KDY—1型四探针电阻率方阻测试仪.
纳米银粉在低温银浆中的烧结工艺研究_刘文平(1)
收稿日期：2014-06-07 通讯作者：刘文平 基金项目：广西科学研究与技术开发计划（科技成果转化与推广计划）资助项目（No. 桂科转 1298009-15） ；广西科学研究与技术开发计划（科 技创新能力与条件建设计划）资助项目（No. 桂科能 1270010） 作者简介：刘文平（1986－） ，男，广西桂林人，工程师，主要从事纳米金属粉体的制备及应用，E-mail: 092101207@ 。
Sintering process of nano-silver powders in the application in low temperature silver pastes
LIU Wenping1,2, QIN Haiqing1,2, LIN Feng1,2, LEI Xiaoxu1,2, ZHANG Zhenjun1,2
2
结果与分析
1
实验
1.1 纳米银粉的制备与表征 使用南京工业大学生产的高真空三枪直流电弧 等离子体蒸发金属纳米粉体连续制备设备在阴极电 流 450 A，充气压强 0.04 MPa，氢氩体积比 1/6 的工 艺参数下制备纳米银粉。采用日本理学电机工业株 式会社生产的 D/max-2500V/PC X 射线衍射装置对 纳米银粉的结构进行测试，测试条件为铜靶 K单色 辐射，扫描功率：40 kV×300 mA，扫描速率（连续 扫描） ：8°/min，扫描范围：20°~100°，利用 Jade 软 件对结构测试数据进行分析。取少量制备好的纳米 银粉粘接在导电胶上，采用荷兰飞利浦公司的 FEI Quanta 200 FEG 场发射环境扫描电子显微镜观察纳 米银粉的颗粒大小、形貌以及团聚情况。
第 33 卷 第 9 期
刘文平等：纳米银熔点显著降低，通过将纳米 Au、 Ag、Ni、Cu 颗粒分散在有机载体中制备成导电墨水 和导电浆料，采用压印烧结的方式可以制造各种柔 性电子线路产品。其中导电墨水黏度小，固含量低， 在制作成电子线路时往往需要经过重复多层布线烧 结才能形成良好的导电通道，而导电浆料具有更高 的黏度和固含量，单层印制成的导电线路通过烧结 就能形成很好的导电通道[7-8]。目前通过压印导电浆 料在耐高温的陶瓷基材上制作电子线路产品的方法 已经取得了应用，但是还需进一步研究适合应用于 柔性高分子基材的低温烧结导电浆料。 银具有高导电性，且相对于金价格便宜，在空 气中比铜、镍稳定，其制备成的银浆可以在大气环 境条件下烧结，银浆现已成为目前导电浆料研发的 主体[9-10]。Seo 等[11]对银粉粒径大于 150 nm 的银浆 的烧结温度进行了研究，结果发现在 300 ℃以上烧 结时，所得样品导电效果良好，但是相对于柔性高 分子基材来说，其烧结温度仍然较高。纳米颗粒尺 寸越小，浆料的烧结温度越低，但体积收缩也越厉 害，对线路导电性的不利影响就越大，通过将不同 粒径的纳米颗粒复合应用，可以大大降低浆料的体 积收缩，改善其形成膜层的导电性[12]。但目前关于 300 ℃以下烧结工艺对低温纳米银浆形成的膜层导 电性的影响的研究报道较少。笔者以直流电弧等离 子蒸发凝聚法制备了一种同时含有不同大小纳米颗 粒的银粉，并以其作为导电功能相制备了低温银浆， 通过研究 300 ℃以下不同烧结工艺对导电膜层表面 形态、微观结构和导电性的影响，进一步分析了其 导电性变化的机理，获得了合适的烧结工艺，以期 在高分子柔性基材获得导电性良好的电子线路。
除油和蚀刻对ITO导电玻璃化学镀镍的影响
除油和蚀刻对ITO导电玻璃化学镀镍的影响焦亚萍;项腾飞;梅天庆;任春春【摘要】实验采用碱性除油去除ITO导电玻璃表面的油污,用磷酸溶液进行蚀刻以提高化学镀镍镀层的结合力,以硫酸镍为主盐进行了化学镀镍.研究了除油和蚀刻的工艺条件对镀镍层性能的影响,确定了化学镀镍前处理的最佳工艺参数.结果表明,用碱性化学除油液在25～35 ℃,除油6 min,用磷酸溶液在40℃左右,蚀刻3min的条件下进行前处理,所得镀层覆盖率高、选择性优,与基体的结合力良好.【期刊名称】《电镀与精饰》【年(卷),期】2015(037)008【总页数】5页(P35-39)【关键词】ITO导电玻璃;化学镀镍;前处理;除油;蚀刻【作者】焦亚萍;项腾飞;梅天庆;任春春【作者单位】南京航空航天大学材料科学与技术学院,江苏南京210016;南京航空航天大学材料科学与技术学院,江苏南京210016;南京航空航天大学材料科学与技术学院,江苏南京210016;南京航空航天大学材料科学与技术学院,江苏南京210016【正文语种】中文【中图分类】TQ153.12引言ITO(Indium Tin Oxide)薄膜［1-3］是掺锡的氧化铟薄膜，是一种优良的半导体透明导电薄膜，广泛应用于电子产品中的触摸屏。
ITO导电膜表面金属化的成熟制备方法是真空溅射法［4-7］，首先在特种玻璃上真空溅射得到一层ITO半导体导电膜，得到ITO导电玻璃，为了提高其导电性能，接着在ITO导电膜上再真空溅射一层金属导电层，然后在需要保留的ITO及其引线端区域印上保护膜，最后进行紫外显像刻蚀、剥离等步骤，最终得到所需要的线路，这在工业上已经是成熟工艺。
真空溅射法制备薄膜时无选择性，在ITO导电膜上沉积的同时，玻璃基体上也沉积一层金属，因而后续步骤要对玻璃基体上沉淀的金属和不需要金属化的区域进行剥离。
该方法的工艺程序复杂，设备投资和操作要求高，生产效率低，成本高。
化学镀［8-10］是在没有外电流通过，利用还原剂将溶液中的金属离子还原在呈催化活性的基体表面，形成金属镀层的表面处理及修饰技术。
半导体常规电学参数测试
❖ 3）测试电流
❖ 在测量过程中，通过样品的电流从两方面影响电阻率： ❖ a）少子注入并被电场扫到2,3探针附近，使电阻率减小； ❖ b）电流过大，使样品温度提高，样品的晶格散射作用加强，
导致电阻率会提高。
❖ 因此，要求电流尽量小，以保证在弱电场下进行测试。 ❖ a）对硅单晶材料，一般选取电场E小于1V/cm. ❖ b）若针距为1mm，则2,3探针的电位差不超过100mv.
