半导体物理历年考研试题分析
(最新整理)半导体物理学考试试卷及参考答案
半导体物理学考试试卷及参考答案
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历年华东师范大学906半导体物理考研真题答案资料
历年华东师范大学906半导体物理考研真题答案资料一、考试解读：part 1 学院专业考试概况：①学院专业分析：含学院基本概况、考研专业课科目:906半导体物理的考试情况；②科目对应专业历年录取统计表：含华东师范大学信息科学技术学院电子工程系相关专业的历年录取人数与分数线情况；③历年考研真题特点：含华东师范大学考研专业课906半导体物理各部分的命题规律及出题风格。
part 2 历年题型分析及对应解题技巧：根据华东师范大学906半导体物理考试科目的考试题型（名词解释题、简答题、论述题等），分析对应各类型题目的具体解题技巧，帮助考生提高针对性，提升答题效率，充分把握关键得分点。
part 3 2018真题分析：最新真题是华东师范大学考研中最为珍贵的参考资料，针对最新一年的华东师大考研真题试卷展开深入剖析，帮助考生有的放矢，把握真题所考察的最新动向与考试侧重点，以便做好更具针对性的复习准备工作。
part 4 2019考试展望：根据上述相关知识点及真题试卷的针对性分析，提高2019考生的备考与应试前瞻性，令考生心中有数，直抵华东师范大学考研的核心要旨。
part 5 华东师范大学考试大纲：①复习教材罗列（官方指定或重点推荐+拓展书目）：不放过任何一个课内、课外知识点。
②官方指定或重点教材的大纲解读：官方没有考试大纲，高分学长学姐为你详细梳理。
③拓展书目说明及复习策略：专业课高分，需要的不仅是参透指定教材的基本功，还应加强课外延展与提升。
part 6 专业课高分备考策略：①考研前期的准备；②复习备考期间的准备与注意事项；③考场注意事项。
part 7 章节考点分布表：罗列华东师范大学906半导体物理的专业课试卷中，近年试卷考点分布的具体情况，方便考生知晓华东师大考研专业课试卷的侧重点与知识点分布，有助于考生更具针对性地复习、强化，快准狠地把握高分阵地。
二、华东师范大学历年考研真题与答案：汇编华东师大考研专业课考试科目的2010-2016、2018年考研真题试卷，并配备2010-2016、2018年考研真题答案详解。
半导体物理试题及答案
半导体物理试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，这是由于（）。
A. 半导体的原子结构B. 半导体的电子结构C. 半导体的能带结构D. 半导体的晶格结构答案：C2. 在半导体中，电子从价带跃迁到导带需要（）。
A. 吸收能量B. 释放能量C. 吸收光子D. 释放光子答案：A3. PN结形成的基础是（）。
A. 杂质掺杂B. 温度变化C. 压力变化D. 磁场变化答案：A4. 半导体器件中的载流子主要是指（）。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 光子答案：C5. 半导体的掺杂浓度越高，其导电性能（）。
A. 越好B. 越差C. 不变D. 先变好再变差答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体的导电性能可以通过改变其________来调节。
答案：掺杂浓度2. 半导体的能带结构中，价带和导带之间的能量差称为________。
答案：带隙3. 在半导体中，电子和空穴的复合现象称为________。
答案：复合4. 半导体器件中的二极管具有单向导电性，其导通方向是从________到________。
答案：阳极阴极5. 半导体的PN结在外加正向电压时，其内部电场会________。
答案：减弱三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述半导体的掺杂原理。
答案：半导体的掺杂原理是指通过向半导体材料中掺入少量的杂质元素，改变其电子结构，从而调节其导电性能。
