工程电磁场第二章静电场(二)解读
第2章--电磁场基本方程---2
B(z) 0Ia
4π
2π 0
(z2
ez a a2 )3/2
d
'
0 Ia 2
2(z2 a2 )3/ 2
可见,线电流圆环轴线上的磁感应强度只有轴向分量,这是因为
圆环上各对称点处的电流元在场点P产生的磁感应强度的径向分 量相互抵消。
在圆环的中心点上,z = 0,磁感应强度最大,即
B(0)
ez
0 I
dB (r )
0
4π
Idl (r r r3
r )
体电流产生的磁感应强度
B(r ) 0 J (r) R dV
4π V R3 面电流产生的磁感应强度
z
C Idl M
r R r y
o
x
B(r ) 0
4π
S
JS
(r ) R3
R
dS
25
电磁场
第二章 电磁场基本方程
3. 几种典型电流分布的磁感应强度
D
rˆ
q
4r 2
4
电磁场
第二章 电磁场基本方程
电通量为
S
D
ds
q
4r 2
4r 2
q
此通量仅取决于点电荷量q, 而与所取球面的半径无关。
如果在封闭面内的电荷不止一个, 则利用叠加原理知, 穿出封闭 面的电通量总和等于此面所包围的总电量
S D ds Q
--- 高斯定理的积分形式(1839
K .F .Gauss导出),
r1 R12 r2
o
x
C2
I2dl2
y
安培磁力定律
F12
0
4π
I2dl2 (I1dl1 R12 )
工程电磁场(清华大学出版社)课后题解
l 2 + 4l 25 a 2 ⎭ ⎭ 2l α 0 ⎝ 0 0 2x0 r 0r 0l 0 第二章 静电场(注意:以下各题中凡是未标明电介质和导体的空间,按真空考虑) 2-1 在边长为a 的正方形四角顶点上放置电荷量为q 的点电荷,在正方形几何中心处放置电荷量为Q 的点电荷。
问Q 为何值时四个顶点上的电荷受力均为零。
解 如图建立坐标系,可得q ⎛ 12 1 ⎫ Q 2 1 E x e x = 4πε + 2 ⨯ 2a 2 ⎪e x + 4πε ⨯ 2 ⨯ a 2 / 2 e x q ⎛ 1 2 1 ⎫ Q 2 1 E y e y =+ 4πε 0 ⎝ 2 ⨯ 2a 2 ⎪e y + 4πε ⨯ 2 ⨯ a 2 / 2 e y ⎛ 2 ⎫ ⎛ 2 ⎫据题设条件,令 q 1 + ⎪ + Q 4 ⎪ = 0 ,2 ⎝ 解得 Q = - q(1 + 2 2)4⎭ ⎝ ⎭2- 有一长为2l ,电荷线密度为τ 的直线电荷。
1) 求直线延长线上到线电荷中心距离为2l 处的电场强度和电位; 2) 求线电荷中垂线上到线电荷中心距离为2l 处的电场强度和电位。
解 1)如图(a )建立坐标系,题设线电荷位于 x 轴上l ~ 3l 之间,则 x 处的电荷微元在坐标原点产生的电场强度和电位分别为d E = τd x (-e ), d ϕ = τd x4πε 0 x 4πε 0 x由此可得线电荷在坐标原点产生的电场强度和电位分别为 E (0) = 3l d E3lτd x(- e ) =τ(- e )⎰l⎰l4πε 0xx6πε lxϕ (0) = ⎰3ld ϕ = ⎰3lτd x =τln 3ll4πε 0 x 4πε 02)如图(b )建立坐标系,题设线电荷位于 y 轴上- l ~ l 之间,则 y 处的电荷微元在点(0,2l ) 处产生的电场强度和电位分别为d E = τd y (-e ), d ϕ = τd y4πε 2r 4πε 0 r 式中, d y = 2l d θ cos 2 θ , r = , sin α = l cos θ = 1 ,分别代入上两式,并考虑 对称性,可知电场强度仅为 x 方向,因此可得所求的电场强度和电位分别为 E (2l ,0) = α = 2eα τd ycos θ = τe x cos θd θ = τe x sin α = τe x 2⎰0 d E x ⎰0 4πε 2 4πε ⎰0 4πε 0l 4 5πε 0l ϕ (2l ,0) = α ϕ = τ α d θ = τ ⎡ ⎛ 1 tan -1 1 + π ⎫⎤ = 0.24τ 2⎰0 d 4πε ⎰0co s θ 2πε ln ⎢tan 2 2 4 ⎪⎥ πε 0 0 ⎣ ⎝ 2-3 半径为a 的圆盘,均匀带电,电荷面密度为σ 。
2-静电场-2-基本方程与衔接条件
Zhang h j 2008
9
例
Hebei University of Technology
河北工业大学
《工程电磁场基础》
无限大 计算均匀电荷面密度为σ的无限大平面的电场。 解:如图所示取柱形闭合面 对称、均匀
v v v ⎧D0ez z >0 D=⎨ v v ⎩D0 (−ez ) z < 0
Δ
σΔ
∴
⎧ aU ⎪ ϕ =⎨ r ⎪U ⎩
r≥a r≤a
电场强度可求电位的负梯度得到:
v aU v v v v ∂ϕ ⎧er 2 ⎪ =⎨ r E ( r ) = −∇ϕ (r ) = −er ∂r ⎪ 0 ⎩ r>a r < Zhang h j a
球内电位分 布? 如果已知球面 电位分布,如 何求解?
