IC芯片的电磁兼容性设计方案

2011-12-19 22:48:43| 分类：EMC/EMI | 标签：|字号大中小订阅

IC芯片的电磁兼容性设计方案

论述了芯片级电磁兼容性的设计方法。最后给出了芯片级电磁兼容性研究中存在的问题及未来的研究重点

1、分析和解决电磁兼容性的一般方法

随着科学技术的发展，系统越来越复杂，使用的频谱越来越宽，根据电磁兼容性学科中多年的研究可知，分析和解决设备、子系统或系统间的电磁兼容性问题一般有3种方法，他们分别为问题解决法（ProlemSolvingApproach）、规范法（SpecificationApproach）和系统法（SystemsApproach）。

1.1问题解决法

问题解决法主要指在建立系统前并不专门考虑电磁兼容性问题，待系统建成后再设法解决在调试过程中出现的电磁兼容性问题的方法。系统内或系统间存在的干扰问题有三要素，即干扰源、接受器和干扰的传播路径。因此用问题解决法解决系统内或系统间的电磁兼容性问题时，首先必须正确地确定干扰源。为了做到这一点，从事电磁兼容性方面工作的工程师要比较全面地熟悉各种干扰源的特性。在确定干扰源后再确定干扰的耦合路径是辐射耦合模式还是传导耦合模式，最终决定消除干扰的方法。

1.2规范法

为了满足电磁兼容性的要求，各国政府和工业部门尤其是军方都制订了很多强制执行的标准和规范，例如美国军用标准MIL-STD-461.所谓规范法是指在采购系统的设备和设计建立子系统时必须满足已制订的规范。规范法预期达到的效果就是：如果组成系统的每个部件都满足规范要求，则系统的电磁兼容性就能保证。

1.3系统法

系统法集中了电磁兼容性方面的研究成果，从系统的设计阶段的最初就用分析程序来预测在系统中将要遇到的那些电磁干扰问题，以便在系统设计过程中作为基本问题来解决。目前有下列几种已广泛使用的大规模电磁干扰分析程序：

系统和电磁兼容性分析程序（SEMCAP）；系统和电磁兼容性分析程序；

干扰预测程序IPP-1；

系统内部分析程序IAP；

共场地分析模型程序COSAM等。

对于EMC系统设计的3种方法而言，问题解决法即先建立系统，在系统出现EMC问题时，利用EMI抑制技术解决EMC问题，这种方法很冒险，有可能会出现大量的返工。规范法则是要求每个分系

统预先符合所要求的EMC规范或标准。如产品需要销售到美国，就要求每个分系统满足美国FCCPart15或Part18相应的标准，利用这些标准进行计算、设计分系统来保证最终产品的EMC性能。规范法比问题解决法更合理，但他的不足之处是他可能引入过储备的设计。系统法集中了EMC方面的成就，他根据EMC 的要求给出最佳的工程设计、试验过程中对EMC进行分析预测，合理分配EMC指标，保证系统EMC的设计要求。随着电子设备工艺的飞速发展，集成电路的集成度几乎每年都翻一番，EMC问题已由系统级上升至芯片级。因此，对芯片级电磁兼容性的设计研究就显得尤为重要了。

2、芯片级电磁兼容

由于芯片级电磁兼容的描述是一个相对较新的学科，尽管对于电子系统及子系统已经有了说明详细的标准和辐射参考标准，但对于在这些系统中应用到的集成电路来说却是一个空白。尤其是近年来集成电路的制造工艺在不断提高，已从超深亚微米进入到纳米阶段，加工芯片的特征尺寸进一步减小。于是，越来越多的功能，甚至是一个完整的系统都能够被集成到单个芯片之中。这就使得芯片级电磁兼容显得尤为突出。因此，制定一套公认的芯片级电磁兼容测量程序将会填补这一空白。

2.1芯片级电磁兼容的描述

附属于国际电工委员会（IEC）的主要负责集成电路方面研究的机构正致力于研究集成电路电磁兼容性描述的2项标准。在不久的将来，就能根据IEC61967标准来描述集成电路的电磁辐射，根据

IEC62132标准来描述集成电路的抗扰度。尽管这2项标准中所描述的测量方法并不能够完全取代系统级的电磁兼容测量方法，但设计工程师将具备鉴别主要辐射源及在应用程序中哪一部分具有最低敏感度的能力。

