模拟电子技术作业补充题
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（1）哪些电路的输 入电阻比较大； （2）哪些电路的输 出电阻比较小；
（ 3） 哪 个 电 路 的 Aus = U o U s 最 大 。
（说明：以上三问不需要计算即可判断出来结果）
3
+
+
+
+
U- i
Auo 100
Uo
-
U- i
Auo 0.99
Uo
-
Ri=5kΩ
Ro=10kΩ
Ri=100kΩ
Ro=100Ω
8
管 Mp 参数为 UGS(th)=0V，Kp=0.4mA/V2。（1）求最大输出电压 Uom，并求此时的 iL 和 vi 的 值。（2）求最大输出功率和效率。
图 16
9
D. 1 RP2
（2） uO ______；
A. uBE1 uBE2
B. uBE1 uBE2
（3）电路的运算关系约为______。
C. uBE1 uBE2
D. uBE1 uBE2
A.
uO
U T
ln
R2uI Is R1VR
B.
uO
U T
ln
R2uI R1VR
C.
uO
U T
ln
Is R2uI R1VR
1
图3 （2）图 4 电路中，耗尽型 PMOS 管参数为 UGS(off)=1.5V，Kp=0.5mA/V2。设计电路使得 静态时 USD=2.5V，要求偏置电阻 R1、R2 中的电流不能超过漏极电流的 10%。
图4 （3）图 5 电路中，已知恒流源 IQ=2mA，UGS(off)=2.5V，IDSS=6mA。（1）确定使 P 沟 道 JFET 工作在恒流区的 VDD 的范围。（2）求 VS。
图7
补充题 6：图 8 所示 BiCMOS 电路中，电路参数 V +=10V，VGG = 4.5V，RD1= RE2=10kΩ，RL=1.8 kΩ。已知增强型 NMOS 管 M1 参数为 UGS(th)=1V，Kn=0.4mA/V2；晶体管 Q2 参数为 β=100， UBE=0.7V。（1）求静态时 NMOS 管参数 UDSQ、IDQ，晶体管参数 ICQ、UECQ。（2）求电压
期。 （3）若增大 R1 的阻值，将如何影响 uO 的幅 值和周期。 （4）若增大 R 的阻值，将如何影响 uO 的幅 值和周期。 （ 5） 若 增 大 UZ， 将 如 何 影 响 uO 的 幅 值 和 周 期 。 （ 6） 若 UREF=3V， 将 如 何 影 响 uO 的 幅 值 和 周 期 。
R
R3
C
A
uO
R1
R2
UREF
图 13
DZ ±UZ=±6v
补充题 12：
图 14 所示 电 路 中 ， 已 知 Rw 的 滑 动 端 位 于 中 点 。 选 择 填 空 ：
A. 增 大
B. 不变
C. 减小
当 R1 增大时，uO1 的占空比将 ，振荡频率将 ，uO2 的幅值将 ；当 R2 增大时， uO1 的占空比将 ，振荡频率将 ，uO2 的幅值将 ；当 Uz 增大时，uO1 的占空比将 ， 振荡频率将 ，uO2 的幅值将 ；若 RW 的滑动端向上移动，则 uO1 的占空比将 ，振
7
荡频率将 ，uO2 的幅值将 。
C
D1
A1
R3 u O1
Rw
D2
A2
u O2
R1
DZ
R4
±UZ=±6v
R2 图 14
补充题 13：石英晶体正弦波振荡电路如图 15 所示，Cb、Ce 为旁路电容，Cc、C1 为耦合电容， RFC 为高频扼流圈。选择填空： （1）图（ａ）所示电路若能产生正弦波振荡，则振荡时石英晶体呈现________性；图（ｂ）
方框 内 为 共集放大电 路 Ⅱ ， 其 开 路 （ 不 带 负 载 ） 电 压 放 大 倍 数 Auo 及 输 入 电 阻
Ri、输出电阻 Ro 如图中所示。由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图（ c）、 （ d） 、 （ e） 所 示 ， 它 们 均 正 常 工 作 。 试 说 明 通 常 情 况 下 图 （ c） 、 （ d） 、 （ e） 所 示 电 路 中
D.
uO
U T
ln
R1uI R2VR
E.
uO
U T
ln
R2VR R1uI
F.