Zhang h j 2008
13
Hebei University of Technology
河北工业大学
《工程电磁场基础》
2-4 静电场边值问题
1.静电场位函数方程 2.边值问题及其分类
3.边值问题的建立 4.边值问题的分析方法概述
Zhang h j 2008
14
1.静电场位函数方程
Hebei University of Technology
河北工业大学
《工程电磁场基础》
C1=0
由边界条件可知,当r=a时,D1=D2
D1
r =a r =a
=
C2 a
2
∴
v ⎛ r r3 ⎞v D1 = ρ 0 ⎜ − 3 ⎟er ⎜ 3 5a ⎟ (r<=a) ⎝ ⎠ 3 v 2 ρ0a v D2 = er 2 (r>=a) 15r
工程电磁场知识点总结
工程电磁场知识点总结第一章矢量分析与场论1 源点是指。
2 场点是指。
3 距离矢量是,表示其方向的单位矢量用表示。
4 标量场的等值面方程表示为,矢量线方程可表示成坐标形式,也可表示成矢量形式。
5 梯度是研究标量场的工具,梯度的模表示梯度的方向表示。
6 方向导数与梯度的关系为7 梯度在直角坐标系中的表示为?u?。
8 矢量A在曲面S上的通量表示为?? 9 散度的物理含义是 10 散度在直角坐标系中的表示为??A?。
11 高斯散度定理。
12 矢量A沿一闭合路径l的环量表示为。
13 旋度的物理含义是 14 旋度在直角坐标系中的表示为??A?。
15 矢量场A在一点沿el方向的环量面密度与该点处的旋度之间的关系为。
16 斯托克斯定理17 柱坐标系中沿三坐标方向er,e?,ez的线元分别为,18 柱坐标系中沿三坐标方向er,e?,e?的线元分别为,19 ?1111???'??2eR?2e'R RRRR???20 ??????'??'???????4??(R)?R??R??11?0(R?0)( R?0)第二章静电场1 点电荷q在空间产生的电场强度计算公式为。
2 点电荷q 在空间产生的电位计算公式为。
3 已知空间电位分布?,则空间电场强度E。
4 已知空间电场强度分布E,电位参考点取在无穷远处,则空间一点P处的电位?P。
5 一球面半径为R,球心在坐标原点处,电量Q均匀分布在球面上,?则点?,,??处的电位等于。
222??RRR6 处于静电平衡状态的导体,导体表面电场强度的方向沿7 处于静电平衡状态的导体,导体内部电场强度等于 8处于静电平衡状态的导体,其内部电位和外部电位关系为 9 处于静电平衡状态的导体,其内部电荷体密度为 10处于静电平衡状态的导体,电荷分布在导体的。
11 无限长直导线,电荷线密度为?,则空间电场E。
12 无限大导电平面,电荷面密度为?,则空间电场E。
13 静电场中电场强度线与等位面14 两等量异号电荷q,相距一小距离d,形成一电偶极子,电偶极子的电偶极矩p= 。
工程电磁场-基本概念
1
1 2 0
C1
100 ,
得 C1
100
1 2 0
代入 C1 和 C2
x2
1
100 x
(V)
20
20
d
x
1
E
dx
ex
0
100
2
0
e
x
(V m)
第三章 恒定电场的基本原理
1、体电流密度的定义式 2、电流密度与电场强度的关系 3、电源中电场强度的表达式 4、电荷守恒原理的表达式 5、导电媒质分界面衔接条件的标量表达式 6、恒定电场边界条件的分类
量为
场点坐标 (r,, z)是不变量,源点坐标 (0,, z) 中 z 是变量,统一用θ表
示
总的电场强度 若为无限长直导线
习题 2-1
(3)静电场环路定理
由电位计算电场强度,是求梯度的运算,也就是求微分 的运算
在静电场中,任意一点的电场强度E 的方向总是沿着
电位减少最快方向,其大小等于电位的最大变化率。
有些金属或化合物当温度降到某一临界数值
后, ,变为超导体, J E 不再适用。
3、电源中电场强度的表达式
作用于单位电荷上的局外电场力定义为局外电
场强度,记为 Ee 。 电源中总的电场强度 ET EC Ee 。
在电源以外的区域,只存在库仑电场。
总的电场强度 ET EC 。
4、电荷守恒原理的表达式
1、体电流密度的定义式
将单位时间内流过某个面积 S 的电荷量
定义为穿过该面积的电流,用 I 表示 I lim q dq t0 t dt
电流的单位是安(培)(A)。1 安=1 库秒。 电荷在空间体积中运动,形成体电流。
第二章恒定电场-工程电磁场导论-冯慈章课件
一、电源电动势与局外场强
电源是一种将其它能量转换成电能的装置; 局外力: f e
局外场强:Ee
方向由电源负极指向正 极
电源电动势: Ee dl
l
库仑场强:E
方向由电源正极指向负 极
Engineering electrical magnetic field
二、恒定电场
导电媒质中的恒定电场; 通有恒定电流的导体周围电介质或空气中的 恒定电场。
J1 J 2 J I / S E1 E2 J / p1 p2 P p1Sd , P2 p2 S 2d 1 P2 2 P 1
图2-4 平行板电容器的电场 功率的一个计算例子
2.2电源电动势与局外场强
Engineering electrical magnetic field
。 返 回 上 页 下 页
4. 元电流段的概念 元电流是元电荷dq以速度 v 运动形成的电流
C m s A m
νdV (体电流元) JdV
dq
νdS (面电流元) KdS νdl (线电流元) Idl
2.1.3 欧姆定律的微分形式 (Differential Form of Ohm’s Law)
dq I dt
2.1.2 电流密度(Current Density)
1. 电流面密度 J 体电荷 以速度 v 作匀速运动形成的电流。 电流密度 电流
J v
I J dS
S
J的大小 垂直于电流方向的平面 里,单位面积上通过 的电流强度。
A m2 J的方向与电流方向相同 ;
J2
en 2
2
1
1 J1
工程电磁场-第二章恒定电场
ax
0, 0, U sin x , 0 x0
a 0 yb
y0 0 xa
yb
0
0 xa
xa 0 yb
2023/10/15
32/54
例3 试用边值问题求解电弧片中电位、电场及面电荷的分布?
