代以插装型封装为主，70 年代末期发展起来的双列直插封装技术(DIP)。
第二阶段：上世纪80 年代早期引入了表面安装(SM)封装。
比较成熟的类型有模塑封装的小外形(SO)和PLCC 型封装、模压陶瓷中的CERQUAD、层压陶瓷中的无引线式载体(LLCC)和有引线片式载体(LDCC)。
PLCC，CERQUAD，LLCC和LDCC都是四周排列类封装，其引线排列在封装的所有四边。
第三阶段：上世纪90 年代，随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI，VLSI，ULSI相继出现，对集成电路封装要求更加严格，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，因此，集成电路封装从四边引线型向平面阵列型发展，出现了球栅阵列封装(BGA)，并很快成为主流产品。
2.新型微电子封装技术2.1焊球阵列封装(BGA)阵列封装(BGA)是世界上九十年代初发展起来的一种新型封装。
BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是：I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率;虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能;厚度和重量都较以前的封装技术有所减少;寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高;组装可用共面焊接，可靠性高。
这种BGA的突出的优点：①电性能更好：BGA用焊球代替引线，引出路径短，减少了引脚延迟、电阻、电容和电感;②封装密度更高;由于焊球是整个平面排列，因此对于同样面积，引脚数更高。
电子封装总结报告范文
一、报告背景随着电子技术的飞速发展，电子产品的性能和功能不断提升，对电子封装技术的要求也越来越高。
电子封装技术作为电子产品的重要组成部分，对于提高电子产品的可靠性、稳定性和性能具有重要意义。
本报告旨在总结近年来电子封装技术的发展现状，分析存在的问题，并提出未来发展趋势。
二、电子封装技术发展现状1. 3D封装技术近年来，3D封装技术成为电子封装领域的研究热点。
3D封装技术通过垂直堆叠多个芯片，提高了芯片的集成度和性能。
目前，3D封装技术主要分为硅通孔（TSV）、倒装芯片（FC）和异构集成（Heterogeneous Integration）等类型。
2. 基于纳米技术的封装技术纳米技术在电子封装领域的应用越来越广泛，如纳米压印、纳米自组装等。
这些技术可以提高封装的精度和性能，降低制造成本。
3. 新型封装材料新型封装材料的研究和应用为电子封装技术的发展提供了有力支持。
例如，聚酰亚胺（PI）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）等材料在高温、高压、高频等环境下具有优异的性能。
4. 封装测试与可靠性随着电子封装技术的不断发展，封装测试与可靠性研究成为重点关注领域。
通过测试和评估封装性能，确保电子产品的质量和可靠性。
三、存在的问题1. 封装成本较高随着封装技术的不断发展，封装成本逐渐提高。
如何降低封装成本，提高性价比成为电子封装领域的重要课题。
2. 封装可靠性问题电子封装技术在高温、高压等恶劣环境下容易产生可靠性问题。
如何提高封装的可靠性，延长产品使用寿命成为研究重点。
3. 封装工艺复杂电子封装工艺复杂，涉及多个环节。
如何优化封装工艺，提高生产效率成为电子封装领域的一大挑战。
四、未来发展趋势1. 高性能封装技术未来电子封装技术将朝着高性能、低功耗、小型化方向发展。
例如，硅通孔（TSV）技术将继续发展，以满足更高集成度的需求。
2. 绿色封装技术随着环保意识的不断提高，绿色封装技术将成为电子封装领域的重要发展方向。
例如，可回收、可降解的封装材料将得到广泛应用。
封装技术发展历程
封装技术发展历程电子封装概念（集成电路）电子封装是半导体器件制造的最后一步，其是指将制作好的半导体器件放入具有支持、保护的塑料，陶瓷或金属外壳中，并于外界驱动电路以及其他电子元器件相连这一过程。
经过封装后，半导体器件将可在更高的温度环境中工作，抵御物理损害与化学腐蚀，不仅能保护内置器件而且能起到电气连接、外场屏蔽、尺寸过渡、散热防潮、规格化和标准化等多种功能。
电子封装技术发展传统电子封装从最初的三极管直插时期后开始产生，其过程如下：将圆晶切割为晶粒（Die）后，使晶粒贴合到相应的基架板触垫（Leadframe Pad）上，再利用导线将晶片的结合焊盘与基板的引脚（Wire Bond）相连，实现电气连接，最后用外壳小心加以保护。
典型的封装方式有：DIP，SOP，BGA等。
DIP（Dual ln-line Package）双列直插形式封装技术，是最早模集成电路（IC）采用的封装技术，具有成本低廉的优势，其引脚数一般不超过100个，适合小型且不需接太多线的芯片。
DIP技术代表着80年代的通孔插入安装技术，但由于DIP大多采用塑料，散热效果较差，无法满足现行高速芯片的要求，目前这种封装市场逐渐萎缩。
Small Outline Package（SOP）小外形封装技术和 Quad Flat Package（QFP）扁平封装技术代表了表面安装器件时代。
