12106-电子技术项目化教程-思考与练习答案-王艳芬
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2.(a)Uo=-1.8V；(b) Uo=5V；(c) Uo=5V；(d) Uo=6.2V；(e) Uo=2.8V；
3.(a)Uo=10V；(b)Uo=4V；
项目四
思考与练习
填空题
1.甲，乙，甲乙
2.末，功率
3.大，高，小
4.78.5%，交越，微导通
5.NPN,PNP，效率高
6.电压，电流，额定功率
3V、12V、3.7V，NPN，发射极，集电极，基极，硅管
7.（a）①集电极、②发射极、③基极，NPN，β=1.96/0.04=49
（b）①基极、②集电极、③发射极，PNP，β=1/0.01=100
8.（a）耗尽型N沟道MOS，UGS(off)=0.4V，IDSS=2mA
(b)耗尽型N沟道结型管，UGS(off)=-5V，IDSS=4.8mA
7.- 3.75 V各模拟开关位置：S3接左侧；S2接右侧；S1接右侧；S0接左侧。
9.如图示：
项目一
思考与练习
填空题
1.空穴，自由电子
2.N，自由电子，P，空穴
3.导通，截止，单向导电性
4.死区，击穿
5.0.5V，0.7V
6.NPN，PNP，两，双极型晶体管
7.正偏，反偏
8.集电，发射
9.0.7V，0.2V
10.放大区，饱和区，截止区Hale Waihona Puke Baidu
11.100,120
12.结型场效应管，绝缘栅型场效应管，P，N，增强型，耗尽型
13.1，单级
14.场效应管，晶体管，场效应管
选择题
1.B
2.A,B
3.B
4.A
5.B
6.B
7.B
8.B
9.B
分析计算题
1.（1）截止，UAO=12V
(2)导通，UAO=6V
(3)导通，UAO=-6V
5.（a）饱和（b）放大（c）截止（d）放大
6.对地电位分别为-8V、-3V、-3.2V,PNP,集电极，发射极，基极，锗管
10.设四个不同的地方独立控制为输入A，B，C，D，可以独立控制路灯Y的亮即Y=1，和灯灭即Y=0；
根据题意:
10.4人为A,B,C,D，为输入，其中A为董事长，提案通过输出Y为1，
提案不通过Y为0.
12.
13.(1)Y=m0Do+ m2D2+ m3D3+ m5D5+ m6D6+ m8D8+ m10D10+ m12D12
选择题
1.A 2. A 3. B 4. B 5. C
项目五
思考与练习
填空题
1.变压器、整流、滤波、稳压
2.硅稳压管，限流电阻
3.调整管，取样电路，基准电压，比较放大电路
选择题
1.B 2. A 3. C
分析计算题
UO=67.5V; IO=675mA; ID=387.5mA;URM≈106V
项目六
思考与练习
（2）Y=m0Do+ m2D2+ m5D5+ m7D7+ m9D9+ m10D10+ m12D12+ m15D15
14.
