MOS管参数解释
mos的s参数和y参数
MOS的S参数和Y参数是描述其性能的重要参数。
S参数描述了信号的输入和输出关系，包括电压增益、电压反射等。
在MOS管中，S参数用于描述源极和漏极之间的信号传输特性，包括源极电阻、漏极电阻和跨导等。
这些参数可以通过测试得到，用于分析电路的性能。
Y参数则是另一种描述电子设备性能的参数，通常用于描述电压控制电流的特性。
在MOS管中，Y参数可以描述其栅极与漏极、源极之间的电压和电流关系。
这些参数在分析电路性能时也非常重要，尤其是在分析开关电路、放大器等电路时。
以上内容仅供参考，建议查阅专业电子书籍或咨询专业人士以获取更准确的信息。
MOS管主要参数
MOS管主要参数1.开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
3. 漏源击穿电压BVDS·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID4. 栅源击穿电压BVGS·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
5. 低频跨导gm·在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征MOS管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几mA/V的范围内6. 导通电阻RON·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS ·CGS和CGD约为1～3pF·CDS约在0.1～1pF之间8. 低频噪声系数NF·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小。
mos管参数解读
mos管参数解读MOS管（MOSFET）是一种基础电子元器件，广泛应用于电子线路中。
在使用MOS管时，需要了解它的一些参数，以便正确选择和使用。
第一步：了解MOS管的型号。
MOS管根据其工作方式和内部结构的不同，可以分为N沟道型和P沟道型两种。
常见的MOS管型号有IRF150N、IRFZ44N、IRF540N等。
其中IRF表示国际整流器厂商（International Rectifier），150N是该型号的电流和电压额定值。
第二步：了解MOS管的参数。
1. 额定电流（Continuous Drain Current）：表示MOSFET稳态下最大允许通过电流的值，一般以DC电流为准，单位是安培（A）。
2. 额定电压（Drain-Source Voltage）：表示MOSFET稳态下最大允许的电压值，一般以DC电压为准，单位是伏特（V）。
3. Threshold Voltage：表示MOSFET导通的起始电压，一般以DC电压为准，单位是伏特（V）。
4. 动态电阻（On-Resistance）：表示MOSFET通电时的电路电阻值，单位是欧姆（Ω），这个值越小表示MOSFET的导通能力越好。
5. 最大功率（Maximum Power Dissipation）：表示MOSFET可以承受的最大功率，一般以热阻为参考单位（单位是摄氏度/W）。
6. 端子电容（Input Capacitance）：表示MOSFET内部的电容值，一般以PF为单位，这个参数越小表示MOSFET对高频信号的响应能力越好。
第三步：正确选择MOS管。
根据实际需求来选择适合的MOS管，一般需要考虑电压、电流、功率等参数的匹配，以及MOS管的配置、散热等因素。
总结以上就是关于MOS管参数的解读，通过对MOS管的型号和参数有了更深的了解后，我们可以更加准确地选择和使用MOS管，提高电路的稳定性和可靠性。
mos管数据手册参数
mos管数据手册参数
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常见的电子元件。
MOSFET数据手册中包含以下主要参数：
1. 阈值电压（Threshold Voltage）：这是指MOSFET开始导通所需的最小栅极电压。
2. 漏极电流（Drain Current）：在给定的栅极电压下，MOSFET的漏极电流。
3. 导通电阻（On-Resistance）：MOSFET导通时，漏极和源极之间的电阻。
4. 开关速度（Switching Speed）：MOSFET的开关速度，通常以上升时间和下降时间表示。
5. 最大允许电流（Maximum Allowable Current）：MOSFET所能承受的最大电流。
6. 雪崩击穿电压（Breakdown Voltage）：在漏极和栅极之间施加足够高的电压时，MOSFET的漏极电流会急剧增加，这会导致器件损坏。
这个电压值就是雪崩击穿电压。
7. 工作温度（Operating Temperature）：MOSFET可以在一定的温度范围内工作。
数据手册会给出其正常工作范围。
以上是MOSFET数据手册中的一些主要参数，实际上根据具体的MOSFET 型号和应用场景，可能还有其他特定的参数和技术指标。
mos管参数 vtl
在电子学中，MOS管（金属-氧化物-半导体场效应管）是一种常见的场效应晶体管，广泛应用于集成电路和数字电路中。
其中，VTL是指门极阈值电压（threshold voltage），它是指MOS管的工作电压，特别是在其导通和截止之间的临界电压。
以下是关于MOS管参数VTL的详细解释：
1.概念：门极阈值电压（VTL）是指在MOS管中，当沟道中的载流子（电子
或空穴）被阻挡时，需要施加到栅极上的电压。