这种技术提高了管脚数和组装密度，是封装技术的一次革命。
正是这类封装技术支撑着日本半导体工业的繁荣，当时封装技术由日本主宰，确定了80％的收缩原则，同时也是金属引线塑料封装的黄金时代。
90年代进入了Ball Grid Array（BGA）焊球阵列封装及 Chip Scale Package（CSP）芯片尺寸封装技术时代。
其中，BGA封装主要是将I/O端与基板通过球柱形焊点阵列进行封装，通常做表面固定使用。
90年代后，美国超过日本占据了封装技术的主导地位。
美国加宽了引线节距并采用了底部安装引线的BGA封装，引线节距的扩大极大地促进了安装技术的进步和生产效率的提高。
集成电路封装技术的现状与发展趋势
集成电路封装技术的现状与发展趋势继采用模块封装工艺以来，集成电路封装技术从技术上以全新的面貌进一步改造了现有的电子封装技术，并迅速发展成为集成电路制造技术的关键部分。
总体而言，集成电路封装技术在集成电路制造过程中担负着多方面的重任：保护半导体元器件，降低电子模块的工作温度，防止尘埃、水分等外界环境因素，以及提高电子模块性能等综合因素。
由于计算机技术和微电子技术的快速发展，集成电路封装技术也不断改进和创新。
今天，封装集成电路的技术已经大大改善了封装集成电路的结构，材料和工艺的设计和制造，也随之取得了“薄”、“轻”、“小”和“高密度”等有效进展。
综合上述技术特点，当前集成电路封装技术可以分为几大类：管壳封装技术、管内封装技术（Hybrid电路封装技术）、塑封封装技术、焊接封装技术、涂装封装技术和MicroPack 封装技术。
除了以上技术以外，在近几年，随着芯片封装技术和芯片外延革新，封装集成电路技术也发生了重大变革。
首先，在结构上对HLB（High Lead Ball Grid Array）矩阵式的封装系统进行优化改造，有效改善了芯片外延，减少芯片损坏率，使芯片在矩阵式的封装系统中的排列更加紧凑、工艺性更好；其次，采用燃烧封装技术，封装外延芯片大大降低了散热量，使芯片运行温度更加稳定；再次，采用高性能粘合剂对外延进行塑封，提高了外延芯片的可靠性。
目前，封装集成电路技术已经普及，在全球拥有广泛的应用，并且效率提高了125%左右。
此外，在未来几年，封装集成电路技术还会面临诸多挑战和机遇。
未来，封装集成电路技术将朝着以下方向进行发展：一是努力朝着更小密度的封装技术发展，二是朝着更高可靠性和使用寿命更长的封装技术而努力，三是建立更完善的封装技术模型，更加精确有效地分析和优化开发。
只有继续跟踪技术的发展趋势，才能更好地满足市场需求，保证集成电路封装技术的可持续发展。
第二章-电子封装的基本工艺-PDF全
点面积大，无方向性，可自动化焊接。
三种引线键合的焊接拉力比较
热压焊：<0.05N/点 超声焊：>0.1N/点（Al丝, 40µm） 热超声焊：0.07-0.09N/点（Au丝, 25µm）
引线键合可能产生的失效
脱焊(lift-off)：原因是焊盘上存在有机沾污或是 表面氧化层太厚 疲劳断裂(fatigue break)：原因是生成金属间化 合物，使接触电阻增大。金属间化合物形成的同 时，在焊接点产生空洞，在热冲击、温度循环过 程中，空洞越来越大，导致焊点断裂。 （金属间化合物的生成是二种金属键合的关键， 金属间化合物的剪切强度比纯金和纯铝高。）
TAB的应用
主要应用在低成本，大规模生产的电子产品。
TAB的引线在九十年代： 200—300根，内引线间距50—80um，外引线
间距<0.3mm 2000年：达到800—1000根引线
2.2.3 倒装焊
倒装焊（FCB）是芯片面朝下，芯片焊区直接与基板 焊区直接互连的一种方法。
优点： • 互连线短，互连电容、电阻、电感小，适合高频高速器件； • 占基板的面积小，安装密度高； • 芯片焊区可面分布，适合高I/O器件； • 芯片安装和互连可以同时进行，工艺简单、快速，适合
1.热压焊：
利用加热和加压力使金属丝与Al或Au金属焊区压焊在一 起。 原理:使焊区金属塑性形变，破坏压焊界面氧化层，使金属 丝和焊区金属接触面产生原子间吸引力，达到键合的目的。 此外，界面上、下金属在加热加压下相互镶嵌。 焊接压力：0.5-1.5N/点 焊头温度：150℃ 芯片温度：>200℃ 缺点：高温：氧化，生成金属间化合物；
第二章 电子封装的基本工艺
微电子封装技术的研究现状及其应用展望
微电子封装技术的研究现状及其应用展望近年来，随着电子产品的快速普及和电子化程度的不断提高，微电子封装技术越来越引起人们的重视。
微电子封装技术主要是将电子器件、芯片及其他微型电子元器件封装在合适的封装材料中以保护它们免受机械损伤和外部环境的影响。
本文将分析现有微电子封装技术的研究现状，并探讨其未来的应用前景。
一、微电子封装技术的研究现状随着电子元器件不断地微型化、多功能化、高集成化和高可靠化，微电子封装技术越来越得到广泛的应用和发展。
在微电子封装技术中，主要有以下几种常用的封装方式：1. 线路板封装技术线路板封装技术（PCB）是较为常见的一种微电子封装技术。
这种方式主要利用印刷板制成印刷电路板，并通过它与芯片之间实现联系，使其具有一定能力。
通常，PCB 封装技术可用于集成电路和大多数微型传感器中的有效信号接口。
2. QFP 封装技术QFP 封装技术指的是方形封装技术，它是一种常见的微电子封装技术，这种技术的特点在于其实现方式非常灵活，具有高密度、高可靠的特点。
这种技术可以用于各种芯片、集成电路、传感器和其他各种微型电子元器件的封装。
