BW6101超级电容保护芯片应用指南
BYD微电子BM3451系列3 4 5节可充电电池保护IC说明书
功能特点
⑴ 各节电池的高精度电压检测功能；
·过充电检测电压
3.6 V ~ 4.6 V
精度±25 mV（+25℃）
精度±40 mV（-40℃至+85℃）
0.300V
VSHORT
0.600V
2.500V 0.100V 0.400V 0.800V
3.000V 0.100V 0.400V 0.800V
3.000V 0.100V 0.400V 0.800V
2.700V 0.100V 0.400V 0.800V
2.700V 0.100V 0.400V 0.800V
0.2 / 0.3 / 0.4 / 0.6 V
·短路检测电压
0.6V / 0.8 / 1.2 V
⑶ 充电过电流检测功能；
充电过电流检测电压 -0.03 /-0.05 / -0.1 / -0.15 / -0.2 V
⑷ 可应用于 3/4/5 节电池组；
⑸ 延时外置可调；
·通过改变外接电容大小设置过充电、过放电、过电流 1、过电流 2 检测延迟时间
·过充电滞后电压
0.1 V
精度±50 mV
·过放电检测电压
1.6 V ~ 3.0 V
精度±80 mV
·过放电滞后电压
0 / 0.2 / 0.4 V
精度±100 mV
⑵ 3 段放电过电流检测功能；
·过电流检测电压 1
0.025 V ~ 0.30 V (50 mV 步进)
精度±15 mV
·过电流检测电压 2
民用北斗RFIC芯片使用手册v1
民用卫星导航系统射频芯片 BIRF1204 用户手册 Version 1.0
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北京中科贝银科技有限公司
D EN A TI L
目录
1. 芯片功能概述.............................................................................................................................................3 2. 应用范围.....................................................................................................................................................3 3. 芯片特征.....................................................................................................................................................3 4. 产品序列标示.............................................................................................................................................3 5. 芯片结构及原理.........................................................................................................................................3 6 主要技术指标..............................................................................................................................................5 6.1 标称参数............................................................................................................................................5 6.2 频率特性...........................................................................................................................................5 6.3 直流电气特性.................................................................................................................................... 5 6.4 交流电气特性.................................................................................................................................... 