电力电子试卷及答案
电力电子技术试卷3份答案
《电力电子技术》试卷1答案一、填空（每空1分，36分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-四种。
二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×）1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。
（√）2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。
（×）3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
（×）4、逆变角太大会造成逆变失败。
（×）5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。
（√）6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
电力电子技术试卷及答案
电力电子技术试卷及答案文章中没有明显有问题的段落，因此不需要删除。
一、填空题1、实现有源逆变的条件为控制电压和电流。
2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组状态、反组状态、正反组状态、反正组状态。
3、在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经一个逆变器而不流经负载的电流。
为了减小环流，一般采用αβ状态控制方式。
4、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能后送给负载。
5、给晶闸管阳极加上一定的电压，同时在门极加上足够的电流脉冲，晶闸管才能导通。
6、当负载为大电感负载时，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时会出现失控现象。
7、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为100Hz；而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为200Hz；这说明三相全控桥整流电路的纹波系数比三相半波可控整流电路要小。
8、造成逆变失败的原因有过电压、过电流、过温度等几种。
9、提高可控整流电路的功率因数的措施有并联电容、谐振电路、直流侧串联电感和直流侧串联电容等四种。
10、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于保持电流时，如去掉脉冲，晶闸管又会关断。
二、选择题1、答案为D。
两对晶闸管的触发脉冲应相差120度。
2、答案为B。
当α=60度时，三相半波可控整流电路，在电阻性负载时，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。
3、答案为B。
通常在晶闸管触发电路中，若改变控制电压的大小时，输出脉冲相位会产生移动，达到移相控制的目的。
4、答案为B。
三相半控桥可控整流电路可以实现有源逆变。
5、答案为A。
逆变角βXXX选取在30~35度时，系统工作才可靠。
三、问答题1、逆变失败是指逆变电路不能正常地将直流电能转换为交流电能，或者转换效率很低，无法满足负载的需求。
造成逆变失败的原因有过电压、过电流、过温度等几种。
例如，过电压会导致晶闸管损坏，过电流会导致晶闸管烧毁，过温度会导致晶闸管失效等。
电力电子技术试题及答案
《电力电子技术》试卷题号一二三四合计分数阅卷人得分一、选择（每题1.5分，共60分）1、晶闸管内部有（）个PN结。
A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。
A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术试卷及答案
电力电子技术一、单项选择题（本大题共50分，共 20 小题，每小题 2.5 分）1. 图1所示的图形符号表示的电力电子器件是（）。
A. A、普通晶闸管B. B、电力场效应管C. C、门极可关断晶闸管D. D、绝缘栅双极晶体管2. 当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( ) A. 导通状态 B. 关断状态 C. 饱和状态 D. 不定3. 利用附加的换流电路对晶闸管施加反向电压或反向电流的换流方式，称为（）。
A. A、电网换流B. B、强迫换流C. C、负载换流D. D、器件换流4. 无源逆变指的是（）。
A.A、将直流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能，送给负载B.B、将直流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能，送给电网C. C、将交流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能，送给负载D.D、将交流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能，送给电网5. 晶闸管的额定电流是用一定条件下流过的最大工频正弦半波（）来确定。
A. 电流有效值B. 电流峰值C. 电流瞬时值D. 电流平均值6. 晶闸管工作过程中，管子本身的损耗等于管子两端的电压乘以（）。
A.阳极电流 B. 门极电流 C. 阳极电流与门极电流之差 D. 阳极电流与门极电流之和7. 晶闸管导通后，要使晶闸管关断，必须（）A. 在门极施加负脉冲信号B. 使控制角应该大于90度C. 使阳极电流小于维持电流D. 使控制角小于90度8. 单相桥式全控整流电路带反电势负载，串联电感L，工作在有源逆变状态，的工作范围是（） A. B. C. D.9. 三相半波可控整流电路的自然换相点是( )。