Y=m1D1+ m2D2+ m3D3+ m4D4+ m5D5+ m6D6+ m7D7+ m8D8+ m9D9+m10D10+ m11D11+ m12D12+m13D13+m14D14
⑴(1553)8；⑵(2336.62)8；⑶(3777.732)8；⑷(3236.57)8；
4.(113.2)8；⑵(162.64)8；⑶(143.3)8；⑷(71.6)8
⑴(4B.4)16；⑵(72.D)16；⑶(63.6)16；⑷(39.C)16
5.⑴(74)10；⑵(853.6)10；
⑶(57)10；⑷(920.32)10
填空题
1.放大电路，正反馈网络，选频网络，稳幅环节
2. ，
3. （n为整数），
4.1/3，3，
5.RC, LC ,石英晶体
选择题
1.B 2. D 3. B 4. D
分析计算题
1.（a）不能（b）能（c）能（d）不能
2.（1）f0=970Hz (2)Rt<5kΩ(3)正温度系数
3.(a)
项目七
思考与练习
Y= m0D0+m1D1+ m2D2+ m3D3+ m5D5+ m6D6+m10D10+ m11D11+m14D14+m15D15
项目九
思考与练习
3.如图示：
5.如图示：
6.如图示：
7.如图示：
12. 状态图为：
功能：同步四进制加法计数器
13.如图示：
14.功能：（a）图为异步八进制减法计数器；（b）图为异步八进制减法计数器。
(d)负反馈，反馈量是交流
7.极间反馈Rf是负反馈，反馈量是交直流
8.(a)电压并联负反馈(b)电流串联负反馈(c)电压并联负反馈(d)电流并联负反馈
9.反馈深度1+AF=11，闭环增益
项目三
思考与练习
填空题
1.电容，直接，变压器，直接，零点漂移
2.差模，共模，很小
3.1000,60
4.差分，零点漂移
(3) 。用4-16线译码器再加上与非门可实现。
8.（1）
列真值表，总结功能。
（2）
实现同或功能，相同为高电平，相异为低电平。
9.(1)三个变量为A，B，C，输出为Y，实现功能有奇数个1时，Y=1.
(2)三个变量为A，B，C，输出为Y。三个变量取值不同时，Y=1，否则Y=0
(3)四变量为A，B，C，D，输出为Y。偶数个1，Y=1，全0，Y=1。
(c)耗尽型P沟道MOS，UGS(off)=2V，IDSS=2mA
(d)增强型N沟道MOS，UGS(th)=1V
项目二
思考与练习
1.（1） ，
（2）
2.解：由直流通路知：
由交流微变等效电路知：
3.同1
4.同2相似，只是元器件参数不同
5.
6.(a)负反馈，反馈量是交直流
(b)正反馈，反馈量是交直流
(c)负反馈，反馈量是交直流
1.⑴(100101.0111)2；⑵(0.0110101)2；⑶(10101110)2；⑷(1010001.001)2
2.⑴(819)10；⑵(46.375)10；⑶(70.625)10；⑷(0.21875)10
3.⑴(1101101011)2；⑵(10011011110.11001)2；
⑶(11111111111.11101101)2；⑷(11010011110.101111)2；
5.差模电压放大倍数与共模电压放大倍数，抑制共模信号，相等，虚短，0，虚断
6.同相，反相，相同，相反
7.∞，∞，0
8.线性，负
9.高电平，低电平，非线性
选择题
1. B2. C 3.D 4. A 5. B 6. B
分析题
1.（a）反相比例运算，Au=-20；(b)同相比例运算，Au=21；（c）同相比例运算，Au=20
6.⑴(0100 1000)8421BCD；⑵(0011 0100.0001 0101)8421BCD；
⑶(0001 0010 0001.0000 1000)8421BCD；