3. BGA 封装技术BGA 封装技术指的是球格阵列封装技术，这种技术主要利用钎接技术将芯片连接到小球上。
BGA 封装技术常用于高密度封装尺寸的芯片和集成电路中，并具有高可靠和高信号性能等特点。
它目前被广泛应用于计算机芯片、消费电子、汽车电子、无人机和航空电子等领域中。
4. CSP 封装技术CSP 封装技术指的是芯片级封装技术，该技术是近年来发展起来的一种新型微电子封装技术，主要是使用钎接工艺将芯片封装在封装材料上。
CSP 封装技术具有极小的尺寸和高密度、高可靠性、高信号性能和高互连和生产效率等优点，因此，它被广泛地应用于各种电子元器件和集成电路中。
二、微电子封装技术的应用展望微电子封装技术具有比传统封装技术更高的密度、高速度、高可靠性和多功能的优点，因此，它的应用前景是广阔的。
PPT微电子封装技术讲义
金属材料的可靠性较高，能够承 受较高的温度和压力，因此在高 集成度的芯片封装中广泛应用。
高分子材料
高分子材料在微电子封装中主要用于 绝缘、密封和塑形。常见的高分子材 料包括环氧树脂、聚酰亚胺、聚四氟 乙烯等，它们具有良好的绝缘性能和 化学稳定性。
高分子材料成本较低，加工方便，因 此在低端和大规模生产中应用较广。
板级封装
1
板级封装是指将多个芯片或模块安装在同一基板 上，并通过基板与其他器件连接的系统封装类型。
2
板级封装具有制造成本低、易于维修和更换等优 点，因此在消费电子产品中应用广泛。
3
常见的板级封装类型包括双列直插式封装 （DIP）、小外形封装（SOP）、薄型小外形封 装（TSOP）等。
系统级封装
系统级封装是指将多个芯片、模块和其他元器件集成在一个封装体内，形成一个完 整的系统的封装类型。
微电子封装技术的应用领域
通信
高速数字信号处理、 光通信、无线通信等。
计算机
CPU、GPU、内存条 等计算机硬件的封装 和互连。
消费电子
智能手机、平板电脑、 电视等消费电子产品 中的集成电路封装。
汽车电子
汽车控制单元、传感 器、执行器等部件的 封装和互连。
医疗电子
医疗设备中的传感器、 控制器、执行器等部 件的封装和互连。
详细描述
芯片贴装是将微小芯片放置在基板上的过程，通常使用粘合剂将芯片固定在基板 上，以确保芯片与基板之间的电气连接。这一步是封装工艺中的关键环节，因为 芯片的正确贴装直接影响到后续的引线键合和整体封装质量。
引线键合
总结词
引线键合是将芯片的电路与基板的电路连接起来的工艺过程。
详细描述
引线键合是通过物理或化学方法将芯片的电路与基板的电路连接起来的过程。这一步通常使用金属线或带状线， 通过焊接、超声波键合或热压键合等方式将芯片与基板连接起来，以实现电气信号的传输。引线键合的质量直接 影响着封装产品的性能和可靠性。
第三代半导体封装技术
第三代半导体封装技术随着科技的发展，半导体技术在各个领域都得到了广泛的应用。
而半导体封装技术作为半导体产业链的重要环节，也在不断地进行创新和进步。
第三代半导体封装技术作为最新的封装技术，具有独特的优势和前景。
本文将从材料、工艺和应用等方面介绍第三代半导体封装技术的特点和发展趋势。
第三代半导体封装技术使用了新型的材料，如氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等。
与传统的硅材料相比，这些新材料具有更高的热导率和更好的电学特性，能够在更高的温度和功率条件下工作。
而且，这些材料的能带结构和晶格匹配性也更好，可以提高器件的性能和可靠性。
因此，第三代半导体封装技术可以实现更高的功率密度和更小的尺寸，适用于高性能和高可靠性的应用场景。
第三代半导体封装技术采用了先进的工艺方法，如3D封装和多芯片封装等。
3D封装可以将多个芯片垂直堆叠在一起，减小封装的体积和重量，提高系统的集成度和性能。
而多芯片封装则可以将不同功能的芯片集成在一个封装器件中，实现更高的功能密度和更低的功耗。
此外，第三代半导体封装技术还可以提供更好的散热和抗干扰性能，提高系统的可靠性和稳定性。
第三，第三代半导体封装技术在各个领域都有广泛的应用。
在通信领域，第三代半导体封装技术可以实现更高的频率和更快的数据传输速度，支持5G通信和高速光纤通信等应用。
在汽车电子领域，第三代半导体封装技术可以实现更高的功率密度和更好的抗振动性能，适用于电动汽车和自动驾驶等应用。
在工业控制和医疗设备领域，第三代半导体封装技术可以实现更高的可靠性和更小的尺寸，满足高要求的工作环境和医疗设备的需求。
第三代半导体封装技术具有独特的材料、工艺和应用优势，将在未来的半导体封装领域发挥重要作用。
随着半导体技术的不断进步和创新，第三代半导体封装技术将会得到更广泛的应用和推广。
我们期待着第三代半导体封装技术在各个领域的突破和发展，为人类社会的进步和发展做出更大的贡献。
集成电路封装技术的发展方向
集成电路封装技术的发展方向随着科技的不断进步和人们对高性能电子器件的需求不断增长，集成电路封装技术也在不断地发展和改进。
本文将分析集成电路封装技术的现状和发展趋势。
一、集成电路封装技术的现状随着电子产品使用场景的不断扩大，对封装技术的要求也越来越高。
尤其是随着人工智能、大数据、云计算等高性能电子器件的出现，集成电路封装技术变得更加重要。
现代封装技术面临着一系列新的挑战，包括：1. 高密度封装随着电路尺寸的缩小，半导体晶体管的密度和数量的增加，同样面积的集成电路上需要容纳更多的电路和元器件。