A. 交流相电压的过零点B. 本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C. 比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D. 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°10. 可控整流电路输出直流电压可调，主要取决于晶闸管触发脉冲的（） A. 幅值 B. 移相 C. 形状 D. 脉宽11. 单相半控桥整流电路中续流二极管作用（）。
电力电子试卷及答案
考试试卷（ 4 ）卷一、填空题:(本题共５小题,每空１分,共20分）1、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为IＴn等于倍IＴ（AＶ)，如果Ｉ=1０0安培,则它允许的有效电流为安培。
通常在选择晶闸管时还要留T(AV）出倍的裕量。
2、三相桥式全控整流电路是由一组共极三只晶闸管和一组共极的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。
每隔换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通度。
要使电路工作正常，必须任何时刻要有只晶闸管同时导通，一个是共极的，另一个是共极的元件,且要求不是的两个元件。
3、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态,软开关电路种类很多，但归纳起来可分为与两大类。
4、提高变流置的功率因数的常用方法有、、、几种.５、三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围,三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围,三相半控桥电阻性负载时,电路的移相范围。
二、判断题：（本题共１0小题,每题1分，共10分)１、双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样,双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。
（)２、逆变器采用负载换流方式实现换流时,负载谐振回路不一定要呈电容性。
（)3、无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网。
( )４、对三相桥式全控整流电路的晶闸管进行触发时,只有采用双窄脉冲触发,电路才能正常工作。
( )5、PWM脉宽调制型逆变电路中,采用不可控整流电源供电,也能正常工作. （）6、在变流装置系统中，增加电源的相数也可以提高电网的功率因数．( )7、过快的晶闸管阳极dｕ/dt会使误导通．（)８、电流可逆斩波电路可实现直流电动机的四象限运行。
（)９、为避免三次谐波注入电网，晶闸管整流电路中的整流变压器应采用Y/Y接法( ）10、在DC/ＤC变换电路中,可以采用电网换流方法。
（)三、选择题：（本题共10小题，每题1分，共10分)１、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=０º时,输出的负载电压平均值为（)。
电力电子技术试卷和答案
电力电子技术试卷一、名词解释（每题6分，共24分）1、驱动电路：位于主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间电路（即放大控制电路的信号使其能够驱动功率晶体管)，称为驱动电路。
2、电流源型逆变器：在直流回路中串以大电感Ld储存无功功率，称为电流源型逆变器3、电压源型逆变器：交-直-交变频器的中间直流环节如果是用大电容平波通常称为电压源型变频器。
4、全控型器件：通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件被称为全控型器件。
二、简答题（每题8分，共32分）1、均衡电抗器在整流器并联中起什么作用？答：均衡电抗器是在“并联输出型”多相整流发电机中，用以提高整流发电机的功率因数，从而达到降低整流发电机视在功率设计值，减小整流发电机的重量和尺寸的目的。
2、晶闸管的导通和关断条件是什么？答：晶闸管导通条件：门极G加触发信号，主端子A、K之间加正向电压，且使得主端子间的正向电流大于擎住电流，。
关断的条件：使主端子间的正向电流小于维持电流。
晶闸管的关断方法：减小主端子A、K之间之间的正向电压，直至为零，或加反向电压；也可以利用储能电路强迫关断。
3、列举五种过电压保护的措施。
答：（1）、改善断路器性能，增大触头灭弧能力。
（2）、采用带并联电阻（约3000欧姆）的开关。
（3）、线路上装电磁式放电PT 。
（4）、并联电抗器。
（5）、采用专门的磁吹避雷器4、逆变器的功能是什么？答：逆变器是把直流电能（电池、畜电瓶）转变成交流电（一般为220v50HZ 正弦或方波） 如UPS 不间断电源。
应急照明灯。
应急电源。
都是把直流电瓶逆变成220v 交流的。
三、作图题（每个8，共24分）单相桥式全控整流电路，V U 1002=，负载中Ω=2R ，L 值极大，当 30=α时du d i 和2i 的波形；解：①u d 、i d 、和i 2的波形如下图：u 2OωtOωt Oωt u d i di 2O ωt I d I d ππαα四、计算题（20分）单相桥式全控整流电路带反电动势负载，已知U 2=100V ，E=60V ，R=3Ω，α=30o ，电抗L 足够大，求输出平均电压U d 、输出平均电流I d ，流过晶闸管电流平均值I dVT 和有效值I VT ，变压器二次侧电流有效值I 2和容量S 2。
电力电子技术试卷与答案
《电力电子技术》试卷一、填空题（每空格1分，共31分）1．晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的有螺栓式与＿＿＿＿＿＿＿。
2．晶闸管象二极管一样，具有可控＿＿＿＿＿＿＿特性。
3．为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后，加一段时间的＿＿＿＿电压。
4．选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大＿＿＿＿＿＿＿倍，使其有一定的电压裕量。
5．选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以＿＿＿＿＿＿。