它是指控制栅极和沟道之间电场的电压，当这个电压超过阈值电压时，MOS管将开始导通。
2.影响因素：MOS管的门极阈值电压受到多种因素的影响，包括制造工艺、
温度、电压等。
通过控制这些因素，可以调节MOS管的阈值电压，以满足特定的电路要求。
3.应用：门极阈值电压是设计和调节MOS管工作状态的关键参数。
它在数字
电路中用于控制开关的导通和截止，同时在模拟电路中用于控制放大器的增益和工作范围。
对于CMOS集成电路来说，门极阈值电压的匹配对于保证
电路的可靠性和性能至关重要。
在设计电路或集成电路时，了解和控制MOS管的门极阈值电压（VTL）是非常重要的。
这有助于确保电路的可靠性、稳定性和性能。
mos管的几个重要参数
mos管的几个重要参数mos管是一种用于监控和管理计算机网络的软件工具。
它具有多个重要参数，这些参数对于确保网络的正常运行和安全性至关重要。
本文将介绍mos管的几个重要参数，并解释它们的作用和意义。
第一个重要参数是带宽利用率。
带宽利用率是指网络中实际使用的带宽与总可用带宽之间的比率。
通过监控带宽利用率，网络管理员可以了解网络的负载情况，及时发现并解决带宽不足或过载的问题。
带宽利用率的高低直接影响到网络的性能和用户体验，因此合理地分配和管理带宽资源是保证网络流畅运行的重要措施。
第二个重要参数是延迟。
延迟是指数据从发送端到接收端所需的时间。
在网络通信中，延迟是一个非常重要的指标，特别是对于实时性要求较高的应用，如在线游戏、视频会议等。
通过监控和优化延迟，网络管理员可以提高网络的响应速度，减少数据传输的时间，从而提升用户体验。
第三个重要参数是丢包率。
丢包率是指在网络传输过程中丢失的数据包的比例。
丢包率通常由网络质量和传输条件决定，例如网络拥塞、信号干扰等。
通过监控和分析丢包率，网络管理员可以及时发现网络故障或问题，并采取相应的措施进行修复。
降低丢包率可以提高数据传输的可靠性和完整性，确保数据的准确传输。
第四个重要参数是安全性。
在当今信息化时代，网络安全是一个重要的问题。
mos管提供了多种安全性参数，如入侵检测、防火墙等，用于保护网络免受恶意攻击和未授权访问。
通过监控和管理这些安全性参数，网络管理员可以及时发现并阻止潜在的安全威胁，保护网络和用户的信息安全。
第五个重要参数是流量分析。
流量分析是指对网络数据流的监控和分析，以了解网络中不同应用和服务的使用情况。
通过流量分析，网络管理员可以识别和优化网络中的瓶颈，合理规划网络资源，提升网络性能。
此外，流量分析还可以帮助网络管理员及时发现异常流量和异常行为，预防网络攻击和滥用。
mos管的几个重要参数对于网络的监控和管理至关重要。
带宽利用率、延迟、丢包率、安全性和流量分析是网络管理员必须关注和管理的重要指标。
MOS管参数解释
M O S管参数解释MOS管介绍在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候;一般都要考虑MOS的导通电阻;最大电压等;最大电流等因素.. MOSFET管是FET的一种;可以被制造成增强型或耗尽型;P沟道或N沟道共4种类型;一般主要应用的为增强型的NMOS 管和增强型的PMOS管;所以通常提到的就是这两种..这两种增强型MOS管;比较常用的是NMOS..原因是导通电阻小且容易制造..所以开关电源和马达驱动的应用中;一般都用N MOS..在MOS管内部;漏极和源极之间会寄生一个二极管..这个叫体二极管;在驱动感性负载如马达;这个二极管很重要;并且只在单个的MOS管中存在此二极管;在集成电路芯片内部通常是没有的..MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在;这不是我们需要的;而是由于制造工艺限制产生的..寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些;但没有办法避免..MOS管导通特性导通的意思是作为开关;相当于开关闭合..NMOS的特性;Vgs大于一定的值就会导通;适合用于源极接地时的情况低端驱动;只要栅极电压达到一定电压如4V或10V;其他电压;看手册就可以了..PMOS的特性;Vgs小于一定的值就会导通;适合用于源极接VCC时的情况高端驱动..但是;虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动;但由于导通电阻大;价格贵;替换种类少等原因;在高端驱动中;通常还是使用NMOS..MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS;导通后都有导通电阻存在;因而在DS间流过电流的同时;两端还会有电压;这样电流就会在这个电阻上消耗能量;这部分消耗的能量叫做导通损耗..选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗..现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧;几十毫欧左右MOS在导通和截止的时候;一定不是在瞬间完成的..MOS两端的电压有一个下降的过程;流过的电流有一个上升的过程;在这段时间内;MOS管的损失是电压和电流的乘积;叫做开关损失..通常开关损失比导通损失大得多;而且开关频率越快;导通瞬间电压和电流的乘积很大;造成的损失也就很大..降低开关时间;可以减小每次导通时的损失；降低开关频率;可以减小单位时间内的开关次数..这两种办法都可以减小开关损失..MOS管驱动MOS管导通不需要电流;只要GS电压高于一定的值;就可以了..但是;我们还需要速度..