uO
U T
ln
R1VR R2uI
（4）若需减小U T 对运算关系的影响，则可选______为负温度系数的热敏电阻，或者
选______为正温度系数的热敏电阻。
A. R1
B. RP1
C. R2
D. RP2
E. R3
6
iC1
VT1
所示电路若能产生正弦波振荡，则振荡时石英晶体呈现________性。
A. 电阻
B. 电容
C. 电感
（2）图（ａ）所示电路________产生正弦波振荡；图（ｂ）所示电路________产生正弦波
振Байду номын сангаас；
A.不能
B.可能
（3）图（ａ）所示电路若能产生正弦波振荡，则为________型石英晶体振荡电路；图（ｂ）
补充题 1：图 1 所示电路中，二极管导通电压 UD=0.6V。根据以下条件分别求解 VO、I、ID1、 ID2、ID3。（1）V1=V2=0；（2）V1=5V，V2=2V。
图1 补充题 2：
电路如图 2 所示，已知晶体管的 UBE=0.7V，β=300，rbb’=200Ω。VCC=12V。 （1）当开关 K 位于 1 位置时，求解静态工作点 IBQ、ICQ 和 UCEQ；
所示电路若能产生正弦波振荡，则为________型石英晶体振荡电路；
A. 串联
B. 并联
R1
Rc1
R3
VT 1 Cc
R2 Re1
Ce R4
C1
+VCC
Rc2
R1
VT 2 Re2
R2
Cb
RFC Cc
VT
Re
+VCC
L C
晶 体
晶体 (a)
(b)
图 15
补充题 14：图 16 所示由互补 MOSFET 组成的乙类输出级电路中，电路参数 V +=10V，V - = - 10V，RL=5kΩ。已知增强型 NMOS 管 Mn 参数为 UGS(th)=0V，Kn=0.4mA/V2，增强型 PMOS
（2）分别求解开关 K 位于 1、2、3 位置时的电压放大倍数 Au ，比较这三个电压放大
倍数，并说明发射极电阻是如何影响电压放大倍数的。
图2 补充题 3：
（1）图 3 所示电路中增强型 PMOS 管参数为 UGS(th)= -1.5V，k’p=25µA/V2，L=4µm。求 使 ID=1mA 同时 USD=2.5V 的沟道宽度 W 和电阻 R。
5
图 11
补充题
10：图
12
示运算电路中，三极管
VT1、VT2 特性对称，iC
I euBE /UT S
，U T
26mV
，
集成运算放大器 A1、A2 具有理想特性， uI 0 。试选择正确答案填空：
（1） iC1 uI 约为______； iC2 VR 约为______；
A. 1 R1
B. 1 RP1 C. 1 R2
4
图9 补充题 8：图 10 所示电流源电路中，JFET 参数为 UGS(off)= - 4V，IDSS=4mA。（1）为使电流 IO=2mA，求 R 的阻值。（2）求使 JFET 工作在恒流区的 VD 的范围。
图 10 补充题 9：图 11 所示电流源电路中，电路参数 V +=2.5V，R=15kΩ。已知增强型 NMOS 管 M1、M2 参数均为 UGS(th)=0.5V，k’n=0.08mA/V2，W/L=6。求电流 IREF、IO。
图5 2
补充题 4：图 6 电路中，增强型 NMOS 管参数为 UGS(th)=0.8V，Kn=0.85mA/V2，耦合电容和 旁路电容对交流信号可视为短路。（1）为使 IDQ=0.1mA 且最大不失真输出电压峰值为 1V，
试求 RS、RD 的值。（2）求电压放大倍数 Au 。
图6
补充题 5： 基 本 放 大 电 路 如 图 7（a）（b）所示，图（a）方框内为共射放大电路Ⅰ，图（ b）
R1 uI
RP1
R2 VR
RP2
A1
iC2 VT2
A2
uO R3
图 12
补充题 11： 图 13 所示 电 路 中 ，已 知 R1=10kΩ ，R 2=20 kΩ ，R=10kΩ ，C=0.01μ F，稳 压 管
的 稳 压 值 为 6V， UREF=0。 （1）分别求输出电压 uO 和 电容两端电压 uC 的最大值和最小值。 （ 2）计 算 输 出 电 压 u O 的 周 期 ，对 应 画 出 u O 和 uC 的 波 形 ，标 明 幅 值 和 周
放大倍数 Au 、输出电阻 Ro。
图8
补充题 7：图 9 所示差分放大电路中，漏极电阻失配。已知增强型 NMOS 管参数为 UGS(th)=1V， Kn=0.15mA/V2。电路参数 V +=10V，V- = -10V，RS=75kΩ，RD=50 kΩ。设静态时 v1=v2=0，∆ R=500Ω。（1）求静态时 NMOS 管的 UGSQ、IDQ。（2）求 Ad、Ac、KCMR。
（ 3） 哪 个 电 路 的 Aus = U o U s 最 大 。
（说明：以上三问不需要计算即可判断出来结果）
3
+
+
+
+
U- i
Auo 100
Uo
-
U- i
Auo 0.99
Uo
-
Ri=5kΩ
Ro=10kΩ
Ri=100kΩ
Ro=100Ω
8
管 Mp 参数为 UGS(th)=0V，Kp=0.4mA/V2。（1）求最大输出电压 Uom，并求此时的 iL 和 vi 的 值。（2）求最大输出功率和效率。
图 16
9
D. 1 RP2
（2） uO ______；
A. uBE1 uBE2
B. uBE1 uBE2
（3）电路的运算关系约为______。
C. uBE1 uBE2
D. uBE1 uBE2
A.