半导体材料，电阻率反映了补偿后的杂质浓度。一般而言， 电阻率是杂质浓度差的函数。 ❖ 以P型半导体为例：
1
(NA ND)pq
式中----NA 为受主杂质浓度，ND 为施主杂质浓度 μp为空穴迁移率，q为电子电荷
第一章半导体常规电学参数测试
❖ 二、电阻率的测试方法
❖ 按照测量仪器分类：
两探针法
❖ 1、接触法：
❖ 3、用冷热探笔测量时，保证热探笔不能太高（40-60℃）， 并不断交换冷热探笔的位置（欧姆接触，探笔触头60°， In 或Pb） 。
❖ 4、三探针法：探针接触压力小，探针接触半径不大于 50μm，。
❖ 5、避免电磁场的干扰。
第一章半导体常规电学参数测试
1.2 半导体硅单晶电阻率的测量
❖ 一、半导体材料的电阻率与载流子浓度 ❖ 电阻率是荷电载体流经材料时受到阻碍的一种量度。对于
影响，试样测量表面一般要求经过粗砂研磨或喷砂处理。 ❖ b)要求试样表面具有较高的平整度，且样品厚度以及任一探
针距样品边缘的距离必须大于4倍针距，以满足近似无穷大 的测试条件。 ❖ c)各测试点厚度与中心厚度的偏差不应大于±1%。
第一章半导体常规电学参数测试
❖ 2）测试探针
❖ a）选择合适的材料作探针，目前一般使用钨丝、碳化钨等 材料。
四探针法测量电阻率
一、引言 电阻率是反映半导体材料导电性能的重要参数之一.虽然测量电阻率的方法很多, 但由于四探针法设备简单、操作方便、精确度高、测量范围广，而且对样品形状无严 格要求，不仅能测量大块材料的电阻率，也能测量异形层、扩散层、离子注入层及外 延层的电阻率，因此在科学研究及实际生产中得到广泛利用。 本实验是用四探针法测量硅单晶材料的电阻率及 pn 结扩散层的方块电阻。通过 实验，掌握四探针法测量电阻率的基本原理和方法以及对具有各种几何形状样品的修 正，并了解影响测量结果的各种因素。 二、原理 1、 四探针法测量单晶材料的电阻率 最常用的四探针法是将四根金属探针的针尖排在同一直线上的直线型四探针法，如 图 2.1 所示。当四根探针同时压在一块相对于探针间距可视为半无穷大的半导体平坦表 面上时，如果探针接触处的材料是均匀的，并可忽略电流在探针处的少子注入，则当电 流 I 由探针流入样品时，可视为点电流源，在半无穷大的均匀样品中所产生的电力线具 有球面对称性，即等势面为一系列以点电流源为中心的半球面。样品中距离点电源 r 处 的电流密度 j，电场ε和电位 V 分别为
0
式中 q 为电子电荷，u 为扩散层中多数载流子的迁移率。因此，可引入扩散层平均电阻 率 ，可以证明，
R X j C 0
三、实验装置
V23 X j ............(15) I
实验装置主要由三部分组成：四探针头、电流调节装置、电压测试仪。 1、 四探针头 四根探针头要等距离地排列在一直线上，探针间距要固定（通常约为 1mm 左右） ， 游移度要小。探针头地曲率半径约为 50um 左右，探针之间的电绝缘性能要好。为了 使探针和样品形成较好的欧姆接触，要求探针与待测材料有较低的接触电势差，而且 探针和样品之间要加一定的压力（每根探针压力为 100－200g） 。因此，探针要用导电 性能好的硬质、耐磨金属制成，通常采用钨、碳化钨、锇铱合金、合金钢等。 2、 电流调节装置 四探针法的测试电路如图 2.2 所示。
导电银浆出货检测标准20200312
导电银浆出货检测标准一、测试基材准备1.ITO-film的准备使用切纸机将玲寅ITO-film切制成小片备用，其规格为2cm×4cm。
要求切片过程迅速，避免毛刺或不整齐边缘的形成。
2.蚀刻ITO-film的准备A.将成卷的玲寅ITO-film切制成大片备用，其规格为8cm×16cm。
使用DI水将浓盐酸稀释以配制蚀刻ITO专用的HCl水溶液，其溶质质量分数为10%。
B.撕下ITO-film导电面的保护薄膜，将膜材轻轻放入盐酸蚀刻液中，保持膜材浸没15分钟，然后取出膜材，使用DI水冲洗已经蚀刻好的膜材，冲洗5遍即可，最后将冲洗干净的膜材置入测试实验室高温烘箱A中烘烤，烘烤条件为140℃×2h，烘烤完成后取出，待冷却后迅速附上一层PE保护膜，防止水分和灰尘附着在基材表面。
C.贴好PE保护膜后，使用切纸机将蚀刻ITO-film切制成小片备用，其规格为2cm×4cm。
要求切片过程迅速，避免毛刺或不整齐边缘的形成。
3.PET-film的准备使用切纸机将玲寅ITO-film切制成小片备用，其规格为2cm×4cm。
要求切片过程迅速，避免毛刺或不整齐边缘的形成。
其不导电面即为PET面。
4.Glass的准备A.将规格为2cm×4cm的载玻片置入盛有酒精的烧杯中，超声波清洗10min，取出后使用无尘布擦拭，然后放入垫有无尘布的托盘中，待所有玻璃擦拭完毕后再覆上一层无尘布，边缘用镊子压住，防止烘箱中的热风将其吹起。
B.盖好玻璃后放入烘箱中烘干，烘烤条件为140℃×1h。
即洗即烘即用，以免防止时间过长水和灰尘附着在玻璃上。
二、测试方法1.成品银浆粘度的测定银浆生产完成后，需要进行粘度的测定，其粘度需控制在600±100dPa·S，测试过程中需记录测试样品的批次及时间，读取粘度数据后需测试银浆内部温度并作好记录，要求得到测试温度为25℃时银浆的粘度。
四探针法测量方块电阻(率)说明书
SDY-5型双电测四探针测试仪技术说明书一、概述二、技术指标三、测量原理四、仪器结构说明五、使用方法六、注意事项七、打印机操作方法一、概述SDY-5型双电测四探针测试仪采用了四探针双位组合测量新技术，将范德堡测量方法推广应用到直线四探针上，利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，能自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响。
因而不必知道探针间距，样品尺寸及探针在样品表面上的位置。
由于每次测量都是对几何因素的影响进行动态的自动修正，因此显著降低了几何因素影响，从而提高了测量准确度。
用目前大量使用的常规四探针测量方法所生产的仪器是根本办不到的。
使用本仪器测量时，由于不需要进行几何边界条件和探针间距的修正，因而对各种形状的薄膜材料及片状材料有广泛的适用性。
仪器适用于测量片状半导体材料电阻率及硅扩散层、离子注入层、异型外延层等半导体器件和液晶片导电膜、电热膜等薄层（膜）的方块电阻。
仪器以大规模集成电路为核心部件，并应用了微计算机技术。
利用HQ-710F型微计算机作为专用测量控制及数据处理器，使得测量、计算、读数更加直观、快速，并能打印全部预置和测量数据。
二、技术指标1.测量范围：硅片电阻率：0.01—200Ω.cm (可扩展)薄层电阻：0.01—2000Ω/口(可扩展)(方块电阻)可测晶片直径：最大直径100 mm(配J-2型手动测试架)200 mm(配J-5型手动测试架)可测晶片厚度：≤ 3.00 mm2.恒流电源:电流量程分为100μm、1mA、10mA、100mA四档。
各档电流连续可调。