在MOS管的结构中可以看到;在GS;GD之间存在寄生电容;而MOS管的驱动;实际上就是对电容的充放电..对电容的充电需要一个电流;因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路;所以瞬间电流会比较大..选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小..普遍用于高端驱动的NMOS;导通时需要是栅极电压大于源极电压..而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压VC C相同;所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V其他电压;看手册..如果在同一个系统里;要得到比VCC大的电压;就要专门的升压电路了..很多马达驱动器都集成了电荷泵;要注意的是应该选择合适的外接电容;以得到足够的短路电流去驱动MO S管..Mosfet参数含义说明Features:Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时;MOS的DS所能承受的最大电压Rdson：DS的导通电阻.当Vgs=10V时;MOS的DS之间的电阻Id：最大DS电流.会随温度的升高而降低Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20VIdm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低;体现一个抗冲击能力;跟脉冲时间也有关系Pd: 最大耗散功率Tj: 最大工作结温;通常为150度和175度Tstg: 最大存储温度Iar: 雪崩电流Ear: 重复雪崩击穿能量Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量BVdss： DS击穿电压Idss: 饱和DS电流;uA级的电流Igss: GS驱动电流;nA级的电流.gfs: 跨导Qg: G总充电电量Qgs: GS充电电量Qgd: GD充电电量Tdon: 导通延迟时间;从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间Tr: 上升时间;输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间Tdoff:关断延迟时间;输入电压下降到90%开始到VDS上升到其关断电压时10%的时间Tf: 下降时间;输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时间参考图4..Ciss: 输入电容;Ciss=Cgd+Cgs.Coss: 输出电容;Coss=Cds+Cgd.Crss: 反向传输电容;Crss=Cgc.其实MOS主要是通过栅控制器件的开启和导通;所以以NMOS管为例;只需要将栅压降得足够低;让它在衬底中无法形成反型层;也就没有了沟道;没有低阻通路;自然就变成高阻态;从漏源两端看上去;它便是关断的追问谢谢您的回答;不过;我还是不明白您的意思是不是说：N沟道MOS管;在常态下是低阻通路;测量D;S两端的电阻有几百欧是正常的;当它工作时给它加反压;就是关断的了吗如果我说的不对;请您把常态下怎样检测MOS管的好坏方法及测量的依据告诉我好吗我用数字万用表..请不吝赐教回答因为MOS管包括栅、源、漏三个电极;而一般情况下;源和漏是对称的;如果有特别标明的话;以NMOS为例;在测量时;漏极接高电位端;源极接低电位端..由于栅极的电压决定了MOS管的工作状态;因此;当NMOS正常时;栅极接地;器件是不导通的;测量得到的源漏之间的电阻应该会很大;而当你对照器件的手册资料查找它正常工作时栅极电压一般为多少;将栅压逐渐升高最好不要超过额定电压;源漏之间的电阻应该是逐渐降低的几百欧的电阻属于不大不小;总觉得不算是一个正常的数值;应该是MOS管工作在了饱和区时的值;你最好将MOS 管限定在线性区的工作状态;可能需要在MOS管漏极与漏处的电压源之间串联一个分压电阻也就是说你需要两个电压信号源：一个提供给栅极、一个提供给漏极;还需要一个电阻1K欧的应该也可以。
mos选型参数
mos选型参数
当设计和开发一个mos电路时，我们需要考虑很多因素，其中一个非常重要的因素是mos选型参数。
这些参数决定了mos管的性能、可靠性和成本。
以下是一些常见的mos选型参数：
1. 阈值电压(Vth)：这是mos管的最小门电压，当门电压高于该值时，管子才会导通。
通常情况下，Vth越小，mos管的导通能力越强。
2. 漏电流(Idss)：这是mos管在最小门电压下的漏电流，通常情况下，漏电流越小，mos管的性能越好。
3. 负载电容(Ciss)：这是mos管的输入电容，也就是由于门电极和晶体管结构而形成的电容。
通常情况下，Ciss越小，mos管的开关速度越快。
4. 开关速度：这是mos管从导通到截止的时间。
通常情况下，开关速度越快，mos管的性能越好。
5. 最大耗散功率(Pd)：这是mos管能承受的最大功率，超过该值将导致mos管损坏。
6. 工作温度范围：这是mos管能够正常工作的温度范围，超出该范围将导致mos管性能下降或损坏。
综合考虑以上因素，我们可以选择一个合适的mos管，以满足设计要求。
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mos管的sca参数
在 MOS（金属-氧化物-半导体）场效应晶体管中，SCA（Source-Channel-Drain）参数是指三个关键区域的特定参数，用于描述晶体管的电性能和工作特性。
