天津大学半导体器件与集成电路2002年考研真题考研试题
天津大学电路考研真题
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2007年天津大学硕士研究生入学考试半导体物理学试题
2007年天津大学硕士研究生入学考试半导体物理学试题
一．什么是空穴，说明其概念并简述其性质
二．试从能带结构角度分析金属与半导体导电原理有何不同
10V/m，由能带底到能带顶运动的时间三．设晶格常数为 2.5A，计算电子在E=7
10 JS)
（h=6.625*34
四．简述理想半导体与实际半导体的区别
五．两块硅材料的电子浓度比是n1/n2=e（e为科学常数），第一块材料的费米能级在导带一下3KT处，问第二块材料的费米能级EF的位置，两块材料中空穴浓度比p1/p2是多少？
六．解释海恩斯-肖克莱实验的基本原理
七．画出杂质半导体电导率随温度变化的曲线，并解释原因。
八．画出P-N结能带结构（零偏，正偏，反偏），注明导带，价带，费米能级，解释耗尽近似现象。
九．解释pn结与SDB的电流特性区别，SDB的优点与其在VISL上的应用。
十．画出P型MIS结构的电容随电压变化的曲线，包括反型，高频，低频，深耗尽状态，解释原因
十一．推导爱因斯坦关系式
十二．试述导质结能带结构特点，解释异质结比pn结高光注入率的原因
十三．从能量，动量，能带结构出发解释硅与砷化镓跃迁原理，若作发光材料，选用哪种材料比较好？
十四．简述太阳能电池原理，画出开路电压，短路电流随光照强度增强变化曲线。
十五．简述制冷器的原理
十六．分别试述热探针法与Hall法测半导体类型的原理。
天津大学电路原理考研试题1998年（附答案）
求得：
U2 I3 ((1 C) M ) 1 (15 5) 10V ， UR2 U2 Cos30 10Cos30 8 66V， UX2 U2 Sin 30 10Sin 30 5V ，
R2 UR2 I2 8 66 1 8 66 。
求得：
求得：
X 2 U X 2 I2 5 1 5 ，
解：求初始值(K 闭合前)的电路为下图，由节点法得
L L(0 )
C
+-uC(0
)
2
+
UR 3
3
2 -
4
-
12V
+
UR
3
12 2 111
6 V，
632
U C (0)
2 6
U
R
3
2 V，
iL(0)
U R3 3
U R3 12 2
1A
K 闭合后原电路可分成如下两个一阶电路
+ uC+ 0.5F 2
-
6V
L2 X2 M 5 5 10 。
P2
I
2 2
R2
12
866
866W ，
P1 P P2 136 866 5W ，
求得：
R1 PR1 I12 5 12 5 。
QX 2
I
2 2
X
2
12
(10 5)
5Var
，
QX 3
I
2 3
X
3
I32 (5 15)
12
(10)
10Var
，
QX 1 Q QX 2 QX3 3 66 5 (10) 8 66Va r，
（2）该树 t 所对应的基本回路矩阵[ Bf ]；
天津大学考研 811电路1996-2006十年试题超详细解答
PU S1 = U S1 (
PU S 2
U1 - U 3 U1 - U 2 20 - 8 20 - 19 + ) = 20 ´ ( ) = 62 W ； R3 R2 4 10 = -U S 2 I = -4 ´ 2 = -8 W
PU S1 = U S1 ( I - I 1 ) = 20 ´ (2 - ( -1 .1)) = 62 W PU S 2 = -U S 2 I = -4 ´ 2 = -8 W
；
；
PI S = I S ( R 2 ( I S + I 1 ) + R3 ( I S + I ) + R 4 I S ) = 1 ´ (10(1 - 1.1) + 4(1 + 2) + 3 ´ 1)) = 14 W 。
-5 = 3A 。 8 13
解：1. 将 R 左侧用戴维南等效电路替代后有左下图（a）电路。
图(a)
图(b)
由已知条件可有如下方程组 ì U OC ´3 =3 ï ï Rin + 3 í U ï OC ´ 6 = 4.8 ï î Rin + 6 解得 U OC = 12 V ， Rin = 9W 。