稳定度优于0.1% 3.数字电压表:量程：0-199.99mV；分辨率：0.01 mV显示：四位半红色发光管数字显示.极性、小数点、超量程自动显示。
精度：±0.1%4.模拟电路测试误差:(用1、10、100、1000Ω精密电阻)≤±0.3%±1字5. 整机准确度:(用0.01—200Ω.cm 硅标样片测试)<5%6. 微计算机功能:(1)键盘控制测量取数,自动控制电流换向和电流、电压探针的变换，并进行正、反向电流下的测量，显示出平均值。
四探针测试电阻率和方块电阻的实验教案
四探针测试电阻率和方块电阻的实验教案第一篇：四探针测试电阻率和方块电阻的实验教案《四探针测试电阻率和方块电阻》的实验教案一、实验教学目的通过该实验，通过让学生测试不同样品的电阻率和方块电阻。
增强学生的实际动手能力，加深对电阻率和方块电阻的认识，为将来从事微电子相关的研究和测试方面的工作打好基础。
二、实验教学原理及要求1、实验教学原理电阻率是决定半导体材料电学特性的重要参数，它为自由载流子浓度和迁移率的函数。
半导体材料电阻率的测量方法有多种，其中四探针法具有设备简单、操作方便、测量精度高，以及对样品的形状无严格的要求等优点，是目前检测半导体材料电阻率的主要方法。
直线型四探针法是用针距为s（通常情况s=1mm）的四根金属同时排成一列压在平整的样品表面上，如图1所示，其中最外部二根（图1中1、4两探针）与恒定电流源连通，由于样品中有恒电流I通过，所以将在探针2、3之间产生压降V。
图1测量方阻的四探针法原理对半无穷大均匀电阻率的样品，若样品的电阻率为ρ，点电流源的电流为I，则当电流由探针流入样品时，在r处形成的电势V(r)为V(r)=Iρ………………………(1)2πr同理，当电流由探针流出样品时，在r处形成的电势V(r)为V(r)=-Iρ...........................(2)2πr可以看到，探针2处的电势V2是处于探针点电流源+I 和处于探针4处的点电流源-I贡献之和，因此：Iρ11V2=(-) (3)2πs2s同理，探针3处的电势V3为V3=Iρ11(-)……………………(4)2π2ss 探针2和3之间的电势差V23为V23=V2-V3=Iρ………………..(5)2πs由此可得出样品的电阻率为V ρ=2πs23 (6)I从式（1）至式（6），对等距直线排列的四探针法，已知相连探针间距s，测出流过探针1和探针4的电流强度I、探针2和探针3之间的电势差V23，就能求出半导体样品的电阻率ρ。
KDY—1型四探针电阻率方阻测试仪.
KDY—1型四探针电阻率/方阻测试仪使用说明书广州市昆德科技有限公司1、概述KDY-1型四探针电阻率/方阻测试仪（以下简称电阻率测试仪）是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电薄膜、导电橡胶方块电阻的测量仪器。
它主要由电气测量部份（简称：主机）、测试架及四探针头组成。
本仪器的特点是主机配置双数字表，在测量电阻率的同时，另一块数字表（以万分之几的精度）适时监测全程的电流变化，免除了测量电流/测量电阻率的转换，更及时掌控测量电流。
主机还提供精度为0.05%的恒流源，使测量电流高度稳定。
本机配有恒流源开关，在测量某些薄层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，更好地保护箔膜。
仪器配置了本公司的专利产品：“小游移四探针头”，探针游移率在0.1～0.2%。
保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。
本机如加配HQ-710E数据处理器，测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正，并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的最大百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均匀度，给测量带来很大方便。
2、测试仪结构及工作原理测试仪主机由主机板、电源板、前面板、后背板、机箱组成。
电压表、电流表、电流调节电位器、恒流源开关及各种选择开关均装在前面板上（见图2）。
后背板上只装有电源插座、电源开关、四探针头连接插座、数据处理器连接插座及保险管（见图3）。
机箱底座上安装了主机板及电源板，相互间均通过接插件联接。
仪器的工作原理如图1所示：测试仪的基本原理仍然是恒流源给探针头（1、4探针）提供稳定的测量电流I （由DVM1监测），探针头（2、3）探针测取电位差V（由DVM2测量），由下式即可计算出材料的电阻率：厚度小于4倍探针间距的样片均可按下式计算式中：V——DVM2的读数，mV。
I——DVM1的读数，mA。
W——被测样片的厚度值以cm为单位。
F（W/S）——厚度修正系数，数值可查附录二。
四探针法计算方块电阻
四探针方阻测试仪方块电阻是表征薄膜导电性能的物理量，通常采用四探针探测仪来测定，该方法原理简单，数据处理方便，测量时是非破坏性的，因此被广泛使用。
图2.3 是电流平行经过ITO 膜层的情形，其中：d 为膜厚，I 为电流，L1 为在电流方向的膜层长度，L2 为在垂直于电流方上的膜层长度。
图2.3 方块电阻示意图Fig. 2.3 Diagram of block resistance当电流流过如图所示的方形导电膜层时，该层的电阻为(2. 9)式中，ρ为导电膜的电阻率，对于给定的膜层，ρ和d 可以看成是定值。
L1=L2时，即为正方形的膜层，其电阻值均为定值ρ/d。
这就是方块电阻的定义，即(2. 10)式中，R□的单位为：欧姆/□(Ω/□) ；ρ的单位为欧姆(Ω)；d 的单位为米(m)。
由此可以看出方块电阻的特点：对于给定膜层，其阻值不随所采用正方形的大小变化，仅与薄膜材料的厚度有关。
四探针测试法如图2.4 所示，在半径无穷大的均匀试样上有四根等间距为S 的探针排列成一直线。
由恒流源向外面两根探针1、4 通入小电流I，测量中间两根探针2、3 间的电位差U，则由U、I、S 的值求得样品的电阻率ρ。
图2.4 四探针测试法示意图Fig. 2.4 Schematic diagram of four-probe method当电流I 由探针1 流入样品时，若将探针与接触出看成点电源，则等势面是以点电源为中心的一系列半球面，在距离探针r 处的电流密度为：(2. 11)由微分欧姆定律J=E /ρ可得出距探针r 处的电场强度为(2. 12)由于E=－dU/dr，而且，r→∞时，U→0。
则在距离探针r 处的电位U 为：(2. 13)同理当电流由探针4 流出样品时，在r 处的电位为：(2. 14)用直线四探针法测量电阻率时，电流I 从探针1 流入，探针4 流出，根据电位叠加原理，探针2，3 处的电位可分别写成：(2. 15)因此探针2，3 之间的电位差：(2. 16)即：(2. 17)是直线四探法测量电阻率的基本公式，它要求试样为无穷大，且半导体各边界与探针的距离大于探针的间距。
