铸造多晶硅小平面枝晶生长机制的研究

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硅晶体生长技术的研究及优化

硅晶体生长技术的研究及优化

硅晶体生长技术的研究及优化随着信息时代的发展,电子技术得到了迅猛的发展。

而硅材料作为半导体材料之一,因其良好的性能、工艺成熟等原因成为了电子工业中最常用的基础材料之一。

硅晶体生长技术的研究及优化对于提高硅材料的质量、提升硅片制备工艺和推进电子工业的发展具有重要意义。

一、硅晶体生长技术的发展历程及主要方法硅晶体生长技术是从20世纪初开始的。

早期的生长工艺主要是物理化学气相沉积(CVD)及其他化学气相沉积(MOCVD等)等技术,但这些方法的应用受到了一定的限制,如成本较高、材料质量无法保证、生长速率较慢等。

而对于硅晶体生长技术的研究及优化,使得这一技术的应用得到了很大的提升。

近年来,硅晶体生长技术得到了很大的发展。

如时光生长法、CZ(Czochralski)法、FZ(Float Zone)法等技术逐渐成熟,广泛应用于半导体领域。

其中,CZ法、FZ法则是目前应用广泛的两种硅晶体生长技术。

CZ法是一种单晶硅生产方法,是通过Czochralski晶体生长法生产的。

该方法将沿用最早的硅晶体生长方法,通过将熔体逐渐制冷至室温,长出单晶硅材料。

该方法可以使晶体直径较大,晶体品质较高,但晶体生长速度较慢,仅能生长数毫米/小时。

FZ法则是通过浮动区晶体生长法(Float Zone)生产的,该法原理是利用感应加热将硅棒或硅片加热至某一温度区间内,随后使用合适的磁场,以形成带电的哈斯电流,通过哈斯电流的电磁力和电阻排斥将半导体材料加热至熔点,形成了流动的硅材料。

FZ法的优点是生长速度较快,晶体品质较高,有较高的利用率以及较低的环境污染等比较显著的优势。

二、硅晶体生长技术的优化及应用随着硅晶体生长技术的不断升级,为了使晶体的品质更好、物理特性更稳定,优化与改进已成为重要的研究方向之一。

一些新的方法和技术被引入了这一领域,如超声波晶体生长技术、离子辅助晶体生长技术以及磁构取向生长技术等等。

其中,超声波晶体生长技术是针对硅晶体生产过程中微观级别存在的某些问题而被提出的一种方法。

多晶硅生长的数值模拟研究

多晶硅生长的数值模拟研究

多晶硅生长的数值模拟研究多晶硅是一种广泛应用于太阳能电池、 LED 、超级电容器等领域的材料。

随着太阳能产业的兴起,多晶硅的需求量不断增加,但现有的多晶硅生产技术成本较高,效率低下。

而通过数值模拟,可以对多晶硅生长过程进行研究和优化,提高生产效率和降低成本。

多晶硅的生长过程多晶硅的生长通常采用单晶棒法。

该方法是将硅棒放入石英坩埚中,上下端分别连接电极并加热,使硅在坩埚中熔化,然后把一个附着固液接触线的单晶硅种子放入熔体中,通过缓慢上升降温的过程,使得熔融的硅逐渐沿着种子晶面沉积形成单晶硅棒。

多晶硅与单晶硅的生长机制不同,其生长过程并非在一个晶体晶面上进行,而是由多个晶面共同沉积而成,导致多晶形态。

多晶硅的生长机制复杂,在多晶核的形成、晶界活性和晶体形态等方面存在许多难以精确描述的问题。

数值模拟方法相对于实验和纯理论方法,数值模拟在研究多晶硅生长过程中具有一定的优势。

数值模拟可以准确记录生长过程中的变量,如晶体大小、生长速率、界面形态等,这些变量对于生长质量和效率的影响至关重要。

同时,数值模拟可以重复不同实验条件和方案,快速评估潜在的生长参数和工艺优化方案,提高生产效率和降低成本。

数值模拟方法常用的有面积/体积分数方法、相场方法、拉格朗日方法和欧拉方法等,其中,面积/体积分数方法是一种应用最广泛的方法。

该方法的基本思想是将长大的晶粒看做一个相,并用它在研究区域中的面积或体积分数来描述多晶硅晶体的形态和分布等信息。

数值模拟应用采用数值模拟方法,可以对多晶硅生长过程中的各个环节进行分析和优化。

例如,针对多晶硅生长过程中的引入气体的影响,可以通过将气体的扩散和输运方程加入数值模拟中,计算出气体在熔体中的传输规律和浓度场分布。

通过对气体参数进行优化,可以实现更高的晶体生长速率和更高的掺杂浓度。

另外,数值模拟还可以用于优化多晶硅生长环境。

通过建立多晶硅熔体的热动力学模型,可以计算出熔体的温度分布和热应力分布。

太阳能电池材料电子教案(铸造多晶硅晶体生长的影响因素)

太阳能电池材料电子教案(铸造多晶硅晶体生长的影响因素)
授课日期
授课节次
授课班级
8.3.4晶体生长的影响因素
8.3.4晶体生长的影响因素
教学目的
1、掌握铸造多晶硅晶体生长时,要解决的主要问题
2、了解各个问题产生的原因及可能采取的措施
3、了解铸造多晶硅如何进行晶体掺杂
教学重点
1、掌握铸造多晶硅晶体生长时,要解决的主要问题
2、铸造多晶硅如何进行晶体掺杂
教学难点
7、晶体生长工艺过程分哪几步?
Ⅲ、讲授新课:78分钟
第八章铸造多晶硅
8.3.4晶体生长的影响因素
一、固液界面的温度(均匀、无温度梯度)
若固液界面温度不均匀(边缘温度低)→边缘处晶核从四周向中心生长
二、热应力(越小越好)
晶体生长速度快→温度梯度→热应力→晶体内位错生长
三、晶粒大小(尽可能大)
晶粒越大→晶界面积相应减少→电池效率影响减小
3、优点
分凝系数0.8,均匀掺杂,电阻率均匀
Ⅳ、归纳总结:2分钟
1、铸造多晶硅晶体生长时,要解决的主要问题
2、各个问题产生的原因及可能采取的措施
3、铸造多晶硅如何进行晶体掺杂
Ⅴ、布置作业:1分钟
课后研组长签名教务科长签名
年月日
⑵冷却速率带大→晶核快速形成→速度大→晶粒越多越小→晶界面积越大→效率越低
8.3.4晶体生长的影响因素
一、P型铸造多晶硅
二、n型铸造多晶硅
三、p型
1、原料
五氧化二磷
2、原理
氧化硼加热分解生成硼和氧气
掺杂浓度越高,载流子密度越大,电学性能越好
电阻率在0.1-0.5之间可以用来制作太阳电池,最好1cm左右
四、来自坩埚的污染
杂质越多,导致材料质量下降

铸造多晶硅制备技术的研究进展

铸造多晶硅制备技术的研究进展

(1 Department of Solar Energy Science and Engineering,Xinyu college,Xinyu 338000,
2 Department of Mechnial and Power Engineering!Nanchang Institute of Technology,Nanchang 330099)
tion and the electromagnetic continuous pulling In addition,the purification technique for phosphorus and boron in
metallurgical grade silicon is explained in details,formation and control of grain boundary and dislocation of multicrys—
为了降低坩埚对硅锭的污染。研究者提出了一种改进方 法。在坩埚内壁涂上si。N4膜层,以降低来自坩埚杂质的玷 污。同时.&。N.涂层还能起到一定的润滑脱模作用,因为硅 熔体在高温时与石墨发生反应,加之硅凝固过程中的体膨胀 作用,易造成硅锭与石墨模具的粘连,冷却后难以脱模,使用 si。N|涂层后硅熔体和坩埚内壁不粘结,这样既可以降低凝固 时产生的大量应力又能多次使用坩埚,从而降低了生产成 本。但最近美国的研究者Buonassisi等[2I]通过分析比较了 口-Si3N.涂层与铸造多晶硅中杂质的种类、相对浓度、含有杂 质颗粒的化学态和杂质分布状况及其形成机理后,认为在铸 造多晶体生长时,si。N。涂层中的金属与非金属杂质可能会 污染铸造多晶硅,并提出了相应解决措施:(1)减少mSi。N中 杂质含量;(2)改善口-Si3N的结构质量,使得在晶体生长时口- 鼠N中的分解物降到最低;(3)降低坩埚的表面面积与体积 的比率(如增大坩埚尺寸大小)。 1.2定向凝固法