6 6.5 引脚 ESD 设计指标......................................................................................................................... 7 6.6 芯片特性测试................................................................................................................................... 7 6.7 其它测试指标................................................................................................................................... 8 6.8 典型功耗...........................................................................................................................................9 7 SPI 接口........................................................................................................................................................ 9 8 芯片使用要点............................................................................................................................................ 11 8.1 ESD 注意事项..................................................................................................................................11 8.2 RF 输入端口匹配............................................................................................................................ 11 8.3 本振环路滤波器设计...................................................................................................................... 11 8.4 锁相环调整..................................................................................................................................... 12 8.5 频率参考（16.368MHz）时钟输入.............................................................................................. 12 8.6 加外置低噪放................................................................................................................................. 12 附录 1 芯片封装引脚说明........................................................................................................................... 13 附录 2 芯片端口说明................................................................................................................................... 16 附录 3 芯片寄存器说明............................................................................................................................... 17
超级电容保护IC
W6101 W 6101
超级电容充电保护
超级电容充电保护芯片
■ 产品概述
是一款超级电容充电保护芯片，它内置高精度基准，确保输出精度达到±1%。
内置的功率管使得过充保护后的泄流能力达到0.7A@(VIN=2.65V) ，很好地满足了超级电容级联使用时的充电特性。
可以通过外部端口选择为两种规格的超级电容进行充电保护。
当选择端口为高电平时，对应保护点为2.65V ，当选择端口电平为低时，对应保护点为2.45V 。
方便用户的灵活使用。
采用小型化的SOT23-5封装，便于高密度安装。
同时外围器件少，极大地降低应用成本。
■ 用途
● 超级电容保护 ● 电压检测
■ 产品特点
● 高精度：±1%
● 泄流能力强：700mA@2.65V ● 报警指示 ● 外围器件少
●
小型化封装：SOT23-5L
■ 封装
SOT23-5L
■ 典型应用电路
■ 订购信息
①②
W6101 W6101 W6101
W6101 超级电容充电保护
■ 引脚配置
■ 打印信息 ● SOT23-5L
C1A:代表 ①:由公司生产部内部规定 6个”*” 代表质量跟踪信息
■ 功能框图
W 6101
超级电容充电保护
■ 绝对最大额定值
■ 电学特性参数
测试条件 (Ta=25 ℃除非特殊指定)
■ 特性曲线
静态电流VS 输入电压
输入电压与泄放电流
W 6101
超级电容充电保护
W 6101■封装信息
●SOT23-5。
超级电容器部分知识和部分应用
超级电容器部分知识和部分应用超级电容器部分知识和部分应用又叫双电层电容器是一种新型储能装置，它具有充电时间短、使用寿命长、温度特性好、节约能源和绿色环保等特点。
超级电容器用途广泛。
又叫双电层电容器(Electrical Doule-Layer Capacitor) 、电化学电容器(Electrochemcial Capacitor, EC), 黄金电容、法拉电容，通过极化电解质来储能。
它是一种电化学元件，但在其储能的过程并不发生化学反应，这种储能过程是可逆的，也正因为此超级电容器可以反复充放电数十万次。
超级电容器可以被视为悬浮在电解质中的两个无反应活性的多孔电极板，在极板上加电，正极板吸引电解质中的负离子，负极板吸引正离子，实际上形成两个容性存储层，被分离开的正离子在负极板附近，负离子在正极板附近。
超级电容超级电容的容量比通常的电容器大得多。
由于其容量很大，对外表现和电池相同，因此也有称作“电容电池”。
应用领域1、税控机、税控加油机、真空开关、智能表、远程抄表系统、仪器仪表、数码相机、掌上电脑、电子门锁、程控交换机、无绳电话等的时钟芯片、静态随机存贮器、数据传输系统等微小电流供电的后备电源。
2、智能表（智能电表、智能水表、智能煤气表、智能热量表）作电磁阀的启动电源3、太阳能警示灯，航标灯等太阳能产品中代替充电电池。
4、手摇发电手电筒等小型充电产品中代替充电电池。
5、电动玩具电动机、语音IC 、LED 发光器等小功率电器的驱动电源。
超级电容器是介于传统电容器和蓄电池之间的一种新型储能装置,它具有功率密度大、容量大、使用寿命长、免维护、经济环保等优点。
充放电时间：超级电容器可以快速充放电，峰值电流仅受其内阻限制，甚至短路也不是致命的。
实际上决定于电容器单体大小，对于匹配负载，小单体可放10A，大单体可放1000A。
另一放电率的限制条件是热，反复地以剧烈的速率放电将使电容器温度升高，最终导致断路。
超级电容器的电阻阻碍其快速放电，超级电容器的时间常数T在1-2s,完全给阻-容式电路放电大约需要5T,也就是说如果短路放电大约需要5-10S （由于电极的特殊结构它们实际上得花上数个小时才能将残留的电荷完全。
法拉电容应用电路图大全(八款模拟电路设计原理图)
法拉电容应用电路图大全（八款模拟电路设计原理
图）
法拉电容也是超级电容。
超级电容器是介于传统电容器和充电电池之间的一种新型储能装置，其容量可达几百至上千法拉，与传统电容器相比：它具有较大的容量、较高的能量、较宽的工作温度范围和极长的使用寿命；而与蓄电池相比：它又具有较高的比功率，且对环境无污染，因此可以说，超级电容器是一种高效、实用、环保的能量存储装置。
法拉电容器的容量比通常的电容器大得多。
由于其容量很大，对外表现和电池相同，因此也有称作“电容电池”。
法拉电容器属于双电层电容器，它是世界上已投入量产的双电层电容器中容量最大的一种，其基本原理和其它种类的双电层电容器一样，都是利用活性炭多孔电极和电解质组成的双电层结构获得超大的容量。
法拉电容应用电路图（一）
法拉电容在RAM数据保护中的应用
当电源正常时，5 V电源VCC通过快速整流二极管D1给RAM（U2：UT6264）供电，并通过R1给法拉电容（C1：FM0H104Z）充电。
掉电时，D1截止，法拉电容C1作为备份电源，通过R1为U2供电，保证RAM中数据不消失。
在掉电过程中或电源出现波动时，为了增强RAM数据的安全性，采用了专用电源监控芯片（U3：IMP706），提供系统的监控功能。
上电、掉电和电网电压过低时会输出复位信号，同时还能跟踪1.6 s的定时信号，为软件运行提供看门狗定时器（watchdog timer）防护。
当电源电压掉至约4.74 V时，U3向CPU（U1：AT89S52）输出掉电信号（PW_DN），CPU进行掉电应急。
超级电容充放电管理芯片
超级电容充放电管理芯片超级电容充放电管理芯片是一种专门用于管理超级电容器充放电的芯片。