因此，封装技术的发展需要满足更高的密度要求。
2. 多功能封装电子产品产品不断发展，用户对产品的功能要求也越来越高。
因此，一个封装器件要满足多种功能，如散热、脱焊、防水等。
3. 可重用封装传统的封装技术是一次性的，因此难以适应快速迭代的电子产品市场的需求，造成浪费和效益低下。
二、集成电路封装技术的未来发展为了应对上述挑战，并提供更多的解决方案，集成电路封装技术需要进一步发展。
1. 引入新的材料新材料的引入是提高封装性能和开发高级封装的关键。
例如，硅酸盐玻璃可以制成高质量的二层封装，以改善散热和崩裂问题；有机基板通过提高介电常数，提高信号速度和抑制互相干扰效果。
2. 工艺的优化工艺的优化可以很好的解决集成电路封装过程中遇到的问题。
例如，薄膜制程、金属ELP等制程的应用可以提高封装公差、拼接和可重用性。
3. 创新的封装结构创新的封装结构能够为集成电路提供更多的功能和易于纳入微小装置的能力。
例如，球网阵列封装结构能够实现紧凑型、轻量化、低成本和高可靠性的优势。
4. 智能化封装智能化封装是未来集成电路封装的趋势。
通过智能化设计，可以实现更高的产品精度、智能化质检功能以及让封装适应更多的场景。
结语本文从集成电路封装技术的现状和发展趋势两个方面对集成电路封装技术进行了分析。
未来集成电路封装技术的不断发展，必将为自动驾驶、5G通信和人工智能等领域的发展带来更加稳定的基础条件。
电子封装材料的技术现状与发展趋势
MCM-D 多层基板的层间介电层膜；TFT-LCD 的平坦化（Planarization）和 分割（Isolation）；芯片表面的凸点、信号分配等。 由于low k 材料的需求近 年来不断攀升，预计 BCB 树脂的市场需求将增长很快。 Dow Chemical 是目 前 BCB 树脂的主要供应商，产品牌号包括 CycloteneTM3000 系列、4000 系 列。 环氧光敏树脂具有高纵横比和优良的光敏性；典型代表为化学增幅型环氧酚 醛树脂类光刻胶，采用特殊的环氧酚醛树脂作为成膜树脂、溶剂显影和化学 增幅。由于采用环氧酚醛树脂作成膜材料，故具有优良的粘附性能，对电子 束、近紫外线及 350-400nm 紫外线敏感。环氧光敏树脂对紫外线具有低光光 学吸收的特性，即使膜厚高达 1000um，所得图形边缘仍近乎垂直，纵横比可 高达 20：1。 经热固化后，固化膜具有良好的抗蚀性，热稳定性大于 200oC, 可在高温、腐蚀性工艺中使用。 为了适应微电子封装技术第三次革命性变革的快速发展，需要系统研究其代 表性封装形式，球型阵列封装（Ball Gray Array, BGA）和芯片尺寸级封装（ Chip Scale Packaging, CSP）, 所需的关键性封装材料-聚合物光敏树脂，包 括聚酰亚胺光敏树脂、BCB 光敏树脂和环氧光敏树脂等。
我国 EMC 的研究始于20世纪 70 年代末，生产始于 80 年代初。从 90 年代初
到现在进入了快速发展阶段, 高性能EMC质量水平有了较大进步。但是，国产 EMC 产品在质量稳定性、粘附性、吸潮性、杂质含量、放射粒子量、以及电 性能、力学性能、耐热性能等方面还需要进一步改善，
环氧塑封料的技术发展呈现下述趋势：
3）为适应无铅焊料、绿色环保的要求，向着高耐热、无溴阻燃化方向快速发 展。
微电子封装技术的发展与展望
微电子封装技术的发展与展望The development and the prospect for microelectronics packaging technology周智强湖南工学院电气与信息工程学院电子0902班学号：09401140245摘要微电子技术的发展, 推动着微电子封装技术的不断发展、封装形式的不断出新。
介绍了微电子封装的基本功能与层次, 微电子封装技术发展的三个阶段, 并综述了微电子封装技术的历史、现状、发展及展望。
关键词:微电子; 集成电路; 封装技术AbstractThe development of microelectronics technology promotes the development of microelectronics packaging technology continuously, and new packaging forms appear time and again. In this paper, the basic functions and series of microelectronics packaging, the three stages of microelectronics packaging technology are introduced. And the history, the current state and the future trend of the microelectronics packaging technology are summarized.Keyword: microelectronics; integrated circuit; packaging technology引言随着微电子技术的发展, 集成电路复杂度的增加, 一个电子系统的大部分功能都可集成于一个单芯片的封装内, 这就要求微电子封装具有很高的性能: 更多的引线、更密的内连线更小的尺寸、更大的热耗散能力、更好的电性能、更高的可靠性、更低的单个引线成本等。
电子封装技术毕业论文文献综述