多晶硅铸锭的晶体生长过程

多晶硅铸锭的晶体生长过程

多晶硅铸锭的晶体生长过程多晶硅铸锭的晶体生长过程在真空熔炼过后,还要经过一个降温稳定,就进入定向凝固阶段。

这个过程既是多晶硅的晶体生长过程,也能够对回收料和冶金法多晶硅料中含有的杂质进行进一步的提纯。

(一)定向凝固与分凝现象硅液中的杂质在硅液从底部开始凝固的时候,杂质趋向于向液体中运动,而不会停留在固体中。

这个现象叫做分凝现象。

在固液界面稳定的时候,杂质在固体中的数量与在液体中的数量的比值,叫做分凝系数。

分凝系数小于1的杂质,在进行定向凝固的时候,都会趋向于向顶部富集。

富集的数量和程度,取决于分凝系数的多少。

一般来说,金属杂质的分凝系数都在10-3以下(铝大约是0.08),所以,定向凝固方式除杂,对于金属杂质比较有效;而硼和磷的分凝系数分别为0.8和0.36,因此,硼和磷的分凝现象就不是太明显。

在定向凝固提纯的同时,考虑硅的长晶工艺,使得定向凝固后的硅能够成为多晶硅锭而直接进行切片,这就是将提纯与铸锭统一在一个工艺流程中完成了。

这也是普罗的提纯铸锭炉的重要提纯手段。

由于含有杂质的硅料和高纯料的结晶和熔液的性质都不太一样,因此,提纯铸锭炉所采用的热场与纯粹铸锭炉的热场是有区别的。

普罗新能源公司目前采用自己研制的提纯铸锭一体化的专利设计,比较成功地解决了这个问题,使得真空熔炼与铸锭是在一次工艺里完成的,既较好地解决了提纯的问题,也圆满地完成了铸锭的要求。

(二)晶体生长过程定向凝固分为以下四个阶段,包括:晶胚形成、多晶生长、顶部收顶、退火冷却。

晶胚形成在熔炼过后,要把硅溶液的温度降低到1440℃左右,并保持一段时间,然后,使坩埚底部开始冷却,冷却到熔点以下6-10℃左右,即1404-1408℃左右。

RDS4.0型的炉体降低底部温度的方法是降低底部功率,和逐渐打开底部热开关的方式。

与常规铸锭炉的提升保温体和加热体方式相比,由于不存在四周先开始冷却然后才逐步到中央的过程,因此,底部温度要均匀得多。

铸锭时,底部红外测温的数据不完全是硅液底部的温度,因为,该测点与坩埚底部的硅液还隔了至少一层坩埚,因此,红外温度仅能参考,还是要根据每台炉子各自的经验数据。

定向凝固制备铸造多晶硅的原理及应用综述

定向凝固制备铸造多晶硅的原理及应用综述

定向凝固制备铸造多晶硅的原理及应用综述摘要:阐述了介绍了定向凝固应用于硅材料的理论基础,论述了近年来定向凝固制备技术在杂质提纯和晶体生长的研究进展,提出了定向凝固制备铸造多晶硅研究现状和存在的问题。

展望今后的发展前景,认为新型的定向凝固技术制备出的硅锭在杂质含量、晶体结构方面均优于传统凝固技术,应积极改善定向凝固技术,以制备高品质的太阳能硅材料。

关键词定向凝固;铸造多晶硅;杂质和缺陷;转化效率晶体硅太阳能电池包括单晶电池和多晶电池2种,多晶电池的市场份额占到一半以上,商业化的多晶电池效率可以达到14%左右[1]。

实验条件下,多晶电池的最高转化效率达到20.30左右,多晶电池的效率虽然略低于单晶电池1%~2%,但多晶电池制造成本低、环境污染小,仍有很高的性价比和市场[2]。

近年来,由于技术改良、电池效率提高及生产成本下降等有利因素,因而大大促进了多晶电池应用技术的发展,也使业内专家学者给予了多晶电池制备技术更多研究和关注[3]。

影响多晶电池转换效率主要有2个方面:一是多晶硅铸锭的纯度,即使材料中含有少量的杂质,对电池的光电性能就有很大的影响[4];二是尽量减少材料中各种缺陷,多晶硅铸锭中的晶界、位错与杂质聚集成载流子复合中心,大大的降低了多晶电池效率。

由以上表述可知,要提高多晶电池的效率,必须围绕提高材料纯度和降低材料缺陷的技术进行研究,而定向凝固技术正是制备硅晶体材料的典型应用。

定向凝固技术开始只用于传统的高温合金研制,经过几十年的发展,它已经是一种成熟的材料制备技术[5]。

定向凝固技术在多晶硅铸造主要是控制晶体生长和杂质提纯2方面的应用。

定向凝固技术可以很好地控制组织的晶面取向,消除横向晶界,获得大晶粒或单晶组织,提高材料的力学性能[6]。

同时,定向凝固可生成按照一定晶面取向、排列整齐的晶体结构,由于分凝系数的不同,杂质凝聚于晶界和铸锭上方,对材料起到提纯作用。

1. 基本原理多晶硅铸锭实际上就是由定向排列的柱状晶体组合形成,形成的理论基础就是定向凝固原理。

材料学中的多晶硅生长机制研究

材料学中的多晶硅生长机制研究

材料学中的多晶硅生长机制研究多晶硅(polycrystalline silicon, 简称poly-Si)是一种重要的半导体材料,广泛应用于电子器件、太阳能电池和平面显示器等领域。

多晶硅的生长机制是研究者们长期关注的课题。

本文将从多晶硅的生长方式、生长条件和生长控制等方面来阐述目前多晶硅生长机制研究的最新进展。

一、多晶硅的生长方式多晶硅是由众多晶界组成的多晶体,晶界是晶体结构转变的地方,有助于减小或消除晶体中的缺陷。

多晶硅的生长方式可以分为两类:热解法和溅射法。

热解法是将气态硅源分解并在基板表面生成多晶硅的方法。

最早的热解法是CVD法(化学气相沉积),即将气态硅源和氢气混合,经过化学反应沉积在基板表面。

后来发展出了PECVD法(等离子体增强化学气相沉积),即将气态硅源和氢气通过等离子体处理,沉积在基板表面。

这些方法可以在低压下进行,能够获得高质量的多晶硅膜。

溅射法是将高纯度的硅靶表面轰击,溅射出的硅原子在基板表面沉积生成多晶硅的方法。

这种方法的优点是可以在大气压下进行,不需要真空设备。

然而,由于其沉积速率较低,因此生产效率较低。

二、多晶硅的生长条件多晶硅的生长需要满足一定的条件,包括温度、气氛、压力和时间等。

温度是最重要的因素,通常在600-620℃之间。

在这个温度下,多晶硅生长速率最高,较均匀地沉积在基板表面。

气氛需要控制在还原性气氛中,通常为氢气和硅源蒸汽混合气。

压力也是一个重要因素,通常在几百帕的范围内。

时间一般比较长,需要几小时到几十小时。

三、多晶硅的生长控制多晶硅的生长控制是实现多晶硅生长机制研究的关键。

通过控制生长条件可以实现多晶硅生长速率和晶粒大小的控制。

其中,生长速率的控制是需要的,因为生长速率不光影响到多晶硅的形貌,更重要的是影响到多晶硅的微观结构和缺陷密度。

晶粒大小的控制是有助于控制多晶硅电学性能的,因为晶界对电学性能有重要影响。

目前,多晶硅的生长控制主要包括两种方法:一是通过改变生长条件来控制多晶硅的生长,如改变温度、气氛、压力和时间等;二是通过添加掺杂物来控制多晶硅的生长,如掺杂硼或磷等杂质,可以有效地控制多晶硅的生长速率和晶粒大小。