(1) (1) 2 (1) IL = (I S ) R1 = 2 2 ´ 60 = 240 W 2 = 2A， P
二次谐波
Z L 2 // Z C = & =I & ( 2) I L2 S
(j 2wL2 )( - 1 2wC ) j120 ´ ( - j 30) = = - j 40W (j 2wL2 ) + ( - 1 2wC ) j120 - j 30 R1 - 1 2wC 60 - j 30 = 4.5 ´ R1 + R 2 (j 2wL2 ) + (- 1 2wC ) 60 + 30 j120 - j 30
2002年考研真题及详解
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年 试 题 精 读 透 析 Nhomakorabea 年全国硕士研究生入学考试英语试题
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天津大学研究生院2000-2005年招收硕士生入学试题429概要
天津大学研究生院2000年招收硕士生入学试题考试科目：结构力学题号：429 一．如图所示，求指定杆a,b,c,d,e的内力。
（15分）×6＝18一．如图所示多跨静定梁。
EI为常数，求：（1）C铰两侧的相对转角；（2）E端的竖向位移。
（15分）三。
已知三铰拱，拱长L，拱高为f.求：截面弯矩M K的影响线方程。
（10分）二．用位移法计算图示结构的弯矩图。
计算时不考虑轴力和剪力对位移的影响。
两段固定等截面直杆在均匀荷载作用下的固端剪力和固端弯矩为：212AB ql m =-212AB ql m = 2AB ql Q = 2AB ql Q =- 三．用力法求杆件AB 的轴力。
其中，AB 杆的拉伸刚度为EA 。
其余各杆弯曲刚度为EI.除AB 外，其余各杆计算时均不考虑轴力和剪力对位移的影响。
（20分）四．图示简支刚架，质点质量均为m.，杆的自重不计。
动力荷载()sin t P P t θ=，不考虑阻尼，EI 为常数。
1． 建立运动方程2． 求出结构的自振频率3． 求出质量处的最大动位移。
（20分）θ天津大学研究生院2001年招收硕士生入学试题考试科目：结构力学题号：429 一．是非题（将判断结果填入括弧，以O表示正确，以×表示错误）本大题共4小题，合计14分1．（本小题3分）弹性体系虚功的特点是：（1）在作功过程中，力的数值保持不变;(2)作功的力与相应的位移无因果关系，位移由其他力系或其他因素所产生。
（）2．（本小题3分）力法只能用于线性变形体系。
（）3．（本小题4分）结构的温度变化及单位荷载作用下的内力如图a,b所示，梁截面为矩形，h=0.6m,材料线膨胀系数为α，则C,D两点的相对水平位移为400α。
（）°°°°°°4．（本小题4分）图示珩架各杆EA相同，C点受水平荷载P作用，则AB杆内力/2N=.( )AB二．选择题（将选中答案的字母填入括弧内）本大题共4个小题，合计16分。
2015年天津大学半导体物理真题解析,考研心态,考研真题,考研经验,真题解析
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半导体物理或电介质物理本考试课程由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。
第一部分：半导体物理考试大纲（参加半导体物理考试的考生参考）：一、考试的总体要求本课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n 结、MOS 结构、异质结、各种半导体效应（光、磁、热、压阻等）基本原理和应用。