解:选用圆柱坐标,边值问题为: 0
0
21
1
(
1 )
1
2
21 2
21
z 2
0
( 1区域)
2 2
欧姆定律 导体内流过的电流与导体两端的电压成正比。
U RI I GU
设小块导体,在线性情况下
R 1 dl U E dl
ds I J dS
J 与 E 之关系
J E
Ohm’s Law 微分形式
说明 ① J 与 E 成正比,且方向一致。
① 上式也适用于非线性情况。
2023/10/15
11/54
tan 1 1 tan 2 2
γ1
γ2
J2
α2 α1
除α1=90°外,无论α1为多大,
J1
α2都很小。
结论:电流由良导体进入不良导体时,电流密度线 与良导体表面近似垂直,可将分界面视为等位面。
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b.良导体和理想介质分界面衔接条件 理想介质 γ2 =0,J2=0
导体侧, J1n =J2n=0, E1n =0
三种电流: 传导电流——电荷在导电媒质中的定向运动。 运流电流——带电粒子在真空中的定向运动。 位移电流——随时间变化的电场产生的假想电流。
定义 单位时间内通过某一横截面的电量。
I dq A dt
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工程电磁场第二章静电场小结只是课件
2)虚位移法(虚功原理)求电场力
dFdq(4q10 eR122)dqE dFdq(4q20 eR221)dqE
FdF或f df
广义坐标:距离、面积、体积、角度。 广义力:企图改变某一个广义坐标的力。广义力的正方向为广义坐标增加
的方向。
二者关系: 广义力×广义坐标=功
f W ge qkcons t W ge kconst
(C)在交界面上不存在时,E、D满足折射定律。
tan1 1 tan2 2
折射定律
(D)用电位函数 表示分界面上的衔接条件
① 一般形式 1 2
在介质分界面上电位是连续的。
1n12n2 介质分界面上无自由面电荷时右端为零。
② 导体(1)与理想介质(2)分界面,用电位 表示的衔接条件
1 2
2
2
n
(4)静电场的重要定理:唯一性定理
用反正法证明
证 明 (反 证 法 ):
设 场 中 任 一 点 有 两 个 电 位 函 数 1 与 2 均 满 足 泊 松 方 程
则 其 差 值 u 1 2u 2 必 2满 1足 拉 2普 2 拉 斯 方 程 , 即 0
利 用 矢 量 恒 等 式 (u u ) u 2 u ( u )2 ( u )2
工程电磁场第二章静电场小结
• 电介质的性质集中体现在介电常数ε上。 ε是定量描 述媒质特性的参数
•各向同性:媒质的特性不随电场的方向而改变,反之称 为各向异性; • 线性:媒质的参数不随电场的值而变化; • 均匀:媒质参数不随空间坐标(x,y,z)而变化。
如果在电介质中 P 与 E 成正比关系,则称这种电介质为线性的,否则称为非线 性的。如果在电介质中 P 和 E 的关系处处相同,则称这种电介质为均匀的,否 则称为非均匀的。如果在电介质中 P 和 E 的关系不随电场强度的方向变化而改