第六章 铸造多晶硅

第六章 铸造多晶硅

直拉单晶硅为圆片状,而硅片制备 直拉单晶硅为圆片状 的圆形太阳电池不能有效地利用太阳电 池组件的有效空间,相对增加了太阳电 池组件的成本。如果将直拉单晶硅圆柱 切成方块,制备太阳电池,其材料浪费 就增加,同样也增加了太阳电池组件的 成本。 直拉单晶硅需要更多的“人力 资源”,如在晶体生长的“种晶” 过程,所以也增加了人力成本。
电磁感应冷坩埚连续拉晶法原理
其原理是利用电磁感应的冷坩 利用电磁感应的冷坩 埚来熔化硅原料。 埚来熔化硅原料
电磁感应冷坩埚连续拉晶法的优点
①这种技术熔化和凝固可以在不同部位同时 进行,节约生产时间 节约生产时间;而且,熔体和坩埚 节约生产时间 没有坩埚消耗,降低成本, 不直接接触,既没有坩埚消耗 没有坩埚消耗 又减少了杂质污染程度 减少了杂质污染程度,特别是氧浓度和 减少了杂质污染程度 金属杂质浓度有可能大幅度降低。 ②该技术还可以连续浇铸,速度可达 速度可达 5mm/min。不仅如此,由于电磁力对硅熔 体的作用,使得掺杂剂在硅熔体中的分布 掺杂剂在硅熔体中的分布 可能更均匀。 可能更均匀 显然,这是一种很有前途的铸造 多晶硅技术。
在晶锭制备完成以后,切成面积为 面积为 100mm×100mm、150mm×150mm或 × 、 × 或 210mm×210mm的方柱体,如图6.7所 × 示。
切完方柱体后,利用线切割机 线切割机切成 线切割机 片状,如图6.8所示。
利用定向凝固技术生长的铸造多晶 硅,生长速度慢 生长速度慢,坩埚是消耗件,不能 生长速度慢 重复循环使用,即每一炉多晶硅需要一 每一炉多晶硅需要一 晶锭底部和上部, 直坩埚;而且,在晶锭底部和上部,各 晶锭底部和上部 直坩埚 有几厘米后的区域由于质量低而不能应 用。 为了克服这些缺点,电磁感 电磁感 应冷坩埚连续拉晶法 (electromagnetic continuous pulling)已经被开发,简称EMC ) 或EMCP法。 法

铸造多晶硅晶界的EBSD和EBIC研究

铸造多晶硅晶界的EBSD和EBIC研究

文章编号:0254 0096(2006)04 0364 05铸造多晶硅晶界的EBSD和EBIC研究收稿日期:2004 11 15陈 君,杨德仁,席珍强(浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027)摘 要:利用电子背散射衍射(electron back scattered diffraction,EBSD)和电子束诱生电流(electron beam induced cur rent,EBIC)技术对铸造多晶硅的晶界类型和晶界复合特性进行了研究。

EBSD分析显示铸造多晶硅中的大部分晶界为大角度晶界(t >10 ),且以特殊晶界 3和普通晶界为主,同时还存在少量小角度晶界(t>10 )。

EBIC观察发现洁净晶界(包括大角度和小角度晶界)在300K下的复合能力很弱,晶界类型对其复合特性没有明显影响。

洁净的小角度晶界本征上在100K下具有强复合特性,而大角度晶界则不具有;在引入金属沾污后,小角度晶界对金属杂质的吸杂能力最强。

小角度晶界的复合特性可能与其界面特殊的位错结构有关。

关键词:铸造多晶硅;电子束背散射衍射;电子束诱生电流;晶界中图分类号:TK511 文献标识码:A0 引 言具有电学活性的晶界是影响铸造多晶硅太阳电池转换效率的一个重要影响因素。

早期的研究发现晶界具有深能级,是少数载流子的强复合中心[1~3],并且晶界的复合特性与晶界类型密切相关,如 3晶界是浅能级复合中心,而其他晶界则是深能级复合中心[4]。

即使对于同一条 3晶界,晶界的不同部分也会呈现不同的复合强度[5]。

另一方面,过渡族金属杂质的沾污会显著地增强晶界的复合强度[6~8]。

最近,我们考察了从不同凝固位置切割下来的多晶硅中晶界的电学性能,发现晶界的复合特性和晶锭的凝固位置有关[9],而不同凝固位置的金属沾污含量是不同的。

但大部分的原生多晶硅材料本身就存在不同程度的金属沾污,很难将晶界类型和金属沾污对晶界复合特性的影响区分开来。

毕业设计(论文)-铸造多晶硅晶体生长速率对杂质分布的影响研究[管理资料]

毕业设计(论文)-铸造多晶硅晶体生长速率对杂质分布的影响研究[管理资料]

铸造多晶硅晶体生长速率对杂质分布的影响研究摘要目前,铸造多晶硅是最主要的光伏材料,其结晶组织、缺陷、和杂质含量显著影响着太阳能电池的转换效率。

杂质的浓度和分布是影响光电转换效率的重要因素。

由于多晶硅锭的质量好坏主要取决于长晶过程中的固液界面形状及晶体生长速率大小,固液界面形状及晶体生长速率大小对定向凝固的排杂效果起决定作用,一般认为微凸的固液界面更有利于多晶硅杂质和位错的排除。

因此深入研究多晶硅生长速率对杂质分布的影响,分析它对多晶硅锭结晶学及电学性能的影响,不仅有利于生长出高成品率的铸造多晶硅锭,而且可以降低铸造多晶硅硅片的制造成本。

本工作利用微波光电导衰减仪(μ-PCD)、二次离子质谱仪(SIMS),以及红外扫描仪(IR)等方法对铸造多晶硅的杂质以及少子寿命的分布进行了系统的研究。

实验发现,硅锭中的氧浓度随硅锭高度的增加而逐渐降低,而碳的分布情况正好相反。

研究发现,在低速凝固条件下杂质的排除效果很好,平均少子寿命较高,但多晶硅锭的红区较长,铸锭周期长。

而高速凝固杂质的排除效果不佳,硅锭红区较短,但平均少子寿命较低。

关键词:铸造多晶硅,杂质,少子寿命,长晶速率The investigation on the crystal growth rate of castingpolycrystalline silicon influencing on the distribution ofimpurityABSTRACTAt present, casting polycrystalline silicon is the main PV materil. It affects are the important factors of photoelectric conversion quality of poolycrystalline silicon ingots is determined by the position of the solid/liquid interface and growth rate of crystal. The shape of solid/liquid interface and growth rate determined the quality of rejecting of ,small protruding liquid-solid interface is more advantageous to the reject of dislocation and further research on the influence of polysilicon growth rate on the impurity distribution and electrical behaviour of polycrystalline silicon ingots will help us improve the yield of the ingots and reduce the cost of casting polycrystalline silicon.In this thesis, we investigate the distribution of impurity and minority carrier lifetime of the ingots by Microwavephoto Conductive Decay(μ-PCD), ScanningInfrared Microscopy(IR), Scanning Infrared Microscopy(SIRM) . In the experiments, oxygen content increases in vetical direction, While carbon distribution is exactly thepposite. We find that low-speed solidification conditions is good to the reject of all the reject of all the metal inpurity,minority carrier lifetime is higher, but the casting cycle is longer. Whle High-speed solidification to the disadvantage of the reject of impurity. and its minority carrier lifetime is lower Experimen ts have found that poly ingot growth rate for cm/h for industrial production is a better choice.KEY WORDS:casting polycrystalline silicon,impurity, minority carrier lifetime, growth rate of the crystal.目录第一章绪论 0§引言 0§ 0§浇铸法 0§定向凝固法 (1)§电磁感应加热连续铸造( EMCP) (2)§多晶硅定向凝固原理及相关工艺参数 (2)§铸造多晶硅中的主要杂质及影响 (4)§硅中的氧 (4)§硅中的碳 (4)§ (5)第二章实验过程 (6)§ (7)§检料 (7)§多晶铸锭过程 (7)§剖方取样 (10)§样品检测 (11)§ (11)§ IR阴影检测 (11)§ SIMS测试 (12)第三章实验结果及分析 (12)§ (12)§ IR检测结果及分析 (14)§ (15)§ (16)§ (17)结论 (19)参考文献 (20)致谢 (22)第一章绪论§引言目前,铸锭多晶硅材料是最主要的太阳能电池材料,而且也被认为是今后5到10年中最主要的太阳能电池材料[1]。

铸造多晶硅小平面枝晶生长机制的研究

铸造多晶硅小平面枝晶生长机制的研究
制 进 行 了详 细 的 分 析 和 讨 论 。
料, 采用 自行设 计 的 真空 电磁 感应 熔 炼 炉 及定 向凝 固
炉对 冶金 级 多 晶硅 进 行 了真 空条 件 下 的定 向凝 固 实 验 。采用 光学金 相显微 镜对 多 晶硅铸锭 中孪 晶 的分布 规律 进行 观察 和 分析 , 同时 对 铸 造 多 晶硅 中平行 孪 晶
晶界却 能够 引起 杂 质 的诱 捕 , 因此 为 了 对杂 质 诱 捕 位 置处 的 晶界 进行 评 估 , 消除 晶粒 边 界 处 的 孪 晶 晶界 是 非 常必要 的 。本 文 以经纯化 处理 的优级 冶 金级 硅 为原
的 晶体 中存 在 大量 的 孪 晶 , 认 为孪 晶就有 可能 对 晶 体 生长起 着主 导作 用 。采用 自行设计 的真 空 电磁 感应 熔
个从 上到下 具有 负温度 梯度 的温度 场 。实 验所 用 的
硅 料为 经过 酸洗处 理 的粒 度在 0 . 3 ~0 . 5 mm 之 问 , 质
量为 2 . 5 k g 。
表 面积 , 并 且最 好使 晶界方 向与硅 晶片表 面相 互垂 直 , 这样 可 以明显 降低 晶界对 多 晶硅太 阳电池 转换 效 率 的 影 响l 1 j 。通 过采 用定 向凝 固技术 可 以获得 沿生 长 方 向
整 齐排列 的粗 大 柱状 晶组 织 , 这些 粗 大 的柱状 晶 尺寸 减 少 了晶界 数 量 同 时也 有 利 于 提 高 太 阳 电池 转 换 效
1 . 2 . 3 . 4. 5 . 6 . 7 . 8 . 9 . 1 0
率 。因 而研究 铸造多 晶硅 中各类 晶体 缺 陷的 分布 及其
炼 炉及 定 向 凝 固 炉 对 冶 金 级 多 晶硅 进 行 了 真 空 条 件 下