6．在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是＿＿＿＿＿＿＿极。
7．单相半波可控整流电路，当电感性负载接续流二极管时，控制角的移相范围为＿＿＿＿＿＿＿。
8．在反电动势负载时，只有＿＿＿＿＿＿＿的瞬时值大于负载的反电动势，整流桥路中的晶闸管才能随受正压而触发导通。
9．把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为＿＿＿＿＿＿＿。
10．＿＿＿＿＿＿＿可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。
11．三相半波可控整流电路，带大电感负载时的移相范围为＿＿＿＿＿＿＿。
12．采用晶闸管共阳极接法的缺点是：要求三个触发电路的输出线圈＿＿＿＿＿＿＿。
13．触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲冲触发两种方法，目前采用较多的是＿＿＿＿＿＿＿触发方法。
14．由于电路中共阴极与共阳极组换流点相隔60。
，所以每隔60。
有一次＿＿＿＿＿。
15．三相桥式整流电路控制角α的起算点，如α＝30。
，在对应的线电压波形上脉冲距波形原点为＿＿＿＿＿＿＿。
16．双窄脉冲触发是在触发某一号晶闸管时，触发电路同时给＿＿＿＿＿＿＿一号晶闸管补表一个脉冲。
17．在三相可控整流电路中，α＝0。
的地方（自然换相点）为相邻线电压的交点，它距对应线电压波形的原点为＿＿＿＿＿＿＿。
18．在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角＿＿＿＿＿＿时，电流连续。
19．在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角＿＿＿＿＿＿＿时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二级管。
电力电子技术试题及答案
德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题1.5分，共60分） 1、晶闸管内部有（ ）个PN 结。
A 、1B 、2C 、3D 、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。
A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。
A 、有效值B 、最大值C 、平均值D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。
A 、一个B 、两个C 、三个D 、四个、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路）、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ） 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700V B、750V C、800V D、850V 16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V 才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术试卷及答案
《电力电子技术》试题(G)一、填空题?（每空1分，34分）1、实现有源逆变的条件为????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????和??????????????????????????????? ????????????????????????????????????????????????????????????????????。
2、??在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组?????????状态、?????????状态、反组????????状态、??????状态。
3、在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经??????????????而不流经??????? ????????的电流。
为了减小环流，一般采用α????β状态。
4、有源逆变指的是把????????能量转变成??????????能量后送给???????????装置。
5、给晶闸管阳极加上一定的???????电压；在门极加上????????电压，并形成足够的????????????电流，晶闸管才能导通。
6、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时???????????? ?????与?????????????????电路会出现失控现象。
7、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为??????H Z；而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为?????????H Z；这说明?????????????????????????????电路的纹波系数比?????????????????电路要小。
8、造成逆变失败的原因有??????????????、??????????????、????????????????、?????????????????等几种。
电力电子技术试题(卷)20套与答案解析
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1)0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2)t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题及答案六王兆安
考试试卷六一、填空题（本题共17小题，每空1分，共20分）1、晶闸管的内部结构具有端、层、个PN结。
2、在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是极。
3、晶闸管的关断条件是。
4、额定电流为100A的晶闸管，流过单向正弦全波时的最大可能平均电流是。