二、考试的内容及比例（一）考试内容要点：第一部分：（70%）1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系，体内负微分电导；4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；5、p-n 结、MOS 结构：平衡与非平衡p-n 结特点及其能带图，pn 结理想和非理想I-V 特性，p-n 结电容概念与击穿机制，p-n 结隧道效应、肖特基势垒二极管；6、MOS 结构表面电场效应，理想与实际MOS 结构C-V 特性，MOS 系统的性质（固定电荷、可动离子、界面态对C-V 特性的影响），表面电场对p-n 结特性的影响；第二部分：（30%）7、半导体异质结：异质结概念及理想突变反型异质结能带图，异质p-n 结注入特性（高注入比与超注入概念），半导体应变异质结概念；8、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器,半导体太阳电池，半导体发光概念与应用，半导体激光与应用；9、半导体霍尔效应、半导体压阻效应、半导体热电效应及其应用，非晶态半导体概念。
天津大学招收2000年硕士学位研究生入学考试(电路)(高清优化修正版)
I R3 I + US 4U
b + U CS -
IC S
答案： PUS 22 . 5 W ； PI S 1 W 。 解法 1：用节点法。设参考点和两独立节点 a 和 b 如图，则有U b U CS 3I ，可列如下方 程组
1 1 1 15 ( )U a 3I 4U 2 4 3 3 4 U U a 3I 4 U a 15 I 4
uC z i uC (0 ) e
t 4
10 e V 。
t 4
由已知条件和互易定理得知，在零状态条件下 iC z s 2 A ，即电容中电流的零状态响应为
iC z s 2 e 4 A ，
其 u C 的零状态响应为
t
uC z s
最后得 u C 的全响应为
1 t 1 t 0 iC z s d t 0 2 e 4 d t 4(1 e 4 ) V 。 C 2
i L (0 ) i L (0 ) 2A ； uC (0 ) uC (0 ) 6 V 。
-6-
开关 S 闭合后的运算电路为
+ S
2V
- IL ( s )
s
2 +
.
+
UR 2( s ) 1 -
.
由节点法得
sV - 1 +2 s s -6 V - s
4
2s 2 2 4 2s 5 1 2s 2 s 2s U R 2 (s) 2 1 1 s 2 5s 1 5 1 2s 1 2s 2s 2s 2s 5 k1 k 2 ( s 1 5)(s 1) s 1 5 s 1
天大2002年硕士研究生入学试题及答案
天津大学研究生院2002年招收硕士生入学试题答案二、1．⎩⎨⎧==⇒⎪⎪⎭⎫⎝⎛=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=-1052/52/53/106/12/121211b b b b b B 又由δj =C j -C B B -1P j ，设⎪⎭⎪⎬⎫⎪⎩⎪⎨⎧=-==⇒⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎭⎫⎝⎛-=-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛--=-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛--=-10263/10)(026/12/1)(042/12/1)(43211313132C C C C C C C C C C ⎪⎪⎭⎫-- ⎝⎛3/106/12/1012/12/110 ⎪⎪⎭⎫-- ⎝⎛2011023160 ∽⎪⎪⎭⎫- ⎝⎛200122216∽⎪⎪⎭⎫- ⎝⎛100112113初表：∴⎪⎪⎭⎫- ⎝⎛1001121130对应得到a 11=0,a 12=1,a 13=2,a 21=3,a 22=-1,a 23=12．t 1变化，将影响各检验数的变化，检验各非基变量检验数，若δj ≤0，则最优解不变8603/10)610(006/12/1)610(002/12/1)610(21151412≤≤-⇒⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧≤⎪⎪⎭⎫⎝⎛+-=≤⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-+-=≤⎪⎪⎭⎫⎝⎛-+--=t t t t δδδ 3．