目前“IEC61967标准：用于测量集成电路电磁辐射频率150k～1GHz”包括以下6个部分：

通用条件和定义；

辐射测量方法--横向电磁波室法；

辐射测量方法--表面扫描法；

传导辐射测量方法1Ω150Ω直接耦合法；

传导辐射测量方法WFC(WorkenchFaradayCage）方法；

传导辐射测量方法--探磁针法。

而第2项标准“IEC62132标准：用于测量集成电路电磁抗扰度”目前暂时包括以下5部分：

通用条件和定义；

辐射抗扰度测量方法--横向电磁波室法；

传导抗扰度测量方法--大量电流注入法（CI）；

传导抗扰度测量方法--直接激励注入法（DPI）；

传导抗扰度测量方法--WFC（WorkenchFaradayCage）方法。

以上2项标准中所描述的测量方法可以被用作集成电路辐射和抗扰度规范说明的基础。当然，这些方法既有他们的优势，同时也存在局限性。因此，电子设备的设计者以及半导体生产商应谨慎地选择最符合其自身需求的测量方法。虽然能够用这些测量方法来描述芯片级集成电路的电磁兼容性，但不可能在系统级与芯片级测量方法之间进行直接比较。即使集成电路已经可以满足芯片级电磁兼容的需要，生产商仍需在整个系统中实现电磁兼容的测量。

通常，典型的电磁兼容测量方法，如过滤或屏蔽技术对于实现电子设备的电磁兼容性要求是必不可少的。至于在哪一部分实现电磁兼容性测量法（如在集成电路内或在印刷电路板上），则取决于成本及可行性方面（如可用空间等）的考虑。

解决电磁兼容性问题的最有效的方法是查明并且减少实际的干扰源。其中一个最重要的解决芯片级电磁兼容的方法就是“表面扫描法(IEC61967-3)”。采用这种方法，能够使集成电路表面电磁场的实际磁场和电场形象化，同时，还能准确、容易地定位集成电路电磁辐射的干扰源。下面就对其进行介绍。

2.1.1表面扫描法

IEC61967标准中的这一部分描述了评估集成电路表面的近电场和近磁场元件的一种方法。这种方法适用的频率范围为10M～3GHz。为了测量这些场的分布状态，可以使电场探针或磁场探针机械地移过集成电路的表面（探针可以平行或垂直于集成电路表面）。测量数据可以通过计算机进行处理，并且，在一定的扫描频率下的场强能够用有色图谱形象地表示出来。运用这种方法所能达到的效果与机械探针配置系统的精度及所用探针的尺寸密切相关。这一方法给我们提供了一个有用的工具，运用他可以准确地定位小片上集成电路封装内电磁辐射量过大的区域。

2.1.2电场和磁场探针

进行电场测量时，IEC61967-6标准中对具有部分屏蔽的微型电场探针的构造设计进行了规定。而对于磁场测量，这一标准则建议使用单向微型磁场探针。这2种探针都可用0．02英寸的半导体同轴电缆来制作。最典型有效的磁场探针的孔径大约是200μm。用同轴电缆制作的电场和磁场探针。

是一个磁场探针的实际外观。除了同轴电缆本身的屏蔽之外，为了改进探针的屏蔽效果，还需运用其他的屏蔽措施。

2.2实际应用

可以由一个微型位置调节器控制探针沿3个垂直方向线性移动进行表面扫描。为了扫描集成电路表面的矩形区域并用计算机处理所得到的测量数据，目前已经开发出了一种应用程序，可以使探针在集成电路表面之上沿正交面方向移动。这一程序能够给出所测电场或磁场的二维曲线。为了进一步处理测量数据，可以将其保存为ASCII文件。

探针也可以分别放置在小片或集成电路封装之上的任何位置。这就使得直接测量小片的特定部位的电磁辐射成为可能，如测量高速运算放大器。

给出了集成电路封装表面磁场扫描的示意图。从图中可以明显地看出具有较高的磁场强度元件的区域。由于高短路电流与高动态转换电流结合，故具有较高磁场辐射的管脚通常是集成电路的电源供应管脚和负载输出管脚。正是由于整个集成电路的电磁辐射主要集中在这些管脚上，所以电磁兼容性测量就应该从这里着手。

用三维图形示出扫描区域磁场强度的测量结果。具有较高磁场强度的区域用红色突出出来，而具有较低磁场强度的区域用蓝色表示。对具有较高磁场强度区域有一定的了解之后，设计者就能够重新设计自己的电路以减少全局的电磁辐射。同时，版图工程师也可得到关键的提示，指导如何布置元件以降低辐射。

结语

对于微电子行业来说，芯片级电磁兼容性的描述已经成为一个非常重要的主题。实际上，如果不对集成电路电磁辐射及抗扰度方面进行深入的研究，就很难满足电子设备电磁兼容性方面的需要。随着工作频率及芯片复杂度的不断增长，具有低电磁辐射和高抗扰度的集成电路设计将越来越演变成具有挑战

性的课题。将来，半导体生产商都将使用新标准（IEC61967和IEC62132）中所描述的不同的测量方法，来描述其集成电路的电磁辐射和抗扰度。而其中的“表面扫描法（IEC61967-3）”可以被用来查明造成整个电磁辐射的主要干扰源。

因此，今后的研究重点应致力于芯片级电磁兼容性设计和优化，必须着重研究以下几个问题：一是更好地了解地面反射，进而了解普通模式电流是如何影响电磁辐射的，改进对辐射的控制；二是改进用于仿真的封装模型，改进芯片级电磁兼容的处理工具；三是减少信号完整性问题，提高防射频干扰的模拟模块和输入／输出模块的敏感度；四是减少封装产生的寄生参数，更好地控制输出信号的升降次数（适度的回转率）。