⑷(0010 0100 0001.1000 0110)8421BCD
7.⑴ ；⑵ ；
⑶ ；⑷ ；
⑸ ；⑹
9.⑴ ；⑵ ；
⑶ ；⑷ ；
10.⑴ ；⑵ ；
⑶ ；⑷ ；
⑸ ；⑹
11.⑴ ；⑵ ；
⑶ ；⑷
项目八
思考与练习
4.(1)共阴极显示器
（3）有
（4）正常显示时，
(5) 对数据输入端没有要求
（6） 为低电平
（7）不显示数字
（8）当灭零时， 输出低电平
7.(1) 。用3-8线译码器再加上与非门可实现。
(2) 。用4-16线译码器再加上与非门可实现。
项目十
思考与练习
1.分压器，比较器，基本RS触发器，晶体管开关，输出缓冲器
4.施密特触发器
5.（1）TL=1.54ms
TH=2.59ms
T=4.13ms
6.555集成电路的应用：构成施密特触发器；构成多谐振荡器；构成单稳态触发器。
项目十一
思考与练习
4.5.625 V
5.101
6.- 6.25 V各模拟开关位置：S3接右侧；S2接左侧；S1接右侧；S0接左侧。
3.(a)Uo=10V；(b)Uo=4V；
项目四
思考与练习
填空题
1.甲，乙，甲乙
2.末，功率
3.大，高，小
4.78.5%，交越，微导通
5.NPN,PNP，效率高
6.电压，电流，额定功率
3V、12V、3.7V，NPN，发射极，集电极，基极，硅管
7.（a）①集电极、②发射极、③基极，NPN，β=1.96/0.04=49
（b）①基极、②集电极、③发射极，PNP，β=1/0.01=100
8.（a）耗尽型N沟道MOS，UGS(off)=0.4V，IDSS=2mA
(b)耗尽型N沟道结型管，UGS(off)=-5V，IDSS=4.8mA
7.- 3.75 V各模拟开关位置：S3接左侧；S2接右侧；S1接右侧；S0接左侧。
9.如图示：
项目一
思考与练习
填空题
1.空穴，自由电子
2.N，自由电子，P，空穴
3.导通，截止，单向导电性
4.死区，击穿
5.0.5V，0.7V
6.NPN，PNP，两，双极型晶体管
7.正偏，反偏
8.集电，发射
9.0.7V，0.2V
10.放大区，饱和区，截止区Hale Waihona Puke Baidu
11.100,120
12.结型场效应管，绝缘栅型场效应管，P，N，增强型，耗尽型
13.1，单级
14.场效应管，晶体管，场效应管
选择题
1.B
2.A,B
3.B
4.A
5.B
6.B
7.B
8.B
9.B
分析计算题
1.（1）截止，UAO=12V
(2)导通，UAO=6V
(3)导通，UAO=-6V
5.（a）饱和（b）放大（c）截止（d）放大
6.对地电位分别为-8V、-3V、-3.2V,PNP,集电极，发射极，基极，锗管
10.设四个不同的地方独立控制为输入A，B，C，D，可以独立控制路灯Y的亮即Y=1，和灯灭即Y=0；
根据题意:
10.4人为A,B,C,D，为输入，其中A为董事长，提案通过输出Y为1，
提案不通过Y为0.
12.
13.(1)Y=m0Do+ m2D2+ m3D3+ m5D5+ m6D6+ m8D8+ m10D10+ m12D12
选择题
1.A 2. A 3. B 4. B 5. C
项目五
思考与练习
填空题
1.变压器、整流、滤波、稳压
2.硅稳压管，限流电阻
3.调整管，取样电路，基准电压，比较放大电路
选择题
1.B 2. A 3. C
分析计算题
UO=67.5V; IO=675mA; ID=387.5mA;URM≈106V
项目六
思考与练习
（2）Y=m0Do+ m2D2+ m5D5+ m7D7+ m9D9+ m10D10+ m12D12+ m15D15
14.