t 2变化即b 变化，要使最优基不变则B -1b ≥0，因为⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=-3/106/12/11 B ，所以153/50)10(3/1)35(6/10)35(2/1010353/106/12/12222221≤≤-⇒⎩⎨⎧≥+++-≥+⇒≥⎪⎪⎭⎫⎝⎛++⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=-t t t t t t b B 三、解：设三种防寒服分别生产x 1,x 2,x 3件。
z 表示获得的利润,y 1,y 2,y 3分别表示0-1变量，y i =1表示做第x i 种防寒服（i=1,2,3）321321200150100131210max y y y x x x z ---++=⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧=≥≤≤≤≤++≤++≤++≤++10,,0,,10000100001000030002.48.38.2400055.4410006.15.13.115009.18.16.1..321321332211321321321321或y y y x x x y x yx y x x x x x x x x x x x x x t s 四、（1）最大流量：2+3+3=8（2）{}{}()()()()(){}集中各弧的输送状况。
第18讲真题_填空
第18讲考研真题解析_填空天津大学研究生院2001年招收硕士生入学试题1 位错线运动时扫过滑移面，晶体即发生滑移，其滑移量大小即柏氏矢量大小，方向为柏氏矢量方向。
考点寻迹：第五讲位错及晶体中的界面答题要求：对柏氏矢量的概念的理解，要求不算高，记忆即可，与名词解释相当。
相关考点：刃型位错、螺型位错和混合位错，柏氏矢量与柏氏回路，滑移矢量，位错的滑移，位错的攀移（螺型位错不会攀移）。
2 面心立方晶格最密排晶面为{111}，最密排晶向为<110>，滑移系的数目为12. 考点寻迹：第二讲晶体学基础答题要求：知道三种晶体结构的滑移系和滑移面，体心立方最密排晶面为{110}，最密排晶向为<111>密排六方最密排晶面为{0001}，最密排晶向为<11-20>相关考点：三种典型金属晶体结构的特征，配位数，致密度，四面体间隙与八面体间隙，多晶型性。
3 所有自发进行的位错反应必须满足两个条件：几何条件和能量条件考点寻迹：第五讲位错及晶体中的界面答题要求：这道题可以出一个小的简答题，那时就要答得更详细一些，将两种条件打全。
简而言之，一个是和的关系，一个是平方和的和。
相关考点：刃型位错、螺型位错和混合位错，柏氏矢量与柏氏回路，滑移矢量，位错的滑移，位错的攀移（螺型位错不会攀移），位错密度，全位错与不全位错4 金属凝固时的过冷度是指理论凝固温度与实际凝固温度之差考点寻迹：第九讲材料凝固时晶核的形成和晶体的生长答题要求：这道题同样也是可以出为名词解释题，可以和名词解释那里一同复习。
要求不算高。
相关考点：过冷度，临界晶核形成功，形核率，激活能，非均匀形核，平衡分配系数，成分过冷。
5 固溶体的晶格类型为溶剂的晶格类型考点寻迹：第六讲材料的相结构及二元相图答题要求：这道题算是一道比较好的题，因为这个部分不是书中的原话，但是真正学习过金属学的同学对这个理解要深一些，应该算是一个常识，要注意，这个部分也是固溶体与中间想的一个差别吧。
2002年天津大学材料加工基础考研真题(回忆版)【圣才出品】
2002年天津大学材料加工基础考研真题（回忆版）
一、名词解释（每词2分共10分）
再结晶；正火；加工硬化；过冷度；（5）n/8规律
二、简答题（每题5分共30分）
1.金属结晶时晶粒的大小取决于什么因素，在工业生产中如何控制晶粒的大小？
2.简述铸铁的石墨化过程？
3.实际金属中的晶体缺陷有哪几类，各具有怎样的几何特征？
4.说明淬火的目的、常用的淬火介质及方法。
5.简述滑移的位错机制。
6.说明共析钢奥氏体的形成过程。
三、指出下列材料牌号的含义，并说明其热处理工艺、组织及用途。
（15分）
60Si2Mn、GCr15、W18Cr4V、40Cr、Cr12MoV