KDY1A便携式电阻率方阻测试仪
KDY-1A便携式电阻率/方阻测试仪使用说明书北京绿野创能机电设备有限公司1、概述KDY-1A便携式电阻率测试仪是用来测量硅晶块、晶片的电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器。
本仪器按照半导体材料电阻率的国际及国家标准测试方法有关规定设计。
它主要由电器测量部份（主机）及四探针头组成，需要时可加配测试架。
为减小体积，本仪器用同一块数字表测量电流及电阻率。
样品测试电流由高精度的恒流源提供，随时可进行校准，以确保电阻率测量的准确度。
因此本仪器不仅可以用来分选材料也可以用来作产品检测。
对1～100Ω·cm标准样片的测量误差不超过±3%，在此范围内达到国家标准一级机的水平。
2、测试仪结构及原理测试仪主机由主机板、前面板、后背板及机箱组成，数字表、测试电流换档开关、电阻率/方阻转换开关、校准/测量变换开关以及电流调节电位器均装在前面板上。
后背板上只装有电源插座、电源开关、保险管及四探针连接插座。
机箱底板上只装了主机板。
前后面板与主机板之间的联接均采用接插件，便于拆卸维修。
KDY-1A型电阻率测试仪的基本原理是恒流源给探头1.4探针提供稳定的测量电流I，由2、3探针测取被测样品上的电位差V，当样块厚度大于4倍探针间距，即可由下式计算出材料的电阻率；ρ＝2πS×V/I×F SP （1）这是大家熟悉的样品厚度和任一探针离样品边界的距离均大于4倍探针间距（近似半无穷大的边界条件），无需进行厚度、直径修正的经典公式。
此时如用间距S=1mm 的探头，电流I选择0.628；用S=1.59mm的探头，电流I选择0.999，即可从本仪器的电压表（DVM2）上直接读出电阻率。
如选择测量电流只要处理好小数点的位置，数字电压表上显示的V 值即等于ρ。
当探针间距修正系数F=1.00时如：SP探针间距(S)=1mm 可选I=62.8mA或6.28mA探针间距(S)=1.59mm 可选I=100.0mA或10.00mA当样块厚度小于4倍探针间距的样片均可按下式计算×Ft（2）ρ=V/I×W×F（W/S）×F（S/D）×FSP式中：V——电压的读数，mV。
材料电阻率的测量(四探针法)
材料电阻率的测量（四探针法）一：实验目的1：熟悉四探针法测量电阻率和薄层电阻的原理及测量方法。
2：了解影响电阻率测量的各种因素及改进措施。
二：实验仪器1:实验仪器：RTS-5 型双电测四探针测试仪RTS-5 型双电测四探针测试仪测量原理通过采用四探针双位组合测量技术，将范德堡测量方法推广应用到直线四探针上。
利用电流探针和电压探针的组合变换，进行两次电测量，其最后计算结果能自动消除由样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素所引起的，对测量结果的不利影响。
因而在测试过程中，在满足基本条件下可以不考虑探针间距、样品尺寸及探针在样品表面上的位置等因素。
这种动态地对以上不利因素的自动修正，显著降低了其对测试结果的影响，从而提高了测量结果的准确度。
其优点是目前广泛使用的常规四探针测量方法根本办不到的。
2:技术指标A:测量范围电阻率：0.001～200Ω.cm(可扩展)；方块电阻：0.01～2000/□(可扩展)；电导率：0.005～1000s/cm；适合样品厚度：≤3.00mm；可测晶片直径：140mmX150mm (配 S-2A 型测试台)；200mmX200mm (配 S-2B 型测试台)；400mmX500mm (配 S-2C 型测试台)；B:恒流源电流量程分为 0.1mA、1mA、10mA、100mA 四档，各档电流连续可调；C:数字电压表量程及表示形式：000.00～199.99mV；分辨力：10μV；输入阻抗：＞1000MΩ；精度：±0.1%；显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示；D:四探针探头基本指标间距：1±0.01mm；针间绝缘电阻: ≥1000MΩ；机械游移率: ≤0.3％；探针：碳化钨或高速钢材质，探针直径Ф0.5mm；探针压力：5～16 牛顿(总力)；E:四探针探头应用参数见探头附带的合格证，合格证含三参数项：C：探针系数； F：探针间距修正因子； S：探针平均间距；F: 模拟电阻测量相对误差（按 JJG508- - 87 进行）0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω≤0.3％±１字；G:整机测量最大相对误差（用硅标样片:0.01-180Ω.cm测试）≤±4%；H:整机测量标准不确定度≤4％；I:外型尺寸（大约）电气主机：370mm×320mm×100mm；S-2A 型测试台：190mm×140mm×260mm；S-2B 型测试台：300mm×210mm×400mm；S-2C 型测试台：500mm×400mm×350mm；J:仪器重量（大约）电气主机：3.5kg；S-2A 型测试台：2kg；S-2B 型测试台：2.5kg；S-2C 型测试台：4kg；；K:标准使用环境温度:：23±2℃；相对湿度：≤65％；无高频干扰；无强光直射；三:实验原理1：电阻率的测量是半导体材料常规参数测量项目之一2:四探针法是一种广泛采用的标准方法，在半导体工艺中最为常用，其主要优先在于设备简单，操作方便，准确度高，对样品的几何尺寸无严格要求。
四探针法测电阻率
实验 四探针法测电阻率1．实验目的：学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。
2．实验内容① 硅单晶片电阻率的测量：选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片，改变条件（光照与否），对测量结果进行比较。
② 薄层电阻率的测量：对不同尺寸的单面扩散片和双面扩散片的薄层电阻率进行测量。
改变条件进行测量（与①相同），对结果进行比较。
3． 实验原理：在半导体器件的研制和生产过程中常常要对半导体单晶材料的原始电阻率和经过扩散、外延等工艺处理后的薄层电阻进行测量。
测量电阻率的方法很多，有两探针法，四探针法，单探针扩展电阻法，范德堡法等，我们这里介绍的是四探针法。
因为这种方法简便可行，适于批量生产，所以目前得到了广泛应用。
所谓四探针法，就是用针间距约1毫米的四根金属探针同时压在被测样品的平整表面上如图1a 所示。
利用恒流源给1、4两个探针通以小电流，然后在2、3两个探针上用高输入阻抗的静电计、电位差计、电子毫伏计或数字电压表测量电压，最后根据理论公式计算出样品的电阻率［１］式中，C 为四探针的修正系数，单位为厘米，C 的大小取决于四探针的排列方法和针距，探针的位置和间距确定以后，探针系数C 就是一个常数；V 23为2、3两探针之间的电压，单位为伏特；I 为通过样品的电流，单位为安培。