这些参数对于理解和设计 MOSFET 电路至关重要。
以下是关于 MOS 管的 SCA 参数的详细解释：
1. Source（源极）：
定义：源极是 MOSFET 中的电极，通常是与电源相连的极性端。
在 NMOS（n型MOS）中，源极通常是接地的，而在 PMOS（p型MOS）中，源极则是与电源正极相连。
2. Channel（沟道）：
定义：沟道是介于源极和漏极之间的区域，它决定了 MOSFET 的电流特性和传导能力。
沟道可以是 n 型或 p 型，具体取决于 MOSFET 的类型（NMOS 或 PMOS）。
3. Drain（漏极）：
定义：漏极是 MOSFET 中的另一个电极，通常是与负载电阻相连的极性端。
在NMOS 中，漏极是与正电源相连的，而在 PMOS 中，漏极则是接地的。
应用注意事项：
理解 MOSFET 的 SCA 参数对于设计和分析 MOSFET 电路的性能至关重要。
了解这些参数如何影响电流流动和器件行为对于正确使用 MOSFET 非常重要。
在实际电路设计中，需要根据具体的工作要求和电路特性选择合适的 MOSFET 型号和参数，以确保电路的性能和可靠性。
总的来说，在 MOSFET 设备中，SCA 参数（源极、沟道和漏极）是描述器件关键部分的术语，对于理解 MOSFET 的工作原理和特性非常重要。
掌握这些参数将有助于更好地设计和分析 MOSFET 电路。
MOS管主要参数
MOS管主要参数：
1.开启电压V T
·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
·标准的N沟道MOS管，V T约为3～6V；
·通过工艺上的改进，可以使MOS管的V T值降到2～3V。
2. 直流输入电阻R GS
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·MOS管的R GS可以很容易地超过1010Ω。
3. 漏源击穿电压BV DS
·在V GS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使I D开始剧增时的V DS称为漏源击穿电压BV DS
·I D剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿
·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加V DS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通
后
，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的I D
4. 栅源击穿电压BV GS
·在增加栅源电压过程中，使栅极电流I G由零开始剧增时的V GS，称为栅源击穿电压BV GS。
5. 低频跨导g m
·在V DS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·g m反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几mA/V的范围内。
MOS管主要参数
MOS管主要参数(2011-09-06 10:23)分类：电源技术1.开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
3. 漏源击穿电压BVDS·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID4. 栅源击穿电压BVGS·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
5. 低频跨导gm·在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征MOS管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几mA/V的范围内6. 导通电阻RON·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS ·CGS和CGD约为1～3pF·CDS约在0.1～1pF之间8. 低频噪声系数NF·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小。
MOS管参数
MOS管参数MOS管参数说明，在使用 MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。
MOS管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。
这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
原因是导通电阻小且容易制造。
所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS 管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。
MOS 管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs 大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接 VCC 时的情况(高端驱动)。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
