14章 题库——半导体器件+答案

16、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为 __________现象。
17、N 型半导体中多子是______，是通过掺入_____价元素后形成的掺杂半导体。
18、用一只万用表不同的欧姆档分两次测得某个二极管的电阻分别为 250Ω 和 ∞ ，产生 这种现象的原因是_______________________。
19、测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚 x、y、z 对地的静态电压分别为 5V、 4.3V、9V，则可判断出 x、y、z 分别为三极管的_______ 极、_______ 极、________ 极，此管为_______管。（填“NPN”或“PNP”）
20、P 型半导体中多子是
、少子是
。
21、在二极管整流电路中，主要是利用二极管的 _____________________特性。
图 14-3-7
8、下图 14-3-8 所示的电路中，已知 ui=10sinωt，E=5V，二极管的正向导通电压为 0.7V， 试画出输出电压 uo 的波形，并在坐标轴上标上必要的标注。
图 14-3-8 9、电路和参数如图 14-3-9 所示，试求 Uo 的值。设二极管的正向压降为 0.7V。
图 14-3-9 10、计算图 14-3-10 所示电路的电位 UY（设 D 为理想二极管）。 （1）UA＝UB＝0 时； （2）UA＝E，UB＝0 时； （3）UA＝UB＝E 时。
图 14-3-10 11、在图 14-3-11 所示电路中，设 D 为理想二极管，已知输入电压 ui 的波形。试画出 输出电压 uo 的波形图。
图 14-3-11
12、某人检修电子设备时，用测电位的办法，测出管脚①对地电位为－6.2V；管脚②对 地电位为－6V；管脚③对地电位为－9V，见图 14-3-12 所示。试判断各管脚所属电极及 管子类型（PNP 或 NPN）。
B．D1 截止、D2 导通、UAB=-4.3V
C．D1 导通、D2 导通、UAB=-7.3V
D．D1 截止、D2 截止、UAB=12V
2、稳压管在电路中能起到稳压作用，它应该工作于
状态。
A．正向导通
B．反向截止
C.反向击穿
D. 不能确定
3、把电动势为 1.5V 的干电池以正向接法直接接到硅二极管两端，则________。
C．P 型半导体
D．5 价半导体
三、计算题
1、判断下图 14-3-1 电路中的二极管是导通还是截止，并求出输出电压 Uo（设二极管 为硅管，电阻 R 为 100Ω）。
VD
2V
R
U0
(a)
R
2V
VD
U0
(b)
R
2V
VD
U0
( c)
VD
2V
R
U0
R
2V
R
U0
VD
R
2V
R
U0
VD
(d)
(e)
(f )
图 14-3-1
A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、击穿区。
15、PN 结加正向电压时，其正向电流是_____________。
A、多子扩散而成； B、少子扩散而成； C、少子漂移而成； D、多子漂移而成。
16、三极管组成的放大电路在工作时，测得三极管上各电极对地直流电位分别为 VE＝ 2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，则此三极管已处于_______。
2、如图 14-3-2 所示的电路中硅稳压管 VD1 和 VD 2 的稳压值 U z1 = 7V ﹑ U z2 = 12V ，求 各电路的输出电压 U0 。
2kΩ
2kΩ
2kΩ
+40V
VD1 VD2
+40V U0
+40V VD1
U0
VD2
VD1 U0
VD2
(a)
(b)
(c)
+40V
2kΩ VD1
VD2 (d)
A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。
11、PN 结加正向电压时，空间电荷区宽度将
。
A．变窄
B．基本不变
C．变宽
D．以上都不对。
12、用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是 V1＝2V，V2＝6V，V3 ＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为___________。
6、二极管电路如图 14-3-6 所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出 AO 两 端电压 VA0 。设二极管是理想的。
D A
3kΩ 6V
12V O
(a)
A
3kΩ 15V
12V O
(b)
D1
D2
A
3kΩ 15V
12V
O (c)
D1
D2
A
3kΩ 6V
12V
O (d)
图 14-3-6
7、电路如图 14-3-7 所示，E=4 V, ui = 8sin ωt V。二极管的正向压降可忽略不计，试 根据给出的输入波形绘出相应输出电压 uo 的波形。