芯片的制造工艺流程

芯片的制造半导体产业最上游是IC设计公司与硅晶圆制造公司，IC 设公司计依客户的需求设计出电路图，硅晶圆制造公司则以多晶硅为原料制造出硅晶圆。中游的IC制造公司主要的任务就是把IC设计公司设计好的电路图移植到硅晶圆制造公司制造好的晶圆上。完成后的晶圆再送往下游的IC封测厂实施封装与测试，即大功告成！ (1)硅晶圆制造半导体产业的最上游是硅晶圆制造。事实上，上游的硅晶圆产业又是由三个子产业形成的，依序为硅的初步纯化→多晶硅的制造→硅晶圆制造。 a硅的初步纯化将石英砂(SiO2)转化成冶金级硅(硅纯度98%以上)。 b多晶硅的制造将冶金级硅制成多晶硅。这里的多晶硅可分成两种：高纯度(99.999999999%，11N)与低纯度(99.99999%，7N)两种。高纯度是用来制做IC等精密电路IC，俗称半导体等级多晶硅；低纯度则是用来制做太阳能电池的，俗称太阳能等级多晶硅。 c硅晶圆制造将多晶硅制成硅晶圆。硅晶圆又可分成单晶硅晶圆与多晶硅晶圆两种。一般来说，IC制造用的硅晶圆都是单晶硅晶

圆，而太阳能电池制造用的硅晶圆则是单晶硅晶圆与多晶硅晶圆皆有。一般来说，单晶硅的效率会较多晶硅高，当然成本也较高。 (2)IC设计前面提到硅晶圆制造，投入的是石英砂，产出的是硅晶圆。IC设计完成后，产出则是电路图，最后制成光罩送往IC 制造公司，设计就告一段落了！不过，要让理工科以外的人了解IC设计并不是件容易的事(就像要让念理工的人了解复杂的衍生性金融商品一样)，作者必需要经过多次外出取材才有办法办到。这里先大概是一下观念，请大家发挥一下你们强大的想像力！简单来讲，IC设计可分成几个步骤，依序为：规格制定→逻辑设计→电路布局→布局后模拟→光罩制作。 a规格制定品牌厂或白牌厂(没有品牌的品牌厂)的工程师和IC设计工程师接触，并开出他们需要的IC的规格给IC设计工程师。讨论好规格后，工程师们就开始工作了！ b逻辑设计所谓的“逻辑”设计图，就是指它是由简单的逻辑元件构成，而不是由半导体种类电路元件(如二极体、电晶体等)所构成。什么是逻辑元件呢？像是AND Gate(故名思意，两个输入都是1的话，输出才是1，否则输出就是0)，OR Gate(两

芯片设计和生产流程

芯片设计和生产流程大家都是电子行业的人，对芯片，对各种封装都了解不少，但是你知道一个芯片是怎样设计出来的么？你又知道设计出来的芯片是怎么生产出来的么？看完这篇文章你就有大概的了解。复杂繁琐的芯片设计流程芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必要的IC芯片（这些会在后面介绍）。然而，没有设计图，拥有再强制造能力都没有用，因此，建筑师的角色相当重要。但是IC设计中的建筑师究竟是谁呢？本文接下来要针对IC设计做介绍。在IC生产流程中，IC多由专业IC设计公司进行规划、设计，像是联发科、高通、Intel等知名大厂，都自行设计各自的IC芯片，提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC是由各厂自行设计，所以IC设计十分仰赖工程师的技术，工程师的素质影响着一间企业的价值。然而，工程师们在设计一颗IC芯片时，究竟有那些步骤？设计流程可以简单分成如下。

设计第一步，订定目标在IC设计中，最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在设计建筑前，先决定要几间房间、浴室，有什么建筑法规需要遵守，在确定好所有的功能之后在进行设计，这样才不用再花额外的时间进行后续修改。IC设计也需要经过类似的步骤，才能确保设计出来的芯片不会有任何差错。规格制定的第一步便是确定IC的目的、效能为何，对大方向做设定。接着是察看有哪些协定要符合，像无线网卡的芯片就需要符合IEEE802.11等规範，不然，这芯片将无法和市面上的产品相容，使它无法和其他设备连线。最后则是

确立这颗IC的实作方法，将不同功能分配成不同的单元，并确立不同单元间连结的方法，如此便完成规格的制定。设计完规格后，接着就是设计芯片的细节了。这个步骤就像初步记下建筑的规画，将整体轮廓描绘出来，方便后续制图。在IC芯片中，便是使用硬体描述语言（HDL）将电路描写出来。常使用的HDL有Verilog、VHDL等，藉由程式码便可轻易地将一颗IC地功能表达出来。接着就是检查程式功能的正确性并持续修改，直到它满足期望的功能为止。 ▲32bits加法器的Verilog范例。有了电脑，事情都变得容易有了完整规画后，接下来便是画出平面的设计蓝图。在IC设计中，逻辑合成这个步骤便是将确定无误的HDL code，放入电子设计自动化工具（EDA tool），让电脑将HDL code转换成逻辑电路，产生如下的电路图。之后，反