四、经过固溶处理的铝合金在室温下放置时，其性能会发生怎样的变化，试分析其机理。
（10分）
五、论述片状珠光体的形成过程。
（10分）
六、论述金属在塑性形变后组织与性能之间的关系。
（10分）
七、分析含碳量为0.6%的铁碳合金从液态平衡冷却至室温的转变过程，用冷却曲线和组织示意图说明各阶段的组织，并计算室温下的相组成物及组织组成物的含量。
（15分）
1 / 1。
天津大学2002年招收攻读硕士研究生入学试题生物化学
7、磷酸化酶激酶催化磷酸化酶的磷酸化,导致该酶__________________ A. 由低活性形式变为高活性形式 C. 活性不受影响 8、底物引进一个基团以后,引起酶与底物结合能增加,此时酶催化反应速度增大, 是由于______ A. 结合能增大 C. 增加的结合能被用来降低 Km B. 增加的结合能被用来降低反应活化能 D. 增加的结合能被用来增大 Km B. 由高活性形式变为低活性形式
16、基因有两条链,与 mRNA 序列相同(T 代替 U)的链叫做___________ A. 有义链 B. 反义链 C. 重链 D. cDNA 链
17、一段寡聚合糖核苷酸 TψCGm1Acmm5CC,其中含有几个修饰碱基(非修饰核 苷): A. 3 个 B. 4 C. 5 D. 6
18、已知有的真核内含子能编码 RNA,这类 RNA 是___________ A. 核小分子 RNA(sn RNA) C. 核不均一 RNA(hnRNA) 19、别嘌呤醇可用于治疗痛风症,因为它是____________ A. 鸟嘌呤脱氨酶的抑制剂,减少尿酸的生成 B. 黄嘌呤氧化酶的抑制剂,减少尿酸的生成 C. 尿酸氧化酶的激活剂,加速尿酸的降解 20、α-鹅膏覃碱能强烈抑制___________ A. 细菌 RNA 聚合酶 D. 真核 DNA 聚合酶 21、在核糖体上进行蛋白质合成，除了肽链形成本身以外的每一个步骤都与什 么有关? A. ATP 的水解 B. GTP 的水解 C. cAMP 的水解 D. 烟酰胺核苷酸参与 B. 真核 RNA 聚合酶 C. 细菌 DNA 聚合酶 B. 核仁小分子 RNA(sno RNA)
中科院 2001 生化 B 卷
一、是非题(1x10) 1. 所有 α 氨基酸中的 α 碳原子都是一个不对称的碳原子( ) 2. 蛋白质的四级结构可以定义为一些特定的三级结构的肽链通过共价键形成的 大分子体系的组合( ) 3. 根据凝胶过滤层析的原理，分子量愈小的物质，因为愈容易通过，所以最先 被洗脱出来( ) 4. 两个或几个二级结构单元被连接多肽连接在一起，组成有特殊的几何排列的 局部空间结构,这样的结构称为超二级结构，有称为模体(MOTIF)( ) 5. 抑制剂不与底物竞争酶结合部位,则不会表现为竞争性抑制( ) 6. 酶反应最适 pH 不仅取决于酶分子的解离情况,同时也取决于底物分子的解离 情况( ) 7. 寡聚酶一般是指由多个相同亚基组成的酶分子( ) 8. 糖异生途径是由相同的一批酶催化的糖酵解途径的逆转( ) 9. 线粒体内膜 ADP-ATP 载体蛋白在促进 ADP 由细胞质进入完整线粒体基质的 同时 ATP 由完整线粒体基质进入细胞质的过程是需要能量的( ) 10. 脂质体的直径可以小到 150 Å( ) 11. 质膜上糖蛋白的糖基都位于膜的外侧( ) 12. 雄性激素在机体内可变为雌性激素( ) 13. CoA，NAD 和 FAD 等辅酶中都含有腺苷酸部分( ) 14. 黄嘌呤氧化酶的底物是黄嘌呤，也可以是次黄嘌呤( ) 15. RNA 连接酶和 DNA 连接酶的催化连接反应都需要模板( ) 16. DNA 聚合酶和 RNA 聚合酶的催化反应都需要引物( ) 17. 真核生物 m RNA 两端都含有 3'-OH ( ) 18. 在细菌中 RNA 聚合酶和核糖体蛋白质的合成由共同的调节系统( ) 19. 所有氨酰-t RNA 合成酶的作用都是把氨基酸连接在 tRNA 末端核糖的 3'-羟 基上( ) 20. 核小体中的核心组蛋白在细胞活动过程中都不会被化学修饰( )
2003年研究生入学考试试题半导体物理与器件