《工程电磁场教案》
《工程电磁场教案》第一章:电磁场的基本概念1.1 电磁现象的发现1.2 电荷与电场1.3 电流与磁场1.4 电磁感应第二章:静电场2.1 静电场的定义与特性2.2 静电力与库仑定律2.3 电势与电势能2.4 电场强度与高斯定律第三章:稳恒电流场3.1 电流场的定义与特性3.2 欧姆定律3.3 电阻的计算3.4 电流场的分布与等势线第四章:稳恒磁场4.1 磁场的基本概念4.2 安培定律4.3 磁感应强度与磁场强度4.4 磁通量与磁通量密度第五章:电磁波5.1 电磁波的产生与传播5.2 电磁波的波动方程5.3 电磁波的极化与反射、折射5.4 电磁波的应用第六章:电磁场的数值计算方法6.1 有限差分法6.2 有限元法6.3 边界元法6.4 有限体积法第七章:电磁场的测量与检测7.1 电磁场测量的基础知识7.2 电磁场测量仪器与设备7.3 电磁兼容性测试7.4 电磁辐射的防护与控制第八章:电磁场在工程中的应用8.1 电机与变压器8.2 电磁兼容设计8.3 无线通信与雷达技术8.4 电力系统的电磁场问题第九章:电磁场相关的标准与规范9.1 国际电工委员会(IEC)标准9.2 北美电气和电子工程师协会(IEEE)标准9.3 欧洲电信标准协会(ETSI)标准9.4 我国电磁兼容性标准第十章:电磁场的环境保护与安全10.1 电磁污染与电磁干扰10.2 电磁场的生物效应10.3 电磁场的防护措施10.4 电磁场环境监测与管理重点和难点解析一、电磁场的基本概念难点解析:电磁现象的内在联系,电磁场的定量描述,电磁感应的数学表达。
二、静电场难点解析:静电场的能量分布,电势的计算,高斯定律在复杂几何形状中的应用。
三、稳恒电流场难点解析:电流场的散度,等势面的概念,复杂电路中的电流分布计算。
四、稳恒磁场难点解析:磁场的闭合性,安培定律的适用条件,磁通量的计算,磁场的能量。
五、电磁波难点解析:电磁波的麦克斯韦方程组,电磁波的产生机制,电磁波在不同介质中的传播特性。
电磁场与电磁波 第2章静电场
如果是一个闭合路径,则W=0 电场强度的环路线积分恒为零,即
应用斯托克斯定理
因此,静电场的电场强度 可以用一个标量函数 的梯度来表示,即定义
单位正实验电荷在电场中移动电场力做功
两点间的电位差定义为两点间的电压U,即
单位:V
电位函数不唯一确定,取
故可选空间某点Q作为电位参考点,空间任一点P的电位为 通常选取无限远作为电位参考点,则任一P点的电位为
在交界面上不存在 时,E、D满足折射定律。
D 1 n D 2 n 1 E 1 c1 o 2 E s 2 c2 os
E 1 t E 2 t E 1 si1 n E 2 si2n
图2.3.3 分界面上E线的折射
t电位函数 表示分界面上的衔接条件
Ax Ay Az
对应静电场的基本方程 E 0 ,矢量 A 可以表示一个静电场。
能否根据矢量场的散度来判断该矢量场是否是静电场?