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。电阻率在108Ω?cm以上半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点： (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时，电阻率只增加4%左右。

电子元件分类与编码标准

电子元件分类与编码标准为了方便电子元器件的购买及生产管理, 且为以后元器件的电脑化管理提供可能, 本说明对可能涉及到的电子元器件的编号进行规定。 1: 总体原则 1.1 总体规定: 电子元器件的编号统一设想采用字母与数字混合编号方式且统一为9位. 具体以器件分类名称的字母缩写(2位)开始, 后续6 位数字或字母表示器件的具体规格或型号，第7位是附加的备注或特殊的识别标记（除电容的命名方式外） 1.2 对于不同规格与不同厂家的元器件原则上采用不同的编号. 1.3 对于一些通用类电子元器件, 如: 电阻, 电容, 电感等如规格及外形相同则不同厂家的产品也可采用统一编号. 1.4 对于元器件应有相非通用类电子应的图纸存档. 图纸中应包含器件的外形尺寸, 主要规格参数, 产品型号, 生产厂家等. 1.5 电阻, 电容,电感的标称值原则上在具体规格上说明 1.6 对于一些开发项目专用或关联较大以及根据本说明无法明确归类的电子元器件的编号如: PWB, PCB组装单元, 可以用项目编号取代编号的前4位, 后6位表示某具体元器件. 若该器件也在别的项目中使用, 采用同一编号, 保证编号的唯一性。 2.0、编码结构说明：ＸＸ－ＸＸ－ＸＸＸＸＸＸ－ＸＸＸ－Ｘ｜｜｜｜｜空位（环保区分时备用）｜｜｜｜误差/封装信息/引脚数/修正编号/空位｜｜｜｜｜｜元件种类/电气参数/型号｜｜供应商名代码｜物品代码注：编码长度一至，编码中间的“—”不纳入ERP系统，例： RE0120000061280 2.1、电子元器件物品（电子元器件的命名字母缩写）: 器件名称字母缩写器件名称字母缩写器件名称字母缩写电阻RE混合厚膜电路HB 导线WR 电阻阵列、 RA /RG传感器SN磁珠FR 可变电容CP继电器RL 线圈CL

电子元器件的命名

电子元器件命名- - （资料是刚工作时前辈们留给我的，仅供参考。需要更多资料请咨询https://www.360docs.net/doc/364007329.html,掌柜）电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上. 封装形式: 封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好. 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装. DIP Double In-line Package 双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点. PQFP Plastic Quad Flat Package PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.

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汽车电子接口CAN的电磁兼容设计方案 Controller Area Network简称为CAN，多用于汽车以及工业控制，用于数据的传输控制。在应用的过程中通讯电缆容易耦合外部的干扰对信号传输造成一定的影响，单板内部的干扰也可能通过电缆形成对外辐射。本方案从EMC原理上，通过接口的原理图、PCB、结构及电缆方面进行相关的抑制干扰和抗敏感度设计，从设计层次解决EMC问题。一、原理图设计方案二、PCB设计方案 1. CAN接口分地设计

方案特点：（1）为了抑制内部单板高频噪声通过接口向外传导辐射，也为了增强单板对外部干扰的抗扰能力。在CAN接口处增加防护和滤波隔离器件，并以隔离器件位置大小为界，划分出接口地；（2）隔离带中可以选择性的增加电容作为两者地之间的连接，电容取值建议为1000pF；信号线串联共模电感滤波，且共模电感要求置于隔离带内；为了防止外部强干扰通过端口耦合进内部PCB，引起内部器件性能下降，在靠近端口处信号线上增加防护器件TVS管，具体布局如图示。方案分析：（1）当接口与单板存在相容性较差或不相容的电路时，需要在接口与单板之间进行“分地”处理，即根据不同的端口电压、电平信号和传输速率来分别设置地线。“分地”，可以防止不相容电路的回流信号的叠加，防止公共地线阻抗耦合；（2） CAN接口信号传输速率较高，内部PCB板高频噪声很容易由公共地线通过接口向外传导辐射，因此将公共地分割且通过电容相接，可以阻断共模干扰的传播路径。 2 CAN接口电路布局

方案特点：（1）防护器件及滤波器件要靠近接口位置处摆放且要求摆放紧凑整齐，信号线上的防护器件TVS管与滤波电容要下接至接口地；按照信号流向摆放器件，走线时要尽量避免走线曲折的情况；（2）共模电感及跨接电容要置于隔离带中。方案分析：（1）接口及接口滤波防护电路周边不能走线且不能放置高速或敏感的器件；（2）隔离带下面投影层要做掏空处理，禁止走线。三、结构和线缆设计方案 EDP软件介绍电磁兼容设计平台(EDP)，依据最专业的EMC专家方案知识库，快速输出符合产品设计要求的指导性的EMC解决方案。主要功能模块：