5、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极为何种极性触发电压，管子都将工作在状态。
6、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导通，对应的电角度称为。
7、在三相全控桥中，接在同一相的两个晶闸管触发脉冲的相位应相差。
8、在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角时，电流连续。
9、三相桥式可控整流电路适宜在电压而电流不太大的场合使用。
10、带平衡电抗器的双反星形可控整流电路是由两组三相半波可控整流电路组成。
11、三相半波可控整流电路，供电变压器每相漏感折合到次级的ＬB为100μH，= 。
直流负载电流I d＝150A，则换相压降△Ｕγ12、将直流电逆变为某一频率或可变频率的交流电直接输出到的过程称为无源逆变。
13、在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中，当a>π/2时，电流主要是依靠电动势E d来维持的，所以总的能量是电动机回馈给。
14、有环流可逆电路常见的主电路联结方式有、。
15、在无源逆变与直接斩波电路中，都必须设置换流，强迫导通的晶闸管可靠关断。
16、晶闸管元件并联时，要保证每一路元件所分担的电流。
17、根据对触发电路的要求知道，触发电路应包括同步信号发生器、 、脉冲整形与功放电路。
二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分）1、具有自关断能力的电力半导体器件称为( )A 、全控型器件B 、半控型器件C 、不控型器件D 、触发型器件2、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的( )A 、转折电压B 、反向击穿电压C 、阈值电压D 、额定电压3、单相半控桥式整流电路带纯电阻性负载时，晶闸管承受正向电压的最大值为( )A 、2U 221 B 、2U 2 C 、2U 22 D 、2U 64、单相桥式半控整流电路中，电阻性负载，流过每个晶闸管的有效电流I T ＝( )A 、IB 、0.5IC 、(１/2)*ID 、(2)*I5、三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（ ）。
《电力电子技术》试卷3份答案
《电力电子技术》试卷1答案一、填空（每空1分，36分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波? 。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经?逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器?、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ- 四种。
二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×）1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。
（√）2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。
（×）3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
（×）4、逆变角太大会造成逆变失败。
（×）5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。
电力电子试卷及答案
考试试卷( 4 )卷一、填空题：（本题共5小题，每空1分，共20分）1、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为I Tn等于倍I T（AV），如果I T（AV）=100安培，则它允许的有效电流为安培。
通常在选择晶闸管时还要留出倍的裕量。
2、三相桥式全控整流电路是由一组共极三只晶闸管和一组共极的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。
每隔换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通度。
要使电路工作正常，必须任何时刻要有只晶闸管同时导通，一个是共极的，另一个是共极的元件，且要求不是的两个元件。
3、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为与两大类。
4、提高变流置的功率因数的常用方法有、、、几种。
5、三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围，三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围，三相半控桥电阻性负载时，电路的移相范围。
二、判断题：（本题共10小题，每题1分，共10分）1、双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。
（）2、逆变器采用负载换流方式实现换流时，负载谐振回路不一定要呈电容性。
（）3、无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网。
（）4、对三相桥式全控整流电路的晶闸管进行触发时，只有采用双窄脉冲触发，电路才能正常工作。
（）5、PWM脉宽调制型逆变电路中，采用不可控整流电源供电，也能正常工作。
（）6、在变流装置系统中，增加电源的相数也可以提高电网的功率因数。
（）7、过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。
（）8、电流可逆斩波电路可实现直流电动机的四象限运行。
（）9、为避免三次谐波注入电网，晶闸管整流电路中的整流变压器应采用Y/Y接法（）10、在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。