2.3.2 分界面上的边界条件
1、 电位移矢量D的衔接条件 以分界面上点P作为观察点,作一
小扁圆柱高斯面( L 0)。
图2.3.1 在电介质分界面上应用高斯定律
根据 DdSq
V ' P d ' V S 'P e n d ' S 0
• 在均匀极化的电介质内,极化电荷体密度 p 0。
• 有电介质存在的场域中,任一点的电位及电场强度表示为
(r) 4 1 0 V '( r f r 'p )d' V S '( r f r 'p )d' S E (r ) 4 1 0 V '( f r p r )'3 r( r ')d' V S '( f r p r ) '3 r( r ')d' S
电磁场与电磁波第二章课后答案解析
第二章 静电场重点和难点电场强度及电场线等概念容易接受,重点讲解如何由物理学中积分形式的静电场方程导出微分形式的静电场方程,即散度方程和旋度方程,并强调微分形式的场方程描述的是静电场的微分特性或称为点特性。
利用亥姆霍兹定理,直接导出真空中电场强度与电荷之间的关系。
通过书中列举的4个例子,总结归纳出根据电荷分布计算电场强度的三种方法。
至于媒质的介电特性,应着重说明均匀和非均匀、线性与非线性、各向同性与各向异性等概念。
讲解介质中静电场方程时,应强调电通密度仅与自由电荷有关。
介绍边界条件时,应说明仅可依据积分形式的静电场方程,由于边界上场量不连续,因而微分形式的场方程不成立。
关于静电场的能量与力,应总结出计算能量的三种方法,指出电场能量不符合迭加原理。
介绍利用虚位移的概念计算电场力,常电荷系统和常电位系统,以及广义力和广义坐标等概念。
至于电容和部分电容一节可以从简。
重要公式真空中静电场方程:积分形式:⎰=⋅SS E 0d εq⎰=⋅ll E 0d微分形式: 0ερ=⋅∇E0=⨯∇E已知电荷分布求解电场强度:1,)()(r r E ϕ-∇=;⎰''-'=V Vd )(41)(|r r |r r ρπεϕ2,⎰'''-'-'=V V 3d |4))(()(|r r r r r r E περ3,⎰=⋅SS E 0d εq高斯定律介质中静电场方程:积分形式:q S=⋅⎰ d S D⎰=⋅ll E 0d微分形式:ρ=⋅∇D0=⨯∇E线性均匀各向同性介质中静电场方程:积分形式:εqS=⋅⎰ d S E⎰=⋅ll E 0d微分形式: ερ=⋅∇E0=⨯∇E静电场边界条件:1,t t E E 21=。
对于两种各向同性的线性介质,则2211εεttD D =2,s n n D D ρ=-12。
在两种介质形成的边界上,则n n D D 21=对于两种各向同性的线性介质,则n n E E 2211εε=3,介质与导体的边界条件:0=⨯E e n ; S n D e ρ=⋅若导体周围是各向同性的线性介质,则ερS n E =;ερϕS n -=∂∂静电场的能量:孤立带电体的能量:Q C Q W e 21212Φ== 离散带电体的能量:∑==ni i i e Q W 121Φ分布电荷的能量:l S V W l l S S Ve d 21d 21d 21ρϕρϕρϕ⎰⎰⎰===静电场的能量密度:E D ⋅=21e w 对于各向同性的线性介质,则2 21E w e ε=电场力:库仑定律:rrq q e F 2 4πε'=常电荷系统:常数=-=q e lW F d d常电位系统:常数==ϕlW F e d d题 解2-1 若真空中相距为d 的两个电荷q 1及q 2的电量分别为q 及4q ,当点电荷位于q 1及q 2的连线上时,系统处于平衡状态,试求的大小及位置。
电磁场课件第2章 电场、磁场与麦克斯韦方程
S
I l'
24
计算 B 在回路 l上的闭合线积分有
B d l
l
[ 0I l 4
d l' R l' R3 ]d l
0I
4
[
l l'
R R3
(dl
dl
')]
因此,由上式可得
B dl 0I d 4
为角
d
dS 所 张
'
的 积 分
立
体
