大族固晶机操作手册3201

对点设置：移动PCB的对点到屏幕中心(F1主光源－，F2主光源＋，F3侧光源－，F4侧光源＋)亮度调节满意后→Enter →调节蓝框方框大小(F1X方向－，F2X方向＋，F3Y方向－，F4Y方向＋)→调节满意后→Enter。

需要注意的是：两个对点最好选择最边的位置和特殊的形状（如直角），且两个点在对角。

有一个建议：如是生产SMD3528和大功率产品等材料，对点可以选择两个对角的两个邦定点，并直接把整个邦定位置的圆（即杯）为对点，蓝框大小即是圆的大小。

矩阵式邦定位置的编辑：（F2、点阵产品和背光板、大功率产品、常规SMD产品用）将第一片板的对点2最边的一个邦定点移动到屏幕十字线中心→按F1设为A点→移到A点Y方向最边的一个邦定点→按F2设为B点→移到A点的X方向最边的一个邦定点→按F3设为C点(按以上要求设置后，邦定方式是从A→C→B的行走路线，同时邦定点就是屏幕十字线中心)→F4(输入A→B的邦定点数)→F7→F5(输入A→C的邦定点数)→F7随意式邦定位置的编辑：（F1、数码管等用）将第一片板的第二个对点附近的邦定点移动到屏幕十字线中心→F3保存→移到第二个邦定点→F3保存→依次输入各个邦定点，每次按“F3”保存该点的邦定位置随意组群的编辑：（F1）将第二个群组的第一个对点移到屏幕中心→F3→如果同一个方向还有群组，可以将第三个群组的第一个对点移到屏幕中心（用快捷键F5快速移动到对点附近），按F3确认。

依次方法完成所有的群组→Enter→显示一个菜单“WFA存储”→按Enter保存程式。

矩阵组群的编辑：（F2）将第一个群组的第一个对点移动到屏幕十字线中心→F1设为A点→移到A点Y方向最边的一个群组的第一个对点→F2设为B点→移到A点X方向最边的一个群组的第一个对点→F3设为C点→F4输入A→B的群组数→F7→F5输入A→C的群组数→F7→Enter多晶片的编辑：在第三步选择相应的晶圆环数，编完第一种颜色后，自动显示让你编下一种颜色，但只编第一个材料。

你按提示就可以完成，方法和第一种颜色是一样的。

我们编程设置了用几个晶圆环后,要在F6(机器参数)进入后按F4(高级参数),按F2(下一项)选择“晶圆模式”,按需要设置1-4：1为只用A环,2要用AB环,3要用ABC环,4要用ABCD环，0为自动按照编程自动设置。

SMD/点阵程式输入：（平面材料F1）特殊产品/数码管程式输入：（平面材料F1）主菜单→F5程式输入→F1新建程式→材料选择→晶圆环选择→产品名字输入→Enter→Enter→对点1设置→Enter→对点2设置菜单→Enter →检测对点位置菜单→Enter→邦定方式选择→邦定位置编辑→Enter→会显示一个修正菜单，按F1可以移到第一个邦定点，按F2可以移到下一个邦定点。

如果位置不对，就可以移到正确位置，按F3就修改为当前位置了。

没有问题就按“Enter↙”保存程式。

→群组编辑菜单这时会显示一个菜单“WFA存储→Ente保存→F5双夹具→将第二个夹具的第一片材料的第一个对点移动到屏幕十字线中心→F1设置对点1→Enter退出并保存程式→按F12退回主菜单? 支架程式输入：（支架材料F2）主菜单→F5程式输入→F1新建程式→材料选择→晶圆环选择→产品名称输入→Enter→Enter→邦定碗设定→将支架的第一个邦定点移动到屏幕中心→光源调节→Enter→蓝框调节→Enter→注意：如果客户支架质量不好，可以试着把亮度调大一点，使屏幕就显示一个白色的圆。