（）三、选择题：（本题共10小题，每题1分，共10分）1、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0º时，输出的负载电压平均值为（）。
电力电子技术试题及答案
德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题1.5分，共60分）1、晶闸管内部有（）个PN结。
A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。
A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO 7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术试卷及答案
一、填空题 （每空 分， 分）、实现有源逆变的条件为 和 。
、 在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组 状态、 状态、反组 状态、 状态。
、 在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经 而不流经的电流。
为了减小环流，一般采用α β状态。
、有源逆变指的是把 能量转变成 能量后送给 装置。
、给晶闸管阳极加上一定的 电压；在门极加上 电压，并形成足够的 电流，晶闸管才能导通。
、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时与 电路会出现失控现象。
、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为 ；而三相全控桥整流电路，输出；这说明 电路的纹波系数比 电路要到负载的平均电压波形脉动频率为小。
、造成逆变失败的原因有 、 、 、 等几种。
、 提高可控整流电路的功率因数的措施有 、 、 、 等四种。
、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于 电流之前，如去掉 脉冲，晶闸管又会关断。
三、选择题（ 分）、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差 度。
、 度； 、 度； 、 度； 、 度；、α 度时，三相半波可控整流电路，在电阻性负载时，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。
、 度； 、 度； 、 度； 、 度；、通常在晶闸管触发电路中，若改变 的大小时，输出脉冲相位产生移动，达到移相控制的目的。
、同步电压； 、控制电压； 、脉冲变压器变比；、可实现有源逆变的电路为 。
、单相全控桥可控整流电路 、三相半控桥可控整流电路、单相全控桥接续流二极管电路 、单相半控桥整流电路、由晶闸管构成的可逆调速系统中，逆变角β 选 时系统工作才可靠。
、 、 、 、四、问答题（每题 分， 分）、什么是逆变失败？形成的原因是什么？、为使晶闸管变流装置正常工作，触发电路必须满足什么要求？五、分析、计算题：（每题 分， 分）、 三相半波可控整流电路，整流变压器的联接组别是 — ，锯齿波同步触发电路中的信号综合管是 型三极管。
电力电子技术试题20套及答案
电⼒电⼦技术试题20套及答案考试试卷( 1 )卷⼀、填空题（本题共8⼩题，每空1分，共20分）1、电⼦技术包括______________和电⼒电⼦技术两⼤分⽀，通常所说的模拟电⼦技术和数字电⼦技术就属于前者。
2、为减少⾃⾝损耗，提⾼效率，电⼒电⼦器件⼀般都⼯作在_________状态。
当器件的⼯作频率较⾼时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之⽐称为_____________，当它为常数时的调制⽅式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若⼲频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之⽐为桓定的调制⽅式称为___分段同步_________调制。
4、⾯积等效原理指的是，___冲量______相等⽽__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最⼤的是__GTO_，应⽤最为⼴泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最⼤反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最⼤正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路⼯作过程中各时间段电流流经的通路(⽤V1,VD1,V2,VD2表⽰)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；⼆、选择题（本题共10⼩题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制⼯作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下⾯说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发⾓⼤于电路的功率因素⾓时，晶闸管的导通⾓⼩于180度B、晶闸管的触发⾓⼩于电路的功率因素⾓时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常⼯作C、晶闸管的触发⾓⼩于电路的功率因素⾓正常⼯作并达到稳态时，晶闸管的导通⾓为180度D、晶闸管的触发⾓等于电路的功率因素⾓时，晶闸管的导通⾓不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所⽰，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试卷及答案-第一章
电力电子技术试题（第一章）一、填空题1、普通晶闸管内部有—PN结,，外部有三个电极，分别是___________ 极极和极。