Y=m1D1+ m2D2+ m3D3+ m4D4+ m5D5+ m6D6+ m7D7+ m8D8+ m9D9+m10D10+ m11D11+ m12D12+m13D13+m14D14
⑴(1553)8；⑵(2336.62)8；⑶(3777.732)8；⑷(3236.57)8；
4.(113.2)8；⑵(162.64)8；⑶(143.3)8；⑷(71.6)8
⑴(4B.4)16；⑵(72.D)16；⑶(63.6)16；⑷(39.C)16
5.⑴(74)10；⑵(853.6)10；
⑶(57)10；⑷(920.32)10
填空题
1.放大电路，正反馈网络，选频网络，稳幅环节
2. ，
3. （n为整数），
4.1/3，3，
5.RC, LC ,石英晶体
选择题
1.B 2. D 3. B 4. D
分析计算题
1.（a）不能（b）能（c）能（d）不能
2.（1）f0=970Hz (2)Rt<5kΩ(3)正温度系数
3.(a)
项目七
思考与练习
Y= m0D0+m1D1+ m2D2+ m3D3+ m5D5+ m6D6+m10D10+ m11D11+m14D14+m15D15
项目九
思考与练习
3.如图示：
5.如图示：
6.如图示：
7.如图示：
12. 状态图为：
功能：同步四进制加法计数器
13.如图示：
14.功能：（a）图为异步八进制减法计数器；（b）图为异步八进制减法计数器。
(d)负反馈，反馈量是交流
7.极间反馈Rf是负反馈，反馈量是交直流
8.(a)电压并联负反馈(b)电流串联负反馈(c)电压并联负反馈(d)电流并联负反馈
9.反馈深度1+AF=11，闭环增益
项目三
思考与练习
填空题
1.电容，直接，变压器，直接，零点漂移
2.差模，共模，很小
3.1000,60
4.差分，零点漂移
(3) 。用4-16线译码器再加上与非门可实现。
8.（1）
列真值表，总结功能。
（2）
实现同或功能，相同为高电平，相异为低电平。
9.(1)三个变量为A，B，C，输出为Y，实现功能有奇数个1时，Y=1.
(2)三个变量为A，B，C，输出为Y。三个变量取值不同时，Y=1，否则Y=0
(3)四变量为A，B，C，D，输出为Y。偶数个1，Y=1，全0，Y=1。
(c)耗尽型P沟道MOS，UGS(off)=2V，IDSS=2mA
(d)增强型N沟道MOS，UGS(th)=1V
项目二
思考与练习
1.（1） ，
（2）
2.解：由直流通路知：
由交流微变等效电路知：
3.同1
4.同2相似，只是元器件参数不同
5.
6.(a)负反馈，反馈量是交直流
(b)正反馈，反馈量是交直流
(c)负反馈，反馈量是交直流
1.⑴(100101.0111)2；⑵(0.0110101)2；⑶(10101110)2；⑷(1010001.001)2
2.⑴(819)10；⑵(46.375)10；⑶(70.625)10；⑷(0.21875)10
3.⑴(1101101011)2；⑵(10011011110.11001)2；
⑶(11111111111.11101101)2；⑷(11010011110.101111)2；
5.差模电压放大倍数与共模电压放大倍数，抑制共模信号，相等，虚短，0，虚断
6.同相，反相，相同，相反
7.∞，∞，0
8.线性，负
9.高电平，低电平，非线性
选择题
1. B2. C 3.D 4. A 5. B 6. B
分析题
1.（a）反相比例运算，Au=-20；(b)同相比例运算，Au=21；（c）同相比例运算，Au=20
6.⑴(0100 1000)8421BCD；⑵(0011 0100.0001 0101)8421BCD；
⑶(0001 0010 0001.0000 1000)8421BCD；
⑷(0010 0100 0001.1000 0110)8421BCD
7.⑴ ；⑵ ；
⑶ ；⑷ ；
⑸ ；⑹
9.⑴ ；⑵ ；
⑶ ；⑷ ；
10.⑴ ；⑵ ；
⑶ ；⑷ ；
⑸ ；⑹
11.⑴ ；⑵ ；
⑶ ；⑷
项目八
思考与练习
4.(1)共阴极显示器
（3）有
（4）正常显示时，
(5) 对数据输入端没有要求
（6） 为低电平
（7）不显示数字
（8）当灭零时， 输出低电平
7.(1) 。用3-8线译码器再加上与非门可实现。
(2) 。用4-16线译码器再加上与非门可实现。
项目十
思考与练习
1.分压器，比较器，基本RS触发器，晶体管开关，输出缓冲器
4.施密特触发器
5.（1）TL=1.54ms
TH=2.59ms
T=4.13ms
6.555集成电路的应用：构成施密特触发器；构成多谐振荡器；构成单稳态触发器。
项目十一
思考与练习
4.5.625 V
5.101
6.- 6.25 V各模拟开关位置：S3接右侧；S2接左侧；S1接右侧；S0接左侧。