刘恩科习题解答

同是刘恩科的，

经验：

第一章：重点记住几个概念，例如，有效质量、空穴、能带理论。。。回旋共振理解原理，其他了解

第二章：概念记忆

第三章：“相当重点”3.1 3.2 3.4 多遍阅读，一定要理解。

第四章：以迁移率为主线，热载流子概念很重要，很有可能出考题。载流子散射格波声子概念理解。

第五章：“又一重点”非平衡少数载流子概念，准费米能级公式，符合理论理解“ 本章重点”连续性方程大题经常出这方面的

第六章：没讲专门开了一门课…晶体管原理‟

第七章：能级图的理解，整流理论掌握结论其他概念记忆

第八章：MIS结构现代MOS晶体管的重要基础，自己掂量分量，表面电场效应公式推倒记忆能运用公式计算对图形的理解，电容曲线理解

第九章：了解概念

第十章：光电子方面基础有专门的课介绍，其中光生伏特效应应掌握

以后章节没讲。。。。

此课是电子理论基础对深层次的设计人员很重要，尤其物理级的。

全定制设计理论基础

后续课程数字CMOS 模拟CMOS 设计课理论基础。

平时多看书多理解。

微电子学院《06年半导体物理考试大纲》

第一章、半导体中的电子状态

λ了解半导体的三种常见晶体结构即金刚石型、闪锌矿和纤锌矿型结构；以及两种化合键形式即共价键和离子键在不同结构中的特点。

了解电子的共有化运动；λ

λ理解能带不同形式导带、价带、禁带的形成；导体、半导体、绝缘体的能带与导电性能的差异；

掌握本征激发的概念。λ

λ理解半导体中电子的平均速度和加速度；掌握半导体有效质量的概念、意义和计算。λ

理解本征半导体的导电机构；λ

λ掌握半导体空穴的概念及其特点。

理解典型半导体材料锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。λ

重要术语：

1. 允带

2. 电子的有效质量

3. 禁带

4. 本征半导体

5. 本征激发

6. 空穴

7. 空穴的有效质量

知识点：

学完本章后，学生应具备以下能力：1. 对单晶中的允带和禁带的概念进行定性的讨论。

2. 讨论硅中能带的分裂。

3. 根据K-k关系曲线论述有效质量的定义，并讨论它对于晶体中粒子运动的意义。

4. 本征半导体与本征激发的概念。

5. 讨论空穴的概念。

6. 定性地讨论金属、绝缘体和半导体在能带方面的差异。

第二章、半导体中的杂质和缺陷能级

λ掌握锗、硅晶体中的浅能级形成原因，多子和少子的概念；

了解浅能级杂质电离能的计算；λ

了解杂质补偿作用及其产生的原因；。λ

λ了解锗、硅晶体中深能级杂质的特点和作用；

理解III-V族化合物中的杂质能级的形成及特点；λ

λ了解等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质的概念；

了解缺陷（主要是两类点缺陷弗仑克耳缺陷和肖脱基缺陷）、位错（一种线缺陷）施主或受主能级的形成。λ

重要术语

1. 受主原子

2. 载流子电荷

3. 补偿半导体

4. 完全电离

5. 施主原子

6. 非本征半导体

7. 束缚态

知识点：

学完本章后，学生应具备如下能力：

1. 描述半导体内掺人施主与受主杂质后的影响。

2. 理解完全电离的概念。

第三章热平衡时半导体中载流子的统计分布

掌握状态密度，费米能级的概念；λ

λ掌握载流子的费米统计分布和波尔兹曼统计分布；

掌握本征半导体的载流子浓度和费米能级公式推导和计算；λ

λ掌握非简并半导体载流子浓度和费米能级公式推导和计算、杂质半导体的载流子浓度以及费米能级随掺杂浓度以及温度变化的规律；

λ了解简并半导体及其简并化条件。

重要术语

1. 完全电离

2. 简并半导体

3. 有效状态密度

4. 费米概率分布函数

5. 玻尔兹曼近似

6. 本征载流子浓度ni

7. 本征费米能级EFi

8. 非简并半导体

知识点：

学完本章后，学生应具备如下能力：

1. 讨论有效状态密度函数。

2. 理解费米．狄拉克分布函数和费米能级的意义。

3. 推导出热平衡电子浓度与空穴浓度关于费米能级的表达式。

4. 推导出本征载流子浓度的表达式。

5. 说出 T＝300 K下Si的本征载流于浓度值。

6. 推导出本征费米能级的表达式。

7. 掌握公式ni2＝n。p。的推导过程。

8. 描述简并与非简并半导体的概念。

9. 讨论电中性的概念。

10. 推导出n。与p。关于掺杂浓度的表达式。

11. 描述费米能级随温度与掺杂浓度的变化情况。

第四章半导体的导电性

λ了解载流子的热运动特点；

掌握迁移率、电导率、杂质散射、晶格散射等概念；λ

重点掌握载流子的漂移运动；λ

λ理解载流子的散射理论；

迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系等。λ

理解强电场效应、多能谷散射。λ

λ理解霍耳效应、磁阻效应

重要术语：

1. 电导率

2. 漂移

3. 漂移电流

4. 漂移速度

5. 电离杂质散射

6. 晶格散射

7. 迁移率

8. 电阻率

9. 霍耳效应

10. 磁阻效应

知识点：

学完本章后，学生应具备如下能力：

1. 论述载流子漂移电流密度。

2. 解释为什么在外加电场作用下载流子达到平均漂移速度。

3. 论述晶格散射和杂质散射机制。

4. 定义迁移率，并论述迁移率对温度和电离杂质浓度的依赖关系。

5. 论述电阻率对温度和电离杂质浓度的依赖关系