超级电容器是一种高能量密度的电容器，具有高速充放电、长寿命、高温耐受等优点，因此在许多领域得到了广泛应用，如汽车、电动工具、电子设备等。
然而，超级电容器的充放电过程需要精确的控制，否则容易导致电容器损坏或者电路故障。
这时候，超级电容充放电管理芯片就派上用场了。
它可以通过内部的控制电路，实现对超级电容器的充放电过程进行精确控制，从而保证电容器的安全可靠运行。
超级电容充放电管理芯片的主要功能包括：1. 充电控制：通过内部的充电控制电路，实现对超级电容器的充电过程进行精确控制，从而避免过充或者欠充的情况发生。
2. 放电控制：通过内部的放电控制电路，实现对超级电容器的放电过程进行精确控制，从而避免过放或者欠放的情况发生。
3. 温度控制：通过内部的温度传感器，实时监测超级电容器的温度变化，从而避免因温度过高导致电容器损坏的情况发生。
4. 保护控制：当超级电容器出现异常情况时，如过充、过放、温度过高等，超级电容充放电管理芯片会自动切断电路，从而保护电容器和电路的安全。
超级电容充放电管理芯片的应用范围非常广泛，如汽车、电动工具、电子设备等。
在汽车领域，超级电容器可以作为辅助能量储存装置，用于提供瞬间高功率输出，如启动、加速等。
在电动工具领域，超级电容器可以作为主要能量储存装置，用于提供长时间高功率输出，如电动锤、电动钻等。
在电子设备领域，超级电容器可以作为备用电源，用于提供短时间的电力支持，如计算机、手机等。
超级电容充放电管理芯片是一种非常重要的电子元器件，它可以保证超级电容器的安全可靠运行，为各个领域的应用提供了强有力的支持。
超级电容充电IC_LTC3225及应用
电子报/2009年/8月/2日/第016版电子文摘超级电容充电IC——LTC3225及应用青化编译超级电容又被称为电气双层电容(EDLC)，其电容量从1F～1000F，是新型的短期蓄电设备。
对于电车或电梯在制动时产生的电力，可用大容量的超级电容来蓄电，达到能源的再生；而对于小功率的太阳能电池，则可用小容量的超级电容来蓄电。
对超级电容的充电，要求具有过充电保护的功能。
因为超级电容的额定电压一般为2.5V左右，也有2.75V和3.0V的产品；但额定电压为5.0V的产品。
其内部则是由两只2.5V电容串联构成的。
最近也有了锂离子超级电容(LIC)，其额定电压可达 3.8V～4.0V。
但它被规定有使用下限电压。
超级电容耐压越高。
所蓄能量也越大。
能量U=1/2C×V2。
另外，由于超级电容的内阻比电池内阻低得多，故初始电流很大。
所以要用恒压恒流电源给超级电容充电。
LTC3225是专为两只串联的2.5V超级电容充电而设计的集成电路，输出电压4.8V～5.3V。
它根据分别对两只电容端电压的监测来工作，电压低时自动开始充电，充满自停。
故不适用于无中心抽头的串联型超级电容充电；也不适用于有下限电压限制的锂离子超级电容。
LTC3225利用内部的电荷泵来充电，即使两只串联的超级电容的容量有误差，电荷泵也可保证对其平衡充电。
如图1所示，在LTC3225外部接有快速电容，电荷泵首先对快速电容充电，一旦充满，快速电容上的电荷就向超级电容转移。
充电过程是以一定间隔在充电和电荷转移间进行，且是按串联超级电容的顺序逐一转移的。
所以，可以得到比输入电压高的充电电压，即使输入电压仅2.8V，也可对串联后达5.5V的超级电容充电。
如果用普通的恒压恒流电源给串联的超级电容充电，必须给每只超级电容并联电压平衡电路(图2)，但LTC3225利用电荷泵来平衡两个串联超级电容的电压，就不必再加平衡电路。
PGOOD端子用于监视充电状况，当未充满电时，该端子为“L”电平。
一种基于BW6101的超级电容模组均衡电路
一种基于BW6101的超级电容模组均衡电路摘要：随着我国经济的迅速发展，城市化程度日益提高，轨道交通系统、电动大巴在未来城市公共交通体系中逐渐扮演起更加重要的角色。
超级电容作为储能装置在公共交通中的应用也日益增多，它具备绿色、环保、低碳、高效等优势，为社会带来了巨大的效益。
超级电容器不仅具有充电速度快，输出功率大，用于电动车辆行驶时起步快，爬坡能力强的优势。
还具有较宽泛的工作温度，可以在-40℃至+70℃，这对于提高车辆在高寒地区的起动性能是非常有意义的。
机动车在-15℃时启动已经非常困难，无法正常启动或需多次才能成功启动，而使用超级电容器即使是在-30℃时，仍能顺利启动，其优势十分明显。
在超级电容器组的模组或者系统中，增加超级电容均衡电路，可高效保证单体间电压的一致性，保证高级电容器充放电次数可达到10000次的长寿命特点，免除大量的维修成本。
关键词：超级电容器；公共交通；均衡电路1.引言超级电容器由于单体电压较低,在储能系统使用时通常采用多个超级电容器串联以达到系统要求的电压及功率,在超级电容器串联使用时，由于单体的初始电压、容量、内阻、自放电等差异造成单体见电压差，这些电压差若不及时消除，随着时间积累电压高的单体寿命会受到严重的影响甚至导致超级电容组失效，因此在超级电容串联时，增加均衡电路，控制各单体之间的差压对于超级电容组十分有意义。
本文介绍了一种电动大巴中使用的48V超级电容模组均衡方案，此均衡电路基于超级电容保护芯片BW610，可实现对2.5V与2.7V电容进行保护，精度高，可靠性好，电路简单，成本易于测试，性能稳定。