半导体材料的体电阻率和薄层电阻率的测量结果往往与式样的形状和尺寸密切相关，下面我们分两种情况来进行讨论。
⑴ 半无限大样品情形图1给出了四探针法测半无穷大样品电阻率的原理图，图中(a)为四探针测量电阻率的装置；(b)为半无穷大样品上探针电流的分布及等势面图形；(c)和(d)分别为正方形排列及直线排列的四探针图形。
因为四探针对半导体表面的接触均为点接触，所以，对图１（b ）所示的半无穷大样品，电流I 是以探针尖为圆心呈径向放射状流入体内的。
因而电流在体内所形成的等位面为图中虚线所示的半球面。
于是，样品电阻率为ρ，半径为r ，间距为dr 的两个半球等位面间的电阻为dr rdR 22πρ=， 它们之间的电位差为 dr r IIdR dV 22πρ==。
直线四探针方阻电阻率测试仪的检测校准器[实用新型专利]
![直线四探针方阻电阻率测试仪的检测校准器[实用新型专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/3803b6fd0408763231126edb6f1aff00bed570b6.png)
[19]中华人民共和国国家知识产权局[12]实用新型专利说明书[11]授权公告号CN 2325782Y [45]授权公告日1999年6月23日[21]ZL 专利号98209496.5[21]申请号98209496.5[22]申请日98.4.16[73]专利权人张郁华地址510610广东省广州市东莞庄广州半导体材料研究所5栋603房[72]设计人张郁华 李达汉 王昕 [74]专利代理机构华南理工大学专利事务所代理人罗观祥[51]Int.CI 6G01R 27/00权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 3 页[54]实用新型名称直线四探针方阻电阻率测试仪的检测校准器[57]摘要本实用新型是一种直线四探针方阻电阻率测试仪的检测校准器。
它由上盖、面板、电路板、环氧树脂、接线柱、模拟接触电阻、精密电阻、金属电极、底座连接构成,其位置连接关系为:上盖与底座套合,面板通过接线柱及金属电极与电路板相接,模拟接触电阻与精密电阻安装于电路板上构成π型电阻网络电路,金属电极焊接于电路板并完全与面板上的引导孔相对准,环氧树脂把除上盖外的所有部件固封成一整体。
本校准器精度高,稳定性好,压不碎,使用方便,成本低。
98209496.5权 利 要 求 书第1/1页 1、一种直线四探针方阻电阻率测试仪的检测校准器，其特征在于：它由上盖(1)、面板(2)、印刷电路板(3)、环氧树脂(4)、接线柱埋入部分(5)、模拟接触电阻R(6)、精密电阻r(7)、引导孔(8)、金属电极(9)、接线柱外露部分(10)、底座(11)共同连接构成，其相互位置及连接关系为：上盖(1)与底座(11)相密配套接，面板(2)与印刷电路板(3)相粘接，接线柱埋入部分(5)与印刷电路板(3)上的相应位置相联接，模拟接触电阻R(6)与印刷电路板(3)上相应位置的敷铜膜相焊接，精密电阻r(7)焊接在印刷电路板(3)上，其两端脚分别与两个接线柱的埋入部分(5)相联接，模拟接触电阻R(6)与精密电阻r(7)相电气连接后构成π形电阻网络电路，面板(2)上特制有与测试仪的四探针间距严格相等的四个引导孔(8)，其孔径与探针直径相等，每个孔内固定着接触电阻极低，接触性能优良且经久耐磨的特种合金金属电极(9)，即四个金属电极(9)分别藏在四个引导孔(8)内，且面板2上刻有四孔的联线，金属电极(9)分别装于印刷电路板(3)上并分别与相应模拟接触电阻R(6)及精密电阻r (7)相联接，印刷电路板(3)装置于底座(11)内，环氧树脂(4)灌封于底座(11)内，面板(2)也与环氧树脂(4)粘结在一起，底座(11)内除上盖(1)以外的所有零部件通过环氧树脂(4)固封成一整体。
纳米银粉在低温银浆中的烧结工艺研究_刘文平(1)
由于传统光刻法在制造微纳电子技术产品方面 的不足，越来越多的研究人员把注意力集中于低成 利用新发展起来的压印 本非光刻技术的发展研究[1]。 技术作为常用的非光刻技术，可以直接在基材上获 得导电线路，大量降低生产成本和投资成本，其已
被用于制作各种尺寸的二维或者三维电路图形，布 线精度高，生产速度快，目前主要应用于柔性显示 屏、RFID 标签、智能卡和生物传感器、太阳能电池 电极、LED 冷光源、OLED(有机发光显示器)等的制 作[2-6]。由于热力学尺寸效应，相对于块体金属，纳
(1. National Engineering Research Center for Special Mineral Material, China Nonferrous Metal (Guilin) Geology and Mining Co., Ltd, Guilin 541004, China; 2. Guangxi Key Laboratory of Superhard Material, China Nonferrous Metal (Guilin) Geology and Mining Co., Ltd, Guilin 541004, China)
2
结果与分析
1
实验
1.1 纳米银粉的制备与表征 使用南京工业大学生产的高真空三枪直流电弧 等离子体蒸发金属纳米粉体连续制备设备在阴极电 流 450 A，充气压强 0.04 MPa，氢氩体积比 1/6 的工 艺参数下制备纳米银粉。采用日本理学电机工业株 式会社生产的 D/max-2500V/PC X 射线衍射装置对 纳米银粉的结构进行测试，测试条件为铜靶 K单色 辐射，扫描功率：40 kV×300 mA，扫描速率（连续 扫描） ：8°/min，扫描范围：20°~100°，利用 Jade 软 件对结构测试数据进行分析。取少量制备好的纳米 银粉粘接在导电胶上，采用荷兰飞利浦公司的 FEI Quanta 200 FEG 场发射环境扫描电子显微镜观察纳 米银粉的颗粒大小、形貌以及团聚情况。
四探针测试仪测量薄膜的电阻率(2012)
四探针测试仪测量薄膜的电阻率一、 实验目的1、掌握四探针法测量电阻率和薄层电阻的原理及测量方法；2、了解影响电阻率测量的各种因素及改进措施。
二、实验仪器采用SDY-5型双电测四探针测试仪（含：直流数字电压表、恒流源、电源、DC-DC 电源变换器）。
三、实验原理电阻率的测量是半导体材料常规参数测量项目之一。
测量电阻率的方法很多，如三探针法、电容---电压法、扩展电阻法等。
四探针法则是一种广泛采用的标准方法，在半导体工艺中最为常用。
1、半导体材料体电阻率测量原理在半无穷大样品上的点电流源， 若样品的电阻率ρ均匀， 引入点电流源的探针其电流强度为I ，则所产生的电场具有球面的对称性， 即等位面为一系列以点电流为中心的半球面，如图1所示。