掺入的杂质元素可以是施主杂质（如磷、砷等），它们会向半导体中引入额外的电子，形成N型半导体；也可以是受主杂质（如硼、铝等），它们会在半导体中形成空穴，形成P型半导体。
2. 描述PN结的工作原理。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体结合而成的结构。
在PN结中，P型半导体的空穴会向N型半导体扩散，而N型半导体的电子会向P型半导体扩散。
由于扩散作用，会在PN结的交界面形成一个内建电场，该电场会阻止更多的载流子通过PN结。
中科大半导体考研题
中科大半导体考研题半导体物理与器件是电子信息工程、物理电子学等专业的重要课程，也是中科大电子科学与技术学院的重要研究方向之一。
在中科大的半导体考研题中，通常涵盖了半导体的基本原理、器件结构、性能参数等内容，考察考生对半导体物理与器件的理解和应用能力。
其中，考研题的难度通常较高，涉及到许多深入的专业知识和理论。
以下是一道典型的中科大半导体考研题，供大家参考：题目：请解释PN结的形成原理，以及PN结的导通与截止条件是如何实现的？解答：PN结的形成原理：PN结是由n型半导体和p型半导体的结合形成的。
n型半导体的主要载流子是电子，p型半导体的主要载流子是空穴。
当n型半导体和p型半导体通过扩散结合在一起时，n型半导体中的自由电子会向p型半导体扩散，而p型半导体中的空穴也会向n型半导体扩散。
在n型半导体中，电子的浓度远远大于空穴的浓度，而在p型半导体中，空穴的浓度远远大于电子的浓度。
因此，在结的中心附近，电子和空穴会发生复合，形成耗尽层。
这样，形成了PN结，其内部存在电场，导致电子和空穴的扩散方向相反，形成内建电场。
PN结的导通与截止条件：PN结的导通与截止是通过外加电压的作用来实现的。
当PN结处于截止状态时，即没有外加电压的情况下，耗尽层的电场导致电子和空穴的扩散受到抑制，使得电子和空穴的浓度在PN结的两侧不再扩散，导致电子和空穴的扩散电流几乎为零，此时PN结的电阻非常大，处于截止状态。
当在PN结两端加正向电压时，即P区的电压高于N区的电压，电场会使得耗尽层的电子和空穴的扩散得到促进，导致电子和空穴的电流增大，此时PN结的电阻减小，开始导通。
而当在PN结两端加反向电压时，即N区的电压高于P区的电压，电场会进一步加大耗尽层的宽度，电子和空穴的扩散受到更大的抑制，导致电子和空穴的电流非常小，此时PN结的电阻非常大，导通电流几乎为零，此时PN 结处于截止状态。
总的来说，PN结的导通与截止是通过外加电压的作用，控制电子和空穴的扩散，从而控制PN结的电导，实现电子器件的正常工作。
北京大学830半导体物理考研参考书、历年真题、复试分数线
北京大学830半导体物理考研参考书、历年真题、复试分数线一、课程介绍本书针对半导体材料与器件的发展趋势,有必要向读者介绍新型半导体材料相关的知识和基本工作原理,以介绍基本物理概念为主,尽量避免复杂的数学推导和过分细致的器件细节,并尽可能多地利用量子力学知识分析、解释半导体材料和器件涉及的物理原理。
本书内容较广,适合于本科生、研究生以及相关研究人员参考。
近年来，半导体科学技术在许多方面都有了深入的发展，并逐渐形成了若干分支。
虽然各分支之间有共同的半导体物理基础，但是各自的侧重点和具体要求很不相同。
本书主要讲述与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。
第1章、第2章介绍半导体的一般原理，但内容着重于硅平面器件，对一些微观理论只作浅显的介绍。
在第3章、第4章中对pn结和半导体表面的物理原理以较大篇幅进行了具体而深入的分析。
第5章尽量结合半导体实际，介绍有关晶体和缺陷的基础知识。
二、北京大学830半导体物理考研复试分数线根据教育部有关制订分数线的要求，我校按照统考生、联考生等不同类型分别确定复试基本分数线。
考生能否进入复试以各院系所规定的各项单科成绩和总成绩确定的复试名单为准。
我校将按照德、智、体全面衡量，择优录取，保证质量，宁缺毋滥的精神和公开、公正、公平的原则进行复试与录取工作。
一、复试基本分数线：（1）、统考：考试科目学科门类政治外语数学专业课总分备注哲学(01)50509090360经济学(02)55559090370法学(03)50509090345教育学(04)5050180360文学(05)505090345北大-新加坡国立大学汉语言文字学双硕士班为340。