电子封装技术毕业论文文献综述在电子技术领域的快速发展中，电子封装技术作为其中的重要一环，不断演进和创新。
本文将对电子封装技术的发展、目前面临的挑战以及未来方向进行综述，以提供更多的研究参考和理论支持。
一、引言电子封装技术是电子器件制造中至关重要的一环。
它涉及到将电子元器件集成到封装中，并通过封装实现电子元器件互联、保护和散热等功能。
随着电子技术的不断进步和应用领域的扩大，电子封装技术也迎来了新的挑战和机遇。
二、电子封装技术的发展历程1. 早期传统封装技术传统封装技术主要包括通过针脚和焊盘实现电子元器件的封装，并以塑料封装为主。
这种封装方式简单、成本低，但无法满足高密度、高速和小型化等要求。
2. 高级封装技术的崛起随着微电子技术的兴起，高级封装技术应运而生，如表面贴装技术（SMT）、裸芯封装技术（COB）、芯片级封装技术（CSP）等。
这些封装技术实现了更小尺寸、更高集成度和更高速度的电子器件。
三、电子封装技术的挑战1. 热管理问题随着电子产品功耗的增加，散热成为电子封装技术面临的重要挑战。
传统封装技术往往无法满足高功耗电子器件的散热需求，因此需要开发新的散热材料和散热设计方法。
2. 高密度封装随着电子器件集成度的提高，如何在有限的空间内实现更多的器件封装，成为电子封装技术面临的挑战。
这需要开发更小尺寸的封装材料、更好的互联技术以及更高精度的制造工艺。
四、电子封装技术的未来发展方向1. 三维封装技术三维封装技术通过将电子器件在垂直方向上进行堆叠，有效提高了集成度和性能。
这是未来电子封装技术发展的重要方向。
2. 柔性封装技术柔性封装技术可以将电子器件在柔性基底上进行封装，实现了更高的可靠性和适应性。
随着可穿戴设备和可弯曲显示器等市场的兴起，柔性封装技术将成为重要的发展方向。
3. 绿色环保封装技术随着环保意识的提高，绿色环保封装技术也备受关注。
未来的电子封装技术需要使用更环保的材料和制造工艺，尽可能降低对环境的影响。
电子封装与微组装密封技术发展
电子封装与微组装密封技术发展电子封装与微组装密封技术是电子工程领域的重要组成部分，它涉及到封装材料、封装工艺、封装设备等多个方面的技术。
随着科技的不断进步和应用领域的拓展，电子封装与微组装密封技术得到了广泛应用并取得了突破性的发展。
电子封装是指对芯片、电阻、电容等电子元器件进行封装，以便保护其免受外界环境的影响并便于组装、连接和使用。
随着电子产品的迅猛发展，电子封装需要满足更高的可靠性、更小的尺寸和更高的集成度要求。
为此，封装材料、封装工艺和封装设备也在不断创新和改进。
封装材料是电子封装与微组装密封技术的重要组成部分。
在封装材料的选择上，需要考虑其绝缘性能、导热性能、机械性能、耐热性能等多方面的指标。
近年来，一些新型的封装材料如环氧树脂、有机硅胶、纳米材料等被广泛应用于电子封装领域，以实现更高的性能和更小的尺寸。
封装工艺是电子封装与微组装密封技术的核心。
它包括了封装材料的制备、封装工艺参数的选择和封装过程的控制等多个环节。
精确的封装工艺能够确保封装材料与封装部件之间的良好结合，并提供良好的导热和防护性能。
近年来，一些先进的封装工艺如微电子激光焊接、微微纳米级封装、微细制造等技术被广泛研究和应用于电子封装领域。
封装设备是电子封装与微组装密封技术中的重要环节。
它用于制备封装材料、控制封装工艺参数和实现封装过程的自动化和精确控制。
封装设备的发展趋势是向高效、智能、多功能方向发展。
近年来，一些自动化封装设备如贴片机、焊接机器人等被广泛应用于电子封装与微组装密封技术，以提高生产效率和产品的一致性。
总的来说，电子封装与微组装密封技术在电子工程领域发挥着重要的作用。
随着科技的不断进步和应用领域的拓展，电子封装与微组装密封技术在材料、工艺和设备等方面都取得了突破性的发展。
未来，随着电子产品的进一步发展和市场需求的不断增加，电子封装与微组装密封技术将继续发展，并为电子产品的性能和功能提供更全面、更可靠的保障。
微电子封装技术的发展研究报告
微电子封装技术的发展研究报告摘要：本研究报告旨在探讨微电子封装技术的发展趋势和未来的挑战。
首先，我们回顾了微电子封装技术的历史和现状，包括其在电子产品中的重要性和应用范围。
然后，我们介绍了目前主流的微电子封装技术，如晶圆级封装、芯片级封装和3D封装等。
接下来，我们分析了微电子封装技术的发展趋势，包括高密度封装、低成本封装和高性能封装等。
最后，我们讨论了微电子封装技术面临的挑战，并提出了未来的研究方向和发展建议。
1. 引言微电子封装技术是现代电子产品制造中不可或缺的一环。
随着电子产品的不断进步和发展，对封装技术的要求也越来越高。
微电子封装技术的发展对于提高电子产品的性能、降低成本和增强可靠性具有重要意义。
2. 微电子封装技术的历史和现状微电子封装技术起源于上世纪60年代，随着集成电路的发展，封装技术也逐渐成熟。
目前，微电子封装技术已广泛应用于各种电子产品，如智能手机、平板电脑和汽车电子等。
封装技术的发展使得电子产品在体积、重量和功耗方面得到了显著改善。
3. 目前主流的微电子封装技术目前，主流的微电子封装技术包括晶圆级封装、芯片级封装和3D封装等。
晶圆级封装技术将多个芯片封装在同一块晶圆上，可以提高封装效率和降低成本。
芯片级封装技术将芯片直接封装在基板上，可以实现更小尺寸和更高性能。
3D封装技术将多个芯片堆叠在一起，可以提高系统集成度和性能。