铸造合金中的晶体生长行为与晶粒控制技术创新优化指南

铸造合金中的晶体生长行为与晶粒控制技术创新优化指南

铸造合金中的晶体生长行为与晶粒控制技术创新优化指南随着制造业的不断发展和升级,铸造技术在实现高质量零件生产中扮演着重要的角色。

而铸造合金的晶体生长行为和晶粒控制技术对于零件的性能和品质有着直接影响。

本文将重点探讨铸造合金中晶体生长行为的基本原理以及创新优化的技术指南,以供相关产业和学术研究人员参考。

一、晶体生长行为的基本原理在铸造过程中,铸造合金的液态金属逐渐冷却凝固,过程中形成的晶体会对材料的力学性能、耐蚀性和物理性质等产生直接影响。

因此,研究晶体生长的行为对于优化材料性能具有重要意义。

1. 铸造过程中晶体的形成在铸造过程中,晶体的形成可以通过研究凝固原理和晶体生长动力学来理解。

凝固过程是指液态金属在冷却过程中,其原子或分子结构逐渐转变为有序的晶体结构。

而晶体生长动力学则是研究晶体在凝固过程中的生长速率和形态演变规律。

2. 晶体生长与材料性能的关系晶体生长的速率和晶粒的尺寸对铸造合金的性能有着直接的影响。

较高的生长速率和合适的晶粒尺寸可以提高金属的强度和韧性,而过大或过小的晶粒则可能导致材料的脆性和不均匀性。

因此,控制晶粒的生长行为成为提高铸造合金性能的关键。

二、晶粒控制技术的创新优化为了优化铸造合金中的晶粒结构,提高材料的性能和品质,研究人员提出了一系列的晶粒控制技术。

以下将列举几种常见的技术方法:1. 稳态晶核形成技术稳态晶核形成技术是通过添加合适的晶核形成剂,在铸造过程中促使晶粒在液态金属中形成。

这种技术可以控制晶体的生长速率和形态,从而优化材料的晶粒结构。

2. 过冷凝固技术过冷凝固技术利用过冷条件下液态金属的过冷度,使得晶体生长速率减慢,晶粒尺寸变细。

通过精确控制过冷度和凝固条件,可以获得具有优异性能的细晶合金材料。

3. 界面工程技术界面工程技术通过调控材料的界面结构和相互作用,控制晶界的位置、分布和稳定性。

这种技术可以提高材料的强度、韧性和防腐蚀性能,从而优化晶粒控制效果。

4. 先进的熔铸工艺先进的熔铸工艺包括真空冷床、气体凝固等技术,可以提供更加均匀的凝固条件,避免非均匀凝固和缩松缺陷的生成,从而有效控制晶粒的尺寸和形态。

多晶硅铸锭装备的晶体生长方向控制技术研究

多晶硅铸锭装备的晶体生长方向控制技术研究

多晶硅铸锭装备的晶体生长方向控制技术研究近年来,多晶硅成为光伏行业中最常用的材料之一。

而多晶硅铸锭装备作为多晶硅生产的核心设备,其技术水平对多晶硅的质量和成本有着重要的影响。

其中,晶体生长方向的控制技术是提高多晶硅质量的关键之一。

本文将就多晶硅铸锭装备的晶体生长方向控制技术进行研究,并提出可行的解决方案。

一、晶体生长方向的重要性多晶硅的结晶形态是由晶体生长方向决定的。

晶体生长方向不仅影响晶体的结晶形态和晶粒尺寸,还直接影响多晶硅的电学性能。

目前,多晶硅的电子级材料要求晶体生长方向与〈100〉方向尽可能接近,以提高太阳能电池的转换效率和降低电子级多晶硅的电阻。

因此,控制晶体生长方向对多晶硅质量的提升至关重要。

二、晶体生长方向控制技术的研究现状目前,晶体生长方向控制技术主要包括两种方法:辅助定向和自发定向。

辅助定向方法是通过控制晶体与附加晶体的接触面方向或采用特殊的结晶容器形状来实现。

自发定向方法是通过改变熔体传热方式或控制熔体温度梯度来实现。

在辅助定向方面,目前常用的方法是采用铜块辅助定向,将铜块嵌入铸锭底部,并调整铜块的形状和位置来控制晶体生长方向。

研究发现,通过调整铜块的形状和位置,可以有效地控制晶体生长方向,并获得预期的晶体形态和晶粒尺寸。

但是,这种方法在实际应用中存在一些问题,如铜块的损耗和造成的杂质引入等。

在自发定向方面,温度梯度法是一种较为常用的方法。

通过控制熔体的温度梯度,可以引导晶体在特定的方向上生长。

然而,温度梯度法对设备的要求较高,且容易受到外界环境和操作人员的影响,难以实现精确的方向控制。

三、晶体生长方向控制技术的改进方案针对目前存在的问题和不足,可以考虑以下改进方案来提高多晶硅铸锭装备的晶体生长方向控制技术:1. 设计改进:改进晶体生长容器的结构和形状,优化晶体与容器的接触方式,减小晶体生长方向受到的干扰,提高晶体的生长方向控制精度。