一． 简单回答：（20分） 1． 在原子间距为 a 的一维单原子晶格中，波矢 q=1/4(2π/a)，和 q=1/4(2π/a)+2π/a 的两种格波所描述的原子振动的情况有何 异同？ 2． 含施主浓度为 Nd=210cm,受主浓度为 Na=210×cm 的硅样品,温度 为 300K 和温度为 500K 时该样品的载流子浓度各是多少？
的晶格振动的独立波矢数都为 4 ○ 有 ；其中有 8 ○ 5 ○ 类横波，有
；晶格振动的总的格波数都是 7 类纵波，有 ○ 支声学波，
支光学波。
2、某一维半导体晶体价带顶附近的电子能量，在国际单位制中可 表示为 E（k）=E0-10 ，现将其中一波矢 k=10 cm 的电子移走，则此 电子留下的空穴能量为 速度为 4 ○ 、准动量为 1 、有效质量为 ○ 5 。 ○ 2 ○ 、波矢为 3 ○ 、
在有一个受主浓度为 Na 的 P 型半导体：
1．
在表面空间电荷区为积累层、耗尽层、反型层三种情况 下，分别画出能带图（必须画出费米能级和本征费米能 级） ：
2．
已知强反型层开始出现的条件是：表面触地少子浓度等 于体内的多子浓度。画出开始出现强反型层时的能带 图，证明开始出现强反型层时，表面势 Vs = 2 φ f 。这里
，试由
τ =τ p
n0 + n1 p + p1 +τ n 0 n0 + p0 n0 + p0 验证上述关系：并说明激活能
Ec − Ei kT
∆ E 的物理意义。 （式中 n1 = N c e
, p1 = N v e
Ei − Ec kT
）
四． （ 15 分）两种载流子同时起作用，半导体的霍尔系数为：
2015考研天津大学813半导体物理或电介质物理考研大纲考研真题解析参考书
1/11【育明教育】中国考研考博专业课辅导第一品牌官方网站： 1育明教育天津分校2015年天津地区15所高校考研辅导必备天津分校地址南京路新天地大厦2007专注考研专业课辅导8年天津地区专业课辅导第一品牌天津分校王老师与大家分享资料育明教育，创始于2006年，由北京大学、中国人民大学、中央财经大学、北京外国语大学的教授投资创办，并有北京大学、武汉大学、中国人民大学、北京师范大学复旦大学、中央财经大学、等知名高校的博士和硕士加盟，是一个最具权威的全国范围内的考研考博辅导机构。
更多详情可联系育明教育天津分校王老师2015考研天津大学813半导体物理或电介质物理考研大纲考研真题解析参考书813半导体物理或电介质物理本考试课程由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。
第一部分：半导体物理考试大纲（参加半导体物理考试的考生参考）：一、考试的总体要求本课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n 结、MOS 结构、异质结、各种半导体效应（光、磁、热、压阻等）基本原理和应用。
二、考试的内容及比例（一）考试内容要点：第一部分：（70%）2/11【育明教育】中国考研考博专业课辅导第一品牌官方网站：21、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系，体内负微分电导；4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；5、p-n 结、MOS 结构：平衡与非平衡p-n 结特点及其能带图，pn 结理想和非理想I-V 特性，p-n 结电容概念与击穿机制，p-n 结隧道效应、肖特基势垒二极管；6、MOS 结构表面电场效应，理想与实际MOS 结构C-V 特性，MOS 系统的性质（固定电荷、可动离子、界面态对C-V 特性的影响），表面电场对p-n 结特性的影响；第二部分：（30%）7、半导体异质结：异质结概念及理想突变反型异质结能带图，异质p-n 结注入特性（高注入比与超注入概念），半导体应变异质结概念；8、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器,半导体太阳电池，半导体发光概念与应用，半导体激光与应用；9、半导体霍尔效应、半导体压阻效应、半导体热电效应及其应用，非晶态半导体概念。
1996年天津大学硕士研究生入学考试半导体物理学试题