1、三个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上______ 电压的同时，门极上加上_______________________________________ 电压，晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、、晶闸管的工作状态有正向________ 状态，正向______________ 状态和反向_________ 状态。
3、阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50 —7 的,其中KP表示该器件的名称为______________________________________________________________________________ ，50表示_________ ，7表示__________ 。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压700V。
5、只有当阳极电流小于__________ 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角a,负载上得到的直流电压平均值会_______ 。
6、减小。
7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为__________________ 性负载，性负载和负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两端接一个8 减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角 __________ 、电流波形不连续、呈 ________ 状、电流的平均值 _______ 。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有 ____ 个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是极、极和极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
电力电子技术试卷及答案
电力电子技术复习一、选择题（每小题10分,共20分）1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差度。
A、180°，B、60°，c、360°，D、120°2、α为度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A，0度，B，60度，C，30度，D，120度，3、晶闸管触发电路中，若的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A、同步电压，B、控制电压，C、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为。
A、三相半波可控整流电路，B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相半控桥整流电路。
5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。
A、30º-35º，B、10º-15º，C、0º-10º，D、0º。
6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种。
A、三相半波可控整流电路。
B、三相半控整流桥电路。
C、单相全控桥接续流二极管电路。
D、单相半控桥整流电路。
7、在有源逆变电路中，逆变角的移相范围应选为最好。
A、=90º∽180º，B、=35º∽90º，C、=0º∽90º，8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于。
A、U相换相时刻电压u U，B、V相换相时刻电压u V，C、等于u U+u V的一半即：9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。
请选择。
10、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C=0，改变的大小，可使直流电动机负载电压U d=0，使触发角α=90º。
达到调定移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。
B、同步电压，B、控制电压，C、偏移调正电压。
11、下面哪种功能不属于变流的功能（）A、有源逆变B、交流调压C、变压器降压D、直流斩波12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( )A、交流相电压的过零点；B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处；C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°；D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。
电力电子技术试题及答案
德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题分，共60分） 1、晶闸管内部有（ ）个PN 结。
A 、1B 、2C 、3D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。
A 、越大B 、越小C 、不变D 、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。
A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。