MOS 开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的 MOS 管会减小导通损耗。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。
MOS管参数解释
MOS管介绍在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。
MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS 管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。
这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
原因是导通电阻小且容易制造。
所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。
MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V 或10V, 其他电压，看手册）就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。
通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。
mos管的各项参数解释
mos管的各项参数解释：
直流参数：
漏源极直流电阻Rds：表示MOS管在静态时，漏极和源极之间的电阻。
栅极阈值电压Vgs(th)：表示MOS管开启时，栅极和源极之间的电压。
漏源饱和电压Vds(sat)：表示MOS管在饱和区工作时，漏极和源极之间的电压。
交流参数：
跨导gm：表示MOS管的放大倍数，即栅极电压对漏源电流的控制能力。
漏源电容Cds：表示MOS管在静态时，漏极和源极之间的电容。
时间参数：
开态时间ton：表示MOS管从截止状态到饱和导通状态所需的时间。
关态时间toff：表示MOS管从饱和导通状态到截止状态所需的时间。
极限参数：
最大漏源电压Vds(max)：表示MOS管所能承受的最大漏源电压。
最大栅极电压Vgs(max)：表示MOS管所能承受的最大栅极电压。
最大耗散功率Pd(max)：表示MOS管所能承受的最大功率。
MOS各个参数详解
MOS各个参数详解中电华星应用白皮书八月 30,20161 极限参数:ID :最大漏源电流.是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过ID .此参数会随结温度的上升而有所减额.IDM :最大脉冲漏源电流.体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系，此参数会随结温度的上升而有所减额.PD :最大耗散功率.是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM 并留有一定余量.此参数一般会随结温度的上升而有所减额.（此参数靠不住）VGS :最大栅源电压.，一般为：-20V~+20VTj :最大工作结温.通常为150 ℃或175 ℃ ，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量. （此参数靠不住）TSTG :存储温度范围.2 静态参数V(BR)DSS :漏源击穿电压.是指栅源电压VGS 为0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS . 它具有正温度特性.故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑. 加负压更好。
△V(BR)DSS/ △ Tj :漏源击穿电压的温度系数，一般为0.1V/ ℃.RDS(on) :在特定的 VGS (一般为 10V )、结温及漏极电流的条件下， MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗.它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET 导通时的消耗功率.此参数一般会随结温度的上升而有所增大（正温度特性）. 故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算.VGS(th) :开启电压(阀值电压).当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道.应用中，常将漏极短接条件下ID 等于1 毫安时的栅极电压称为开启电压.此参数一般会随结温度的上升而有所降低.IDSS :饱和漏源电流，栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源电流.一般在微安级.IGSS :栅源驱动电流或反向电流.由于MOSFET 输入阻抗很大，IGSS 一般在纳安级.、3 动态参数gfs :跨导.是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度. gfs 与 VGS 的转移关系图如下图所示.Qg :栅极总充电电量.MOSFET 是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的，下面将有此方面的详细论述.Qgs:栅源充电电量.Qgd :栅漏充电(考虑到 Miller 效应)电量.Td(on) :导通延迟时间.