第四讲_薄膜的物理气相沉积-溅射沉积
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不能独立控制各个工艺参量：电压、电流 及溅射气压
气体压力较高（10Pa左右），溅射速率较 低（0.5m/hr）。这不利于减少杂质污染 及提高溅射效率
在二极溅射的基础上, 增加一个发射电子的热阴 极，即构成了三极溅射装置。它有助于克服上 述两个问题
三极、四极溅射装置的示意图
___
__
第四极wenku.baidu.com
溅射产额随离子入 射角度的变化
（参见溅射产额的欠余弦分布）
物质溅射产额与靶材温度的关系
溅射产额随的温度变化也有对应的阈值
原子溅射方向的欠余弦分布
不同于热蒸发时的余弦分布
溅射粒子能量分布随入射离子能量的变化
平均能量？
溅射粒子的能量
溅射过程中的能量传递使溅射出来的原子 将具有很大的动能，一般分布在5 20eV之 间，其平均能量约为10eV
靶电极获得的这一负电位,即是靶电极上产生的 自偏压
射频激励下系统的等效电路
系统可被描述为一个由电容、电阻、二极管组 成的体系；二极管描述了其单向导电的特性，电阻 描述其能量耗散特性
射频电极的电流电压特性与自偏压
电子-离子运动的速度 差异使电极的电流-电 压特性就象一只二极管
电流的波形 负偏压 电压的波形
表达式
XY+eXY+e （使气体分子的动能增加）
XY+eXY*+e XY+eX+Y+e XY+e XY++2e （使气体分子的内能增加）
高能量的电子与其他粒子间的相互碰撞是等离子体 从外界获得能量的方式
电子持有的高速度导致产生鞘层电位
电子与离子具有不同速度的一个直接后果是产 生等离子体鞘层以及鞘层电位：
“电容耦合”指两电极间形成了一等效电容，将能量耦合至体 系
射频、直流放电过程的差别
与直流时相比，射频放电过程有两个显著的变化：
高频电场已可经其他阻抗形式（电容C）耦合 到靶上，而不必要求靶材是导体。电极在前半 周期内积累的电荷将会在下半周期内得到释放
在射频频率下，惰性较大的离子已跟不上电场 的高速变化，而只能感受到平均的电位分布； 而惰性较小的电子，可以紧跟电场的周期变化 在两极间振荡运动，从电场中获得能量，使气 体分子电离和轰击电极产生二次电子
在两极之间存在电位差时，气体分子将因电离过程而分 解为电子和离子。离子轰击阴极将引发二次电子发射。阴极 发射出来的电子在获得能量以后将会与等离子体中的分子碰 撞，造成后者的激发和离化，形成新的电子与离子，使放电 过程得以持续进行。
气体放电的伏安特性曲线
=======
————
放电曲线分为： 汤生放电段（气体分子开始出现电离） 辉光放电段（产生大面积辉光等离子体） 弧光放电段（产生高密度弧光等离子体）
这是溅射过程区别于热蒸发过程的显著特 点之一。热蒸发时，原子的平均动能只有 0.1eV
合金的溅射产额
溅射法易于保证所制备的薄膜的化学成分与靶 材的成分相一致，这是它与蒸发法的另一区别 。其原因有二：
与不同元素在平衡蒸气压方面的巨大差异相比， 元素溅射产额间的差别较小，只有0.1-10
自偏压产生后，电极维持于一个负电位，以排斥电子 的涌入；电极在正半周内接受的电子与负半周内接受 的离子数相等，使平均电流为零
射频电极上自偏压的大小
两极及其间的等离 子体还可以被看成 是两个串联的电容 ，其中 “靶电极 电容” 因靶面积 小而较小，而 “ 地电极电容” 因 电极面积大而较大 。电容电压降V 与 电极面积A 成反比 ，即：
Ni的溅射产额与入射离子种类和能量之间的关系
最佳溅射能量区间
溅射能量有其 阈值
溅射产额随原子序数的变化趋势
(a) 400eV-Ar+对各种元素的溅射 (b) 45keV的不同离子对Ag的溅射
C的溅射
Ar+的溅射
元素的溅射产额呈现周期性的变化
惰性气体的溅射产额较高；从经济性方面考虑, 多使用 Ar 作为溅射气体
———
———
辉光放电等离子体的密度、电子速度与温度
