可控硅的主要参数

可控硅

可控硅是硅可控整流元件的简称，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。按其工作特性，可控硅（THYRISTOR)可分为普通可控硅（SCR）即单向可控硅、双向可控硅（TRIAC)和其它特殊可控硅。

可控硅的主要参数

非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过可控硅的主要参数

1、额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

2、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

3、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

4、控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。

5、维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。

近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。

可控硅的触发

过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。

非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。

可控硅的主要参数

可控硅的主要参数:

1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。

2 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。

3 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。可控硅的常用封装形式

常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。

单向可控硅参数_单向可控硅管的主要参数

一、参数_额定通态平均电流IT（AV）

在环境温度为+40℃及规定的散热条件、纯负载、元件导通角大于己于170°电角度时，所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的最大平均值。

二、管的参数_通态平均电压UT（AV）

在规定环境、温度散热条件下，元件通以额定通态平均电流，结温稳定时，阳极和阴极间电压平均值。

三、单向参数_控制极触发电压UGT

在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的最小控制极直流电压。

四、单向可控硅管的参数_控制极触发电流IGT

在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极最小直流电流。

五、单向可控硅参数_断态重复峰值电压UPFV

在控制极断开和正向阻断的条件下，阳极和阴极间可重复施加的正向峰值电压。其数值规定为断态下重复峰值电压M的80%。

六、单向可控硅管的参数_反向重复峰值电压UPRV

在控制极断开的条件下，阳极和阴极之间可重复施加的反向峰值电压。其数值规定为反向不重复峰值电压URSM的80%。一般把UPFV和UPRV中较小的数值作为元件的额定电压。

七、单向可控硅参数_维持电压IH

在室温和控制极断路时，可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的最小电流，一般为几十到一百多mA。如果通过的正向电流小于此值，可控硅就不能继续保持导通而自行截止。

参数符号说明:

IT(AV)--通态平均电流

VRRM--反向重复峰值电压

IDRM--断态重复峰值电流

ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流

VTM--通态峰值电压

IGT--门极触发电流

VGT--门极触发电压

IH--维持电流

dv/dt--断态电压临界上升率

di/dt--通态电流临界上升率

Rthjc--结壳热阻

VISO--模块绝缘电压

Tjm--额定结温

VDRM--通态重复峰值电压

IRRM--反向重复峰值电流

IF(AV)--正向平均电流

单向可控硅-SCRs器件型号MCR100-6

封装形式:TO-92Package→

脚位排列:C-G-A

主要参数:电流-IT(RMS):

电压-VDRM:≥400V

触发电流:IGT:10~30μA IGT:30~60μA 元件品牌, 型号MCR100-6

电流（A）

电压400（V）

触发电流10-30/30-60m（A）

结温110（℃）.

单向可控硅-SCRs器件型号: MCR100-8

封装形式: TO-92 脚位排列: K-G-A

主要参数

电流-IT(RMS):

电压-VDRM: ≥600V

触发电流:IGT: 5~15 uA IGT: 10~30 uA IGT: 30~60 uA元件.

型号MCR100-8

电流（A）

电压600（V）

触发电流10-60u（A）

结温110（℃