根据势函数与有势场的对应关系,可得到空间一点P处的
ic s Jcds
36
运流电流
电荷在无阻力空间作有规则运动而形成
形成运流电流的电荷在运动时并不受到碰撞阻滞作用, 即使存在与其它粒子发生碰撞的机率,其作用也微乎其微, 可忽略不计,因此运流电流不服从于欧姆定律。
假设存在一个电荷体密度为 的区域,在电场作用下,
电荷以平均速度v 运动,在dt 时间内,电荷运动的距离为dl 则
q
4 0
(d
cos
r2
)
pe r
4 0r3
23
2.5 磁偶极子
在定义磁偶极子之前,首先来分析一个闭合电流回路在空间 所产生的磁场。正如电偶极子是常见的电场源的存在形式一样, 闭合电流回路是磁场源的最常见形式。
B
0
4
Id l' eR
R l '
2
0I
4
d l' R
R l '
3
M
d
dl P
n
l
R
法拉第电磁感应定律 感应电动势
闭合路径所包围的磁通
e dm dt
e l E d l
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第2章 静电场(二)2.1 静电场的唯一性定理及其应用静电场中的待求量:电场强度E ,静电力F 。
静电场求解方法:(1) 直接由电场强度公式计算;(2) 求解泊松方程(或拉普拉斯方程)→电位→电场强度E 。
E ⇒-∇=⇒-=∇ϕϕερϕE 2唯一性定理的重要意义:确定静电场解的唯一性。
2.1.1 唯一性定理静电场中,满足给定边界条件的电位微分方程(泊松方程或拉普拉斯方程)的解是唯一的。
2.1.2 导体边界时,边界条件的分类(1) 自然边界条件:有限值参考点=∞→ϕr r lim(相当于指定电位参考点的值)(2) 边界衔接条件:σϕεϕεϕϕ=∂∂-∂∂=nn 221121(该条件主要用于求解区域内部)(3) 导体表面边界条件(a) 给定各导体表面的电位值。
(第一类边界条件) (b) 导体表面为等位面,给定各导体表面的电荷量。
该条件相当于给定了第二类边界条件。
在求解过程中,可通过积分运算确定任意常数。
S n ∂∂-=ϕεσ,(注:n 的正方向由介质导向导体内部)q dS r S=∂∂-⎰)(11ϕε (c) 给定某些导体表面的电位值及其它每一导体表面的电荷量。
相当于给定了第三类边界条件。
思考?为什么条件(a),或(c)可唯一确定电位函数,而条件(b)确定的电位函数相关任一常数? 答:边值问题的求解所需的边界条件有:自然边界条件、衔接条件和区域边界条件。
条件(a),(c)中,同时给定了边界条件和自然边界条件,与条件(2)结合,可唯一地确定场解;而条件(c)没有指定自然边界条件(电位参考点的值),因而,其解相差一个任意常数。
2.1.3 静电场唯一性定理的意义唯一性定理为静电场问题的多种解法(试探解、数值解、解析解等)提供了思路及理论根据2.1.4 等位面法1 等位面法:静电场中,若沿场的等位面的任一侧,填充导电媒质,则等位面另侧的电场保持不变。
2 等位面法成立的理论解释:等位面内填充导电媒质后,边界条件沿发生变化:(1)边界k 的等位性不变;(2)边界k 内的总电荷量不变。
(相当于给定了第二类边界条件)3 等位面法在解释静电屏蔽现象中的应用现象一、接地的封闭导体壳内的电荷不影响壳外的电场。
解释:边界上电位值不变(给定的第一类边界条件不变)。
现象二、封闭导体无论是否接地,则壳内电场不受壳外电场的影向。
解释:(注意边界正方向的取向)边界S 2为等位面;边界S 2上的总电荷量不变。
2.2 平行双电轴法1 问题的提出:以求无限长双圆柱平输电线周围的电场分布为例。
导体表面的面电荷密度未知,不可能由电场计算公式计算;电场分布不具有对称性,不能用高斯定理求解,用求解泊松方程法,不能给出解析解。
本节从静电场的唯一性定理出发,采用其它求解方法(电轴法)。
2. 两根细导线产生的电场设 电轴上单位长度的电荷量为τ,电位参考点为Q 。