IC 芯片设计制造到封装全流程

一、复杂繁琐的芯片设计流程芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必要的 IC 芯片(这些会在后面介绍)。然而，没有设计图，拥有再强制造能力都没有用，因此，建筑师的角色相当重要。但是IC 设计中的建筑师究竟是谁呢?本文接下来要针对IC 设计做介绍。在IC 生产流程中，IC 多由专业 IC 设计公司进行规划、设计，像是联发科、高通、Intel 等知名大厂，都自行设计各自的 IC 芯片，提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC 是由各厂自行设计，所以 IC 设计十分仰赖工程师的技术，工程师的素质影响着一间企业的价值。然而，工程师们在设计一颗 IC 芯片时，究竟有那些步骤?设计流程可以简单分成如下。设计第一步，订定目标在IC 设计中，最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在设计建筑前，先决定要几间房间、浴室，有什么建筑法规需要遵守，在确定好所有的功能之后在进行设计，这样才不用再花额外的时间进行后续修改。IC 设计也需要经过类似的步骤，才能确保设计出来的芯片不会有任何差错。

规格制定的第一步便是确定 IC 的目的、效能为何，对大方向做设定。接着是察看有哪些协定要符合，像无线网卡的芯片就需要符合IEEE 802.11 等规范，不然，这芯片将无法和市面上的产品相容，使它无法和其他设备连线。最后则是确立这颗IC 的实作方法，将不同功能分配成不同的单元，并确立不同单元间连结的方法，如此便完成规格的制定。设计完规格后，接着就是设计芯片的细节了。这个步骤就像初步记下建筑的规画，将整体轮廓描绘出来，方便后续制图。在IC 芯片中，便是使用硬体描述语言(HDL)将电路描写出来。常使用的 HDL 有Verilog、VHDL 等，藉由程式码便可轻易地将一颗IC 地功能表达出来。接着就是检查程式功能的正确性并持续修改，直到它满足期望的功能为止。 ▲ 32 bits 加法器的Verilog 范例有了电脑，事情都变得容易有了完整规画后，接下来便是画出平面的设计蓝图。在IC 设计中，逻辑合成这个步骤便是将确定无误的HDL code，放入电子设计自动化工具(EDA tool)，让电脑将 HDL code 转换成逻辑电路，产生如下的电路图。之后，反覆的确定此逻辑闸设计图是否符合规格并修改，直到功能正确为止。

车载设备的电磁兼容设计方案

车载设备的电磁兼容设计方案随着科学技术的不断发展，电子设备的数量及应用逐渐增多，结果必将造成电磁干扰越来越严重。在日趋恶劣的电磁环境中，如若不采取恰当的电磁屏蔽措施，会导致设备之间的电磁干扰日益严重，电子设备的性能下降，甚者会危及到信息的安全。为了保证电子设备在复杂的电磁环境中既不干扰其他设备，而又不受其他设备干扰的影响而能正常工作,这就要求在设备研制的初期阶段必须从结构、技术等方面进行严格的电磁兼容设计。 1 电磁兼容设计的基本要求电磁兼容性是电子设备的主要性能之一，在进行设备功能设计的同时，还应进行电磁兼容设计。电磁兼容设计的目的是使所设计的设备在复杂电磁环境中实现电磁兼容，因此在进行电磁兼容设计时应满足以下要求: 首先明确设备所满足的电磁兼容指标，然后确定设备的敏感器件、干扰源及干扰途径，有针对性地采取措施，最后通过试验了解设备是否达到了电磁兼容指标要求。 2 电磁兼容设计所采取的方法对于通信车而言，通常其所装载的设备量很多,包括配电设备、通信设备及终端设备等，各设备间很容易形成电磁干扰，进而影响通信质量，因此设备在进行电磁兼容设计时要从3 要素( 干扰源、耦合途径和敏感设备) 出发，采取各种有效手段，抑制干扰源,消除或减弱干

扰耦合，增加敏感设备的抗干扰能力。以某车载电子设备为例，由数字电流表、数字电压表、转换开关、断路器、控制保护单元、互感器、接触器等单元及元器件组成，其中数字电流表、数字电压表、转换开关、断路器布置于前面板上，控制保护单元、互感器、接触器等单元及元器件放在机箱内部。此设备要满足GJB151A- 97 有关的电磁兼容指标要求，在结构设计等方面采取的主要措施有: 仪表窗口的屏蔽; 机箱缝隙的屏蔽; 各单元合理布局及其屏蔽; 电缆敷设以及电源线滤波等。 2.1 仪表窗口的屏蔽仪表窗口对设备来说是比较大的泄漏口，必须采取有效的措施将其屏蔽，为此采用加装丝网屏蔽玻璃的方法对数字电流表、数字电压表进行外部屏蔽。丝网屏蔽玻璃是由一种低阻抗的金属丝网通过特殊工艺夹在两层玻璃之间制成，丝网筛孔的密度决定其主要的屏蔽效能。如图1 所示，由于玻璃周边预留了10~ 20 mm 金属丝网毛边，通过螺装金属外框将它紧紧压在机箱上，从而获得连续的导电表面，以达到减少电磁泄露的目的。

(整理)元器件封装命名规则ds.