历史学(06)5050180345理学(07)50509090320工学(08)50509090320管理学(12)50509090350艺术学(13)505090350（2）、联考：考试科目专业学位政治外语数学专业或综合课总分备注应用统计02520050509090340金融硕士02510050509090340税务硕士02530050509090340保险硕士02550050509090340法律（法学、非法学）505090360深圳研究生院总分为340。
2003-2016年合肥工业大学831半导体物理考研真题及答案解析 汇编
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半导体物理历年真题参考答案---bySYP哈工大半导体考研真题
14)简并半导体：当杂质浓度足够高时，费米能级接近导带底甚至进入导带(N型)或者接近价带甚至进入价带的情况(P型)．说明导带底附近的量子态基本被电子占据，价带顶附近基本被空穴占据，这种情况玻尔兹曼分布来近似已不适合，必须用费米分布函数来分析能带中的载流子统计分布问题，称之为载流子的简并化，这时半导体称为简并半导体．
33)表面复合：半导体表面处杂质和表面特有的缺陷（表面态或界面态）在禁带中形成复合中心（也称为表面能级），通过这种复合中心在半导体表面发生复合的过程，称为表面复合，它是一种间接复合。
34)表面复合率：半导体表面复合过程中单位时间内通过单位表面积上复合掉的电子-空穴对数，称为表面复合率。实验证明，表面复合率US=s·（Δp）S.
19)载流子：能够荷载电流的粒子称为载流子，在半导体里有电子和空穴两种载流子。
20)热载流子：在强电场情况下，载流子从电场中获得的能量很多，载流子平均能量比热平衡时大，因而载流子能量大于晶格系统能量，载流子和晶格系统不再处于热平衡状态，称此状态下的载流子为热载流子。
21)准费米能级：在热平衡情况下可以用统一的费米能级EF描述半导体中电子在能级之间的分布.当有非平衡载流子存在时,不再存在统一的费米能级. 在这种情况下,处于非平衡状态的电子系统和空穴系统, 费米能级和统计分布函数仍适用，可以定义各自的费米能级,称为准费米能级，它们都是局部的费米能级，包括导带准费米能级和价带准费米能级.
53)扩散长度：表示半导体中载流子边扩散边复合的过程中，载流子浓度减小至原值的1/e的距离，有空穴扩散长度Lp和电子扩散长度Ln。
半导体物理试卷解答
物理学院《半导体物理》试卷一、名词解释（3’Ｘ10）1空穴：价带顶电子激发到导带底后带顶附近出现的空的量子态称为空穴。
波矢k态未被电子占据时，其它所有价带电子的导电行为，等效于一个带正电荷e，具有正有效质量m p 的准粒子的导电行为。
2间接带隙半导体：导带底与价带顶在不同k方向。
或间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和价带最大值（价带顶）在k空间中不同位置。
3. 施主杂质、施主能级：解：施主杂质：Ⅴ族原子向晶体提供多余不配对电子（电子可动），并同时成为带正电离子（不可动正电中心）的杂质。
或是在硅中掺入V族元素杂质（如磷P，砷As，锑Sb等）后，这些V族杂质替代了一部分硅原子的位置，但由于它们的外层有5个价电子，其中4个与周围硅原子形成共价键，多余的一个价电子便成了可以导电的自由电子，这样一个V族杂质原子可以向半导体硅提供一个自由电子而本身成为带正电的离子，把这种杂质称为施主杂质；若在硅中掺入III族元素杂质，（如硼B，铝Al，镓Ga，铟In等），这些III族杂质原子在晶体中替代了一部分硅原子的位置，由于它们的最外层只有3个价电子，在与硅原子形成共价键时产生一个空穴，这样一个III族杂质原子可以向半导体硅提供一个空穴，而本身接受一个电子成为带负电的离子，把这种杂质称为受主杂质。
4缺陷能级杂质能级解：实际半导体材料晶格中，存在着偏离理想情况的各种现象。