典型辉光放电等离子体的粒子密度 1014/cm3， 即气体中，只有约 10-4 比例的电子和离子
电子质量小，其电场中的加速快，电子的平均动 能Ee 2eV，相当于电子温度Te =Ee/k 23000K
电子、离子质量差别大，导致离子及中性原子处 于低能态，如 300500K
效果
根据电极面积比、电 源连接方式 (经电容 C) 的不同，可以有
不同的偏压效果
射频电极上自偏压的大小
射频极
射频极
平均电位
平均电位
等离子体鞘层：任何处于等离子体中或其附近的 物体的外侧都将伴随有正电荷的积累
鞘层电位：相对于等离子体来讲，任何处于等离 子体中或其附近的物体都将自动地处于一个负电 位
鞘层电位可由电子能量分布为 麦克斯韦分布的假设求出：
V p
k Te e
ln(
m 2.3me
1
)2
等离子体鞘层及相应的电位分布
二极溅射装 置的示意图
———
阴极是要溅射的靶材, 阳极即是真空室 Ar 压力 10Pa 电压上千伏
二极溅射时，沉积速率与气压间的关系
放电电流
沉积的效率
低压时等离子体密度低，溅射速率低 高压时气体分子对溅射粒子的散射严重，溅射速率低
二极溅射法的缺点和三极溅射法
二极溅射有两个缺点：
溅射仅是离子轰击物体表面时发生的物理 现象之一，其相对的重要性取决于入射离 子的种类与能量。几十至几十千eV是物质 溅射所对应的离子能量范围
Si单晶上Ge沉积量与入射Ge+离子能量间的关系
————
物质溅射的微观过程
不同微观过程所导致的溅射效率是不一样的
a) Single knock-on b) Linear cascade c) High energy spike
鞘层
Vp的变化范围不大，约等于电子温度Te的4-6倍，10V
整个直流辉光放电系统中电位的分布
阴极鞘层
两极间的电压降几乎全部集中在阴极鞘层中：因为负电极力图吸 引的是正离子，但后者的质量大，被加速的能力弱，加速较难
物质的溅射效应
阴极鞘层电位的建立使到达阴极的Ar+离 子均要经过相应的加速而获得相应的能量 (102 eV 数量级)，即轰击阴极的离子具有 很高的能量，它使阴极物质发生溅射现象
第三极
其优点是: 可独立调节参数，降低气体压力，提高溅射效率
射频溅射方法
上述的直流溅射方法要求靶材具有好的导电性，否 则靶上电荷积累，会造成靶电流过小，靶电压过高
射频溅射是适用于导体、非导体靶材的溅射方法
？
射频溅射多使用13.56MHz 频率的射频电源
电容耦合式的射频溅射装置
电容C 将射频能量耦合至靶电极，而地电极则包括了衬底和真 空室，即放电系统具有非对称的电极配置： 靶电极面积 地电极面积
气体放电现象是发生物质溅射过程的基础
气体的直流放电模型
在阴阳两极间，由电动势为E的直流电源提供靶 电压V 和靶电流 I，并以电阻R 作为限流电阻
气体的直流放电模型
A. Bogaerts et al. / Spectrochimica Acta Part B 57 (2002) 609–658
溅射法与蒸发法一样, 也是一种重要的薄 膜 PVD 制备方法
溅射法制备薄膜的物理过程
利用带电荷的阳离子在电场中加速后具 有一定动能的特点，将离子引向欲被溅 射的物质制成的靶电极（阴极）
入射离子在与靶面原子的碰撞过程中， 通过动量的转移，将后者溅射出来
这些被溅射出来的原子将沿着一定的方 向射向衬底，从而实现物质的PVD沉积
一个问题: 化合物的溅射产额？
溅射法在应用于化合物溅射时，有两个重要的问 题：
许多化合物的导电性较差；如何实现其溅射过 程？
化合物在溅射过程中，其成分又是如何变化的 ？会不会发生化合物的分解？
关于这两点，我们在稍后一些介绍
薄膜溅射法的分类
直流溅射（即二极溅射） 三极、四极溅射 磁控溅射 射频溅射 偏压溅射 反应溅射 中频孪生靶溅射和脉冲溅射 离子束溅射
第四讲
薄膜材料的溅射沉积
Preparation of thin films by sputtering