1.均衡电路设计方案本模组均衡方案总结构图如图1所示：包含单体电压采集电路:、一级均衡电路、二级均衡报警信号输出电路和过压过温信号输出电路；其中：图1 均衡电路结构框图单体电压采集电路的主要任务为：连接超级电容单体与均衡板；一级均衡电路功能是：当单体电压超过某一值（2.5V或者2.7V），通过芯片内置功率对单体进行放电，将电压过高的单体能量消耗，达到过压阈值以下（2.5V或者2.7V）；二级均衡电路功能是：一级均衡电路的电流不足以将单体电压降低到预期水平，此时增加二级均衡回路，加大均衡电流，是单体更快的耗能，同时输出报警信号。
超级电容器技术标准与应用
(M s)(M 2)(2 s)
qM
qM
qM
1 1 1 Cd CH CD
式中 C为d双电层电容， 为紧密层C电H容； 为分散层电容，C等D于两个串联电容 和 的总电容。即把双电层
的微分电容看成是由紧密层电容和分散层电容串连组成，如图所示：
C紧 C分
二、超级电容器技术概述
四、超级电容器应用领域
3、储能领域
国际电工委员会（IEC）《电能源存储白皮书》将储能技术分为： 机械储能系统、 电化学储能系统、 化学储能系统、 电储能系统：超级电容器和超导储能。 热能存储系统。
超级电容器在储能领域的应用近年发展非常快，主要包括电网削峰填谷，风力发电。电网的削 峰填谷更常用于平滑功率的瞬时消耗和增加对微网的冲击，借助于超级电容器的高功率输出和输入 特性对于该项应用极其有效。
C Q PF b /R•T P(1 bP)b
(5)
对于研究较多的RuO2/H2SO4体系而言，电极上发生的法拉第反应是孔隙中可逆的质子迁入或迁出。 反应式为：
RuO2 +xH+ +xe- = RuO2-x(OH)x
(6)
根据Nernst方程
根据Nernst方程
(1.10) 表示电极材料氧化还原过程中的相对氧化程度。虽然该式由溶液中的氧化还原过程而来，但 原则上也适用于其它具有连续可变氧化还原程度的过程。 若将(1.10)式与（1.5）的对数形式比较，我们可以得到相似的结果。这就要求与此类似的电容 器电极材料需要具备氧化还原中心，以此产生连续的电子输运与离子传输。
四、超级电容器应用领域
2、动力用领域
低温启动是超级电容器的典型的应用领域。超级电容器结合蓄电池技术应用可以提高机车的 低温启动性能。在低温下，由于蓄电池的性能大大下降，很可能不能正常启动或需多次启动才 能成功，而超级电容器可以在-40 ℃进行可靠点火。 列车在运行过程中，由于站间距较短，列车启动、制动频繁，制动能量相当可观。超级电容 器应用于轨道车辆中，在轨道车辆制动的时候，回收制动能量，存储于超级电容器中，当车辆 再加速时，超级电容器将这些能量释放出来，节省30％左右的能量。
BW6101超级电容保护芯片应用指南
BW6101超级电容保护芯片应用指南BW6101超级电容保护芯片是专门针对超级电容串联模组的电容单体过压保护而设计的一款高性能、低价格芯片，此芯片应用简单，性能可靠，可以替换原有的TL431、XC61C及其它的分立元件方案，电路简单，外围器件小，电压精度高，是一款专门为超级电容保护而研发的专门芯片。
BW6101采用高精度内部电压基准，确保保护电压精度在1%以内，内置功率管可以提供大电流泄放能力，在没有外部扩流管的条件下，可以提供200mA的电流泄放能力，如果需要大电流泄放保护，可以采用外部增加扩流MOS管，最大泄流能力可以达到几安培甚至几十安培，满足大容量法拉电容模组保护要求。
BW6101采用SOT23-5封装，器件体积小，集成度高，外围器件少，可以满足高密度安装要求，极大地降低应用成本，提高了电路可靠性。
芯片简介：z SOT23-5封装z高精度电压基准：1%z电压保护泄放能力强z具有LED报警输出功能z芯片体积小，便于高密度安装z功耗极低，20uA@2.8Vz可以实现对 2.5V与2.7V的电容进行保护示例1：4只2.7V 10F超级电容串联电路，无外部扩流，电路简单本电路直接采用BW6101芯片内部的功率MOS管作为泄放开关，电路只需要一个芯片+一个功率电阻就可以，电路简洁可靠，集成度高，可以很方便地完成结构紧凑的模组设计，电容保护电压是 2.65V，当电容两端的电压大于 2.65V时，内部泄放开关打开，通过泄放电阻对下一级电容进行放电，保证电容两端的电压不会过压，芯片同时具有过压LED指示灯，当电容两端的电压大于 2.75V时，指示灯会点亮，可以用来对监测模组的工作状态，进一步保证模组的正常工作。
示例2：4只2.7V 100F超级电容串联电路示例：使用MOS管进行外部扩流本示例中，由于 2.7V 100F电容容量大，同时需要大电流进行充放电，这时需要更大功率的泄放电路才能更好地保证电容单体不过压，进而保护超级电容模组的工作安全。
WGB-611A微机线路保护装置 V1.00
2013.09
WGB-611A 微机线路保护装置
1 装置简介 .............................................................................................................. 1