精品文档精品文档目次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计元器件封装命名规则

芯片制作工艺流程

芯片制作工艺流程工艺流程 1) 表面清洗晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2) 初次氧化有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术干法氧化 Si(固) + O2 à SiO2(固) 湿法氧化 Si(固) +2H2O à SiO2(固) + 2H2 干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应，Si 表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出 (d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)。SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10 -- 10E+11/cm –2 .e V -1 数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 3) CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 1 常压CVD (Normal Pressure CVD) NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反

RJ45以太网接口EMC设计方案

以太网接口EMC设计方案一、接口概述 RJ45以太网接口是目前应用最广泛的通讯设备接口，以太网口的电磁兼容性能关系到通讯设备的稳定运行。赛盛技术应用电磁兼容设计平台（EDP）软件从接口原理图、结构设计，线缆设计三个方面来设计以太网口的EMC设计方案。二、接口电路原理图的EMC设计本方案由电磁兼容设计平台（EDP）软件自动生成百兆以太网接口2KV防雷滤波设计图1 百兆以太网接口2KV防雷滤波设计接口电路设计概述：本方案从EMC原理上，进行了相关的抑制干扰和抗敏感度的设计；从设计层次解决EMC 问题；同时此电路兼容了百兆以太网接口防雷设计。本防雷电路设计可通过IEC61000-4-5或标准，共模2KV，差摸1KV的非屏蔽平衡信号的接口防雷测试。电路EMC设计说明：

（1）电路滤波设计要点：为了抑制RJ45接口通过电缆带出的共模干扰，建议设计过程中将常规网络变压器改为接口带有共模抑制作用的网络变压器，此种变压器示意图如下。图2 带有共模抑制作用的网络变压器 RJ45接口的NC空余针脚一定要采用BOB-smith电路设计，以达到信号阻抗匹配，抑制对外干扰的作用，经过测试，BOB-smith电路能有10个dB左右的抑制干扰的效果。网络变压器虽然带有隔离作用，但是由于变压器初次级线圈之间存在着几个pF的分布电容；为了提升变压器的隔离作用，建议在变压器的次级电路上增加对地滤波电容，如电路图上C4-C7，此电容取值5Pf~10pF。在变压器驱动电源电路上，增加LC型滤波，抑制电源系统带来的干扰，如电路图上L1、C1、C2、C3，L1采用磁珠，典型值为600Ω/100MHz，电容取值μF~μF。百兆以太网的设计中，如果在不影响通讯质量的情况，适当减低网络驱动电压电平，对于EMC干扰抑制会有一定的帮助；也可以在变压器次级的发送端和接收端差分线上串加10Ω的电阻来抑制干扰。（2）

电子元器件型号命名规则

一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、

3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。三、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、无非军用品。第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:

PCB元件库SCH元件库命名规则

PCB元件库命名规则 2.1 集成电路（直插）用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2 集成电路（贴片）用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3 电阻 2.3.1 SMD贴片电阻命名方法为：封装+R 如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2 碳膜电阻命名方法为：R-封装如：R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3 水泥电阻命名方法为：R-型号如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4 电容 2.4.1 无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C 如：6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2 SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距如：RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3 电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径如：RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5 二极管整流器件命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6 晶体管命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 2.7 晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装 2.8 电感、变压器件电感封封装采用TDK公司封装 2.9 光电器件 2.9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示如：0805D表示封装为0805的发光二极管 2.9.2 直插发光二极管表示为LED-外径如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管

芯片制作工艺流程

工艺流程 1)表面清洗晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2)初次氧化有热氧化法生成SiO2缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术干法氧化Si(固)+O2àSiO2(固) 湿法氧化Si(固)+2H2OàSiO2(固)+2H2 干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应，Si表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出 (d SiO2)/(d ox)=(n ox)/(n SiO2)。SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10--10E+11/cm–2.e V-1数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 3)CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 1常压CVD(Normal Pressure CVD) NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反应气体至反应炉的载气体精密装置；(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室；(3)反应炉；(4)反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应炉，炉的形式可分为四个种类，这些装置中重点为如何将反应气体均匀送入，故需在反应气体的流动与基板位置上用心改进。当为水平时，则基板倾斜；当为纵型时，着反应气体由中心吹出，且使基板夹具回转。而汽缸型亦可同时收容多数基板且使夹具旋转。为扩散炉型时，在基板的上游加有混和气体使成乱流的