提要
气体的放电现象与等离子体 物质的溅射效应和溅射产额 各种各样的溅射技术
物理气相沉积
物理气相沉积（PVD）是利用某种物理过 程 物质的热蒸发或在受到粒子轰击 时物质表面原子的溅射等，实现物质原子 从源物质到薄膜的物质的可控转移
物质的溅射产额
溅射产额是是衡量溅射过程效率的一个参数：
被溅射出来的物质总原子数 溅射产额 S = —————————————
入射离子数
靶材溅射过程释放出的各种粒子中，主要是单 个的原子，以及少量的原子团；离子所占的比 例只有1-10%
使物质发生溅射的能量存在一定的阈值E0；每 种物质的溅射阈值与被溅射物质的升华热成比 例。金属的溅射能量阈值多在1040eV之间
自偏压(电容电压降)
在射频激励下，正半周内高速电子将迅速涌入，使电极 电位迅速降低；负半周内慢速离子少量涌入将使电位少 量回升
最终，电极将获得一个负电位，以抑制电子的持续涌入
射频电极自偏压 的产生原因
耦合电容C 使电极与电源间不能有实际的电流 流过；电容C 的负端和靶电极被充上负电荷后，使 其不再倾向于接受电子，即它将使靶电极调整到相 应的负电位，使其后它每个周期内吸纳的电子、离 子的数量趋于相抵
射频溅射法可以被用于物质溅射的原因
射频电源的采用使放电过程摆脱了对靶材导电性的 限制
但：靶物质如何在交变电场的作用下被溅射的呢？
使射频方法可被用来产生物质溅射效应的根本 原因是它可在靶上产生自偏压效应，即在射频激励 之下，靶电极会自动地处于一个负电位，它导致离 子受到吸引，对靶电极造成轰击和溅射
电子、离子间巨大的质量（速度）差异是自偏 压得以产生的根本原因；通过电容C 的能量耦合方 式和电极面积差是获得适当幅度自偏压的必要条件
电容耦合射频方波时电极上自偏压的产生
大电容,小电流
激励电压
A. Bogaerts et al. / Spectrochimica Acta Part
B 57 (2002) 609–65射8 频极的 电位
电子是等离子体中主要的能量携带者
电子、离子具有极不相同的速度： 电子—— va=(8kTe/m)1/2 9.5105 m/s Ar+离子———— 约5102 m/s
等离子体中电子碰撞参与的主要微观过程
微观过程
电子与气体分子的弹性碰撞
电子与气体分子的非弹性碰撞 激发 分解 电离
薄膜溅射沉 积装置的示 意图
———
靶材是要溅射的材料，它作为阴极, 相对于真空室内其他部 分处于负电位。阳极可以是接地的，也可以是浮动的
气体的直流放电现象
以适当压力（10-110Pa）的惰性气体（一般均为 Ar）作为放电气体（与PVD的真空蒸发时不同）
在正负电极间外加电压的作用下，电极间的气体 原子将被雪崩式地电离，形成可以独立运动的 Ar+离子和电子。电子加速飞向阳极，而带正电 荷的Ar+离子则在电场的作用下加速飞向作为阴 极的靶材，并发生靶物质的溅射过程
各种气体发生辉光放电的帕邢曲线
d 10cm时，P 10Pa
只有当 Pd 取一定数值时，气体才最容易维持辉光放电
等离子体—— plasma
放电击穿后，气体即成为具有一定导 电能力的等离子体，它是一种由离子、电 子及中性原子、原子团组成，而宏观上对 外呈现电中性的物质存在形式。
相应于辉光和弧光放电，就有了辉光 放电等离子体和弧光放电等离子体。
溅射过程中靶物质处于固态，其扩散能力较弱； 溅射产额差别造成的靶材表面成分的偏离在随后 的溅射过程中会实现自动的补偿
如，对成分为80%Ni-20%Fe的合金靶来说， 1keV的Ar+离子溅射产额为：Ni：2.2，Fe：1.3 。但适当的预溅射后，其表面开始富Fe，即仍 能保证沉积出合适成分的合金薄膜
因此，面积较小的靶电极将拥有较高的自偏压
射频电极电压的变化曲线和自偏压
等离子体电位 地电位
O
直流时情况
离子电
流脉冲
自偏压 射频极的电位
Vc-Vp —— 射频极对等离子体的电位差 Vp-0——地电极对等离子体的电位差 即，溅射极产生的自偏压 Vb