A 、一个B 、两个C 、三个D 、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路符号的是（ ）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ）、GTR D 、A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ）A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ）A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ）A 、IPMB 、MOSFETC 、IGBTD 、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V 16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过才导通D、超过才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区 B、负阻区 C、饱和区 D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术试题及答案解析王兆安十三
试卷十三一、选择题：（本题共8小题，每小题2分，共16分）1、在型号KP10－12G中，数字10表示（）A．额定电压10V B．额定电流10A C．额定电压1000V D．额定电流100A2、在晶闸管整流电路中，变压器二次侧所供给的有功功率P＝（）A．I2d R d B．I2R d C．UI d D．U2I d3、在单相桥式半控整流电路中，电阻性负载，流过每个晶闸管的有效电流I T为（）A．I B．0.5I C．（1／根号2）*I D．（根号2）*I4、三相半波可控整流电路，电阻性负载，当控制角α为（）时，整流输出电压与电流波形断续。
（）A．00＜α≤300B．300＜α≤1500C．600＜α＜1800D．900＜α＜18005、三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。
（）A．300B．600C．900D．12006、三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（）A．0～180 B．0～150 C．0～120 D．0～907、快速熔断器熔体额定电流的选择是电流的（）A．平均值B．有效值C．最大值D．瞬时值8、为了防止逆变失败，最小逆变角限制为（）。
单位为度A．10～15 B．20～25 C．30～35 D．40～45二、判断题（正确打√，错误打×）：（本题共7小题，每小题2分，共14分）1、单相双半波可控整流电路。
（）2、接续流二极管的单相双半波可控整流电路。
（）3、单相全控桥式整流电路。
（）4、单相半控桥式整流电路。
（）5、三相半波可控整流电路。
（）6、带续流二极管的三相半波可控整流电路。
（）7、三相控桥式全控整流电路。
（）三、问答题：（本题共2小题，共10分）1、单相可控整流电路供电给电阻负载或蓄电池充电（反电势负载），在控制角α相同，负载电流平均值相等的条件下，哪一种负载晶闸管的额定电流值大一些？为什么？（6分）2、换流重叠角的产生给逆变电路带来哪些不利影响？（4分）四、计算题：（本题共2小题，每小题15分，共30分）1、下图为单相交流调压电路，如果负载为电阻性负载，u2=20.5U2sinωt，延迟角为ɑ，试求：①负载电压有效值U L。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
考试试卷( 5 )卷一、填空题（本题共17小题，每空1分，共20分）1、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有与。
2、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以。
3、晶闸管的导通条件是。
4、晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电压U BO在数值大小上应为U DSMU BO。
5、从晶闸管的伏安特性曲线可知，晶闸管具有的特性。
6、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为。
7、触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法，目前采用较多的是触发方法。
8、可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。
9、在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二极管。
10、三相桥式整流电路中，当控制角α＝300时，则在对应的线电压波形上触发脉冲距波形原点为。
11、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏抗的相比，则使输出电压平均值。
12、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回的逆变电路。
13、有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压Ud的极性必须保证与直流电源电势Ed的极性成相连，且满足|Ud|<|Ed|。
14、为了防止因逆变角β过小而造成逆变失败，一般βmin应取，以保证逆变时能正常换相。
15、载波比(又称频率比)K是PWM主要参数。
设正弦调制波的频率为fr，三角波的频率为fc，则载波比表达式为K= 。
16、抑制过电压的方法之一是用吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
|17、斩波器的时间比控制方式分为、、三种方式。
