第三次课(半导体激光二极管和激光器组件)案例

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第3章 半导体激光二极管和激光器组件
为了产生受激辐射,必须建立非平衡得分布, 即使上能级的粒子数大于下能级的粒子数,使受激 发射大于受激吸收,这种状态叫做粒子数反转。
波尔兹曼分布
粒子数反转
第3章 半导体激光二极管和激光器组件
激光器的粒子数反转状态可采用电或光的泵浦。 2、光反馈和激光振荡
在有源区内,开始少数载流子的自发辐射产生 光子。一部分光子一旦产生,就穿出有源区,得不 到放大;另一部分光子可能在有源区内传播,并引 起其他电子-空穴对的受激辐射,产生更多的性能 相同的光子,得到放大。
第3章 半导体激光二极管和激光器组件
半导体激光二极管和激光器组件 半导体激光器基础知识
半导体激光器类型、组件及特性参数
第3章 半导体激光二极管和激光器组件
第一节 半导体激光器基础知识 一、半导体激光器的工作原理
半导体激光器产生激光输出的基本条件:
粒子数反转 光反馈 阈值条件 1、粒子数反转 在热平衡条件下,二能级原子系统中上能级的粒 子要比下能级少得多,服从波尔兹曼分布。此时不 会发生受激发射。
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2、模式特性与线宽 LD输出谱特性,或为多纵模或为单纵模,如下图。
LD的多模(a)及单模(b)输出谱
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1、模式特性 从使用来说,首先考虑的是模式的稳定性,它随时间、 电流的任何变化都会给系统附加噪声。其次,对高速 光纤通信系统来说,单纵模窄谱宽的光源有利于减小 光纤色散的影响。
第3章 半导体激光二极管和激光器组件
由于在谐振腔中,光波是在两块反射镜之间往 复传输的,这时只有在满足特定相位关系的光波才 能得到彼此加强,因此这种条件称为相位条件,
cq fq 2nL
激光器中振荡光频率只能取某些分立值,不同q 的一系列取值对应于沿谐振腔轴向一系列不同的电磁 场分布状态,一种分布就是一个激光器的纵模。相邻 两纵模之间的频率之差:
为了得到激光,必须将激活物质置于光学谐振 腔中,如下图。 通过腔两端的反射,向光子提供正反馈。光信 号每通过一次增益媒质就得到一次放大。
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激光器中的光反馈及FP腔
这种光学结构称为法布里-珀罗谐振腔,简称 F-P谐振腔。 在LD中,作为增益媒质晶体两端的自然解理面 形成反射镜,即光腔。
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6
22℃ 30℃ 40℃ 50 ℃ 60 ℃
5
功 率 / mW
4 3 2 1 0 50 1 00 注入电流 / mA 1 50
70 ℃
动 画 演 示
80℃
图4.15 半导体激光器P―I曲线随温度的变化
第3章 半导体激光二极管和激光器组件
由图可见,随着温度的升高,阈值电流增大,发 光功率降低。阈值电流与温度的关系可以表示为:
第3章 半导体激光二极管和激光器组件
2、线宽
LD输出的有限线宽来自于两个因素:
一、是激光腔内自发发射事件引起的光场相位脉 动。
二、是载流子浓度脉动引起的折射率变化,使光 腔庇振频率产生变化。简化理论推导的光源线宽Δν可 表示为:
X 1 4P
式中,X为自发发射事件的平均速率;P为光功率; α 为线宽提高因子,表示折射率实部与虚部之比。
第3章 半导体激光二极管和激光器组件
半导体激光器的工作特性 1、P-I特性 典型的半导体激光器如下图所示
3 .5 3 .0
功 率Baidu Nhomakorabea/ mW
2 .5 2 .0 1 .5 1 .0 0 .5 0 0 50 Ith 1 00 1 50
注入电流 / mA
图4.14 半导体激光器P―I曲线
第3章 半导体激光二极管和激光器组件
在模式特性上还要注意到横模的问题。
激光振荡也可能出现在垂直于腔轴的平面内,其 中TEM00为基横模,TEM10、TEM11等为高次横模。 由于TEM00 模的光斑与光纤中基模 LP01 模场光斑相 匹配,故耦合效率最高。
同时LD工作在TEM00模时相干性最好,因此在LD 的设计及结构上都应保证基横模工作。
3、激光振荡的阈值条件 在注入电流的作用下,有源区的受激辐射不断 增强,称为增益。 在F-P腔中,每次通过增益媒质时的增益尽管很 小,但经过多次振荡后,增益变得足够大。 当腔内增益超过总损耗(包括载流子吸收、缺 陷散射及端面输出)时,就产生了激光。
见下图:
第3章 半导体激光二极管和激光器组件
FP-LD的增益曲线(a)腔模(b)及输出的纵模(c)
第3章 半导体激光二极管和激光器组件
由上式可知,为了降低LD的线宽,可采取下列措施: 增大光功率(或腔内总光子数)。
减小自发发射速率。
从外部稳定载流子密度以使幅值-相位耦合最小。 第一点可通过改变腔结构、增加总体积、增加单 位体积内储能(如增加端面反射系数)或增加输出功 率来实现。
第二点可通过注入锁定来实现。
第3章 半导体激光二极管和激光器组件
c f 2nL
称为纵模间隔,它与谐振腔长及工作物质有关。
F-P腔的透射频谱特性如下图:
第3章 半导体激光二极管和激光器组件
半功率点全宽为:
f1 / 2 f / F
F为F-P腔的精细度,可表示为:
F
R增大,F增大。
R
1 R
第3章 半导体激光二极管和激光器组件
T I th (T ) I 0 exp( ) T0
其中,T为器件的绝对温度;T0为激光器的特征 温度;I0为常数。 为解决半导体激光器温度敏感的问题,可以在 驱动电路中进行温度补偿,或是采用制冷器来保持 器件的温度稳定。 通常将半导体激光器与热敏电阻、半导体制冷 器等封装在一起,构成组件。热敏电阻用来检测器 件温度,控制制冷器,实现闭环负反馈自动恒温。
从图上可以看出,半导体激光器存在阈值电流 Ith 。当注入电流小于阈值电流时,器件发出微弱的
自发辐射光,类似于发光二极管的发光情况。当注
入电流超过阈值,器件进入受激辐射状态时,光功
率输出迅速增加,输出功率与注入电流基本保持线
性关系。 半导体激光器的P―I特性对温度很敏感,下图给 出了不同温度下P―I特性的变化情况。
第三点,通过驱动电流的反馈控制来稳定载流子 密度,有效减少激光场的幅值-个位耦合。
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