1996年天津大学硕士研究生入学考试半导体物理学试题一．（20分）1.证明 （1）：自由电子速度为 V=h 1dkdE（2）：在外力作用下，晶体中电子有效质量为mn*=h1kE dd 22式中：E 为电子能量，k 为电子波矢量，h 为普朗克常数2. 试述引进mn*的物理意义。
mn*能否为负值？为什么？晶体中内外层电子在外力作用下获得的加速度有何差别？二（15分）①假设一杂质半导体，当考虑有杂质电离，本征激发，电离杂质散射及晶格散射等因素时，画出其电阻率随T1的变化示意图。
②假设半导体的浓度分别为N D 1=1012cm3-，N D 2=1016cm3-,试在同一图上画出其EF随T 的变化规律。
三（15分）①解释 在一定电场一定温度下，GaAs 会出现负微分电导率。
为什么GaAs 材料适合做激光管？②在TTL 硅高速电路中，在晶体管基极与集电极之间接一肖特基二极管，为什么？③在一定电场，磁场下，测得某一长为L,宽为B ，厚为D 的矩形半导体样品的霍尔系数为RH 0，当电场，磁场不变，而样品长为2L ，宽为2B ，厚为2D 时，测得霍尔系数应为多少？①②③④四 （20分）1. P-N 结中费米能级随位置的变化和电流密度的关系为Jn=nμndxd E F,（Jp=p μpdxd E F）,试分别讨论平衡P-N 结和非平衡P-N 结正向偏置时EF随位置和载流子浓度的关系。
并画出其能带示意图。
2. 在平衡P-N 结势垒区中和正向偏置的P-N 结势垒区中，有无载流子净产生或净复合？五（20分）有一P-Si 衬底MOS 结构，氧化层中存在固定电荷，可动离子界面态等电荷。
测得其C-V 曲线如图a 所示。
请分别指出曲线②③④各为何种电荷的影响（其中曲线①为理想情况，曲线③为BT 处理后所测）。
解释第④条曲线产生的原因。
2.如MOS 结构电极为1mm ×1mm,Cmax=88.5pf,Cmin=40pf,室温下测VFB 1=-2V ，或BT 处理后VFB 2=-4V ，试计算氧化层中可动离子密度Nm。
2012年天津大学集成电路工程专业学位考研参考书专业课考研真(精)
育明教育中国考研专业课辅导第一品牌育明教育官方网站: 1育明教育天津分校2015年天津地区15所高校考研辅导必备天津分校地址南京路新天地大厦2007专注考研专业课辅导8年天津地区专业课辅导第一品牌天津分校赵老师与大家分享资料育明教育,创始于2006年,由北京大学、中国人民大学、中央财经大学、北京外国语大学的教授投资创办,并有北京大学、武汉大学、中国人民大学、北京师范大学复旦大学、中央财经大学、等知名高校的博士和硕士加盟,是一个最具权威的全国范围内的考研考博辅导机构。
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2012年天津大学集成电路工程专业学位考研参考书专业课考研真题考录比复试线电子信息工程学院专业代码、名称及研究方向人数考试科目备注085209集成电路工程(专业学位_010*******①101思想政治理论②201英语一③301数学一④811电路复试科目:微电子学与固体电子学综合_020*******①101思想政治理论②201英语一③301育明教育中国考研专业课辅导第一品牌育明教育官方网站:2数学一④813半导体物理或电介质物理_0304085209①101思想政治理论②201英语一③301数学一④815信号与系统考研政治每年平均分在4,50分,不是很高,政治取得高分除了靠记忆力还要有一定的技巧,今天我就考研政治中的一些答题技巧,来和同学们分享一下。
选择题分值为50分。
其中单选题16道,满分16分;多选题17道,满分34分。
选择题由于考查范围广,涉及的知识点零散,这种题型很需要考生对教材和大纲有系统而熟练的掌握。
选择题中,多选题的难度较大,它是拉开政治分数的一个题型之一。
单项选择题政治单选是属于必得的高分题型。
而应对单选这种题型,考生在记忆相关概念时一定要明晰,不能模棱两可,尤其是容易混淆的概念,一定要注意区分。
而最能帮助考生区分的方法是适度的习题训练,通过练习来加强记忆和理解。
在得分方面,单选题总分值在16分,考生最好拿12分以上的分数。