(1) 原子并不是静止在具有严格周期性的晶格的格点位置上，而是在其平衡位置附近振动；(2)半导体材料并不是纯净的，而且含有若干杂质，即在半导体晶格存在着与组成半导体材料的元素不同的其它化学元素的原子；(3)实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的，而存在着各种形式的缺陷。
（a）点缺陷，如空位，间隙原子；（b）线缺陷，如位错；（c）面缺陷，如层错，多晶体中的晶粒间界等。
由于杂质和缺陷的存在，会使严格按周期性排列的原于所产生的周期性势场受到破坏，有可能在禁带中引入允许电子具有的能量状态（即能级）--------杂质能级、缺陷能级。
中北大学半导体物理与器件考研往年真题
中北大学半导体物理与器件考研往年真题1、对一定质量的气体﹐下列说法中正确的是（）*A.温度升高，压强一定增大B.温度升高，分子热运动的平均动能一定增大(正确答案)C.压强增大，体积一定减小D.吸收热量,可能使分子热运动加剧、气体体积增大(正确答案)关于物体的内能·温度和分子的平均动能﹐下列说法正确的是（）*2、消防水桶做成上大下小的形状是为了减小水对桶底的压强[判断题] *对错(正确答案)答案解析：减小水对桶底的压力。
因为液体压强跟液体密度和液体深度有关，跟底面积无关3、3．这一秒末的速度是前一秒末的速度的2倍．[判断题] *对错(正确答案)4、3．一个力F和它的两个分力都是物体实际受到的力．[判断题] *对错(正确答案)5、在足球比赛中，下列说法正确的是（）[单选题]A．飞行过程中，足球不受力的作用B．头顶足球时头会感到疼，说明力的作用是相互的(正确答案)C．下落过程中，足球的惯性变大D．足球在地面上越滚越慢，说明物体的运动需要力来维持6、3．有的力可能只有受力物体，没有施力物体．[判断题] *对错(正确答案)7、5．推着自行车前行时前轮和后轮所受摩擦力的方向相同．[判断题] *对(正确答案)错8、2．高空雨滴下落的运动是自由落体运动．[判断题] *对错(正确答案)9、15．下列有关托盘天平的使用说法正确的是（）[单选题] *A．称量前，应估计被测物体的质量，以免超过量程(正确答案)B．称量前，应调节平衡螺母或移动游码使天平平衡C．称量时，左盘放砝码，右盘放物体D．称量时，向右移动游码，相当于向左盘加砝码10、用丝绸摩擦过的玻璃棒能吸引纸屑，说明玻璃棒有磁性[判断题] *对错(正确答案)答案解析：玻璃棒带电可以吸引轻小物体11、D.靠近地球表面沿圆轨道远行的航大器线速度与靠近月球表面沿圆轨道运行的航天器线速度之比约为9：2(正确答案)下列运动满足机械能守恒的是（）*A.手榴弹从手中抛出后的运动（不计空气阻力)(正确答案)B.子引弹射穿木块C.吊车将货物匀速吊起D.物体沿光滑圆弧面从上向下滑动(正确答案)12、如图59所示，“蛟龙号”载人深潜器是我国首台自主设计、研制的作业型深海载人潜水器，设计最大下潜深度为级，是目前世界上下潜最深的作业型载人潜水器。
半导体物理学试题及答案
半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一) 一、选择题1、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以( C )导电为主。
A、本征B、受主C、空穴D、施主E、电子2、受主杂质电离后向半导体提供( B )，施主杂质电离后向半导体提供( C )，本征激发向半导体提供( A )。
A、电子和空穴B、空穴C、电子3、电子是带( B )电的( E );空穴是带( A )电的( D )粒子。
A、正B、负C、零D、准粒子E、粒子4、当Au掺入Si中时，它是( B )能级，在半导体中起的是( D )的作用;当B掺入Si中时，它是( C )能级，在半导体中起的是( A )的作用。
A、受主B、深C、浅D、复合中心E、陷阱5、 MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型( A )。
A、相同B、不同C、无关6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B )。