射频电源的不 同连接方式与
气体压力较高（10Pa左右），溅射速率较 低（0.5m/hr）。这不利于减少杂质污染 及提高溅射效率
在二极溅射的基础上, 增加一个发射电子的热阴 极，即构成了三极溅射装置。它有助于克服上 述两个问题
三极、四极溅射装置的示意图
___
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第四极wenku.baidu.com
溅射产额随离子入 射角度的变化
（参见溅射产额的欠余弦分布）
物质溅射产额与靶材温度的关系
溅射产额随的温度变化也有对应的阈值
原子溅射方向的欠余弦分布
不同于热蒸发时的余弦分布
溅射粒子能量分布随入射离子能量的变化
平均能量？
溅射粒子的能量
溅射过程中的能量传递使溅射出来的原子 将具有很大的动能，一般分布在5 20eV之 间，其平均能量约为10eV
靶电极获得的这一负电位,即是靶电极上产生的 自偏压
射频激励下系统的等效电路
系统可被描述为一个由电容、电阻、二极管组 成的体系；二极管描述了其单向导电的特性，电阻 描述其能量耗散特性
射频电极的电流电压特性与自偏压
电子-离子运动的速度 差异使电极的电流-电 压特性就象一只二极管
电流的波形 负偏压 电压的波形
表达式
XY+eXY+e （使气体分子的动能增加）
XY+eXY*+e XY+eX+Y+e XY+e XY++2e （使气体分子的内能增加）
高能量的电子与其他粒子间的相互碰撞是等离子体 从外界获得能量的方式
电子持有的高速度导致产生鞘层电位
电子与离子具有不同速度的一个直接后果是产 生等离子体鞘层以及鞘层电位：
“电容耦合”指两电极间形成了一等效电容，将能量耦合至体 系
射频、直流放电过程的差别
与直流时相比，射频放电过程有两个显著的变化：
高频电场已可经其他阻抗形式（电容C）耦合 到靶上，而不必要求靶材是导体。电极在前半 周期内积累的电荷将会在下半周期内得到释放
在射频频率下，惰性较大的离子已跟不上电场 的高速变化，而只能感受到平均的电位分布； 而惰性较小的电子，可以紧跟电场的周期变化 在两极间振荡运动，从电场中获得能量，使气 体分子电离和轰击电极产生二次电子
在两极之间存在电位差时，气体分子将因电离过程而分 解为电子和离子。离子轰击阴极将引发二次电子发射。阴极 发射出来的电子在获得能量以后将会与等离子体中的分子碰 撞，造成后者的激发和离化，形成新的电子与离子，使放电 过程得以持续进行。
气体放电的伏安特性曲线
=======
————
放电曲线分为： 汤生放电段（气体分子开始出现电离） 辉光放电段（产生大面积辉光等离子体） 弧光放电段（产生高密度弧光等离子体）
这是溅射过程区别于热蒸发过程的显著特 点之一。热蒸发时，原子的平均动能只有 0.1eV
合金的溅射产额
溅射法易于保证所制备的薄膜的化学成分与靶 材的成分相一致，这是它与蒸发法的另一区别 。其原因有二：
与不同元素在平衡蒸气压方面的巨大差异相比， 元素溅射产额间的差别较小，只有0.1-10
自偏压产生后，电极维持于一个负电位，以排斥电子 的涌入；电极在正半周内接受的电子与负半周内接受 的离子数相等，使平均电流为零
射频电极上自偏压的大小
两极及其间的等离 子体还可以被看成 是两个串联的电容 ，其中 “靶电极 电容” 因靶面积 小而较小，而 “ 地电极电容” 因 电极面积大而较大 。电容电压降V 与 电极面积A 成反比 ，即：
Ni的溅射产额与入射离子种类和能量之间的关系
最佳溅射能量区间
溅射能量有其 阈值
溅射产额随原子序数的变化趋势
(a) 400eV-Ar+对各种元素的溅射 (b) 45keV的不同离子对Ag的溅射
C的溅射
Ar+的溅射
元素的溅射产额呈现周期性的变化
惰性气体的溅射产额较高；从经济性方面考虑, 多使用 Ar 作为溅射气体
———
———
辉光放电等离子体的密度、电子速度与温度