有时可以达到邦定后都看不见晶片，这种情况也是可以的。

移动第一片支架的左上角最边一个邦定点到屏幕十字线中心→按F1设为A点→移到该点的Y方向最边一个邦定点→按F2设为B点→移到A点的X方向最边一个邦定点→按F3设为C点[这里用的是点阵方法编辑，支架产品没有群组。

一个夹具就一个群组]→F4输入A→B的邦定数→F7→F5输入A→C的邦定数→F7→Enter→F1称到第一个邦定点→F2移到下一个邦定点[如果位置不对:移到正确位置→F3]→Enter保存程式[这里一般直接跳过，因为邦定时，它会自动对每一个对点，所以不用太在意每一个的具体位置]→F5双夹具→将第二个夹具的第一片材料的第一个邦定点移动到屏幕十字线中心→F1设置对点1→Enter退出并保存程式→F12退回到主菜单这个是为以前生产过的程式，可以调出来不用重新编辑。

但调出来后需要重温一下程式，一般用F2（程式重温）。

如果：1.需要修改亮度或者方框大小的话，用F2重温后再用F6修改一下；2.晶片不一样时或者效果不好时，也要重新设置晶片样本。

还有需要注意各个高度参数要重新设置。

主菜单→F5（程式输入）→F4(程式选择)→移至需要的程式→F5(保存) →Enter退出就保存为所选的程式2.进入后当前程式前为红色圆点，目前选择的程式是绿色圆点。

我们刚刚进入时两个重合的。

按F3（上一程式）和F4（下一程式）上下移动选择程式，绿色圆点所在程式就是目前选择的程式。

5.程式调出来后，要求先做工作台、晶圆台的校正，再重温程式和晶片样本，最后再修改相关高度（固晶高度，抓晶高度，固浆高度和抓浆高度），完成后才固晶。

程式的修改和重温：1.主菜单→F5（程式输入）进入后。

有两个，是F2（重温程式）和F6（修改程式）这个和程式编辑是一样的，只是不需要我们去找点，它会自动移过去的。

F2是不会修改灯光亮度，样本方框大小和样本图像，它会根据对点改变而按照原来设置的固晶位置比例移动固晶点位置；F6就可以修改灯光亮度，样本方框大小和样本图像以及样本位置，但不会根据对点的改变自动移动固晶点的位置。