从有输入电压上升到 10％开始到 VDS 下降到其幅值90％的时间 ( 参考下图 ) .Tr :上升时间.输出电压 VDS 从 90％下降到其幅值 10％的时间.Td(off) :关断延迟时间.输入电压下降到 90％开始到 VDS 上升到其关断电压时 10％的时间.Tf :下降时间.输出电压VDS 从10％上升到其幅值90％的时间( 参考下图 ) .Ciss:输入电容，Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路).Coss :输出电容. Coss = CDS +CGD .Crss :反向传输电容. Crss = CGD .最后三个公式非常重要4 雪崩击穿特性参数这些参数是 MOSFET 在关断状态能承受过压能力的指标.如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态.EAS :单次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参数，说明MOSFET 所能承受的最大雪崩击穿能量.IAR :雪崩电流.EAR :重复雪崩击穿能量.5 热阻:结点到外壳的热阻.它表明当耗散一个给定的功率时，结温与外壳温度之间的差值大小.公式表达⊿ t = PD* .:外壳到散热器的热阻，意义同上.:结点到周围环境的热阻，意义同上.6 体内二极管参数IS :连续最大续流电流(从源极).ISM :脉冲最大续流电流(从源极).VSD :正向导通压降.Trr :反向恢复时间.Qrr :反向恢复充电电量.Ton :正向导通时间.(基本可以忽略不计).7、一些其他的参数：Iar: 雪崩电流Ear: 重复雪崩击穿能量Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数二、在应用过程中，以下几个特性是经常需要考虑的:1、 V ( BR ) DSS 的正温度系数特性.这一有异于双极型器件的特性使得其在正常工作温度升高后变得更可靠.但也需要留意其在低温冷启机时的可靠性.2、 V ( GS) th 的负温度系数特性.栅极门槛电位随着结温的升高会有一定的减小.一些辐射也会使得此门槛电位减小，甚至可能低于0 电位.这一特性需要工程师注意MOSFET 在此些情况下的干扰误触发，尤其是低门槛电位的MOSFET 应用.因这一特性，有时需要将栅极驱动的关闭电位设计成负值(指 N 型， P 型类推)以避免干扰误触发.阈值电压是负温度系数。
2314mos管参数
2314mos管参数
MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管，常用于电子设备中
的功率放大和开关电路。
在选择MOS管时，需要考虑一些重要参数，以下是一些常见的参数：
1. 饱和漏源电压（VDSsat），这是MOS管在完全导通状态下的
漏源电压。
通常情况下，VDSsat越小，MOS管的导通能力越好。
2. 阈值电压（Vth），这是MOS管的开启电压，即当栅极电压
大于阈值电压时，MOS管开始导通。
不同的MOS管具有不同的阈值
电压，需要根据具体的应用来选择合适的阈值电压。
3. 最大漏源电压（VDSmax），这是MOS管能够承受的最大漏源
电压，超过这个电压会损坏MOS管。
4. 最大栅极-源极电压（VGSmax），这是MOS管能够承受的最
大栅极-源极电压，超过这个电压也会损坏MOS管。
5. 静态工作点，在设计电路时，需要考虑MOS管的静态工作点，即栅极电压和漏源电压的组合，以确保MOS管在合适的工作状态下
工作。
6. 开关速度，MOS管的开关速度也是一个重要参数，特别是在开关电路中。
开关速度取决于MOS管的导通和截止时间，需要根据具体的应用来选择合适的开关速度。
除了上述参数外，还有一些其他的参数如输入电容、输出电阻等也需要考虑。
在选择MOS管时，需要综合考虑这些参数，并根据具体的应用需求来进行选择。
希望这些信息能够帮助你更好地了解MOS管的参数。
MOS管参数详解
MOS管参数详细解读第一部分最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。
根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。
关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性.VGS 最大栅源电压VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。
设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。
实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。
ID - 连续漏电流ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。
该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。
因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4。
补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。
IDM -脉冲漏极电流该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。
定义IDM的目的在于：线的欧姆区。