1.1 功能配置.................................................................................................................................1 1.2 主要特点.................................................................................................................................1
3 装置硬件 ............................................................................................................... 5
3.1 机箱结构.................................................................................................................................5 3.2 主要插件.................................................................................................................................5 3.3 交流插件.................................................................................................................................5 3.4 CPU 插件 ................................................................................................................................5 3.5 信号插件.................................................................................................................................6 3.6 扩展插件.................................................................................................................................6 3.7 人机对话插件.........................................................................................................................6
超级电容器性能原理及应用
超级电容器性能原理及应用本文摘自: 电池论坛() 详细出处请参考：/thread-209320-1-1.html超级电容器是在19世纪60、70年代率先在美国出现，并于80年代实现市场化的一种新型的储能器件，具有超级储电能力。
它兼具普通电容器的大电流快速充放电特性与电池的储能特性，填补了普通电容器与电池之间比能量与比功率的空白。
超级电容器被称为是能量储存领域的一次革命，并将会在某些领域取代传统蓄电池。
超级电容器性能超级电容器的能量密度是传统电容器的几百倍，功率密度高出电池两个数量级，很好地弥补了电池比功率低、大电流充放电性能差和传统电容器能量密度小的缺点。
图1：超级电容器性能优势图超级电容器与铅酸、镍氢和锂电池相比，在自放电、能量密度和能量成本方面显现不足，但在效率、快充特性、温度范围、安全性、功率成本、功率密度、寿命方面，超级电容器有着其他电池不可超越的优势。
超级电容器是一种无污染的新型储能装置，寿命超长(1-50万次)、安全可靠、储能巨大，是一种理想的储能装置，具体特性如下：1、高循环寿命，循环寿命可达50万次以上，合计10年，远超电池理论上的最大循环2000-5000次;2、快速充电特性，由于不存在电能转化化学能的化学反应，充电10秒-10分钟，可达到其额定容量95%以上;3、高功率密度特性，具有优越的动力特性，可达300W/kg~5000W/kg，相当于电池的5-10倍;能较好地满足车辆在启动、加速、爬坡时对瞬间大功率的要求;4、大电流放电能力超强，过程损失小;大电流是电池的几十倍;5、超低温特性好，温度范围宽-40℃~+70℃;而一般电池是-20℃~+60℃;6、无污染，安全可靠，超级电容器是绿色能源(活性炭)，不污染环境，是理想的绿色环保电源;7、全寿命免维护：超级电容器采用全密封结构，没有水分等液体挥发，在使用过程中全寿命不需要维护;8、相符成本地，超级电容器价格比铅酸电池高1倍，但寿命比电池高10倍。
电容触摸传感简介 Microchip AN1101 说明书
12
3
4
上电
AN1101
SQ RQ
C2OUT
时间
表 2：