uO
U T
ln
R2uI Is R1VR
B.
uO
U T
ln
R2uI R1VR
C.
uO
U T
ln
Is R2uI R1VR
1
图3 （2）图 4 电路中，耗尽型 PMOS 管参数为 UGS(off)=1.5V，Kp=0.5mA/V2。设计电路使得 静态时 USD=2.5V，要求偏置电阻 R1、R2 中的电流不能超过漏极电流的 10%。
图4 （3）图 5 电路中，已知恒流源 IQ=2mA，UGS(off)=2.5V，IDSS=6mA。（1）确定使 P 沟 道 JFET 工作在恒流区的 VDD 的范围。（2）求 VS。
图7
补充题 6：图 8 所示 BiCMOS 电路中，电路参数 V +=10V，VGG = 4.5V，RD1= RE2=10kΩ，RL=1.8 kΩ。已知增强型 NMOS 管 M1 参数为 UGS(th)=1V，Kn=0.4mA/V2；晶体管 Q2 参数为 β=100， UBE=0.7V。（1）求静态时 NMOS 管参数 UDSQ、IDQ，晶体管参数 ICQ、UECQ。（2）求电压
期。 （3）若增大 R1 的阻值，将如何影响 uO 的幅 值和周期。 （4）若增大 R 的阻值，将如何影响 uO 的幅 值和周期。 （ 5） 若 增 大 UZ， 将 如 何 影 响 uO 的 幅 值 和 周 期 。 （ 6） 若 UREF=3V， 将 如 何 影 响 uO 的 幅 值 和 周 期 。
R
R3
C
A
uO
R1
R2
UREF
图 13
DZ ±UZ=±6v
补充题 12：
图 14 所示 电 路 中 ， 已 知 Rw 的 滑 动 端 位 于 中 点 。 选 择 填 空 ：
A. 增 大
B. 不变
C. 减小
当 R1 增大时，uO1 的占空比将 ，振荡频率将 ，uO2 的幅值将 ；当 R2 增大时， uO1 的占空比将 ，振荡频率将 ，uO2 的幅值将 ；当 Uz 增大时，uO1 的占空比将 ， 振荡频率将 ，uO2 的幅值将 ；若 RW 的滑动端向上移动，则 uO1 的占空比将 ，振
7
荡频率将 ，uO2 的幅值将 。
C
D1
A1
R3 u O1
Rw
D2
A2
u O2
R1
DZ
R4
±UZ=±6v
R2 图 14
补充题 13：石英晶体正弦波振荡电路如图 15 所示，Cb、Ce 为旁路电容，Cc、C1 为耦合电容， RFC 为高频扼流圈。选择填空： （1）图（ａ）所示电路若能产生正弦波振荡，则振荡时石英晶体呈现________性；图（ｂ）
方框 内 为 共集放大电 路 Ⅱ ， 其 开 路 （ 不 带 负 载 ） 电 压 放 大 倍 数 Auo 及 输 入 电 阻
Ri、输出电阻 Ro 如图中所示。由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图（ c）、 （ d） 、 （ e） 所 示 ， 它 们 均 正 常 工 作 。 试 说 明 通 常 情 况 下 图 （ c） 、 （ d） 、 （ e） 所 示 电 路 中
D.
uO
U T
ln
R1uI R2VR
E.
uO
U T
ln
R2VR R1uI
F.