4. 微电子封装技术的发展趋势微电子封装技术的发展趋势主要包括高密度封装、低成本封装和高性能封装等。
高密度封装要求在有限的空间内实现更多的功能和连接。
低成本封装要求降低生产成本和材料成本。
高性能封装要求提高电子产品的工作速度和可靠性。
5. 微电子封装技术面临的挑战微电子封装技术面临着许多挑战，如封装材料的热膨胀系数匹配、封装工艺的精确控制和封装可靠性的提高等。
此外，封装技术还需要适应新兴的电子器件和应用，如物联网、人工智能和自动驾驶等。
6. 未来的研究方向和发展建议为了应对微电子封装技术的挑战，我们需要加强封装材料的研发和工艺的改进。
电子封装工艺的新技术与发展趋势
电子封装工艺的新技术与发展趋势随着科技的不断发展，电子封装工艺在电子产品制造中扮演着重要的角色。
电子封装工艺是将电子元器件组装到电路板上，并通过封装材料进行保护和固定，以确保电子设备的正常运行。
本文将探讨电子封装工艺的新技术和发展趋势。
一、新技术的应用1.3D封装技术传统的电子封装工艺主要采用二维封装，即将电子元器件组装在平面电路板上。
而3D封装技术则是将元器件在垂直方向上进行堆叠，从而提高电路板的集成度和性能。
这种技术的应用可以有效减小电子设备的尺寸，提高其功能性和可靠性。
2.柔性封装技术随着可穿戴设备和可弯曲显示器的兴起，柔性封装技术成为了一个热门的研究领域。
柔性封装技术通过使用柔性基板和柔性封装材料，使得电子设备可以具备弯曲和可折叠的特性，从而实现更加便携和灵活的电子产品。
3.无铅封装技术为了保护环境和人类健康，无铅封装技术逐渐取代了传统的铅封装技术。
无铅封装技术采用无铅焊料和无铅封装材料，从而减少了对环境的污染。
同时，无铅封装技术也提高了电子设备的可靠性和性能。
二、发展趋势的展望1.尺寸的缩小与集成度的提高随着电子设备功能的不断增强，对于尺寸的要求也越来越高。
未来，电子封装工艺将会朝着尺寸的缩小和集成度的提高方向发展。
通过采用更小尺寸的元器件和更高密度的封装方式，电子设备可以实现更小巧的外形和更高的性能。
2.高可靠性和长寿命电子设备在使用过程中往往会受到各种环境因素的影响，如温度、湿度、震动等。
因此，未来的电子封装工艺将会更加注重电子设备的可靠性和长寿命。
通过采用更高质量的封装材料和更严格的制造工艺，电子设备可以更好地抵抗外界环境的影响，延长使用寿命。
3.绿色环保环境保护已经成为全球关注的焦点，电子封装工艺也不例外。
未来的发展趋势将会更加注重绿色环保。
除了无铅封装技术之外，还将进一步研究和应用可降解的封装材料和可循环利用的电子元器件，以减少对环境的负面影响。
总结：电子封装工艺的新技术和发展趋势为电子设备的制造和应用提供了更多的可能性。
电子封装技术的发展现状及趋势
电子封装技术的发展现状及趋势近年来，我国电子封装技术发展迅速，且为电子产品与电子系统的微小型化发展提供了重要的外部技术保证。
为了进一步加强对电子封装技术的认识与了解，文章则主要对当前国内外电子封装技术的发展现状进行总结和说明，在此基础上，对电子封装技术在未来的发展趋势展开了深入研究。
标签：电子封装技术；MIS倒装封装；3D封装前言自发明集成电路产业的迅速发展对电子封装技术提出了更高的要求，而电子封装技术也承担起越来越多的多元化以及集成化和规模化的芯片封装功能。
在此背景下，加强对国内外电子封装技术发展现状的研究和分析，并准确把握电子封装技术未来的发展趋势，已成为电子封装领域适应IC产业发展需要着重开展的关键工作。
1 电子封装技术现状1.1 国内电子封装技术现状经过了国内相关企业的长期不懈的努力，结合国实际情况借鉴国外先进电子封装技术，通过多年的技术沉淀和开发，我国封装产业在近年来出现了较多的半导体创新技术以及相应产品，而以技术创新为代表的本土封装企业的快速发展也成为了提高我国电子封装技术和产业国际竞争力的关键。
2012年，由国内25家电子封装产业链相关单位组建形成的“集成电路封测产业链技术创新联盟”标志着我国拥有了自己的电子封装技术研究团队，通过建立高密度的IC封装技术工程实验室，以封测产业量广面大、对进口技术具有较强依赖或是被国外发达国家垄断的封装技术创新等作为主要项目，加快推动项目的组织实施和研究、管理工作，使得封测应用工程对整个电子封装产业链的辐射作用得以有效发挥[1]。
根据品牌化战略与国际化战略的发展方针，CSP以及MCP和BGA等新型封装技术已在部分电子封装的生产线应用，而SPFN以及FBP和MIS等自主知识产权的获得也为提高我国电子封装技术的国际竞争力水平奠定了良好基础。
例如，TSV硅片通道、SiP射频以及圆片级三维的再布线封装与50um及以下超薄芯片的三维堆叠封装技术等被广泛应用到电子封装的实际工作中，有效带动了电子封装产业及相关产业的发展。
电子封装技术的发展
电子封装技术的发展一、封装技术的发展从80年代中后期，开始电子产品正朝着便携式、小型化、网络化和多媒体化方向发展，这种市场需求对电路组装技术提出了相应的要求，单位体积信息的提高(高密度)和单位时间处理速度的提高(高速化)成为促进微电子封装技术发展的重要因素。
1.1 片式元件：小型化、高性能片式元件是应用最早、产量最大的表面组装元件。
它主要有以厚薄膜工艺制造的片式电阻器和以多层厚膜共烧工艺制造的片式独石电容器，这是开发和应用最早和最广泛的片式元件。
随着工业和消费类电子产品市场对电子设备小型化、高性能、高可靠性、安全性和电磁兼容性的需求，对电子电路性能不断地提出新的要求，片式元件进一步向小型化、多层化、大容量化、耐高压、集成化和高性能化方向发展。