工作时间段
时间段
置位
复位
1 2 2⇒3 3 3⇒4 4=2
C1+ > VS=0
C2+ > VR=1
C1+ > VS=0
C2+ < VR=0
C1+ < VS=1
C2+ < VR=0
C1+ > VS=0
C2+ < VR=0
C1+ > VS=0
C2+ < VR=1
一种观测频率是否下降的简单方法是使用三个无符号整 型变量，它们是：
unsigned int average; unsigned int raw; unsigned int trip;
变量 average 存放前面 16 个采样值的滑动平均值； raw 是从 Timer1 读取的当前传感器数据；而 trip 则是按钮按 下时频率与平均值的差。最简单的检测按钮是否按下的 算法就是测试 raw 是否比平均值还要小某个固定值，其 代码示例如下。
注：
检测按钮是否按下的更好的软件算法，在 AN1103《电容触摸传感的软件处理》中进 行了讨论。上面的例子非常简化地说明了 频率下降是检测按钮是否按下的常用基本 的方法。
AN1101
配置 PIC® MCU
目前有三个系列的 PIC 单片机能实现前面介绍的方法， 它们是 Microchip PIC16F616 系列、PIC16F690 系列以 及 PIC16F887 系列。用于电容触摸传感的基本寄存器 设定是一样的，尽管系列之间的差异可能导致寄存器设 定值上有小小的不同。附录 A： “PIC16F887 系列的寄 存器设置 ” 详细说明了如何正确设置 PIC16F887 系列。 对于其他系列的器件，也可把 附录 A：“PIC16F887 系 列的寄存器设置 ” 用作设置寄存器位的指导。 用于电容触摸传感时需要设置的寄存器如下：
超级电容模组过压保护芯片说明
超级电容模组过压保护芯片
超级电容串联时电容单体过压保护，均压保护，超电模组保护板核心芯片，极大
简化电路设计
BW6101是一款超级电容充电保护芯片，它内置高精度基准，确保输出精度达到±1%。
内置的功率管使得过充保护后的泄流能力达到0.7A@(VIN=2.65V)，很好地满足了超级电容级联使用时的充电特性。
BW6101可以通过外部端口选择为两种规格的超级电容进行充电保护。
当选择端口为高电平时，对应保护点为2.65V，当选择端口电平为低时，对应保护点为2.45V。
方便用户的灵活使用。
BW6101采用小型化的SOT23-5封装，便于高密度安装。
同时外围器件少，极大地降低应用成本。
当电容在串联使用时，如果没有过压保护电路，那么电容在实际应用中会存在过压的危险，将极大地地危害使用安全及电容使用寿命，所以超级电容串联保护电路在电容模组中扮演了非常重要的角色，BW6101电路是专门为电容串联模组开发的电容过压保护电路，由于内置了电压比较电路及采样电路，以及最大达到0.7A的泄放回路，所以电路使用非常简单，外围元器非常少，电路非常简洁，只要几个元器就可以实现高可靠的电容过压保护。
产品特点
*电压检测高精度：±1%
*保护泄流能力强：700mA@2.65V
*过压报警指示输出
*电路简单，外围器件少
*成本低廉，降低电路成本
*可以通过外置MOSFET扩大泄流能力
*小型化封装：SOT23-5L。
【转载】超级电容器及应用
【转载】超级电容器及应用超级电容器超级电容器又叫双电层电容器是一种新型储能装置，它具有充电时间短、使用寿命长、温度特性好、节约能源和绿色环保等特点。
超级电容器用途广泛超级电容器（supercapacitor,ultracapacitor），又叫双电层电容器(Electrical Doule-Layer Capacitor)、电化学电容器(Electrochemcial Capacitor, EC), 黄金电容、法拉电容，通过极化电解质来储能。
它是一种电化学元件，但在其储能的过程并不发生化学反应，这种储能过程是可逆的，也正因为此超级电容器可以反复充放电数十万次。
超级电容器可以被视为悬浮在电解质中的两个无反应活性的多孔电极板，在极板上加电，正极板吸引电解质中的负离子，负极板吸引正离子，实际上形成两个容性存储层，被分离开的正离子在负极板附近，负离子在正极板附近。
超级电容器是建立在德国物理学家亥姆霍兹提出的界面双电层理论基础上的一种全新的电容器。
众所周知，插入电解质溶液中的金属电极表面与液面两侧会出现符号相反的过剩电荷，从而使相间产生电位差。
那么，如果在电解液中同时插入两个电极，并在其间施加一个小于电解质溶液分解电压的电压，这时电解液中的正、负离子在电场的作用下会迅速向两极运动，并分别在两上电极的表面形成紧密的电荷层，即双电层，它所形成的双电层和传统电容器中的电介质在电场作用下产生的极化电荷相似，从而产生电容效应，紧密的双电层近似于平板电容器，但是，由于紧密的电荷层间距比普通电容器电荷层间的距离更小得多，因而具有比普通电容器更大的容量。
双电层电容器与铝电解电容器相比内阻较大，因此，可在无负载电阻情况下直接充电，如果出现过电压充电的情况，双电层电容器将会开路而不致损坏器件，这一特点与铝电解电容器的过电压击穿不同。
同时，双电层电容器与可充电电池相比，可进行不限流充电，且充电次数可达10^6次以上，因此双电层电容不但具有电容的特性，同时也具有电池特性，是一种介于电池和电容之间的新型特殊元器件。