2. 温度梯度控制:采用先进的温度传感器和控制系统,实时监测和调节熔体温度梯度,确保温度梯度的稳定性和可调控性,提高晶体生长方向的一致性和可控性。

铸造多晶硅的研究进展

铸造多晶硅的研究进展

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铸造多晶硅的研究进展席珍强等铸造多晶硅的研究进展席珍强杨德仁'陈,君浙江大学硅材料国家重点实验室杭州摘要.近年来由于低成本和高效率的优势铸造多晶硅成为最主要的光伏材料之一现在其铸造工艺相对成,,,.熟对材料的缺陷和杂质的研究, ,日趋深化吸杂钝化及表面织构化等枝术的应用显著地改善了材料的电学和光学性.,能实验室水平上用铸造多晶硅材料制成的太阳电池的转换效率高达究现状和存在的问题展望今后的发展方向.本文详细阐述了铸造多晶硅材料的研关键词铸造多晶硅缺陷和杂质电学性能飞,一,,.一,一〔一,,一尸飞一工,,一·,.王,于,环,,一,,,,引言以光伏材料为基础所制得的太阳电池直接将太阳能转化同时其内部存在大量的缺陷和杂质从而导致它的电学性能,低于单晶硅材料可是近年来通过对铸造工艺的改进对材料 ,.内部缺陷和杂质的深入研究吸杂钝化以及表面织构化等技 ,,为电能这被公认为解决能源和环境问题最有效的途径之一 ,.术的提出和应用使多晶硅材料的电学光学性能有了明显的 ,,自年贝尔实验室研制出第一块太阳电池以来硅材料,,改善从而使铸造多晶硅太阳电池的转换效率也得到了迅速,特别是单晶硅就作为最主要的光伏材料这是基于硅元素丰富的储量微电子工业所积累的先进技术等优点晶硅太阳电池的成本较高目前其售价约为此其高成本成为大规模实用化的障碍出现逐渐打破".的提高从所示.,年的提高到年的环如图,.然而单,,,美元,因.年代铸造多晶硅的,姗. .单晶硅材料长期垄断的地位它以高的性能在,'"价格比不断排挤单晶硅市场为.年代末其市场占有率仅,求 ) ( 琐戴哥撰..左右而到了,,年其占有率就高达所示".成为最.主要的光伏材料如图.卜以粥里犯年啼化福份图铸造多晶硅太阳电池转换效率的变化,单晶硅本文将从铸造工艺体内性质及表面处理三个方面阐述多晶硅材料的发展现状存在问题及未来展望图,.年各种光伏材料在市场上的占有率情况,铸造工艺及改进原始工艺同单晶硅材料一样铸造多晶硅具有较小的光吸收系数片本文受到国家自然科学基金,教育部优秀青年教师基金和教育部博士点基金资助1994-2009 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved.材料导报年, ,年,卷第期公司首创了浇铸法制多晶硅材料一.,其,碳作为铸造多晶硅中的另外一种杂质主要来源于石墨塔涡的砧污,后许多研究小组先后提出 ' 多种铸造工艺川这些铸造工艺主要分为两种方式一种方式是在一个石英钳涡内将多晶硅.处于替代位置上的碳对材料的电学性能并无影,响但是当碳的浓度超过其溶解度很多时就会有沉淀生,熔化而后浇铸到石墨模具中另一种方式是在同一个柑祸内熔化后采用定向凝固的方法制造多晶硅.,,成诱生缺陷导致材料的电学性能变差时,,'〕..在快速热处理同氧一样碳在,.其中后一种方式所, ,一共同吸杂效果明显依赖于碳的浓度,制出的多晶硅质量较好用定向凝固法制多晶硅的原理是严格控制垂直方向上的温度梯度使固液界面尽量平直从而生长出取向较好的柱状多晶硅其电学性能均匀曰与单晶硅小,.多晶硅中的行为十分复杂有关它们对材料电学性能的影响需要进一步的研究.多晶硅中的过渡族金属元素在硅材料中过渡族金属由于有着非常大的扩散系数如,同铸造出的多晶硅呈长方体除去极少量的边角料再采用, ,,线切割昂贵的材料损失就少多了其成本自然很低尾料所以其体内的杂质含量很高,.,,.表'所示,所以除了从原材料带入这些杂质外在以后的,.由于制造铸造多晶硅的原料主要为微电子工业剩下的头表,电池制作工艺中也不可避免地会引入这些杂质中铜和镍的,列出了铸造多晶硅,,扩散系数较大即使淬火它们也会形成沉淀而不溶解在硅晶格中,,,中杂质的大致含量产成本增加..其次铸造过程中产生大量的应力可能,.铁和铬的扩散系数相对较小但是在慢速冷却热处理.,导致大量位错产生还有采用这种工艺柑锅只能用一次生时依然有大部分形成沉淀这些元素在硅的禁带中形成深能级从而成为复合中心降低少数载流子的寿命, ,.过渡族金属表铸造多晶硅中杂质的大致含量铁元素在硅中存在不同的能级这些能级与它们在硅中不同状,态有关关于其本质目前仍然不知道,,,.·,·, '·,·,·声表元素硅中部分过渡族元素的扩散系数扩散系数·改进工艺为了避免以上这些缺点研究者分别提出了以下两种改进方法.,铜一镍·一·一首先在琳祸内壁涂卜,,膜层..采用这种琳祸可川等研究了,以十分有效地降低来自柑祸杂质的站污铬,·一使用,涂层后氧碳浓度的变化发现多晶硅中的氧碳.,其它兀素如氮也对材料的电学性能有影响卜, , ,.在使用有浓度都降低了.同时使用,,涂层后熔液和琳祸内壁不粘,结这样既可以降低应力又能够多次使用柑祸从而降低,.」成'涂层的柑祸时自然地会引入氮而高浓度的氮会在硅一本其次有人沐叫提出了冷琳圳感应加热法采用这种工艺有以下一些特点材料与琳祸不接触,中形成氮化物成为铸造多晶硅边角处电学性能显著下降的原因之一,显著地降低了杂质的砧.污琳祸不磨损可以连续铸造这样成本可以进一步降低,多晶硅中的缺陷多晶硅中存在高密度的种类繁多的缺陷如晶界位错, , ,,,,,,铸造多晶硅中的杂质和缺陷及改善工艺多晶硅中的杂质由于铸造多晶硅的原料来自半导体工业剩下的头尾料,小角晶界孪晶亚晶界空位自间隙原子以及各种微缺陷等,.图就显示了铸造多晶硅中缺陷的典型形貌川.再加卜来自柑端的拈污所以杂质的含量明显高于单晶硅材料而这些杂质的存在会淤著地降低多晶硅材料的电学性能. .多晶硅中的氧氧是多晶硅中的一种非常重要的杂质它主要来自于石英琳祸的拈污在硅的熔点温度下硅和二氧化硅发生如下反应十一.,一部分从熔液表面挥发掉其余的在熔液里分解反,应如下图这样在铸造多晶硅锭中从底部到头部从边缘到中心氧浓,,铸造多晶硅中缺陷的典型形貌,度逐渐降低" '.虽然低于溶解度的间隙氧并不显电学活性,, ,,晶界与单晶硅材料最大不同之处在于多晶硅中存在大量的晶界.但是当间隙氧的浓度高于其溶解度时就会有热施主新施主和氧沉淀生成进一步产生位错层错从而成为少数载流子的复合中心· ., ,然而刘二,一晶界的认识有着两种不同的意见,.一种意见是,在多晶硅吸杂时发现当间隙氧的浓度低于, ,.洁净的晶界对少数载流子的寿命并无影响或只有很微小的影时磷吸杂效果十分显著相反高于此浓度时吸杂效果不明显甚至更差',响'只是由于杂质的站污沉淀的形成才显著地降低少数.载流子的寿命,与此相反有人认为, ,,"」晶界存在着一系列多晶硅中的碳界面状态有界面势垒存在悬挂键故晶界本身就有电学活1994-2009 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved.铸造多晶硅的研究进展席珍强等性而当杂质偏聚或沉淀于此时它的电学活性会进一步增强而成为少数载流子的复合中心但共同的看法都是杂质都,.,,宇要是因为硅是间接能带半导体材料其光吸收系数较低如,.果要获得.的光吸收效率那么多晶硅片的厚度则须要,,很容易在晶界处偏聚或沉淀, ,.同时研究表明如果晶界垂直.,,众所周知降低成本获得较高的转换效率是光伏工业,.于晶体表面那么它对太阳电池效率的影响很小的目标之一然而光伏材料的成本在整个光伏工业中占有相当大的比重位错在多晶硅铸造过程中由于热应力的作用会导致位错的产生.为了解决这个矛盾对于单晶硅材料研究者利一",,,用择优腐蚀的原理在硅片表面制得了类金字塔形貌田,川,另外各种沉淀的生成由于晶格尺寸的不匹配也会导,.,一这样的形貌既可以减少反射率更重要的是在晶体内部形成了光陷阱增加了光程获得了比较好的效果, , ,致位错的产生这些位错本身就具有悬挂键存在电学活性,.,,"几.对于多晶硅,,降低少数载流子的寿命而且金属在此极易偏聚川对少数载流子的降低就更加厉害由于其晶粒取向并不一致因此择优腐蚀受限系列的表面织构化的方法被提出..为此其它一改善材料电学性能的各种工艺吸杂工艺金属杂质的偏聚或沉淀都是少数载流子主要的复合中心如果将这些金属杂质从体内驱除掉那么材料体内的电学 ,.表面酸腐蚀织构化最近一,,〔口等采用,写.作为缓冲液腐蚀的方法获得了均匀的球面状通过模型分析发现这种形貌的反射率依赖于,的形貌值活性剂.性能将会大为改善段,.吸杂工艺就是基于这种思想而产生的, ..表示球面的高度,表示球面的直径.,,加入特别的表面,, 〔〕认为存在三种吸杂机制松弛诱生吸杂偏聚其中松弛诱生吸杂是有晶体缺陷.值增大相应的反射率减小.,与多晶硅碱腐蚀形诱生吸杂注入诱生吸杂,成随机方向的织构相比这种酸腐蚀的吸收效率较高但是其反应机理尚不清楚吸杂偏聚诱生吸杂是增加材料区域内的溶解度吸杂注入吸杂是注入自间隙原子吸杂改善材料整体的电学性能主要通过外吸杂来进行的,,.目激光织构化采用激光技术在多晶硅材料表面形成相互平行的沟槽,前工业上所实用化的吸杂技术有磷吸杂铝吸杂硼吸杂以及氧化物吸杂另外用氢或氦离子注入形成微缺陷吸杂仍处于实验室水平,..形,,.,用这种表面织构化的多晶硅制成的太阳电池获得了. , .的转换效率采用这种织构化的缺点是成本较高速度漫在表面易造成损伤不适于较薄的片子在目前的所有吸杂技术中磷吸杂的效果最为显著在时以在铸造多晶硅中作为扩散源热处理, ,,.