对于一定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。
如图所示，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。
长时间工作在大功率之下，将导致器件失效。
因此，在典型栅极驱动电压下，需要将额定IDM设定在区域之下。
区域的分界点在Vgs和曲线相交点。
因此需要设定电流密度上限，防止芯片温度过高而烧毁。
这本质上是为了防止过高电流流经封装引线，因为在某些情况下，整个芯片上最“薄弱的连接”不是芯片，而是封装引线。
考虑到热效应对于IDM的限制，温度的升高依赖于脉冲宽度，脉冲间的时间间隔，散热状况，RDS(on)以及脉冲电流的波形和幅度。
MOSFETMOS管特性参数的理解
MOSFETMOS管特性参数的理解1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指在MOSFET导通和截止之间的临界电压。
当控制电压（即栅极电压）高于阈值电压时，MOSFET开始导通。
阈值电压的大小取决于MOSFET的工艺参数和材料选择。
2. 饱和区电流（Idsat）：饱和区电流是指MOSFET处于饱和状态时的最大电流。
在饱和区，MOSFET的电流与栅极电压成正比，但受到其他因素如通道长度调制等的影响。
饱和区电流可以通过MOSFET的数据手册或特性曲线图获得。
3. 亚阈值摆幅（Subthreshold Swing）：亚阈值摆幅是指当MOSFET处于亚阈值区时，栅极电压与漏极电流之间的关系。
亚阈值摆幅较小的MOSFET具有更好的亚阈值性能，即更低的静态功耗和更好的低功耗运行能力。
4. 转导电导（Transconductance）：转导电导是指MOSFET的输出电流与输入电压之间的比率。
它表示了MOSFET的放大能力和响应速度。
转导电导越大，MOSFET的放大能力越强。
5. 压降（Voltage Drop）：压降是指MOSFET在导通状态下的漏极电压与源极电压之间的差值。
压降取决于MOSFET的导通电流和内阻。
较小的压降意味着更高的效率和更少的能量损耗。
6. 开关速度（Switching Speed）：开关速度是指MOSFET从导通到截止（或相反）的响应时间。
它取决于MOSFET的内部电容和导通电阻等因素。
较快的开关速度可提高MOSFET的开关效率和响应性能。
7. 漏电流（Leakage Current）：漏电流是指MOSFET在截止状态下的微弱电流。
漏电流可能会导致功耗增加和电路稳定性下降。
较小的漏电流意味着更低的功耗和更好的截止特性。
8. 最大耐压（Maximum Voltage）：最大耐压是指MOSFET可以承受的最大电压。
超过最大耐压可能导致器件损坏或击穿。
因此，在设计中需要确保操作电压不超过MOSFET的最大耐压。
mos管技术参数
mos管技术参数摩斯管（Metal-Oxide-Semiconductor，简称MOS）是一种半导体器件，广泛应用于集成电路中。
它的技术参数对于器件的性能和稳定性起着重要的作用。
本文将从不同方面介绍摩斯管的技术参数。
1. 硅基材料摩斯管的基础材料是硅。
硅是一种常见的半导体材料，具有良好的导电性和绝缘性。
摩斯管的性能很大程度上取决于硅基材料的质量。
硅的纯度、晶体结构、掺杂浓度等参数都会对摩斯管的电学特性产生影响。
2. 绝缘层厚度摩斯管的绝缘层是由氧化物构成的，通常是二氧化硅。
绝缘层的厚度对摩斯管的性能有着重要影响。
较厚的绝缘层可以提高摩斯管的绝缘性能，减小漏电流，但也会增加电荷传输的复杂性。
因此，在设计摩斯管时需要权衡绝缘层厚度与性能要求之间的关系。
3. 门电压摩斯管的门电压是指施加在摩斯管栅极上的电压。
门电压对摩斯管的电流特性有着重要影响。
当门电压低于摩斯管的阈值电压时，摩斯管处于截止状态；当门电压高于阈值电压时，摩斯管处于饱和状态。
因此，在摩斯管的设计中，需要根据实际需求选择合适的门电压。
4. 漏电流摩斯管的漏电流是指在摩斯管截止状态下流过的微弱电流。
漏电流是摩斯管的重要指标之一，它直接影响着摩斯管的功耗和稳定性。
较小的漏电流可以降低功耗，提高器件的稳定性。
因此，在摩斯管的设计中，需要通过优化材料、结构等手段尽量降低漏电流。
5. 开关速度摩斯管的开关速度是指摩斯管从截止状态到饱和状态的转换时间。
开关速度是摩斯管的重要性能指标之一，它直接影响着摩斯管在数字电路中的应用。
较快的开关速度可以提高电路的工作频率，实现更高的数据处理能力。
6. 噪声系数摩斯管的噪声系数是指摩斯管引入电路中的噪声水平。
较低的噪声系数可以提高电路的信噪比和灵敏度。
因此，在摩斯管的设计中，需要通过优化材料和结构等手段尽量降低噪声系数。
7. 工作温度摩斯管的工作温度是指摩斯管能够正常工作的温度范围。
摩斯管的工作温度受到材料和结构的限制。
MOS管的主要参数
主要参数1.开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
3. 漏源击穿电压BVDS·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID4. 栅源击穿电压BVGS·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
5. 低频跨导gm·在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征MOS管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几mA/V的范围内6. 导通电阻RON·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS ·CGS和CGD约为1～3pF·CDS约在0.1～1pF之间8. 低频噪声系数NF·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小。