A、变大，变小 ;B、变小，变大;C、变小，变小;D、变大，变大。
7、砷有效的陷阱中心位置(B )A、靠近禁带中央B、靠近费米能级8、在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( D )，当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( A )。
A、大于1/2B、小于1/2C、等于1/2D、等于1E、等于09、如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表( A)，CD段代表( B )。
A、多子积累B、多子耗尽C、少子反型D、平带状态10、金属和半导体接触分为：( B )。
A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触11、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t??后，其中非平衡载流子将衰减为原来的( A )。
北京大学08-14半导体物理考研真题
2010年北大微电子半导体物理试题一．名词解释（6 x 5’=30’）1.有效质量近似2. E –K 关系3. 迁移率4.过剩载流子5. 简并半导体6. 异质结二．（20’）有一非均匀掺杂的N型半导体，其掺杂浓度随距表面的深度满足关系式为N(x)=N0x/L，其中L为半导体的厚度。
试画出该半导体在平衡状态下的能带图，并求该半导体的形成的自建势。
三．(30’)金属和p型半导体构成的M/S结构，金属和p型半导体的功函数分别为φM，φS，且满足φM>φS 。
（1）试画出在平衡状态下的能带图（2）假如在金属和半导体接触的界面处存在很高的界面态密度，它使得半导体一侧肖特基势垒高度被钉扎在φB值，试画出平衡状态下的能带图（3）在耗尽层近似的条件下，试求解在第（2）问中的肖特基势垒的厚度W四．（20’）一半导体存在两种掺杂杂质，施主杂质浓度和受主杂质浓度分别为ND，NA，并且ND>NA，试求出在低温下和在本征情形下费米能级在禁带中的位置和随温度变化的趋势。
五．（20’）有一突变型PN结，结两边的掺杂浓度为N0。
（1）在耗尽近似下，试求出在反向偏置电压VR下PN结势垒电容（2）在正向电压V下求出PN结边界处的载流子浓度（3）如果在PN结势垒区中存在很高的复合中心，试问在正向电压下会对正向偏置电流有什么影响。
六．（30’）金属和P 型半导体构成的MIS 结构，其中金属和半岛体的功函数分别为φM，φS，且满足φM>φS。
在氧化层中存在陷阱，当外加栅压为负或者由负变正时，陷阱能够束缚一个电子而使得陷阱电荷为负值；否则，氧化层中陷阱不带电荷。
（1）试画出MIS 结构在平带，积累和强反型情形下的能带图。
（2）试求出平带电压的表达式。
2011年北大半导体物理真题一、名词解释：1.半导体载流子2.爱因斯坦3.弛豫时间近似4.准费米能级5.齐纳击穿6.超晶格二、给定非均匀掺杂的N型半导体，要求(1)画出平衡时的能带图;(2)求当x=X处的载流子浓度。
西电801半导体物理1999至2014年17类大题与考频
E (k x , k y , k z ) EV
h2 kx2 k y2 kz2 2m* p
三维、导带极小值位于 kox , koy , koz 处，椭球等能面（有效质量各向异性）
2 2 2 h 2 k x kox k y koy k z koz E (k x , k y , k z ) EC 2 m* m* m* x y z
h2 2 k 2 ky * x 2mn
三维、导带极小值位于 0, 0, 0 处，球形等能面（有效质量各向同性）
h2 2 E (k x , k y , k z ) EC k 2 ky k z2 * x 2mn
三维、价带极大值位于 0, 0, 0 处，球形等能面（有效质量各向同性）
1 no V 4
1 EC gC ( E ) f B ( E )dE V
3 * 2 n 3 3
1 * 2 E EF (2mn ) dE EC 4 V h3 ( E EC ) 2 exp koT
3
(2m ) h
