传感器课设霍尔位移传感器的设计汇总

太原理工大学

课程设计说明书

题目：霍尔位移传感器的设计

学院（系）：现代科技学院

年级专业：测控1001 学号：

学生姓名：

指导教师：***

摘要：霍尔传感器是基于霍效应而将被测量转化成电动势输出的一种传感器。霍尔

元件已发展成一个品种多样的磁传感器产品簇，并且得到广泛的应用。霍尔器件是一种磁传感器，用它可以检测磁场及其变化，可以在各种与磁有关的场合中使用。霍尔期间以霍尔效应为其工作原理。

本文主要研究霍尔位移传感器的设计。如图所示，被测物体分别与恒定电流I和恒定磁场B垂直。当被测物体相对于原来位置有微小位移变化时，会产生变化的磁通量，会在导体垂直于磁场和电流的两个端面之间产生电势差，即U H（霍尔电压）。本文主要研究微小位移与霍尔电压的关系来设计霍尔位移传感器。

关键字：霍尔传感器位移霍尔电压

目录

1 霍尔传感器的发展历程 (4)

2 霍尔传感器的工作原理

2.1 霍尔效应 (6)

2.2 霍尔元件 (6)

2.3 霍尔元件的主要特性及材料 (7)

3 霍尔元件的误差及补偿

3.1 霍尔元件的零位误差与补 (3)

3.2 微位移和压力的测量 (7)

3.3 霍尔位移传感器的设偿 (7)

3.4 霍尔元件的温度误差及补偿 (8)

4测量电路原理与设计

4.1模型的建立 (10)

4.2 放大电路设计 (11)

4.3实验数据处理 (12)

5 LabVIEW显示模块设计 (13)

6 设计总结 (15)

7参考文献 (16)

1 霍尔传感器的发展历程

霍尔传感器是磁电效应的一种，这种现象是霍尔于1879年在研究金属的导体机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强的多，利用这种现象制成的各种霍尔元件。广泛的应用于工业自动化技术，检测技术及信息处理方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。尽管人们早在1879年就知道了霍尔效应，但直到20世纪60年代末，随着固态电子技术的发展，霍尔效应才开始为人们所应用。自此，霍尔传感器得到飞速发展，在汽车，工业，计算机等行业中得到广泛应用，如齿轮速度检测、运动与接近检测及电流检测等。霍尔传感器的出现。解决了很多让人棘手的问题。

100多年来，霍尔效应的应用经历了三个阶段：

第一阶段是从霍尔效应的发现到20世纪40年代前期。最初，由于金属材料中的电子浓度很大，而霍尔效应十分微弱，所以没有引起人们的重视。这段时期也有人利用霍尔效应制成磁场传感器，但实用价值不，到了1910年有人用金属铋制成霍尔元件，作为磁场传感器。但是，由于当时未找到更合适的材料，研究处于停顿状态。

第二阶段是从20世纪40年代中期半导体技术出现之后，随着半导体材料、制造工艺和技术的应用，出现了各种半导体霍尔元件，特别是锗的采用推动了霍尔元件的发展，相继出现了采用分立霍尔元件制造的各种磁场传感器、磁罗盘、磁头、电流传感器、非接触开关、接近开关、位置、角度、速度、加速度传感器、压力变送器、无刷直流电机以及各种函数发生器、运算器等，应用十分广泛。

第三阶段是自20世纪60年代开始，随着集成电路技术的发展，出现了将霍尔半导体元件和相关的信号调节电路集成在一起的霍尔传感器。进入20世纪80年代，随着大规模超大规模集成电路和微机械加工技术的进展，霍尔元件从平面向三维方向发展，出现了三端口或四端口固态霍尔传感器，实现了产品的系列化、加工的批量化、体积的微型化。此外，20世纪70年代末，美国科学家发现了量子霍尔效应并因此获得了1985年的诺贝尔物理学奖。最近，韩国科学家报告了等离子霍尔传感器L1 J。

最近，F．Le Bihan等人研制了一种可测量大位移量的多晶硅薄膜场效应(rIFI’)霍尔传感器，其结构见图19a和图19b，它包括2个对称放置的rIFI’霍尔探头和2个源极、漏极。该传感器系采用LI~VD工艺，形成非掺杂和轻掺杂两种多晶硅薄膜作为激励区；采用重掺杂多晶硅工艺，形成源极和漏极；采用VD工艺形成隔离门。为了减少电极间的相互干扰。它的激励区较大为200tzm×200tzm。霍尔电极放在宽15tzm的沟道中间。该传感器的主要特点是，它的灵敏度和功耗与薄膜场效应管的门和漏极电压相关，灵敏度为200mV ／T，功耗小于2mW。将霍尔发生器形成在大面积玻璃芯片上，可用于大量程位置传感器。

图1-1 TFT位移传感器

2 霍尔传感器的工作原理

2.1霍尔效应

如霍尔效应原理图所示，在半导体薄片两端通以恒定电流I，并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上，将产生电势差为U H的霍尔电压，它们之间的关系为U H=K H IBCOSA，式中K H称为霍尔系数，它的大小与薄片的材料有关。上述效应称为霍尔效应，它是德国物理学家霍尔于1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。I为所加的电流（一般为恒流源），B为均匀磁场，A为磁场与法线的夹角。E H为电场（图2-1所示）

图2-1 霍尔效应原理图

2.2霍尔元件

霍尔元件是半导体四端薄片，一般做成正方形，在薄片的相对两侧对称的焊上两对电极引出线（一对称激励电流端，另一对称霍尔电势输出端），如图2-2所示。

图2-2霍尔元件结构

2.3霍尔元件的主要特性及材料

1）霍尔元件的主要特性参数

灵敏度K H：表示元件在单位的磁感应强度和单位控制电流所得到的开路霍尔电动势霍尔输入电阻：霍尔控制及间的电阻值

霍尔最大允许激励电流：以霍尔元件允许的最大温度为限所对应的激励电流

不等位电势：当霍尔元件的控制电流为额定值时，若元件所处位置的磁感应强度为零，测得的空载霍尔电势。（不等位电势是由霍尔电极2和之间的电阻决定的， r 0称不等位电阻）

寄生直流电势（霍尔元件零位误差的一部分）：

当没有外加磁场，霍尔元件用交流控制电流时，霍尔电极的输出有一个直流电势

控制电极和霍尔电极与基片的连接是非完全欧姆接触时，会产生整流效应。

两个霍尔电极焊点的不一致，引起两电极温度不同产生温差电势

霍尔电势温度系数：在一定磁感应强度和控制电流下，温度每变化1度时，霍尔电势变化的百分率。

图2-3基本应用电路

2)霍尔元件的材料

目前最常用的霍尔元件材料是锗（Ge）、硅（Si）、锑化铟（InSb）、砷化

）型固熔体（其中铟（InAs）和不同比例亚砷酸铟和磷酸铟组成的In（As y P

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