在铝电解电容和钽电解电容片式化后，现在高Q值、耐高温、低失真的高性能MLCC已投放市场；介质厚度为10um的电容器已商品化，层数高达100层之多；出现了片式多层压敏和热敏电阻，片式多层电感器，片式多层扼流线圈，片式多层变压器和各种片式多层复合元件；在小型化方面，规格尺寸从3216→2125→1608→1005发展，目前最新出现的是0603(长0.6mm，宽0.3mm)，体积缩小为原来的0.88%。
集成化是片式元件未来的另一个发展趋势，它能减少组装焊点数目和提高组装密度，集成化的元件可使Si效率(芯片面积/基板面积)达到80%以上，并能有效地提高电路性能。
由于不在电路板上安装大量的分立元件，从而可极大地解决焊点失效引起的问题。
1.2 芯片封装技术：追随IC的发展而发展数十年来，芯片封装技术一直追随着IC的发展而发展，一代IC就有相应一代的封装技术相配合，而SMT的发展，更加促进芯片封装技术不断达到新的水平。
六七十年代的中、小规模IC，曾大量使用TO型封装，后来又开发出DIP、PDIP，并成为这个时期的主导产品形式。
八十年代出现了SMT，相应的IC封装形式开发出适于表面贴装短引线或无引线的LCCC、PLCC、SOP等结构。
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Al2O3陶瓷基片由于原料丰富、强度、硬度高、绝缘性、化学稳定性、 与金 属附着性良好，是目前应用最成熟的陶瓷基封装材料。但是Al2O3热膨胀系数和 介电常数比Si高，热导率不够高，限制了其在高频，高功率，超大规模集成封装
领域的应用。
AlN具有优良的电性能和热性能，适用于高功率，多引线和大尺寸封装。但是 AlN存在烧结温度高，制备工艺复杂，成本高等缺点，限制了其大规模生产和使用。
半导体Si片的支撑材料。但W、Mo与Si的浸润性差、 焊接性差。另外W、Mo、Cu的密度较大,不宜航空航 天使用；W、Mo成本高，不宜大量使用。
新型金属基封装材料： Si/Al合金： 利用喷射成形技术制备出Si质量分数为70%的Si2Al合金，其热 膨胀系数为(6-8)×10- 6K- 1热导率大于100W/(m· K)密度为2.42.5g/cm3, 可用于微波线路、光电转换器和集成线路的封装等。 提高Si含量,可降低热膨胀系数和合金密度,但增加了气孔率,降低 了热导率和抗弯强度。Si含量相同时,Si颗粒较大的合金的热导率和 热膨胀系数较高, Si颗粒较小的合金的抗弯强度较高。Al/Si2合金应 用前景广阔。
未来的金属基封装材料将朝着高性能、低成本、低密
度和集成化的方向发展。轻质、高导热和CTE匹配的Si/Al、 SiC/Al合金将有很好的前景。
聚酰亚胺封装：聚酰亚胺可耐350~450℃的高温、 绝
缘性好、介电性能优良、抗有机溶剂和潮气的浸湿等
优点，主要用于芯片的钝化层、应力缓冲和保护涂层、 层间介电材料、液晶取向膜等,特别用于柔性线路板的 基材。
3.3金属基封装材料
a.优势与劣势： 金属基封装材料较早应用到电子封装中, 因其热
导率和强度较高、加工性能较好，至今仍在研究、开
b.常用塑料基封装材料
环氧模塑料（EMC)具有优良的粘结性、优异的电绝缘性、强度高、 耐热性和耐化学腐蚀性好、吸水率低，成型工艺性好等特点。环氧塑封 料目前存在热导率不够高，介电常数、介电损耗过高等问题急需解决。
可通过添加无机填料来改善热导ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ介电性质。
有机硅封装材料：硅橡胶具有较好的耐热老化、耐紫外线老化、绝 缘性能，主要应用在半导体芯片涂层和LED封装胶上。将复合硅树脂和 有机硅油混合, 在催化剂条件下发生加成反应, 得到无色透明的有机硅封 装材料。环氧树脂作为透镜材料时,耐老化性能明显不足,与内封装材料 界面不相容,使LED的寿命急剧降低。硅橡胶则表现出与内封装材料良好 的界面相容性和耐老化性能.
层间介质
介质材料在电子封装中起着重要的作用，如保护电路、隔离 绝缘和防止信号失真等。 它分为有机和无机 2 种，前者主要为聚合物，后者为 Si02 ， Si3N4和玻璃。多层布线的导体间必须绝缘，因此，要求介质有 高的绝缘电阻，低的介电常数，膜层致密。
密封材料
电子器件和集成电路的密封材料主要是陶瓷和塑料。最早用 于封装的材料是陶瓷和金属，随着电路密度和功能的不断提高， 对封装技术提出了更多更高的要求，从过去的金属和陶瓷封装 为主转向塑料封装。至今，环氧树脂系密封材料占整个电路基 板密封材料的90％左右． 树脂密封材料的组成为环氧树脂 ( 基料树脂及固化剂 ) 、填料 (二氧化硅)、固化促进剂、偶联剂(用于提高与填料间的润湿性 和粘结性 ) 、阻燃剂、饶性赋予剂、着色剂、离子捕捉剂 ( 腐蚀 性离子的固化 ) 和脱模剂等。目前，国外 80 ％～ 90 ％半导体器 件密封材料 ( 日本几乎全部 ) 为环氧树脂封装材料，具有广阔的 发展前景。
Cu/C纤维封装： C纤维的纵向热导率高（1000W/(m· k)），热膨胀系数很小（-1.6×106K-1因），此Cu/C纤维封装材料具有优异的热性能。对于Cu/C纤维封装材 料，其具有明显的各向异性，沿着C纤维方向的热导率远高于横向分布的热 导率。 Cu与C的润湿性差,固态和液态时的溶解度小,且不发生化学反应。因 此,Cu/C 纤维封装材料的界面结合是以机械结合为主的物理结合, 界面结合 较弱。所以，Cu/C纤维封装材料制备过程中需要首先解决两组元之间的相