电场分布为平面场,根据叠加原理,11001ln 22C d Q P +-==⎰ρπετρρπετϕ 2202ln 2C +--=ρπετϕC P +=+=12021ln 2ρρπετϕϕϕ说明:式中Q 表示电位参考点。
ρ表示由电荷到P 点的矢径。
以y 轴为参考点, C=0, 则22220120)()(ln 2ln 2yb x y b x P +-++==πετρρπετϕ*确定等位线方程: 常数令:=P ϕ 22222)()(K yb x y b x =+-++ 等位线方程为圆: 222222)12()11(-=+-+-K bKy b K K x圆心的坐标: ⎥⎦⎤⎢⎣⎡-+=0,)11(22b K K h 圆的半径为:122-=K bK a当K 取不同数值时,就得到一族偏心圆。
a 、h 、b 三者之间的关系满足:222222222)11()12(h b K K b K bK b a =-+=+-=+应该注意到: 线电荷所在的两个点,对每一个等位圆的圆心来说,互为反演。
即 ))((222b h b h b h a -+=-=-- a 为等位线的半径;2b 两电轴间的距离;h 为等位圆圆心到坐标原点的距离。
附: 〖反演〗没C 为一定圆,O 为圆心,r 为半径,对于平面上任一点M ,有一点M ’与它对应,使得满足下列两个条件: (1)O 、M 、M ’共线; (2)OM ·OM ’=r 2;则点M ’称为点M 关于定圆C 的反演点,C 称为反演圆,O 称为反演中心,r 称为反演半径。
M 和M ’的关系是对称的,M 也是M ’的反演点。
M 与M ’的对应称为关于定圆C 的反演。
*确定电力线方程:根据 ϕ-∇=E 及E 线的微分方程为xyE E dx dy =得E 线方程为 4)2(212212Kb K y x +=-+说明:电力线方程表明, E 线为圆,其圆心位于y 轴上。
K 1的不同取值确定不同的电力线。
3 电轴法的基本思想由三个思考题,引出电轴法的解题思想。
(1)若在任一等位面上放一无厚度的金属圆柱壳,是否会影响电场分布? (2)、感应电荷是否均匀分布?(3)、若在金属圆柱管内填充金属,重答上问。
得出电轴法的思想:电轴法:用置于电轴上的等效线电荷,来代替圆柱导体面上分布电荷,从而求得电场的方法,称为电轴法。
电轴法解题的过程:(1)根据圆柱导体的半径a 和两导体间的距离2h 求出等效电轴的位置b ;(2)设电轴上电荷线密度等于圆柱导体上单位长度的电荷量;(3)由电场计算公式22220120)()(ln 2ln 2yb x y b x P +-++==πετρρπετϕ(0电位参考点位于y 轴)4 例题例1.试求图示两带电长直平行圆柱导体传输线的电场及电位分布。
解:(1)建立体系,取0电位参考点(2)确定电轴的位置,22a h b -= (3)计算电场和电位分布:⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧=-=120210ln π2)11(π2ρρετϕρρετρρpP 21e e E例2 已知两根不同半径,相互平行,轴线距离为d 的带电长直圆柱导体。
试决定电轴位置。
解:21212222221212,,h h b h h d a h b a h b 确定⎪⎩⎪⎨⎧+=-=-=例3 试确定图示偏心电缆的电轴位置 解:21122222222121,,h h b d h h ba hb a h ⇒⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧=-+=+=例4 已知一对半径为a ,相距为d 的长直圆柱导体传输线之间电压为U 0 ,试求圆柱导体间电位的分布。
解:1 确定电轴的位置 ⎩⎨⎧=-=hd a h b 22222 →22)2(a d b -= 2 设电轴上电荷密度为±τ,任一点的电位为:120ln 2ρρπετϕ=注意:式中的ρ2,ρ1分别为负电轴和正电轴到观察点P 的距离。