福大海矽微电子FD9515高性能LNB专用控制芯片说明书
高性能LNB 专用控制芯片FD9515器件手册（中文版本）版本：B2_CN 日期：2014-01-26F DHI S I CON F IDE N T I A L著作权Copyright © 2013 by FUZHOU FUDA HISI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 使用指南中所出现的信息在出版当时相信是正确的，然而福大海矽对于说明书的使用不负任何责任。
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电池保护芯片
电池保护芯片1. 简介电池保护芯片（Battery Protection Chip）是一种用于保护电池免受过充、过放、过流和短路等问题的电子元件。
在许多电子设备中，电池保护芯片都被广泛应用，以延长电池的寿命并保障设备的安全性。
本文将介绍电池保护芯片的工作原理、特点以及在实际应用中的使用注意事项。
2. 工作原理电池保护芯片通常由一个集成电路组成，其中包含了多个保护功能。
它通过与电池终端连接，实时监测电池的工作状态，并根据需要采取相应的保护措施。
以下是电池保护芯片的几种常见保护功能：2.1 过充保护过充保护是指在电池充电时，当电池电压达到一定阈值时，保护芯片会自动切断充电电源，防止电池继续充电导致过充现象，从而减少对电池的损害。
2.2 过放保护过放保护是指在电池放电时，当电池电压降到一定阈值时，保护芯片会自动切断电池和负载之间的连接，防止电池继续放电导致过放现象，从而保护电池的使用寿命。
2.3 过流保护过流保护是指在电池充电或放电时，当电流超过一定阈值时，保护芯片会立即切断电流，以防止电池内部短路或其他异常情况引起的过流现象，确保电池和设备的安全。
2.4 短路保护短路保护是指在电池和负载之间出现短路时，保护芯片会迅速切断电路，以阻断电流，避免电路损坏和可能的火灾隐患。
3. 特点电池保护芯片具有以下几个特点：3.1 高集成度电池保护芯片采用集成电路的设计，将多种保护功能集成在一个芯片上，从而实现体积小、性能稳定、可靠性高的特点。
3.2 低功耗电池保护芯片在工作时具有较低的功耗，可以最大限度地减少对电池的能量消耗，从而延长电池的使用时间。
3.3 自动保护电池保护芯片可以实时监测电池的工作状态，并根据设定的保护阈值自动采取相应的保护措施，无需人为干预。
3.4 高精度电池保护芯片通过精密的电压、电流检测电路，可以精确地监测电池的工作状态，确保保护功能的准确性和可靠性。
4. 使用注意事项在使用电池保护芯片时，需要注意以下几点：4.1 选择适配的保护芯片不同的电池类型和应用场景有不同的保护需求，因此在选择电池保护芯片时，需要根据实际情况选择适配的芯片，以确保保护功能的有效性。
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BW6101超级电容保护芯片应用指南
BW6101超级电容保护芯片是专门针对超级电容串联模组的电容单体过压保护而设计的一款高性能、
低价格芯片，此芯片应用简单，性能可靠，可以替换原有的TL431、XC61C及其它的分立元件方案，电路简单，外围器件小，电压精度高，是一款专门为超级电容保护而研发的专门芯片。
BW6101采用高精度内部电压基准，确保保护电压精度在1%以内，内置功率管可以提供大电流泄放能力，在没有外部扩流管的条件下，可以提供200mA的电流泄放能力，如果需要大电流泄放保护，可以采用
外部增加扩流MOS管，最大泄流能力可以达到几安培甚至几十安培，满足大容量法拉电容模组保护要求。
BW6101采用SOT23-5封装，器件体积小，集成度高，外围器件少，可以满足高密度安装要求，极大
地降低应用成本，提高了电路可靠性。
芯片简介：
z SOT23-5封装
z高精度电压基准：1%
z电压保护泄放能力强
z具有LED报警输出功能
z芯片体积小，便于高密度安装
z功耗极低，20uA@2.8V
z可以实现对 2.5V与2.7V的电容进行保护
示例1：4只2.7V 10F超级电容串联电路，无外部扩流，电路简单
本电路直接采用BW6101芯片内部的功率MOS管作为泄放开关，电路只需要一个芯片+一个功率电阻就可以，电路简洁可靠，集成度高，可以很方便地完成结构紧凑的模组设计，电容保护电压是 2.65V，当电容两端的电压大于 2.65V时，内部泄放开关打开，通过泄放电阻对下一级电容进行放电，保证电容两
端的电压不会过压，芯片同时具有过压LED指示灯，当电容两端的电压大于 2.75V时，指示灯会点亮，可以用来对监测模组的工作状态，进一步保证模组的正常工作。
示例2：4只2.7V 100F超级电容串联电路示例：使用MOS管进行外部扩流
本示例中，由于 2.7V 100F电容容量大，同时需要大电流进行充放电，这时需要更大功率的泄放电路才能
更好地保证电容单体不过压，进而保护超级电容模组的工作安全。
本示例核心采用BW6101+外部扩流MOS+大功率电阻，由于BW6101内部MOS管可靠地泄放电流为200毫安，所以更大的泄放电流必须由
外部来完成，本电路可以允许几安培的泄放电路，如果需要几十安培以上的泄放电流，那么需要更换大功
率MOS管及更大功率的电阻。