管正向压降为 0.7V。正确的答案为
。
图 14-2-22
A． D1 导通、D2 截止、UAB=0.7V B． D1 截止、D2 导通、UAB=-5.3V
C． D1 导通、D2 导通、UAB=0.7V D． D1 截止、D2 截止、UAB=12V
23、本征半导体掺入 5 价元素后成为
。
A．本征半导体
B． N 型半导体
9、导电性能介于______与_______之间的叫半导体。
10、将______封装起来并加上_______就构成了半导体二极管。
11、PN 结正向偏置时_____，反向偏置时______，这种特性称为 PN 结的_____，但是 当硅材料的 PN 结正向偏压小于______，锗材料的 PN 结正向偏压小于______时，PN 结仍不导通，我们把这个区域叫______。
6、稳压二极管的稳压性能是利用二极管的________特性实现。
A.单向导电 B.反向击穿
C.正向导通
D.反向截止
7、如果半导体二极管正反向阻值都无穷大，说明二极管_________。
A.正常
B.内部短路
C.内部断路
D.性能差
8、用万用表判断发光二极管正负性时，一般选用电阻量程________.
A. R×1
A.I=2mA
B.I<2mA
C.I>2mA
D.I=1mA
21、如图 14-2-21 所示电路，设 Ui=sinωt(V)，E=2V，二极管具有理想特性，则输出电 压 Uo 的波形应为__ ___图所示。
图 14-2-21
22、判断下图 14-2-22 所示电路中各二极管是否导通,并求 A,B 两端的电压值。设二极
4.7kΩ
vI1
D1
v0
vI2
D2
图 14-3-3
4、电路如图 14-3-4 所示。利用硅二极管恒压降模型求电路的 I D 和 vD = V0 = ?
(10 ± 1)V
R 1kΩ
+ v0 D1 2vD D2
−
(10 ± 1)V R 1kΩ
+ v0
D1
D2
3vD
−
图 14-3-4
图 14-3-5
5、电路如图 14-3-5 所示，在上题的基础上，增加一只二极管 D3 以提高输出电压。利 用硅二极管恒压降模型求电路的 I D 和 Vo？
+15V U0
2kΩ VD1 VD2
(e)
ห้องสมุดไป่ตู้
+40V U0
2kΩ
VD1 VD2 U0
(f )
图 14-3-2
3、一二极管开关电路如图 14-3-3 所示。当 VI1 和 VI2 为 0V 或 5V 时，求 v I1 和 v I2 的
值不同组合情况下，输出电压 v0 的值。设二极管是理想的。
VCC 5V
4、一个 NPN 三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于______状态；其发射 结和集电结都处于反偏时，此三极管处于______状态；当发射结正偏、集电结反偏时， 三极管为_______状态。
5、物质按导电能力强弱可分为______、______和______。
6、本征半导体掺入微量的三价元素形成的是____型半导体，其多子为_____。
25、下图 14-1-25 中 D1-D3 为理想二极管，A，B，C 灯都相同，其中最亮的灯是 灯。
图 14-1-25
26、测得某 NPN 管的 VBE＝0.7V，VCE＝0.2V，由此可判定它工作在_______区。
27、当 PN 结反偏时，外加电场与内电场方向相
，使空间电荷区宽度变
。
28、测得放大电路中某三极管的三个管脚 A、B、C 的电位分别为 6V、2.2V、2.9V，则 该三极管的类型为______，材料为______，并可知管脚______为发射极。
第 14 章 半导体器件
一、填空题
1、PN 结的单向导电性指的是 _____________________。
2、硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压 UBE 分别为____V 和____V。
3、晶体三极管有两个 PN 结，分别是_____和_____，分三个区域_____、_____和_____。 晶体管的三种工作状态是________、________和_________。
7、某晶体三极管三个电极的电位分别是：V1＝2V，V2＝1.7V，V3＝－2.5V，可判断该 三极管管脚“1”为_____极，管脚“2”为_____极，管脚“3”为_____极，且属于____ 材料_______型三极管。
8、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅二极管，工作在特性曲线的_______区。
A. 电流为零
B. 电流基本正常
C. 击穿
D. 被烧坏
4、 二极管两端加正向电压时________。
A.一定导通 B. 超过死区电压才导通 C. 超过 0.7V 导通 D. 超过 0.3V 才导通
5、如图所示，处于正常状态的二极管是________。
−100V A.