机械织构化型或,〕,,就会得到高达拌 .的扩散长度,, '〕而原始多晶硅扩散长度,将一系列刀片固定在同一轴上转动轴便在表面上形成型的沟槽.为即.其作用机理被解释为高浓度的磷进入硅中一方面沉淀由于, ,由于用机械进行织构会造成一定的损.在硅片表面形成与基体,在晶格尺寸上伤故需要用碱性溶液取出损伤层用这种表面织构化方法所的不匹配从而产生位错形成杂质的沉淀位置另一方面大量的间隙硅原子被注入体内由于踢出效应俪过渡族金属被踢出原沉淀处而快速扩散到体表沉淀下来同样的机理铝和.制成的太阳电池的转化效率可以达到种方法的特点为,,.,·这工,艺简单工作效率高但是由于硅材料很.,,硬刀具容易磨损同样不能应用在较薄的硅片上氧化吸杂的效果就明显不如磷吸杂这被认为是在多晶硅表面缺少足够的吸杂位置所致,.,光刻加化学腐蚀织构化,习用光刻的方法在多晶硅表面上形成周期性的.或当然这些外吸杂技术依然存在着局限性如果多晶硅体内含有高密度的亚晶界或小角晶界吸杂效果就很差, ,,'其掩膜而后采用碱腐蚀或酸腐蚀的方法在表面上形成织构,次存在一个临界氧浓度高于此浓度则吸杂效果就不明显' 」这种方法不依赖于晶面更容易实用化,.最后对于扩散速度较慢的金属元素如钦吸杂效果也今.,,展望虽然在实验室里用多晶硅材料己经获得了高达不明显钝化工艺既然多晶硅中位错晶界等这些扩展缺陷存在的悬挂键,转换效率的太阳电池但是相对丁单晶硅太阳电池的转换效率依然有大约,.,写和金属杂质是少数载流子的复合中心那么采用钝化的手段,的差距存在而且还面临着将实,.来中和这些复合中心也就成为提高材料性能的另一种有效途和径目前通常采用两种钝化方式氢钝化脚〕氧化钝化呻 ' 实验表明在有一定氢浓度的情况下氢原子可以十分有效地提高材料的电学性能引入氢原子的方式有离子注入以下进行这是等方式值得注意的是氢钝化必须在因为如果高于此温度氢同杂质或缺陷之间的键就会断裂导致氢快速扩散到体外氧化钝化对于提高材料的电学性能也有较好的效果但是这种钝化仅局限在材料的表面而且在钝化的同时也对材料进行了退火这样影响它在工业中应用. .验的技术转换为大规模工业化应用的问题这一切表明在多晶硅材料研究方面还需要做大量的工作,,,首先要尽快完善冷柑祸连续铸造工艺虽然现在存在着..,铸造多晶硅大体积的趋势但是要维持好大体积多晶硅的平直液面非常困难,..,,而采用冷柑祸连续铸造的方法可以大幅度.,,提高生产效率降低成本,.其次研究重点要放在对多晶硅中的杂质和缺陷的研究上尤其是放在对多晶硅中氧碳金属杂质和扩展缺陷的综, ,,,,.合性质的研究,二,这是提高多晶硅材料电学性能的关键, ,.多晶硅表面织构化从固体物理学上讲硅材料并不是最理想的光伏材料这,最后要对化学腐蚀机理进行深入的研究寻找适合铸造多晶硅表面织构化的湿化学腐蚀方法在进一步降低生产成页下转第1994-2009 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved.材料导报自动改变其几何外形以适应工作状态的变化典型的如年, ,月第,卷第期纤维复合材料,.高阻尼减振元件曾试图用合金制作网球拍锯片和防弹材料但均没有实现商业化主要原因是原材料昂,,张庭华等材料科学与工艺孙奇杨海波等稀有金属材料与工程杨杰吴月华形状记忆合金及其应用合肥中国科技大学出版社, , , ,,,,,,,贵.,,,,其它应用用水轮机涡轮等还可用,合金制作耐气蚀构件如船用螺旋浆,,丝做钩鱼线.医学应用至赵连城稀有金属孟祥龙王中赵连城宇航材料与工艺 " 郑玉峰王中孟祥龙等金属学报, , ,, ,,,,,,,·,,早期合金在生物医学领域的应用是,,,形状记忆合金应用的一大突破在这一领域我国居国际领先,.,,,地位.主要有以下几个方面的应用,, , ,〕.,,,,①牙科牙齿矫形丝牙根②植入体波形加压骑缝钉,弓形接骨板颈椎矫形棒股骨头杯输卵管夹及血管夹人手殷声燃烧合成北京冶金工业出版社缪曙霞殷声叶宏煌等稀有金属, ,,",,,关节血管扩张支架凝血过滤器等③某些医疗器械最近.,,.,亡,,,合金多孔体的应用尤其是在骨牙齿关节, ,,,,,,,,,等硬组织修复和替换方面引起了国际生物医用材料界的关注其多孔结构有利于人体体液营养成分的传输有利于骨的论,,,张小明等,,稀有金属材料与工程,·..,,矿化组织和纤维组织长入而使其与周围组织结合更牢固 '〕, ,.,,这种集形状记忆功能超弹性生物相容性和生物组织固定效能于一身的骨科移植材料将有十分广阔的应用前景,.张苇材料导报, ,,,,,,,,参考文献, , ,责任编辑合合合少张汉民含·合今今心七洲,夕合今公从,合,夕合奋之心口丈七人冷上接第页.本的同时获得较高的光吸收率 ,,,,,,参考文献,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,又,,,,,,,,,杨德仁网端麟, ,全国半导体硅材料学术会议上海 , ,, ,·,,,,,,, , , , , , ,玉〕 ,」 , , , , ,寻· , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,,,七,,,,,,,,,,,责任编辑张明1994-2009 China Academic Journal Electronic Publishing House. 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13)增刊(Ⅱ)-0192-06铸造多晶硅小平面枝晶生长机制的研究∗罗大伟1,龙剑平1,李廷举2(1.成都理工大学材料与化学化工学院,四川成都610059;2.大连理工大学材料科学与工程学院,辽宁大连116024)摘㊀要:㊀近些年来由于低成本㊁低耗能和少污染等特点,铸造多晶硅已成为主要的光伏材料之一,越来越受到人们的广泛关注㊂但通过定向凝固工艺获得的粗大的晶体中存在大量的孪晶,认为孪晶就有可能对晶体生长起着主导作用㊂采用自行设计的真空电磁感应熔炼炉及定向凝固炉对冶金级多晶硅进行了真空条件下的定向凝固实验,通过对定向凝固铸锭的观察和分析并结合国内外其它研究机构在此方面的研究,对铸造多晶硅中平行孪晶的生长机制和小平面枝晶的生长机制进行了详细的分析和讨论㊂关键词:㊀铸造多晶硅;平行孪晶;定向凝固;生长机制中图分类号:㊀TM914.4文献标识码:A DOI:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.增刊(Ⅱ).005 1㊀引㊀言由于制备成本低廉及工艺简单等特点,自20世纪70年代以来铸造多晶硅制备技术在国内外得到迅速的发展㊂多晶硅目前已经成为最主要的光伏材料之一,但与单晶硅相比,由于用于制备多晶硅的原材料中含有较高的杂质元素,并且结晶条件和结晶组织也有差异,故多晶硅铸锭中存在较多的位错㊁孪晶等晶体缺陷,它们在光电转换器件中成为载流子的复合中心,从而严重影响太阳电池的光电转换效率㊂研究表明,铸造多晶硅的晶粒尺寸越大越好,这样可以减少晶界的表面积,并且最好使晶界方向与硅晶片表面相互垂直,这样可以明显降低晶界对多晶硅太阳电池转换效率的影响[1]㊂通过采用定向凝固技术可以获得沿生长方向整齐排列的粗大柱状晶组织,这些粗大的柱状晶尺寸减少了晶界数量同时也有利于提高太阳电池转换效率㊂因而研究铸造多晶硅中各类晶体缺陷的分布及其控制方法,对于多晶硅材料的进一步发展具有重要意义㊂孪晶是多晶硅中出现较多的另一类晶体缺陷㊂许多研究已经报道了关于小平面方式生长晶体(例如Si㊁Ge和Bi等)中的孪晶生长现象[2-5]㊂这些研究表明晶粒的生长方向与孪晶的表面是平行的,既然在这些晶体中存在大量的孪晶,那么孪晶就有可能对晶体生长起着主导作用㊂虽然孪晶的晶界并不捕获杂质,由于它们高度一致的晶界,因此在太阳电池器件中孪晶对于其光电转换效率的影响是微乎其微的㊂但是普通的晶界却能够引起杂质的诱捕,因此为了对杂质诱捕位置处的晶界进行评估,消除晶粒边界处的孪晶晶界是非常必要的㊂本文以经纯化处理的优级冶金级硅为原料,采用自行设计的真空电磁感应熔炼炉及定向凝固炉对冶金级多晶硅进行了真空条件下的定向凝固实验㊂采用光学金相显微镜对多晶硅铸锭中孪晶的分布规律进行观察和分析,同时对铸造多晶硅中平行孪晶的生长机制和小平面枝晶的生长机制进行了详细的分析和讨论㊂2㊀实㊀验自主设计的真空感应熔炼炉的结构示意图如图1所示㊂真空感应熔炼炉主要由两部分组成,即感应熔炼部分和定向凝固部分㊂其中感应熔炼炉的最大功率和频率分别为200kW和3000Hz㊂而定向凝固部分则由4段保温装置所构成,从而为定向凝固过程提供一个从上到下具有负温度梯度的温度场㊂实验所用的硅料为经过酸洗处理的粒度在0.3~0.5mm之间,质量为2.5k g㊂图1㊀真空感应熔炼炉的结构示意图Fi g1The structure dia g ram of vacuum induction meltin g furnace实验具体过程如下:将经过酸洗的硅料放入石英∗基金项目:四川省科技支撑资助项目(2010GZ0228)收到初稿日期:2013-01-03收到修改稿日期:2013-07-03通讯作者:罗大伟作者简介:罗大伟㊀(1983-),男,内蒙古通辽人,副教授,主要从事新能源材料制备与研究㊂料进行精炼,精炼一定时间后将其倒入定向凝固部位的坩埚中同时关闭感应线圈加热电源㊂待硅液静止一段时间后,启动定向凝固牵引系统,当坩埚顶完全脱离保温段以后关闭牵引系统和所有电源㊂待硅锭完全冷却后将其取出㊂真空感应熔炼实验参数如表1所示,整个实验过程的测温设备为美国产RAYMR1SCSF 