在以ｒ为半径的半球面上，电流密度ｊ的分布是均匀的：若E 为ｒ处的电场强度， 则：由电场强度和电位梯度以及球面对称关系， 则：取ｒ为无穷远处的电位为零， 则：（1）dr d E ψ-=dr rI Edr d 22πρψ-=-=⎰⎰⎰∞∞I -=-=)(022r rr r dr Edr d ψπρψ图2 任意位置的四探针 图1 点电流源电场分布 rl r πρψ2)(=图3 四探针法测量原理图 上式就是半无穷大均匀样品上离开点电流源距离为ｒ的点的电位与探针流过的电流和样品电阻率的关系式，它代表了一个点电流源对距离ｒ处的点的电势的贡献。
对图2所示的情形，四根探针位于样品中央，电流从探针1流入，从探针4流出， 则可将1和4探针认为是点电流源，由1式可知，2和3探针的电位为：2、3探针的电位差为： 此可得出样品的电阻率为：上式就是利用直流四探针法测量电阻率的普遍公式。
我们只需测出流过1、4 探针的电流I 以及2、3 探针间的电位差V 23，代入四根探针的间距， 就可以求出该样品的电阻率ρ。
实际测量中， 最常用的是直线型四探针（如图3所示），即四根探针的针尖位于同一直线上，并且间距相等， 设r 12=r 23=r 34=S ，则有：S IV πρ223= 需要指出的是： 这一公式是在半无限大样品的基础上导出的，实用中必需满足样品厚度及边缘与探针之间的最近距离大于四倍探针间距，这样才能使该式具有足够的精确度。
7_四探针测试半导体薄膜的电阻率
实验七四探针测试半导体薄膜的电阻率SZT—1型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量装置，可以测量棒状、块状半导体材料的径向和轴向电阻率，片状半导体材料的电阻率和扩散层方块电阻，换上特制的四端子测试夹还可以对低、中值电阻进行测量。
仪器由集成电路和晶体管电路混合组成，具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好，测量范围广，结构紧凑，使用方便的特点，测量结果由数字直接显示。
仪器探头采用宝石导向轴套，与高耐磨合金探针组成具有定位准确，游移率小，寿命长的特点。
本仪器适合于对半导体、金属、绝缘体材料的电阻性能测试。
一、实验目的（1）了解四探针电阻率测试仪的基本原理；（2）了解的四探针电阻率测试仪组成、原理和使用方法；（3）能对给定的物质进行实验，并对实验结果进行分析、处理。
二、实验原理测试原理：直流四探针法测试原理简介如下：1．体电阻率测量：当1、2、3、4根金属探针排成直线时，并以一定的压力压在半导体材料上在1、4两处探针间通过电流I，则2、3探针间产生电位差V。
材料的电阻率如下（6.1）式：（.cm）（6.1）式中C为探针系数，由探针几何位置决定。
图6.1 四探针测量原理图当试样电阻率分布均匀，试样尺寸满足半无限大条件时，（cm）（6.2）式中：、、分别为探针1与2，2与3，3与4之间的间距，当===1 mm时，C=2π。
若电流取I = C时，则ρ= V 可由数字电压表直接读出。
（1）块状和棒状样品体电阻率测量由于块状和棒状样品外形尺寸也探针间距比较，合乎与半无限大的边界条件，电阻率值可以直接由（1），（2）式求出。
（2）薄片电阻率测量薄片样品因为其厚度与探针间距比较，不能忽略，测量时要提供样品的厚度形状和测量位的修正系数。
电阻率可由下面公式得出：（6.3）式中：——为块形体电阻率测量值——为样品厚度与探针间距的修正函数，可由相关表格查得——为样品形状和测量位置的修正函数。
当圆形硅片的厚度满足W/S<0.5时，电阻率为：（6.4）2．扩散层的方块电阻测量：当半导体薄层尺寸满足于半无限大平面条件时：（6.5）若取I =4.53，则R值可由V表中直接读出。
四探针方法测电阻率
的测量，如电导率、迁移率等，为材料科学和电子学等领域的研究提供
更多有价值的数据。
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导线
用于连接测试设备和样品，需选用低 阻抗导线。
实验环境与条件
01
02
03
实验室环境
保持实验室温度、湿度和 清洁度等环境因素稳定， 以保证测量结果的准确性。
电源条件
确保电源电压稳定，避免 电压波动对测量结果的影 响。
安全措施
实验操作过程中需注意安 全，遵守实验室安全规定， 确保实验人员和设备的安 全。
07
结论与展望
研究结论
1 2
电阻率测量精ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ高
四探针方法通过四个探针同时接触样品，能够有 效地减小接触电阻和测量误差，从而获得更高的 电阻率测量精度。
适用范围广
四探针方法适用于各种不同类型和规格的样品， 如金属、半导体、陶瓷等，具有较广的适用范围。
3
操作简便
四探针方法不需要对样品进行特殊处理或制备， 只需将探针放置在样品上即可进行测量，操作简 便易行。
随着科技的发展，四探针方法的应用领域不断拓展，不仅局限于半导体和金属材料检测。
在新能源领域，如太阳能电池和燃料电池的生产过程中，四探针方法可用于检测材料的电阻 率，提高电池性能和稳定性。
在环境监测领域，四探针方法可应用于土壤电阻率的测量，为土壤污染治理和土地资源管理 提供依据。此外，在地质勘探、生物医学和食品检测等领域，四探针方法也展现出广阔的应 用前景。
的测量。
四探针的优点与局限性
优点
四探针法具有较高的测量精度和稳定 性，适用于各种形状和尺寸的样品， 且操作简便、快速。
局限性
四探针法需要与被测材料直接接触， 可能会对材料表面造成损伤或污染； 同时对于导电性较差或不均匀的材料 ，测量结果可能存在误差。
四探针方法测电阻率
为：
的半球等位面
由此可得出样品的电阻率为：
簿片电阻率测量 簿片样品因为其厚度与探针间距比较， 不能忽略，测量时要提供样品的厚度形 状和测量位置的修正系数。
下面考虑一般情况下的修正：
当圆形硅片的厚度满足W/S＜0.5时，电阻率为：
0
W S
1 D(d ) 2 ln 2 S
这就是我们实验时用到的公式
1.显示板 2、单位显示灯 3、电流量程开关 4、工作 选择开关（短路、测量、调节、自校选择）5、电 压量程开关6、输入插座7、调零细调8、调零粗调9、 电流调节10、电源开关11、电流选择开关 12、极性 开关
6、工作状态选择开关置于“测量”，按下电流开关 输出恒定电流，即可由数字显示板和单位显示灯 直接读出测量值。再将极性开关拨至下方（负极 性），按下电流开，读出测量值，将两次测量值 取平均，即为样品在该处的电阻率值。关如果 “±”极性发出闪烁信号，则测量数值已超过此电 压量程，应将电压量程开关拨到更高档，读数后
<六>心得体会
一、通过对四探针法的研究，我们探索到了测 电阻率时需要的修正函数（厚度修正函数以及 形状和测量位置的修正函数）。 二、体会了研究性实验的探索过程，感悟了科 学研究历程的愉悦。 三、推广了四探针法的测量范围，可以对不规 则硅晶片进行测量计算。
退出电流开关，数字显示恢复到零位.