uO
U T
ln
R1VR R2uI
（4）若需减小U T 对运算关系的影响，则可选______为负温度系数的热敏电阻，或者
选______为正温度系数的热敏电阻。
A. R1
B. RP1
C. R2
D. RP2
E. R3
6
iC1
VT1
所示电路若能产生正弦波振荡，则振荡时石英晶体呈现________性。
A. 电阻
B. 电容
C. 电感
（2）图（ａ）所示电路________产生正弦波振荡；图（ｂ）所示电路________产生正弦波
振Байду номын сангаас；
A.不能
B.可能
（3）图（ａ）所示电路若能产生正弦波振荡，则为________型石英晶体振荡电路；图（ｂ）
补充题 1：图 1 所示电路中，二极管导通电压 UD=0.6V。根据以下条件分别求解 VO、I、ID1、 ID2、ID3。（1）V1=V2=0；（2）V1=5V，V2=2V。
图1 补充题 2：
电路如图 2 所示，已知晶体管的 UBE=0.7V，β=300，rbb’=200Ω。VCC=12V。 （1）当开关 K 位于 1 位置时，求解静态工作点 IBQ、ICQ 和 UCEQ；
所示电路若能产生正弦波振荡，则为________型石英晶体振荡电路；
A. 串联
B. 并联
R1
Rc1
R3
VT 1 Cc
R2 Re1
Ce R4
C1
+VCC
Rc2
R1
VT 2 Re2
R2
Cb
RFC Cc
VT
Re
+VCC
L C
晶 体
晶体 (a)
(b)
图 15
补充题 14：图 16 所示由互补 MOSFET 组成的乙类输出级电路中，电路参数 V +=10V，V - = - 10V，RL=5kΩ。已知增强型 NMOS 管 Mn 参数为 UGS(th)=0V，Kn=0.4mA/V2，增强型 PMOS
（2）分别求解开关 K 位于 1、2、3 位置时的电压放大倍数 Au ，比较这三个电压放大
倍数，并说明发射极电阻是如何影响电压放大倍数的。
图2 补充题 3：
（1）图 3 所示电路中增强型 PMOS 管参数为 UGS(th)= -1.5V，k’p=25µA/V2，L=4µm。求 使 ID=1mA 同时 USD=2.5V 的沟道宽度 W 和电阻 R。
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图 11
补充题
10：图
12
示运算电路中，三极管
VT1、VT2 特性对称，iC
I euBE /UT S
，U T
26mV
，
集成运算放大器 A1、A2 具有理想特性， uI 0 。试选择正确答案填空：
（1） iC1 uI 约为______； iC2 VR 约为______；
A. 1 R1
B. 1 RP1 C. 1 R2
4
图9 补充题 8：图 10 所示电流源电路中，JFET 参数为 UGS(off)= - 4V，IDSS=4mA。（1）为使电流 IO=2mA，求 R 的阻值。（2）求使 JFET 工作在恒流区的 VD 的范围。
图 10 补充题 9：图 11 所示电流源电路中，电路参数 V +=2.5V，R=15kΩ。已知增强型 NMOS 管 M1、M2 参数均为 UGS(th)=0.5V，k’n=0.08mA/V2，W/L=6。求电流 IREF、IO。
图5 2
补充题 4：图 6 电路中，增强型 NMOS 管参数为 UGS(th)=0.8V，Kn=0.85mA/V2，耦合电容和 旁路电容对交流信号可视为短路。（1）为使 IDQ=0.1mA 且最大不失真输出电压峰值为 1V，
试求 RS、RD 的值。（2）求电压放大倍数 Au 。
图6
补充题 5： 基 本 放 大 电 路 如 图 7（a）（b）所示，图（a）方框内为共射放大电路Ⅰ，图（ b）
R1 uI
RP1
R2 VR
RP2
A1
iC2 VT2
A2
uO R3
图 12
补充题 11： 图 13 所示 电 路 中 ，已 知 R1=10kΩ ，R 2=20 kΩ ，R=10kΩ ，C=0.01μ F，稳 压 管
的 稳 压 值 为 6V， UREF=0。 （1）分别求输出电压 uO 和 电容两端电压 uC 的最大值和最小值。 （ 2）计 算 输 出 电 压 u O 的 周 期 ，对 应 画 出 u O 和 uC 的 波 形 ，标 明 幅 值 和 周
放大倍数 Au 、输出电阻 Ro。
图8
补充题 7：图 9 所示差分放大电路中，漏极电阻失配。已知增强型 NMOS 管参数为 UGS(th)=1V， Kn=0.15mA/V2。电路参数 V +=10V，V- = -10V，RS=75kΩ，RD=50 kΩ。设静态时 v1=v2=0，∆ R=500Ω。（1）求静态时 NMOS 管的 UGSQ、IDQ。（2）求 Ad、Ac、KCMR。