电磁兼容EMC设计及测试技巧

电磁兼容EMC设计及测试技巧摘要：针对当前严峻的电磁环境，分析了电磁干扰的来源，通过产品开发流程的分解，融入电磁兼容设计，从原理图设计、PCB设计、元器件选型、系统布线、系统接地等方面逐步分析，总结概括电磁兼容设计要点，最后，介绍了电磁兼容测试的相关内容。当前，日益恶化的电磁环境，使我们逐渐关注设备的工作环境，日益关注电磁环境对电子设备的影响，从设计开始，融入电磁兼容设计，使电子设备更可靠的工作。电磁兼容设计主要包含浪涌（冲击）抗扰度、振铃波浪涌抗扰度、电快速瞬变脉冲群抗扰度、电压暂降、短时中断和电压变化抗扰度、工频电源谐波抗扰度、静电抗扰度、射频电磁场辐射抗扰度、工频磁场抗扰度、脉冲磁场抗扰度、传导骚扰、辐射骚扰、射频场感应的传导抗扰度等相关设计。电磁干扰的主要形式电磁干扰主要是通过传导和辐射方式进入系统，影响系统工作，其他的方式还有共阻抗耦合和感应耦合。传导：传导耦合即通过导电媒质将一个电网络上的骚扰耦合到另一个电网络上,属频率较低的部分(低于 30MHz)。在我们的产品中传导耦合的途径通常包括电源线、信号线、互连线、接地导体等。辐射：通过空间将一个电网络上的骚扰耦合到另一个电网络上，属频率较高的部分(高于30MHz)。辐射的途径通过空间传递，在我们电路中引入和产生的辐射干扰主要是各种导线形成的天线效应。共阻抗耦合：当两个以上不同电路的电流流过公共阻抗时出现的相互干扰。在电源线和接地导体上传导的骚扰电流，多以这种方式引入到敏感电路。感应耦合：通过互感原理，将在一条回路里传输的电信号，感应到另一条回路对其造成干扰。分为电感应和磁感应两种。对这几种途径产生的干扰我们应采用的相应对策：传导采取滤波（如我们设计中每个IC的片头电容就是起滤波作用），辐射干扰采用减少天线效应（如信号贴近地线走）、屏蔽和接地等措施，就能够大大提高产品的抵抗电磁干扰的能力，也可以有效的降低对外界的电磁干扰。电磁兼容设计对于一个新项目的研发设计过程，电磁兼容设计需要贯穿整个过程，在设计中考虑到电磁兼容方面的设计，才不致于返工，避免重复研发，可以缩短整个产品的上市时间，提高企业的效益。一个项目从研发到投向市场需要经过需求分析、项目立项、项目概要设计、项目详细设计、样品试制、功能测试、电磁兼容测试、项目投产、投向市场等几个阶段。在需求分析阶段，要进行产品市场分析、现场调研，挖掘对项目有用信息，整合项目发展前景，详细整理项目产品工作环境，实地考察安装位置，是否对安装有所限制空间，工作环境是否特殊，是否有腐蚀、潮湿、高温等，周围设备的工作情况，是否有恶劣的电磁环境，是否受限与其他设备，产品的研制成功能否大大提高生产效率，或者能否给人们的生活或工作环境带来很大的方便，操作使用方式能否容易被人们所

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则1，常用电阻器、电位器第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分第六部分第七部分第八部分用字母表示主称用字母表示材料用数字或者字母表示分类用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示符号意义符号意义符号意义额定功率阻值允许误差精密等级封装 R 电阻器H 合成膜 1，2 普通 W 电位器S 有机实芯 3 超音频 N 无机实芯 4 高阻T 碳膜 5 高温Y 氧化膜 7 精密J 金属膜（箔） 8 电阻器-高压 I 玻璃釉膜电位器-特殊 X 线绕9 特殊 G 高功率 T 可调 W 微调 M 敏感 2，电容器第一部分（材料）第二部分分类（第三部分）（用数字或者字母直接表示）第四部分（用数字或者字母直接表示）第五部分（用数字或者字母直接表示）第六部分符号意义符号意义符号意义容值精密封装

瓷介云母有机电解等级 C 电容器C 高频瓷 1 圆片非密封非密封箔式T 低频瓷 2 圆形非密封非密封箔式I 玻璃釉 3 叠形密封密封烧结粉液体O 玻璃膜 4 独石密封密封烧结粉固体Y 云母 5 穿心穿心 V 云母纸 6 支柱等无极性Z 纸介7 J 金属化纸 8 高压高压高压 D 铝电解 9 特殊特殊 A 钽电解 G 高功率 N 铌电解 W 微调 Q 漆膜 G 合金电解 E 其它电解材料 B 聚苯乙烯等非极性有机薄膜 L 聚酯等极性有机薄膜 H 复合介质