实验数据
通过修正公式修正后，得到：
与实验预期结果相吻合，因 此该验证公式较为理想。
<五> 注意事项
1、电流量程开关与电压量程开关必须放在 下表所列的任一组对应的量程
电压 2V 200m 20mV 2mV 0.2m
量程
V
V
电流 100m 10mA 1mA 100μ 10μA
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KDY — 1 型四探针电阻率/方阻测试仪使用说明书广州市昆德科技有限公司1、概述KDY-1型四探针电阻率/方阻测试仪（以下简称电阻率测试仪）是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电薄膜、导电橡胶方块电阻的测量仪器。
它主要由电气测量部份（简称：主机）、测试架及四探针头组成。
本仪器的特点是主机配置双数字表，在测量电阻率的同时，另一块数字表（以万分之几的精度）适时监测全程的电流变化，免除了测量电流/测量电阻率的转换，更及时掌控测量电流。
主机还提供精度为0.05%的恒流源，使测量电流高度稳定。
本机配有恒流源开关，在测量某些薄层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，更好地保护箔膜。
仪器配置了本公司的专利产品：“小游移四探针头”，探针游移率在0.1〜0.2%。
保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。
本机如加配HQ-710E 数据处理器，测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正，并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的最大百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均匀度，给测量带来很大方便。
2、测试仪结构及工作原理测试仪主机由主机板、电源板、前面板、后背板、机箱组成。
电压表、电流表、电流调节电位器、恒流源开关及各种选择开关均装在前面板上（见图2）。
后背板上只装有电源插座、电源开关、四探针头连接插座、数据处理器连接插座及保险管（见图3）。
机箱底座上安装了主机板及电源板，相互间均通过接插件联接。
仪器的工作原理如图1所示：测试仪的基本原理仍然是恒流源给探针头（1、4探针）提供稳定的测量电流I （由DVM1监测），探针头（2、3 ）探针测取电位差V （由DVM2测量），由下式即可计算出材料的电阻率：厚度小于4倍探针间距的样片均可按下式计算P + * WF SP F(W/S)F(S/D)Ft ⑴式中：V——DVM2的读数，mV。
I——DVM1 的读数，mA。
W――被测样片的厚度值以cm为单位。
F( W/S)――厚度修正系数，数值可查附录二。
F( S/D)――直径修正系数，数值可查附录三。
Fsp ---- 探针间距修正系数。
Ft ――温度修正系数，数值可查附录一。
由于本机中已有小数点处理环节，因此使用时无需再考虑电流、电压的单位问题。
如果用户配置了HQ-710E 数据处理器只要置入厚度W、FSP、测量电流I等有关参数，一切计算、记录均由它代劳了。
如果没有数据处理器( HQ-710E)，用户同样可以依据上式用普通计算器算出准确的样片电阻率。
对厚度大于4倍探针间距的样片或晶锭，电阻率可按下式计算：p=2 n SV/I ( 2)这是大家熟悉的样品厚度和任一探针离样品边界的距离均大于4倍探针间距(近似半无穹大的边界条件)，无需进行厚度、直接修正的经典公式。
此时如用间距S=1mm 的探头，电流I选择0.628 ;用S=1.59mm 的探头，电流I选择0.999，即可从本仪器的电压表(DVM2 )上直接读出电阻率。
用KDY-1测量导电薄膜、硅的异型外延层、扩散层、导电薄膜的方块电阻时，计身算公式为: R = V/I F(D/S) F(W/S)F SP由于导电层非常薄故F(W/S)=1，所以只要选取电流I=F(D/S) F SP,，F(D/S)=4.532测量时电流调节到04532，p/R选择在R灯亮从KDY-1右边的电压表(DVM2)上即可直接读出扩散薄层的方块电阻R。
备注：在测量方块电阻时p /R选择要在R，仅在电流0.01mA档时电压表最后一位数溢出(其它档位可以正常读数)，故读数时需要注意，如电流在0.01档时电压表读数为00123，实际读数应该是001230.。
3、使用方法(1)_____________________________ 主机面Km型四攪春电^菊方砸测试仪电流表电压表O O O O O O O O O O O O0 01 0 1仙p R 正测反测手动自劝* 1.0 10 100O O O O O O O仪器除龟源开关在背板夕険它控制部分均安装在面板上，正砒板的左边集中甸2图2前面板图有与测量电流有关的显示和控制部份，电流表（DMV1 ）显示各档电流值，电流选择值（随运按钮）供电流选档用，〜220V电源接通后仪器自动选择在常用的 1.0mA 档，此时1.0上方的红色指示灯亮，随着选择开关的按动，指示灯在不同的档位亮起，直选到档位合适为止。
打开恒流源，上方指示灯亮，电流表显示电流值，调节粗调旋钮使前三位数达到目标值，再调细调旋钮使后两位数达到目标值。
这样就完成了电流调节工作，此时我们可以把注意力集中到右边，面板的右边集中了所有电压测量有关的控制部件，电压表（DMV2 ）显示各档（p /R手动/自动）的正向、反向电压测量值。
p /R键必须选对，否则测量值会相差10倍；同样手/自动档也必须选对，否则仪器拒绝工作。
后背板上主要安装的是电缆插座，图上标得很清楚，安装时请注意插头与插座的对位标志。
因为在背后容易漏插，松动时不易被发现，所以安装必须插全、插牢。
（2）使用仪器前将电源线、测试架联接线、主机与数据处理器的联接线（如使用处理器）联接好，并注意一下测试架上是否已接好探针头。
电源线插头插入〜220V座插后，开启背板上的电源开关，此时前面板上的数字表、发光二极管都会亮起来。
探针头压在被测单晶上，打开恒流源开关，左边的表显示从1、4探针流入单晶的测量电流，右边的表显示电阻率（测单晶锭时）或2、3探针间的电位差。