1 E EF 2 ( E E ) exp C EC koT
f (E) 1 E EF 1 exp koT
， E 与 EF 相差不大，受到泡利不相容原理限制，简并态
玻尔兹曼函数： f B ( E ) exp E EF koT
， E EF ，不受到泡利不相容原理限制，非简并态
相应的 1 f ( E ) ， 1 f B ( E ) 为量子态为空（空穴）的概率
1、k 空间
k 空间：量子力学中用 k 空间描述能量 E 的量子化
2014年北京大学938半导体物理考研试题(回忆版)
2.一块 p-i-n 的结，如图，p 型半导体与 n’型半导体之间隔着一块本征半导体， 设掺杂浓度分别为 Na，Nd，在突变耗尽的条件下求：
P 型半导体 本证半导体 N 型半导体 -Xp 0
d Xn
（1）列出泊松方程。 （2）求出最大场强 Em （3）验证总的电压降 ψm=，Wd=Xp+Xn （4）求出总的耗尽层宽度
2014 年北京大学 938 半导体物理考研试题（回忆版）
一、名词解释（30 分） 1.半导体载流子 2.超晶格 3.爱因斯坦关系 4.声子散射 5.俄歇复合 6.施主电离能
二、计算题 1.一块 n 型半导体，掺杂浓度在体内是呈线性关系，在 x=0 处为掺杂浓度为 N(0)， 载流子浓度分别为 n，p，电势为 0，距离 X 处的电势为 V。画出该半导体在平衡 时的能带图，求出 X 处的载流子浓度分别为多少。
3.异质结原题（2009 年第四题）
4.Mos 原题（2009 年第六题）
5.金半接触，金属功函数 φm＜n 型半导体功函数 φs，半导体亲和势 X，禁带宽 度 Eg 画出该接触的在正向偏压与反向偏压下的能带图，分析 C-V 关系
6.假设距离导带底部三分之一禁带宽度有一个界面态，界面态密度很大，求此时 该样品的接触电流。
半导体物理学试题及答案
半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一) 一、选择题1、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以( C )导电为主。
A、本征B、受主C、空穴D、施主E、电子2、受主杂质电离后向半导体提供( B )，施主杂质电离后向半导体提供( C )，本征激发向半导体提供( A )。
A、电子和空穴B、空穴C、电子3、电子是带( B )电的( E );空穴是带( A )电的( D )粒子。
A、正B、负C、零D、准粒子E、粒子4、当Au掺入Si中时，它是( B )能级，在半导体中起的是( D )的作用;当B掺入Si中时，它是( C )能级，在半导体中起的是( A )的作用。
A、受主B、深C、浅D、复合中心E、陷阱5、 MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型( A )。
A、相同B、不同C、无关6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B )。
A、变大，变小 ;B、变小，变大;C、变小，变小;D、变大，变大。
7、砷有效的陷阱中心位置(B )A、靠近禁带中央B、靠近费米能级8、在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( D )，当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( A )。
A、大于1/2B、小于1/2C、等于1/2D、等于1E、等于09、如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表( A)，CD段代表( B )。
A、多子积累B、多子耗尽C、少子反型D、平带状态10、金属和半导体接触分为：( B )。
A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触11、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t??后，其中非平衡载流子将衰减为原来的( A )。