3 :0τϕϕ解出由B A U -=)()(ln 2)()(ln 2000a h b a h b a h b a h b U -+------+=πετπετ → )()(ln 2200a h b a h b U ---+=πετ 4 场中任一点的电位为:120ln )()(ln2ρρϕa h b a h b U P ---+=2.3 无限大导电平面的镜象一、镜象法1.平面导体的镜像通过比较两种边值问题的比较引出无限大导体平面的镜象法: (1)点电荷位于无限大导体平面上方,边值问题:02=∇ϕ 除 q 所在点外的区域 0=ϕ 导板及无穷远处⎰=⋅sq d S D S 为包围 q 的闭合面(2)点电荷及其镜象位于两无限大平面两侧,上半空间的边值问题02=∇ϕ 除 q 所在点外的区域04400=-=rq r q πεπεϕ 对称面及无穷远处⎰=⋅sq d S D S 为包围q 的闭合面二、无限大导电平面镜象法的特点用应用 无限大导体平面镜象法的特点:1 镜象电荷位于被研究的场域之外,与场源电荷关于平面对称;2 镜象电荷所带的电量与边界面原来所具有的总电荷量大小相等,符号相同,与场源电荷量大小相等,符号相反;3 被研究场域的边界电位值为0。
三、无限大导电平面的应用1 点电荷对夹角为直角的两相联导电平面的镜象;qq-q-qq2 qq-q-qqq-q -q q3 长直圆柱导体对于导电平面(或地平面)的镜象;hRτ例2-3 架空地线避雷原理。
带电的云与地面之间形成一均匀向下的电场E 0,由于大气电场的影响将导致高度为l 处的高压输电线A 的电位升高。
若在A 的上方架设有架空地线G ,半径为r 0,G 是经过支架接地的,则在架空地线G 上感应出负电荷,地面上感应出正电荷。
将这些感应电荷的电场叠加到大气电场以后可以降低A 处的电位。
试求由于架空地线的屏蔽作用而导致A 处电位的变化。
定性解释:定量计算:设:架空地线上单位长度的感应电荷量为τ,架空地线的半径为r 0,其等效电轴与地线中心重合。
架空地线的电位为:02ln 2000=+hr h E πετ → 地线上单位长度的电荷量: hr hE 2ln 2000πετ-=高压输电线上的电位:hr l h l h h E l E l h l h l E 2ln lnln 200000+--=+-+=πετϕ架设架空地线前后,架空线电位比:hr lh l h l h 2ln ln100+--=ϕϕ当m r m l m h 004.0, 10 ,110===时, %1.610=ϕϕCD2.4 球形导体表的镜象2.4.1 接地导体球对点电荷的镜象设在点电荷附近有一接地导体球,求导体球外空间的电位及电场分布。
边值问题:2000r ϕϕϕ→∞∇===导球面 (除q 点外的导体球外空间) 设匀镜象电荷q ’位于球内,球面上位一点的电位为0,即:0102'044p q q r r ϕπεπε=-=其中222222122cos 2cos r d R Rd r b R Rb θθ=+-=+-由上式或知,球面上的电位只是b 和θ的函数,位取两θ值,(0,180)则:'0'0q q d R R b q q d R R b ⎧-=⎪⎪--⎨⎪-=⎪++⎩ 得: 2'R b db R q q q d d ===由叠加原理,接地导体球外任一点P 的电位与电场分别为 0102'44p q q r r ϕπεπε=-01211()4q R r d r πε=-⋅1222010244P rr q qRr dr πεπε=-E e e注意:1 镜像电荷等于负的感应电荷(符号与数量均相同),但小于场源电荷量。
2 镜像电荷不能放在当前求解的场域内。
2.4.2 不接地导体球对点电荷的镜象解: 边值问题2000r s Sd ϕϕϕ→∞∇===≠⋅=⎰D S 球面常数在接地球的基础上判断镜像电荷的个数、大小与位置接地导体球外的•在球内有两个等效镜象电荷。