06第六章半导体存储器(2学时)

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第六章半导体存储器2学时基本知识:

1、半导体存储器的基本概念、以及性能技术指标;

2、半导体存储器的功能分类;

3、SRAM存储单元的基本电路结构;

4、RAM的读/写操作;

5、掩膜ROM的基本结构与基本特性;

6、可编程ROM的基本结构与基本特性;

重点知识:

1、正确理解存储容量的概念;

2、正确理解RAM的基本结构组成;

3、熟练掌握RAM存储容量的扩展方法;

4、正确使用常规半导体存储器;

难点知识:

1、半导体存储器的结构组成的理解;

课后练习:P383-7.1.2、7.1.52、RAM存储容量的扩展方法;

序言

随着半导体集成工艺的不断进步,电路的集成度越来越高。目前,大规模集成电路LSI日新月异,LSI电路的一个重要应用领域就是半导体存储器。

半导体存储器就是存储大量二值数据的半导体器件,是数字系统必不可少的组成部分。这种存储包括:存储文字的编码数据、存储声音的编码数据、存储图像的编码数据。

衡量存储器性能的重要计数指标——存储容量(目前动态存储器的容量可达10亿位/片)、存取速度(一些高速存储器的存取时间仅10nS)。

1、存储容量

存储器由若干存储单元组成,每个存储单元存放一位二进制数。由若干二进制数组成的二进制数代码称为一个字,字所包含二进制

数的位数称为字长。

可见,存放一个字长为M的字需要M个存储单元,且M个存储单元为一个信息单元。

所以:存储容量就是字数N(信息单元)与字长M(位数)的乘积(即存储单元的总数)。

如:64M×8=512M

(其中64M为字数或信息单元,8为字长或位数,512M为存储单元)

2、存取时间

从CPU给出有效的存储器地址启动一次存储器读/写操作,到该操

作完成所经历的时间

3、存取周期

连续启动两次独立的存储器读/写操作所需的最小间隔时间

4、存取

把信息存入某信息单元或从某信息单元取出信息,则需要找到信息单元,且称寻址或访问信息单元。

方便起见,每个信息单元都有一个编号,即称地址码,简称地址。

信息存进信息单元叫做写入。从信息单元取出信息叫做读出。

3、半导体存储器划分

二极管ROM

(1)按制造工艺分双极型ROM(三极管)单

极型(MOS)

掩膜ROM(固定ROM)——厂家固化内容;

容写入可方编式程分ROM(PROM)——用户首次写入时决定内容。

2

按存储内(一次写入式)

可编程、可擦除ROM(EPROM)——可根据需要改写;

可编程、电可擦除ROM(EEPROM即E2PROM)

快闪存储器FLASH ROM

第一节随机存储器RAM

RAM又名读/写存储器。RAM用于存储可随时更换的数据,可随时从给定的址单元中读出数据,也可随时往给定的地址码的存储单元中写入数据。

一、RAM的电路结构与工作原理

1、SRAM存储单元的基本结构

电路如图所示:Array①一个基本RS触发器——用于存储1

位二值数据;

②行、列选择线——读/写操作的条

件就是行、列选择线为高电平;

③位线(数据线)——在列线为“1”

时,位线与数据线接通;在行线为

“1”时,位线与触发器接通;

特点——数据由触发器记忆,只要不断电,数据可以永久保存。

2、DRAM存储单元

SRAM存储单元所用管子多,功耗大,集成度受到限制。

DRAM存储数据的原理——基于电容电荷的存储效应。

字线

位线V

C

S

C

W 存储单元电容

常见的DRAM存储单元有两种结构:

单管(大容量DRAM存储单元普遍采

用单管结构)、三管;

DRAM为避免数据丢失,总需“再

生”或“刷新”操作。

单管动态存储单元

杂散电容

≥1

G

&

D

行选择线

X i

写入刷 新控制

“写”

存储单元

V 1

V 3

V C

2

线

“读” 位 G 3

G 1

&

R / W

V

4

D I

V DD

线

V 5

Y j 列选择线 O

三管动态存储单元

二、RAM的基本结构

三部分:存储矩阵、地址译码器、输入/输出控制电路。结构示意图如下:

地址译码器存储矩阵

地址输入

控制信号输入输入/输出控制电路

数据输入/输出

1、存储矩阵

若干存储单元排列成矩阵形式构成存储矩阵。存储器以字为单位组成内部结构,1个字含有若干存储单元。1个字中所含的位数称为字长。存储容量就是字数与字长的乘积,如256M×8。

2、地址译码

同时包括行地址译码与列地址译码。地址就是存放同一个字的存储单元的编码。字单元即称为地址单元。

N ,如:256个地址单元的个数N与二进制地址码的位数n 满足2n=

地址单元,需要(28 =256 )8位二进制地址码。

3、输入/输出控制电路

(1)片选信号CS :解决芯片是否工作的问题;

(2)读写控制信号:决定是读信号还是写信号;

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