二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分）1、晶闸管的伏安特性是指( ) A 、阳极电压与门极电流的关系 B 、门极电压与门极电流的关系 C 、阳极电压与阳极电流的关系D 、门极电压与阳极电流的关系2、晶闸管电流的波形系数定义为( )A 、TdTf I I K =B 、dTTf I I K =C 、K f =I dT ·I TD 、K f =I dT -I T3、接有续流二极管的单相半控桥式变流电路可运行的工作象限是( )A 、第二象限B 、第三象限C 、第四象限D 、第一象限4、电阻性负载三相半波可控整流电路，相电压的有效值为U2，当控制角α≤30°时，整流输出电压平均值等于( )$A 、αB 、αC 、αD 、α5、在大电感负载三相全控桥中，整流电路工作状态的最大移相范围是（ ）A 、60°B 、180°C 、120°D 、90°6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关( )A 、α、U 2、负载电流I d 以及变压器漏抗X CB 、α和U 2C 、α以及负载电流ID 、α、U 2以及变压器漏抗X C 7、单相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，在逆变角β期间，处于换相进行关断的晶闸管承受的电压是( )A 、反向电压B 、正向电压C 、零电压D 、交变电压 8、三相全控桥式有源逆变电路，晶闸管电流的有效值I T 为( )A 、d I 31B 、d I 31 C 、d I 32 D 、I d￥9、若增大SPWM 逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是( )A 、增大三角波幅度B 、增大三角波频率C 、增大正弦调制波频率D 、增大正弦调制波幅度 10、晶闸管固定脉宽斩波电路，一般采用的换流方式是( )A、电网电压换流B、负载电压换流C、器件换流D、LC谐振换流三、简答题（本题共5小题，每小题5分，共25分）1、维持晶闸管导通的条件是什么怎样才能由导通变为关断（5分）2、]3、要实现有源逆变，必须满足什么条件哪些电路类型不能进行有源逆变（5分）4、什么是直流斩波电路分别写出降压和升压斩波电路直流输出电压U0与电源电压U d的关系式。
（5分）4、简述对触发电路的三点要求。
（5分）；5、对于正弦脉冲宽度调制（SPWM），什么是调制信号什么是载波信号何谓调制比（5分）四、作图题（本题共2小题，每小题10分，共20分）1、已知单相全控桥式整流电路，带电阻性负载。
试绘出当控制角α= 600时的输出电压波形u d，晶闸管T1的端电压波形U T1。
`波形u d，以及晶闸管T1的端电压波形（L=∞）。
*五、计算题（本题共1小题，共15分）三相全控桥式整流电路如图所示，L d=0..2H，R d=4Ω，要求U d从0～220V之间变化，试求：1)、不考虑控制角裕量时，整流变压器二次相电压U2；2)、如电压、电流裕量取2倍，选择晶闸管型号；3)、整流变压器二次侧容量S2；4)、电路的功率因数cosΦ；5)、当触发脉冲距对应二次相电压波形原点多少电度角时，U d已为0。
，六、分析题（本题共1小题，共10分）如图所示为电压型三相逆变器，试以U相桥臂VT1、VT4之间的换流过程来分析电路的工作原理，并说明此电路的特点。
'试卷参考答案及评分标准( 5 卷)一、填空题：（本题共17小题，每空1分，共20分）1、空1螺栓型；空2平板型。
2、空1 ～2。
3、空1阳极和门极同时承受正向电压。
：4、空1小于。
5、空1单向可控导电性。
6、空1控制角。
7、空1双窄脉冲。
8、空1三相半波。
9、空1大于300。
10、空1 900。
11、空1降低。
12、空1电网。
13、空1反极性。
14、空1300～350。
15、空1 fc/fr。
16、空1阻容电路。
17、空1脉冲宽度调制；空2频率调制；空3混合调制。
二、选择题：（本题共10小题，每小题1分，共10分）1、（C）2、（B）3、（D）4、（A）5、（D）6、（A）7、（A）8、（B）9、（C）10、（C）三、问答题：（本题共5小题，共25分）1、（5分）答：(1) 维持晶闸管导通的条件是阳极电流大于维持电流IH。
（2分）（(2) 要使晶闸管关断，必须去掉阳极正向电压，或者给阳极加反压，或者降低正向阳极电压，使通过晶闸管的电流小于维持电流IH。
（3分）2、（5分）答：1)有与通流方向一致的直流电源，电路工作在逆变状态。
（3分）2）不能实现有源逆变的电路有：半控桥电路，带续流二极管的电路。
（2分）3、（5分）答：直流斩波电路是将直流电源的恒定直流电压通过电力电子器件的开关作用变换为可调直流电压的装置。
（3分）降压斩波电路的表达式为：UUU ddT ατ==0 （1分）升压斩波电路的表达式为： （1分） 4、（5分）答：1）触发电路输出的脉冲应具有足够大的功率；（1分）》2）触发电路必须满足主电路的移相要求；（2分） 3）触发电路必须与主电路保持同步。
（2分） 5、（5分）答：在正弦脉冲宽度调制（SPWM ）中，把希望输出的波形称作调制信号；（2分） 而对它进行调制的三角波或锯齿波称为载波信号；（2分）载波频率fc 与调制信号频率fr 之比，N= fc / fr 称为载波比。
（1分）四、作图题：（本题共2小题，每小题10分，共20分）【Et TE t t t U offoff off on o =+=解：∵Ω=⨯⨯=-8.62102.03146L d ω＞＞4Ω∴负载为大电感，流过负载的电流可看为直线（1分） 1）当α=0时，输出电压平均值为220V由式αCOS U U d 234.2=知VCOS U U d9434.222034.22===α（2分）2）由题知，V U U TM Tn 46094622=⨯⨯=≥（1分） 故取额定电压500V （1分）∵AR U I ddd 55==（1分） ∴A I I d T 75.3131==（1分）AI I T av T 45.4057.12)(=≥（1分） 故取额定电流50A （1分）|因此，选取晶闸管的型号为KP50-5（1分）3）A I I d 9.4455816.0322=⨯==（1分）A KV I U S .66.129.449433222=⨯⨯==（1分）4）∵W UIP d1210055220=⨯==∴956.012660121002===ΦSPCOS d（1分）5）当触发脉冲距对应二次相电压波形原点1200电度角时，Ud已为0。
（2分）六、分析题：（本题共1小题，共10分）答：U相桥臂VT1、VT4之间的换流过程如下图示。
1）VT1稳定导通如图a，iT1=iA，C1短路，C4充电至电压Ud。
（1分）2）触发VT4换流开始，C4通过L4、VT4放电。
如图b（1分）3）Uc1由零逐渐升到Ud，如图c（1分）4）换流过程结束，如图d（1分）主要特点：1）每桥臂导电180°，同一相上下两臂交替导电，各相开始导电的角度差120 °（2分）2）任一瞬间有三个桥臂同时导通（2分）3）每次换流都是在同一相上下两臂之间进行，也称为纵向换流（2分）。