所以我们一般先用F2重温，再用F6去修改我们需要修改的地方。

3.如果不用修改对点的样本和各亮度参数的话，就用F2（重温程式）就可以了,所以我们下面就只说F2（重温程式）。

F6的步骤和程式编辑是一模一样的，区别在于编辑的时候需要手动移动，F6会自己移到以前设置的地方。

①主菜单→F5（程式输入）→F2（重温程式）→夹具自动走到对点1的位置。

②这时屏幕显示“重温对点1”，移动对点1的位置按“Enter↙”确认。

③这时屏幕显示“重温对点2”，移动对点2的位置按“Enter↙”确认。

④这时开始校正固晶位置，在这里，F1是上一个固晶点、F2是下一个固晶点、F3是设置固晶点。

我们按一次F1或者F2，PCB移动后屏幕显示的位置就是当前固晶点，如果感觉不正，就可以移到希望的位置，按F3保存。

不按F3就保持原来的位置。

完成后按“Enter↙”确认。

⑤这时开始校正群组位置，在这里，F1是上一个群组、F2是下一个群组、F3是设置群组。

我们按一次F1或者F2，PCB移动后屏幕显示的位置就是当前群组的第一个对点，如果不正，就可以移到正确的位置，按F3保存。

不按F3就保持原来的位置。

完成后按“Enter↙”确认。

⑥这时显示是“WFA存储”，直接按“Enter↙”确认。

马达归位以后就回到程式输入菜单。

注意：①以上是以一种晶片的编辑方法，两种和两种以上的会在编辑完WF1后会直接弹出第二种晶片的固晶位，可以按照第一种方法编辑。

只是不用设置对点了。

②一般情况，我们先用F2确定对点位置，再用F6重新编辑。

如大功率模板，编程时会在支架上面贴定位纸。

编好了以后，再更换支架，用F2确定对点位置，再用F6更改对点样本图片。

六．程式的删除：1.主菜单→F5程式输入→F3删除程式2.进入后当前程式为红色圆点，目前选择的程式是绿色圆点。

我们刚刚进入时是两个重合的。

按F3（上一程式）和F4（下一程式）上下移动选择程式，绿色圆点所在程式就是目前选择的程式。

3.如果当前页没有需要的程式，就需要按F1（上一页）和F2（下一页）换页。

4.选择好后，按F5（删除程式）对话框出来后按F1（确定）就会删除选择的程式，不删除就按F2（取消），都完成后再按“Enter↙”退出。

注意：不能全部删除，必须有一个程式。

第五章．晶片样本设置：在新建程式后要作晶片样本，晶片样本是和程式连在一起的，建立一个程式后就需要进行晶片样本设置。

注意：是先作程式再作晶片样本。

1.主菜单→F4(晶片设置)→F1(晶片样本)→光源亮度调节→Enter→蓝框大小调节→Enter→F1(建立样本）→此时在左屏幕晶片屏幕下会显示样本的图片→Enter退出并保存→F12退回到主菜单。

2.自动固晶菜单→按3检查看是不是有9个绿色小十字架在屏幕中间的9个晶片上。

3.如果是多色产品,就要完成第一个晶圆以后，按“F4”进入后按相应晶圆转到相应晶圆环后,再按照上面的方法作晶片样本。

注意：1.在此菜单里面其他快捷按键如下：4：位置切换6：清洗吸嘴5：速度切换、↑是增减数值是1步、↓是增减数值是5步、←是增减数值是10步、→是增减数值是50步、在调时按一下四个方向键的一个，那改动的将是表示的数字，如按←，按F1就会减小10，F2就会加10。

2.一定要编辑好程式以后再作晶片样本，不能先作好晶片样本再建立程式。

主菜单→F6进入系统参数[这个菜单中，F5是编辑红点所在的参数，也就是更改参数，F6是晶圆切换，F7是保存更改的参数，F12是退出当前菜单。

F1:焊接参数，此为抓晶固晶参数。

注意：带＊的参数是不能更改的。

DBA预抓晶位：固晶臂准备抓晶的位置，一般设置为-1200。

＊DBA抓晶位：固晶臂抓晶的位置，绝对不可改动，是死位＊。

DBA清洗位：固晶臂吹气的位置，-7500 。

DHZ重置高度：固晶臂抓晶前的停留高度，比抓晶高度低4000步。

DHZ抓晶高度：固晶臂抓晶的高度，可以自动探测。

EJP重置位：顶针在顶上来以前停留的高度，以低于顶针座平面为好。

EJP抓晶高度：抓晶时顶针顶上来的高度，具体情况具体调节。

DBA预固晶位：固晶臂准备固晶的位置，-12010 。

＊DBA固晶位：固晶臂固晶的位置，绝对不可改动，是死位＊。

DHZ重置位：固晶臂准备固晶的高度，比固晶高度低4000步。

DHZ固晶高度：固晶臂固晶的高度，可以自动探测。

二.F2:点胶参数，此为抓浆固浆参数。

注意：带＊的参数是不能更改的。

EBA预抓浆位：银胶臂准备抓胶的位置，同抓浆位。

＊EBA抓浆位：银胶臂抓胶的位置，绝对不可改动，是死位＊。

＊EHZ重置位：银胶臂准备抓胶的高度，绝对不可改动，只能设置为0＊。

EHZ抓浆高度：银胶臂抓胶的高度。

EBA预固浆位：银胶臂准备固胶的位置，同固浆位。

＊EBA固浆位：银胶臂固胶的位置，绝对不可改动，是死位＊。

＊EHZ重置位：银胶臂准备固胶的高度，绝对不可改动，只能设置为0＊。

EHZ固浆高度：银胶臂固胶的高度。

三.F3:延时参数，此为各个延迟时间参数。

预抓晶延时：抓晶前延时，一般0-50。

抓晶延时：抓晶时间，一般5-50。

抓晶后延时：抓晶后的延迟时间，0-50 。