典型辉光放电等离子体的粒子密度 1014/cm3， 即气体中，只有约 10-4 比例的电子和离子
电子质量小，其电场中的加速快，电子的平均动 能Ee 2eV，相当于电子温度Te =Ee/k 23000K
电子、离子质量差别大，导致离子及中性原子处 于低能态，如 300500K
效果
根据电极面积比、电 源连接方式 (经电容 C) 的不同，可以有
不同的偏压效果
射频电极上自偏压的大小
射频极
射频极
平均电位
平均电位
等离子体鞘层：任何处于等离子体中或其附近的 物体的外侧都将伴随有正电荷的积累
鞘层电位：相对于等离子体来讲，任何处于等离 子体中或其附近的物体都将自动地处于一个负电 位
鞘层电位可由电子能量分布为 麦克斯韦分布的假设求出：
V p
k Te e
ln(
m 2.3me
1
)2
等离子体鞘层及相应的电位分布
二极溅射装 置的示意图
———
阴极是要溅射的靶材, 阳极即是真空室 Ar 压力 10Pa 电压上千伏
二极溅射时，沉积速率与气压间的关系
放电电流
沉积的效率
低压时等离子体密度低，溅射速率低 高压时气体分子对溅射粒子的散射严重，溅射速率低
二极溅射法的缺点和三极溅射法
二极溅射有两个缺点：
溅射仅是离子轰击物体表面时发生的物理 现象之一，其相对的重要性取决于入射离 子的种类与能量。几十至几十千eV是物质 溅射所对应的离子能量范围
Si单晶上Ge沉积量与入射Ge+离子能量间的关系
————
物质溅射的微观过程
不同微观过程所导致的溅射效率是不一样的
a) Single knock-on b) Linear cascade c) High energy spike
鞘层
Vp的变化范围不大，约等于电子温度Te的4-6倍，10V
整个直流辉光放电系统中电位的分布
阴极鞘层
两极间的电压降几乎全部集中在阴极鞘层中：因为负电极力图吸 引的是正离子，但后者的质量大，被加速的能力弱，加速较难
物质的溅射效应
阴极鞘层电位的建立使到达阴极的Ar+离 子均要经过相应的加速而获得相应的能量 (102 eV 数量级)，即轰击阴极的离子具有 很高的能量，它使阴极物质发生溅射现象
第三极
其优点是: 可独立调节参数，降低气体压力，提高溅射效率
射频溅射方法
上述的直流溅射方法要求靶材具有好的导电性，否 则靶上电荷积累，会造成靶电流过小，靶电压过高
射频溅射是适用于导体、非导体靶材的溅射方法
？
射频溅射多使用13.56MHz 频率的射频电源
电容耦合式的射频溅射装置
电容C 将射频能量耦合至靶电极，而地电极则包括了衬底和真 空室，即放电系统具有非对称的电极配置： 靶电极面积 地电极面积
气体放电现象是发生物质溅射过程的基础
气体的直流放电模型
在阴阳两极间，由电动势为E的直流电源提供靶 电压V 和靶电流 I，并以电阻R 作为限流电阻
气体的直流放电模型
A. Bogaerts et al. / Spectrochimica Acta Part B 57 (2002) 609–658
溅射法与蒸发法一样, 也是一种重要的薄 膜 PVD 制备方法
溅射法制备薄膜的物理过程
利用带电荷的阳离子在电场中加速后具 有一定动能的特点，将离子引向欲被溅 射的物质制成的靶电极（阴极）
入射离子在与靶面原子的碰撞过程中， 通过动量的转移，将后者溅射出来
这些被溅射出来的原子将沿着一定的方 向射向衬底，从而实现物质的PVD沉积
一个问题: 化合物的溅射产额？
溅射法在应用于化合物溅射时，有两个重要的问 题：
许多化合物的导电性较差；如何实现其溅射过 程？
化合物在溅射过程中，其成分又是如何变化的 ？会不会发生化合物的分解？
关于这两点，我们在稍后一些介绍
薄膜溅射法的分类
直流溅射（即二极溅射） 三极、四极溅射 磁控溅射 射频溅射 偏压溅射 反应溅射 中频孪生靶溅射和脉冲溅射 离子束溅射
第四讲
薄膜材料的溅射沉积
Preparation of thin films by sputtering
提要