电流大小通过旋转前面板左下方的两个电位器旋钮加以调节，其它正、反向测量、p/R选择、自动/手动测量都通过前面板上可自锁的按钮开关控制。
（3）仪器测量电流分五档：0.01mA （10 识）、0.1mA （100 识）、1mA、10mA、100mA，读数方法如下：在0.01mA 档显示5位数时：10000 表示电流为：0.01mA (10 pA)又如在0.01mA 档显示：06282 即表示电流为: 6.28 pA 在0.1mA 档显示5位数时：10000 表示电流为：0.1mA (100 pA)又如在0.1mA 档显示：04532 表示电流为：45.32 pA 在1mA 档显示5位数时：10000 表示电流为：1mA又如在1mA档显示：06282 表示电流为：0.6282mA同样在10mA 档显示：10000 表示电流为：10mA显示：04532 表示电流为：4.532mA100mA 档显示：10000 表示电流为：100mA显示：06282 表示电流为：62.82mA电流档的选择采用循环步进式的选择方式，在仪器面板上有一个电流选择按钮，每按一次进一档，仪器通电后自动设定在常用的 1.0mA档，如果你不断地按下“电流选择”按钮，电流档位按下列顺序不断地循环。
1.0mA —10mA —100mA —0.01mA —0.1mA —1.0mA —10mA —...可以快速找到你所需的档位。
(4 )电压表读数：因为为了方便直接用电压表读电阻率，所以我们人为改动了电压表的小数点移位，如需要直接读取电压值时需注意，本电压表为199.99mV 的数值电压表，读电压值时小数点是固定位置的，例如：电压表显示1.999919.999 读电压值199.99mV 199.99mV199.99 1999.9 19999 199.99mV 199.99mV 199.99mV根据ASTM F374-84 标准方法测量方块电阻所需要的电流值如下表所示:(5)恒流源开关是在发现探针带电压接触被测材料影响测量数据(或材料性能)时，再使用，即先让探针头压触在被测材料上，后开恒流源开关，避免接触时瞬间打火。
为了提高工作效率，如探针带电压接触被测材料对测量并无影响时，恒流源开关可一直处于开的状态。
(6)正、反向测量开关只有在手动状态下才能工作人工控制，在自动状态下由数据处理器控制，因此在手动正反向开关不起作用时，先检查手动/自动开关是否处于手动状态。
相反在使用数据处理器测量材料电阻率时，仪器必须处于自动状态，否则数据处理拒绝工作。
(7 )在使用数据处理器自动计算及记录时，必须严格按照使用说明操作，特别注意输入数据的位数。
有关数据处理器的使用方法请仔细阅读KDY测量系统的操作说明。
4、主机技术能数(1)测量范围：可测电阻率：0.0001〜19000 Q cm 可测方块电阻：0.001〜190000 ◎•□(2 )恒流源：输出电流：DC 0.001〜100mA 五档连续可调量程：0.001 〜0.01mA0.01 〜0.10mA0.10 〜1.0mA1.0 〜10mA10 〜100mA恒流精度：各档均低于土0.05%(3) 直流数字电压表：测量范围：0〜199.99mV 灵敏度：10凶基本误差：±( 0.004%读数+0.01% 满度) 输入阻抗：》1000M Q(4) 供电电源：AC 220V ±10% 50/60 Hz 功率：12W(5) 使用环境：温度：23 ±2 C 相对湿度：w 65%无较强的电场干扰，电源隔离滤波，无强光直接照射(6) 重量、体积：主机重量：7.5kg体积：365 X380沐60 (单位：mm 长度X宽度X高度)附录1.1温度修正系数表p T = FT * p 23注：①温度修正系数表的数据来源于中国计量科学研究院附录1.2温度修正系数表（续1）p T = FT * p 23附录2.厚度修正系数F(W/S)为圆片厚度W与探针间距S之比的函数W/S F(W/S) W/S F(W/S) W/S F(W/S) W/S F(W/S)0.40 0.9993 0.60 0.9920 0.80 0.9664 1.0 0.921 0.41 0.9992 0.61 0.9912 0.81 0.9645 1.2 0.864 0.42 0.9990 0.62 0.9903 0.82 0.9627 1.4 0.803 0.43 0.9989 0.63 0.9894 0.83 0.9608 1.6 0.742 0.44 0.9987 0.64 0.9885 0.84 0.9588 1.8 0.685 0.45 0.9986 0.65 0.9875 0.85 0.9566 2.0 0.634 0.46 0.9984 0.66 0.9865 0.86 0.9547 2.2 0.587 0.47 0.9981 0.67 0.9853 0.87 0.9526 2.4 0.546 0.48 0.9978 0.68 0.9842 0.88 0.9505 2.6 0.510 0.49 0.9976 0.69 0.9830 0.89 0.9483 2.8 0.477 0.50 0.9975 0.70 0.9818 0.90 0.9460 3.0 0.448 0.51 0.9971 0.71 0.9804 0.91 0.9438 3.2 0.422 0.52 0.9967 0.72 0.9791 0.92 0.9414 3.4 0.399 0.53 0.9962 0.73 0.9777 0.93 0.9391 3.6 0.378 0.54 0.9958 0.74 0.9762 0.94 0.9367 3.8 0.359 0.55 0.9953 0.75 0.9747 0.95 0.9343 4.0 0.342 0.56 0.9947 0.76 0.9731 0.96 0.93180.57 0.9941 0.77 0.9715 0.97 0.92930.58 0.9934 0.78 0.9699 0.98 0.92630.59 0.9927 0.79 0.9681 0.99 0.9242注：①厚度修正系数表的数据来源于国标GB/T1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法》附录3.修正系数F2为探针间距S与圆片直径D之比的函数《硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法》9。