−50V
V1
5V B.
4V V2
R 7V V3 1KΩ
A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、击穿区。
17、判断下图 14-2-17 所示电路中各二极管的导通情况，并求电压 Uo（设二极管正向
导通压降为 0.7V）。以下说法正确的为
。
图 14-2-17
图 14-2-20
A．D1 导通、D2 截止、Uo=4.3V
B．D1 截止、D2 导通、Uo=2.3V
B. R×10
C. R×100 或 R×1K
D. R×10K
9、处于截止状态的三极管，其工作状态为_________。
A、发射结正偏，集电结反偏； B、发射结反偏，集电结反偏；
C、发射结正偏，集电结正偏； D、发射结反偏，集电结正偏。
10、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的________元素构成的。
A、PNP 管，CBE； B、NPN 管，ECB； C、NPN 管，CBE； D、PNP 管，EBC。
13、用万用表 R×1K 的电阻挡检测某一个二极管时，发现其正、反电阻均约等于 1KΩ, 这说明该二极管是属于________。
A、短路状态； B、完好状态； C、极性搞错； D、断路状态。
14、测得某电路板上晶体三极管 3 个电极对地的直流电位分别为 VE＝3V，VB＝3.7V， VC＝3.3V，则该管工作在_________。
29、某晶体管的发射极电流等于 1mA，基极电流等于 20µA，则它的集电极电流等于 ______mA。
二、选择题
1、 判断下图 14-2-1 所示电路中各二极管是否导通，并求 A，B 两端的电压值。设二极
管正向压降为 0.7V。正确的答案为
。
图 14-2-1
A．D1 导通、D2 截止、UAB=-7.3V
C．D1 导通、D2 导通、Uo=4.3V
D．D1 截止、D2 截止、Uo=-5V
18、硅发光二极管的正常工作状态是
。
A．正向导通
B．反向截止
C．反向击穿
D．无法确定
19、某三极管处于放大工作状态，则其发射结和集电结的偏置分别为
。
A. 正偏，正偏
B. 正偏，反偏
C. 反偏，正偏
D. 反偏，反偏
20、在图 14-2-20 所示的电路中，二极管不具有理想特性，当电源 V=5V 时，测得 I=1mA。 若把电源电压调整到 V=10V，则电流 I 的大小将是_ _ _。
22、已知某放大状态的晶体管的β＝50，现测得其 IE＝2mA，忽略 ICEO，则 IB 为 mA。
23、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，试判断这些晶体管分别 处于那种工作状态（饱和、截止、放大、或已损坏）。（A 为锗材料，BC 为硅材料）
A 处于
；B 处于
；C 处于
。
24、PN 结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流（填“大于”或“小于”）， 耗尽层变_______（填“宽”或“窄”）。
12、最常用的半导体材料有______和______。
13、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明二极管______，又有一硅二极管正反 向电阻接近无穷大，表明二极管________。
14、从二极管 P 区引出的电极为_______，N 区引出的电极为______。
15、将二极管的正向电阻与反向电阻比较，相差越______，导电性_____。