气体的放电现象与等离子体 物质的溅射效应和溅射产额 各种各样的溅射技术
物理气相沉积
物理气相沉积（PVD）是利用某种物理过 程 物质的热蒸发或在受到粒子轰击 时物质表面原子的溅射等，实现物质原子 从源物质到薄膜的物质的可控转移
物质的溅射产额
溅射产额是是衡量溅射过程效率的一个参数：
被溅射出来的物质总原子数 溅射产额 S = —————————————
入射离子数
靶材溅射过程释放出的各种粒子中，主要是单 个的原子，以及少量的原子团；离子所占的比 例只有1-10%
使物质发生溅射的能量存在一定的阈值E0；每 种物质的溅射阈值与被溅射物质的升华热成比 例。金属的溅射能量阈值多在1040eV之间
自偏压(电容电压降)
在射频激励下，正半周内高速电子将迅速涌入，使电极 电位迅速降低；负半周内慢速离子少量涌入将使电位少 量回升
最终，电极将获得一个负电位，以抑制电子的持续涌入
射频电极自偏压 的产生原因
耦合电容C 使电极与电源间不能有实际的电流 流过；电容C 的负端和靶电极被充上负电荷后，使 其不再倾向于接受电子，即它将使靶电极调整到相 应的负电位，使其后它每个周期内吸纳的电子、离 子的数量趋于相抵
射频溅射法可以被用于物质溅射的原因
射频电源的采用使放电过程摆脱了对靶材导电性的 限制
但：靶物质如何在交变电场的作用下被溅射的呢？
使射频方法可被用来产生物质溅射效应的根本 原因是它可在靶上产生自偏压效应，即在射频激励 之下，靶电极会自动地处于一个负电位，它导致离 子受到吸引，对靶电极造成轰击和溅射
电子、离子间巨大的质量（速度）差异是自偏 压得以产生的根本原因；通过电容C 的能量耦合方 式和电极面积差是获得适当幅度自偏压的必要条件
电容耦合射频方波时电极上自偏压的产生
大电容,小电流
激励电压
A. Bogaerts et al. / Spectrochimica Acta Part
B 57 (2002) 609–65射8 频极的 电位
电子是等离子体中主要的能量携带者
电子、离子具有极不相同的速度： 电子—— va=(8kTe/m)1/2 9.5105 m/s Ar+离子———— 约5102 m/s
等离子体中电子碰撞参与的主要微观过程
微观过程
电子与气体分子的弹性碰撞
电子与气体分子的非弹性碰撞 激发 分解 电离
薄膜溅射沉 积装置的示 意图
———
靶材是要溅射的材料，它作为阴极, 相对于真空室内其他部 分处于负电位。阳极可以是接地的，也可以是浮动的
气体的直流放电现象
以适当压力（10-110Pa）的惰性气体（一般均为 Ar）作为放电气体（与PVD的真空蒸发时不同）
在正负电极间外加电压的作用下，电极间的气体 原子将被雪崩式地电离，形成可以独立运动的 Ar+离子和电子。电子加速飞向阳极，而带正电 荷的Ar+离子则在电场的作用下加速飞向作为阴 极的靶材，并发生靶物质的溅射过程
各种气体发生辉光放电的帕邢曲线
d 10cm时，P 10Pa
只有当 Pd 取一定数值时，气体才最容易维持辉光放电
等离子体—— plasma
放电击穿后，气体即成为具有一定导 电能力的等离子体，它是一种由离子、电 子及中性原子、原子团组成，而宏观上对 外呈现电中性的物质存在形式。
相应于辉光和弧光放电，就有了辉光 放电等离子体和弧光放电等离子体。
溅射过程中靶物质处于固态，其扩散能力较弱； 溅射产额差别造成的靶材表面成分的偏离在随后 的溅射过程中会实现自动的补偿
如，对成分为80%Ni-20%Fe的合金靶来说， 1keV的Ar+离子溅射产额为：Ni：2.2，Fe：1.3 。但适当的预溅射后，其表面开始富Fe，即仍 能保证沉积出合适成分的合金薄膜
因此，面积较小的靶电极将拥有较高的自偏压
射频电极电压的变化曲线和自偏压
等离子体电位 地电位
O
直流时情况
离子电
流脉冲
自偏压 射频极的电位
Vc-Vp —— 射频极对等离子体的电位差 Vp-0——地电极对等离子体的电位差 即，溅射极产生的自偏压 Vb
射频电源的不 同连接方式与