芯片设计流程详解

芯片设计流程详解芯片，指的是内含集成电路的硅片，所以芯片又被称集成电路，可能只有2.5厘米见方大小，但是却包含几千万个晶体管，而较简单的处理器可能在几毫米见方的芯片上刻有几千个晶体管。芯片是电子设备中最重要的部分，承担着运算和存储的功能。高大上的芯片设计流程一颗芯片的诞生，可以分为设计与制造两个环节。芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出想要的IC 芯片，然而，没有设计图，拥有再强大的制造能力也无济于事。在IC 生产流程中，IC 多由专业IC 设计公司进行规划、设计，像是联发科、高通、Intel 等知名大厂，都自行设计各自的IC 芯片，提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。所以，IC设计是整个芯片成型最重要的一环。先看看复杂繁琐的芯片设计流程：芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必要的IC 芯片（这些会在后面介绍）。然而，没有设计图，拥有再强制造能力都没有用，因此，建筑师的角色相当重要。但是IC 设计中的建筑师究竟是谁呢？接下来要针对IC 设计做介绍：在IC 生产流程中，IC 多由专业IC 设计公司进行规划、设计，像是联发科、高通、Intel 等知名大厂，都自行设计各自的IC 芯片，提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC 是由各厂自行设计，所以IC 设计十分仰赖工程师的技术，工程师的素质影响着一间企业的价值。然而，工程师们在设计一颗IC 芯片时，究竟有那些步骤？设计流程可以简单分成如下。设计第一步，定目标在IC 设计中，最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在设计建筑前，先决定要几间房间、浴室，有什么建筑法规需要遵守，在确定好所有的功能之后在进行设计，这样才

电磁兼容EMC设计指南

EDP电磁兼容设计平台专注EMC解决方案，规范EMC设计流程；打造智能化的EMC设计平台。 1、企业面临的EMC设计应用现状 ?投入成本高，解决问题周期长；为解决产品EMC问题，不断进行测试验证，反复的进行改版设计。 ?企业设计人员EMC知识储备不全面；解决EMC问题往往靠设计人员过去的工作经验。 ?EMC设计流程不规范，EMC设计没有参透于电子产品开发过程各个阶段（总体方案阶段、设计阶段、开发阶段、测试阶段、认证阶段等）。 ?公司技术文献和多年积累的产品开发经验不能良好的共享、消化，没有一个系统将公司无形的技术经验转化为有形的产品开发技术要求。 2、企业面临的EMC问题 ?激烈的产品竞争要求企业开发的产品有更高的品质。 ?快速的市场变化要求企业有更高的产品开发效率。 ?高规格的EMC认证和EMC设计技术要求企业有更高的产品开发能力。 ?规范化的企业文化要求有更高效的产品开发流程。 3、EDP电磁兼容设计平台优势 ?赛盛技术多位专家10多年的经验融合荟萃； ?赛盛技术多项产品电磁兼容设计专利技术； ?智能化标准化项目管理设计平台 ?几十种典型接口电磁兼容解决方案； ?上百种PCB层叠电磁兼容设计方案； ?完整的电磁兼容布线设计规则； ?完整的结构屏蔽电磁兼容设计方案； ?多行业电缆与连接器电磁兼容解决方案； ?多行业、近百个产品实际电磁兼容设计验证与经验总结;

4、EMC设计平台介绍利用计算机技术，整合人工智能、数据库、互联网等开发手段，对于现有的电磁兼容技术资源（包括各种设计规则，解决方案等）以及企业产品研发积累的技术检验等进行全面的管理和应用，实现现阶段对于企业电磁兼容的研发流程规范化和研发工程师电磁兼容设计的技术支持和辅助开发；未来电磁兼容专家系统一提供智能化技术支持（包括产品开发电磁兼容风险评估功能，自动检查和纠正电磁兼容设计功能、产品设计系统仿真和功能电路仿真等）为主要目标和发展方向。电磁兼容设计平台：主要包括PCB设计、原理图设计、结构设计、电缆设计等四部分组成；系统依据用户设计要求和EMC设计要素，智能化输出相应的产品PCB设计方案、产品原理图设计方案、产品结构设计方案、产品电缆设计方案，然后用户依据产品信息保存方案（方案为标准技术设计模板，内容依据设计内容自动生成格式化的文件）。使用电磁兼容设计(EDP)软件,会让我们很轻松的完成这些复杂困难的工作，用户输入产品产品设计的相关要素，软件就能够智能化输出产品EMC设计方案。不管企业之前是否有电磁兼容设计经验？是否有电磁兼容设计规范？是否有电磁兼容标准化设计流程？是否有电磁兼容技术专家？企业在应用EDP软件后,EDP软件能够快速帮助企业解决以下方面问题： 1、快速提升企业产品电磁兼容性能：系统一旦使用上就能够快速地指导企业产品进行电磁兼容有效的设计工作，迅速提升企业产品的电磁兼容性能； 2、能够解决企业多型号产品同时开发，技术专家资源不够使用的情况：智能化的软件可以同时多款多个型号产品，不用设计阶段并行进行开发；能够在很短的时间内给出相应的设计方案，结合产品设计要求指导设计人员进行设计，不耽误产品由于专家资源不足而造成正常设计进度延误； 3、提高产品研发人员EMC技术设计水平：由于有规范化、标准化的方案输出，设计人员在进行新产品开发的时候，能够参考、学习标准化的技术方案；提升自身EMC设计知识水平，减少后期类似设计问题； EDP软件在手,EMC设计得心应手!