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M O S管参数解释Prepared on 21 November 2021
MOS管参数解释
MOS管介绍
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。
MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。
这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
原因是导通电阻小且容易制造。
所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。
MOS管导通特性
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V,其他电压，看手册）就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。
通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。
降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。
这两种办法都可以减小开关损失。
MOS管驱动
MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。
但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。
对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。
选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。
而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大(4V或10V其他电压，看手册)。
如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。
很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
Mosfet参数含义说明Features:Vds：DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs =10V时，MOS的DS之间的电阻Id：最大DS电流.会随温度的升高而降低Vgs:最大GS电压.一般为：-20V~+20VIdm:最大脉冲DS 电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系Pd:最大耗散功率Tj:最大工作结温，通常为150度和175度Tstg:最大存储温度Iar:雪崩电流Ear:重复雪崩击穿能量Eas:单次脉冲雪崩击穿能量BVdss：DS击穿电压Idss:饱和DS电流，uA级的电流Igss:GS驱动电流，nA级的电流.gfs:跨导Qg:G总充电电量Qgs:GS充电电量Qgd:GD充电电量Td(on):导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间Tr:上升时间，输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间T d(off):关断延迟时间，输入电压下降到90%开始到VDS上升到其关断电压时10%的时间Tf:下降时间，输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时间(参考图4)。
Ciss:输入电容，Ciss=Cgd+Cgs.Coss:输出电容，Coss=Cds+Cgd.Crss:反向传输电容，Crss=Cgc. 其实MOS主要是通过栅控制器件的开启和导通，所以以NMOS管为例，只需要将栅得足够低，让它在中无法形成，也就没有了沟道，没有低阻通路，自然就变成高阻态，从漏源两端看上去，它便是关断的
追问
谢谢您的回答，不过，我还是不明白！您的意思是不是说：N沟道MOS管，在常态下是低阻通路，测量D,S两端的电阻有几百欧是正常的，当它工作时给它加反压，就是关断的了吗
如果我说的不对，请您把常态下怎样检测MOS管的好坏方法及测量的依据告诉我好吗我用数字万用表。
请不吝赐教
回答
因为MOS管包括栅、源、漏三个电极，而一般情况下，源和漏是对称的，如果有特别标明的话，以NMOS为例，在测量时，漏极接高电位端，源极接低电位端。
由于栅极的电压决定了MOS管的工作状态，因此，当NMOS正常时，栅极接地，器件是不导通的，测量得到的源漏之间的电阻应该会很大，而当你对照器件的手册资料查找它正常工作时栅极电压一般为多少，将栅压逐渐升高（最好不要超过额定电压），源漏之间的电阻应该是逐渐降低的几百欧的电阻属于不大不小，总觉得不算是一个正常的数值，应该是MOS管工作在了饱和区时的值，你最好将MOS管限定在线性区的工作状态，可能需要在MOS管漏极与漏处的电压源之间串联一个分压电阻也就是说你需要两个电压信号源：一个提供给栅极、一个提供给漏极，还需要一个电阻（1K欧的应该也可以）。