发和推广。 但是传统金属基封装材料的热膨胀系数不匹配,密 度大等缺点妨碍其广泛应用。
b.常用金属基电子封装材料
传统金属基封装材料： Al：热导率高、密度低、成本低、易加工，应用最广 泛。但Al的热膨胀系数与Si等差异较大，器件常因较 大的热应力而失效，Cu也是如此。
W、Mo：热膨胀系数与Si相近，热导率较高，常用于
电子封装材料及其应用
主讲人：
王科 鄢冬冬
目录
一、 电子封装材料的概念 二、 电子封装材料的分类 三、 电子封装的应用 四、 结语
一、电子封装材料的概念
电子封装
电子封装是指对电路芯片进行包装，保护电路芯片，使
其免受外界环境影响的包装。
电子封装材料
电子封装材料是用于承载电子
元器件及其相互联线，起机械支 持，密封环境保护，信号传递， 散热和屏蔽等作用的基体材料。
好的环氧树脂.新型环氧模塑料将走俏市场,有机硅类或聚酰亚胺类
很有发展前景
在军事、 航空航天和高端民用电子器件等领域,陶瓷基
封装材料将向多层化方向发展,低温共烧陶瓷具有广阔的前
景，多层陶瓷封装的发展重点是可靠性好,柔性大、成本低。 高导热、高密封的AlN发展潜力巨大,应在添加物的选择与 加入量、烧结温度、粉料粒度、氧含量控制等关键技术上 重点突破。
溶性问题,以实现界面的良好结合。此外,C纤维价格昂贵，而且Cu/C纤维封
装材料还存在热膨胀滞后的问题。
3.4三种类型封装材料对比
塑料基封装材料的密度较小,介电性能较好,热导率 不高, 热膨胀系数不匹配,但成本较低,可满足一般的封装
技术要求。
金属基封装材料的热导率较高,但热膨胀系数不匹配, 成本较高。 陶瓷基封装材料的密度较小,热导率较高,热膨胀系数 匹配,是一种综合性能较好的封装方式
SiC 陶瓷的热导率很高，热膨胀系数较低，电绝缘性能良好，强度高。但是SiC
介电常数太高，限制了高频应用，仅适用于低频封装。
3.2 塑料基封装材料
a.优势与劣势： 塑料基封装材料成本低、工艺简单、在电 子封装材料中用量最大、发展最快。它是实 现电子产品小型化、 轻量化和低成本的一类 重要封装材料。 但是塑料基封装材料存在热膨胀系数（与 Si）不匹配，热导率低，介电损耗高，脆性大 等不足。
布线
导体布线由金属化过程完成。基板金属化是为了把芯片安 装在基板上和使芯片与其他元器件相连接。为此，要求布线金 属具有低的电阻率和好的可焊性，而且与基板接合牢固。金属 化的方法有薄膜法和后膜法。
Al是半导体集成电路中最常用的薄膜导体材料，其缺点是抗电子迁移能 力差。Cu导体是近年来多层布线中广泛应用的材料，Au，Ag，NiCrAu，Ti— Au，Ti—Pt—Au等是主要的薄膜导体。为降低成本，近年来采用Cr—Cu—Au， Cr—Cu—Cr，Cu—Fe—Cu，Ti—Cu—Ni—Au等做导体薄膜。
二、电子封装材料的分类
基板
布线
电子封 装材料
密封材料
框架
层间介质
基体
高密度多层封装基板主要在半导体芯片与常规 PCB （印制电 路板）之间起电气过渡作用，同时为芯片提供保护、支撑、散热 作用。 陶瓷 环氧玻璃
主要包括
金属基复 合材料
金属
金刚石
封装基板主要包括三种类型: 1) 硬质 BT 树脂基板：硬质 BT 树脂基板主要由 BT 树脂（ 双马来酰亚胺三嗪树脂）和玻纤布经反应性模压工艺而制成。 2)韧性 PI(聚酰亚胺) 薄膜基板：在线路微细化、轻量化、 薄型化、高散热性需求的驱动下，主要用于便携式电子产品的 高密度、多 I/O 数的 IC 封装。 3）共烧陶瓷多层基板：烧陶瓷基板包括高温共烧陶瓷基板（ HTCC）和低温共烧基板(LTCC)。和 HTCC 相比, LTCC 基板的介 电常数较低, 适于高速电路；烧结温度低, 可使用导电率高的 导体材料；布线密度高，且可以在 LTCC 结构中埋置元器件。
3.5 绿色电子封装材料
绿色电子封装是指在电子产品整个封装过程中，必须考虑资源 能源消耗和环境影响等问题，并兼顾技术和经济因素，使得电子封 装企业的经济效益和社会效益达到协调优化的电子封装理念。目前 研究比较多的绿色电子封装是封装材料的无铅无卤化问题。 绿色电子封装要求封装材料，包括互连材料(如无铅焊料和焊膏 等 )和被连接材料(如印刷电路板、电子元器件等 )以及连接后清洗所 用的清洗剂等，均不得使用含铅及含卤素材料。
三、电子封装工艺
电子封装结构的三个层次
3.电子封装材料研究现状
3.1 陶瓷基封装材料 3.2 塑料基封装材料 3.3 金属基封装材料
3.4 三种类型封装材料对比
3.5 绿色电子封装材料
3.1 陶瓷基封装材料
a.优势与劣势： 优势：1)低介电常数,高频性能好
2)绝缘性好、 可靠性高
3)强度高, 热稳定性好 4)低热膨胀系数, 高热导率 5)气密性好,化学性能稳定 6)耐湿性好, 不易产生微裂现象 劣势： 成本较高，适用于高级微电子器件的封装 （航空航天及军事领域）
结语
在未来相当长时间内,电子封装材料仍以塑料基为主。发展方向为：
1.)超大规模集成化、微型化、高性能化和低成本化。
2.)满足球栅阵列(BGA)、芯片级(CSP)、多芯片组件（MCM）等 先进新型封装形式的新型环氧模塑料。
3.)无卤、锑元素,绿色环保,适用于无铅焊料工艺的高温260℃回流
焊要求。 4.)开发高纯度、低黏度、多官能团、低吸水率、低应力、耐热性