型红外测温仪㊂表1㊀真空感应熔炼实验参数Table 1Ex p erimental p arameters of vacuum induc -tion meltin g实验参数实验条件精炼时间60min精炼温度1773K 真空度10-2~10-1Pa感应熔炼石英陶瓷坩埚尺寸(Øˑh ˑδ)180mmˑ220mmˑ15mm 定向凝固石英陶瓷坩埚尺寸(Øˑh ˑδ)100mmˑ300mmˑ15mm3㊀结果与讨论3.1㊀铸锭组织分析经过真空电磁感应精练后,通过定向凝固工艺(拉坯速度为30mm /h )得到Ø70mm ˑ210mm 的多晶硅铸锭㊂硅锭及其横纵截面的金相照片如图2和3所示㊂图2㊀多晶硅锭照片Fi g 2Photo of p ol y silicon in g ot沿铸锭的轴线分别在其底部㊁中部和上部进行取样分析㊂样品经研磨抛光后用浓度为20%的NaO H 溶液腐蚀10min 得到的金相组织如图4所示㊂图3为距铸锭底部100mm 处硅锭的横纵截面金相照片㊂从图3(a )可以看出,所得铸锭具有发达的柱状晶组织,晶界的方向基本与结晶方向是相平行的,这样可以呈小面生长习性,在由凝固点至室温的晶体冷却过程中其线性膨胀系数有一次突变(约在650ħ左右),将使得内应力增大,再加上结晶过程中原子堆积层错等其它因素的影响,都可能导致孪晶的产生[6]㊂图3㊀多晶硅锭横纵截面金相照片Fi g 3Metallo g ra p hic p hotos of p ol y silicon in g ot lon -g itudinal section cross section通过对多晶硅锭不同高度横截面上的孪晶组织的高倍观察发现在硅锭的不同高度都存在大量的孪晶,而且不同位置处的孪晶数量略有不同,显然在靠近硅锭底部位置含有较多孪晶,如图4所示㊂由于在粗大的柱状晶中存在着大量的孪晶所以认为孪晶有可能对晶体生长起着主导作用㊂3.2㊀硅中平行孪晶的形成机制从本文的铸锭的金相照片可以看出,在发达的柱状晶内部存在很多的平行孪晶,因此推测孪晶有可能对多晶硅晶体的生长起着主导作用㊂M.Hirofumi 等的研究表明,含有孪晶的晶粒二维形核时的临界晶核大小是普通晶粒二维形核时晶核半径的70%~80%,由于孪晶的存在临界形核半径降低了,同时形核时所需要的过冷度也降低了相同的比值,最终会影响晶体的主要生长方向和晶粒尺寸㊂因此在利用定向凝固生产铸造多晶硅时,控制对光电转换效率没有影响的孪晶晶界是一个非常重要的因素[7]㊂下面对铸造多晶硅中平行孪晶的形成机制进行分析和说明㊂图4㊀多晶硅锭不同高度横截面的金相照片Fi g 4Cross section metallur g ical p hotos of p ol y silicon in g ot at different hei g hts㊀㊀小平面枝晶最独特的特征是在枝晶的中心存在两个{111}平行孪晶[9-11]㊂硅的平面枝晶与锗的平面枝晶具有极其相似的特征[12-14]㊂因此可以认为平面枝晶的生长是与平行孪晶密切相关的㊂硅的小平面界面通过原位实验得到了观察[5,8]㊂可以利用K.Fu j iwara 等给出的模型对平行孪晶的形成机制进行解释[8]㊂图5给出了硅熔体生长过程中产生平行孪晶的模型的示意图㊂图5(a )为硅熔体在结晶过程中固液生长界面㊂硅的晶体生长界面是小平面同时在固液界面处出现了{111}晶面[4,15]㊂小平面界面的形状主要依赖于晶体生长方向,由于生长界面是平面,因此晶体生长总是在{111}晶面产生㊂当原子与具有孪晶关系的晶面接触时,就会在随后生长的晶面上形成维持孪晶关系的薄层,然后会在这个薄层上产生一个孪晶层如图5(b )所示㊂可以认为原子总是沉积在具有孪晶关系的生长界面,因为硅中{111}孪晶晶界能接近于零㊂一方面当结晶驱动力非常低几乎接近于平衡条件时,为了降低系统的吉布斯自由能,这种吸附原子的孪晶结构可以发生重新排列,为了使这些吸附的原子适应晶体表面的外延生长结构;另一方面当熔体过冷度较大时即结晶驱动力较大时,由于在结晶过程中具有较快的生长动力学和较高的能量,具有孪晶关系的薄层的生长会得到推进,如图5(c )所示㊂如果晶体是以侧向生长模型连续生长,注意到另一个孪晶晶界也形成了平行于先前的孪晶,如图5(d )所示㊂在这个模型中,当一个孪晶在生长界面的小平面上形成时,两个平行的孪晶的形成是这个模型的关键㊂当熔体的过冷度足够大时,小平面枝晶开始从这两个相互平行的孪晶的位置生长㊂在这个生长机制中,小平面枝晶的生长方向与生长界面上的小平面晶面相平行如图5(d )所示㊂图5㊀硅晶体生长过程中平行孪晶的形成机制示意图[8]Fi g 5Model of p arallel -twin formation durin g cr y stal g rowth from Si melts㊀㊀因此,这个模型解释了在晶体生长过程中为什么会产生和如何产生平行孪晶㊂这与K.Fu j iwara 等对实验结果的解释是一致的㊂小平面枝晶生长所需要的过冷度也得到了广泛的研究,一些实验数据表明过冷度的范围为10K <ΔT <100K ㊂当过冷度>100K 时,随着生长模型从横向生长变为连续生长的变化出过程,因此平行孪晶生长模型得到了实验结果的直接证明[5]㊂通过观察发现小平面枝晶生长过程中不仅仅只是在 112⓪快速生长方向上生长,同时在垂直于快速生长方向的 111⓪方向也发现生长现象㊂这表明枝晶的生长同时也会发生在平行于{111}晶面族的方向㊂这是从小平面枝晶内部平行于{111}孪晶方向观察到的㊂为了获得更多关于小平面枝晶生长行为的信息,Fu j iwara 等又从垂直于{111}孪晶方向对枝晶的生长进行了观察㊂当晶体生长过程中出现枝晶时,{111}平行孪晶在平行于{111}晶体表面产生㊂在枝晶的顶端出现了具有60ʎ的三角形的拐角,同时这个拐角的方向从一侧到另一侧交替地发生变化沿着晶体生长的方向㊂这个三角形的拐角在先前的Hamilton 和Seiden -sticker 的模型中并没有提到[16]㊂因此可以得到关于小平面枝晶生长行为3个方面的重要结论:(1)小平面枝晶可以沿 111⓪方向进行繁殖生长,这个方向是垂直于枝晶快速生长方向 112⓪的;(2)在小平面枝晶的顶端形成了具有60ʎ三角形的拐角;(3)在生长过程中60ʎ三角形拐角的方向在不断地发生变化㊂的凹角(Ⅰ类型)出现在生长界面㊂相对于{111}平坦的表面,形核很容易在凹角处发生[16],因此晶体快速在凹角处生长,最终会形成具有60ʎ的三角形拐角㊂由于凹角的消失,快速生长在这个时候会停止㊂这就是为什么当只有一个孪晶时小平面枝晶不会出现㊂Hamilton 和Seidensticker 提出的双孪晶晶体生长模型,这个模型与1960年提出的小平面枝晶生长模型相吻合㊂图6(b )给出了由{111}惯性面组成的双孪晶㊂假定在{111}平坦表面是很难发生晶体生长的㊂发生在Ⅰ类型凹角处的快速生长类似于单孪晶晶体的生长㊂新的生长层又形成了一个具有109.5ʎ的新的凹角㊂利用Ⅱ类型对其进行表征㊂Hamilton 和Seiden -sticker 认为在Ⅱ类型凹角处同样可以发生形核现象㊂因此,相对于只具有一个孪晶的晶体,在Ⅰ类型凹角消失前,Ⅱ类的凹角可以维持晶体在横向的连续生长㊂在他们的这个模型中最重要的是Ⅰ类型凹角并没有消失在枝晶生长过程中,也就是说,在枝晶生长的尖端不会出现三角形的拐角㊂然而,这个模型与Fu j iwara 等的实验结果是相矛盾的㊂图6㊀硅晶体在一个孪晶和双孪晶情况下生长行为示意图[16]Fi g 6Schematic ima g es of g rowth behavior of silicon cr y stal with one twin and double twins [16]3.3.2㊀双孪晶生长模型Fu j iwara 等[5]基于实验过程提出了一个新的生长模型㊂为了更好地对模型进行描述,分别用twin1和twin2来表征两个孪晶,如图7(a )所示㊂在Ⅰ类型的凹角处的快速生长导致了在枝晶生长顶部形成了一个具有60ʎ的三角形的拐角,如图7(b )和(c )所示㊂类似于在实验中观察到的单孪晶的晶体生长㊂虽然快速生长会因为凹角的消失而被抑制,但是晶体的生长却可以在{111}平坦的表面继续㊂在先前的模型中,晶体的生长似乎很难在平坦的{111}面发生㊂然而从Fu j i-wara 等的实验中却发现在过冷的液体中在{111}表面发生了晶体生长现象[6]㊂晶体生长后注意到在twin2的生长表面形成了两个新的Ⅰ类型的凹角,如图7(d )所示㊂因此快速生长能够继续进行,具有60ʎ的三角形拐角也会以以前同样的形式继续形成,如图7(e )和(f )所示㊂60ʎ拐角的方向也会发生变化,如图7(d )和(f )所示,这与实验结果是相一致的㊂晶体的生长会在{111}平坦表面继续推进,从而也会在twin1处形成新的Ⅰ类型凹角,如图7(g)所示㊂通过重复以上相同的过程和在生长顶部不断地形成60ʎ的拐角,枝晶的生长可以连续地进行㊂在先前提出的生长模型中[16],假定由于在twin2处形成了Ⅱ类型的凹角,晶体可以横向生长,同时晶体在{111}平面的生长可以忽略㊂在这种情况下,小平面枝晶只能在快速生长方向和垂直于快速生长方向发生生长,这表明在过冷的熔体中,枝晶生长可以在{111}平坦表面上很容易发生㊂双孪晶存在的重要意义不仅是形成了Ⅱ类型的凹角,而且在每个孪晶上交替地生成了Ⅰ类型的凹角㊂图7中的生长模型全面地解释了小平面枝晶的生长行为的实验现象㊂而且,双孪晶的生长模型不仅仅可以应用于硅,而且还可以应用于其它的小平面材料㊂图7㊀双孪晶下硅晶体生长行为示意图[5]Fi g7Schematic ima g es of g rowth behavior of silicon cr y stal with double twins4㊀结㊀论(1)㊀通过定向凝固工艺可以获得具有发达的柱状晶组织的多晶硅铸锭,晶界的方向基本与结晶方向是相平行的,这样可以使晶界方向与硅晶片表面相互垂直,从而有利于太阳能电池效率的提高㊂但多晶硅铸锭内部不同高度都存在大量的孪晶组织,所以认为孪晶有可能对晶体生长起着主导作用㊂(2)㊀由于含有孪晶的晶粒的二维形核时的临界晶核大小是普通晶粒二维形核时半径的70%~80%,由于孪晶的存在,临界形核半径降低了,同时形核时所需要的过冷度也降低了相同的比值㊂最终会影响晶体的主要生长方向和晶粒尺寸㊂(3)㊀平面枝晶生长行为3个方面的重要结论:小平面枝晶可以沿 111⓪方向进行繁殖生长,这个方向是垂直于枝晶快速生长方向 112⓪的;在小平面枝晶的顶端形成了具有60ʎ三角形拐角;在生长过称中60ʎ三角形拐角的方向不断地发生变化㊂(4)㊀小平面枝晶只能在快速生长方向和垂直于快速生长方向发生生长,这表明在过冷的熔体中,枝晶生长可以在{111}平坦表面上很容易发生㊂双孪晶存在的重要意义不仅是形成了Ⅱ类型的凹角,而且在每个孪晶上交替地生成了Ⅰ类型的凹角,双孪晶的生长模型不仅仅可以应用于硅,而且还可以应用于其它的小平面材料㊂参考文献:[1]㊀Schwuttke G H.Cr y stal effect p roblems[C].San Die g o:16th IEEE Photovoltaic S p ec Conf,1982.326-332. [2]㊀Fu j iwara K,Pan W,Sawada K,et al.Directional g rowthmethod to obtain hi g h q ualit y p ol y cr y stalline silicon fromits melt[J].J Cr y st Growth,2006,(292):282-285.[3]㊀Wan g Ru y ao,Lu Weihua,Ho g an L M.Faceted g rowthof silicon cr y stals in Al-Si allo y s metal[J].Mater TransA,1997,(28):1233-1243.[4]㊀Jackson K A.Growth and p erfection of cr y stals[M].NewYork:Wile y,1958.319-320.[5]㊀Fu j iwara K,Naka j ima K,U j ihara T,et al.In situ obser-vations of cr y stal g rowth behavior of silicon melt[J].JCr y st Growth,2002,(243):275-282.[6]㊀王㊀武,未建军,舒光冀,等.太阳能级多晶硅中的晶体缺陷及其控制[J].太阳能学报,1980,(10):361-366.[7]㊀Hirofumi M,Seiko N,Masa y uki O,et al.Effect of twing rowth on unidirectional solidification control of multic-r y stal silicon for solar cells[J].Materials Transactions, 2005,(46):935-943.[8]㊀Fu j iwara K,Maeda K,Usami N,et al.Formation mech-anism of p arallel twins related to Si-facetted dendriteg rowth[J].Scri p ta Mater,2007,(57):81-84.[9]㊀Bennett A I,Lon g ini R L.Dendritic g 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Growth ,2009,(312):19-23.[16]㊀Hamilton D R ,Seidensticker R G.Pro p a g ation mecha -nism of g ermanium dendrites [J ].J A pp l Ph y s ,1960,(31):1161-1165.Research on the small p lane dendrite g rowth mechanism of cast p ol y siliconLUO Da -wei 1,LONG j ian -p in g 1,LI Tin g -j u2(1.Colle g e of Materials and Chemistr y &Chemical En g ineerin g ,Chen g du Universit y of Technolo gy ,Chen g du 610059,China ;2.School of Materials Science and En g ineerin g ,Dalian Universit y of Technolo gy ,Dalian 116024,China )Abstract :In recent y ears ,cast p ol y cr y stalline silicon had become a one of ma j or p hotovoltaic because of its low cost ,low ener gy consum p tion and less p ollution and other advanta g es and it received wide attention.However ,there were a lot of twins in the coarse columnar g rain obtained b y directional solidification p rocess.We believed that twin was likel y to p la y a leadin g role on the cr y stal g rowth.The vacuum meltin g furnace and directional so -lidification furnace which were desi g ned b y us were used to refine metallur g ical g rade silicon (MG -Si )undervacuum conditions.The g rowth mechanism of p arallel twins and small p lane dendritic g rowth mechanisms in castin g p ol y cr y stalline silicon were anal y zed and discussed in detail based on the observation and anal y sis of di -rectional solidification test of our g rou p and the research in this area of other research institutions at home and abroad.Ke y words :cast p ol y silicon ;p arallel twin ;directional solidification ;g rowth mechanismʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏʏ(上接第191页)Research on the antibacterial activit y and biosafet y of rareearth zinc oxide whiskersXIANG Ron g 1,2,DING Don g -bo 1,FAN Lian g -lian g 1,LIANG Lon g 1,HUANG Hao 1,CAO Bei -bei 1,JIANG Chan g -y u 1,HUANG Xiao-zhon g 3,XIA Kun 1,2(1.School of Life Sciences ,Central South Universit y ,Chan g sha 410013,China ;2.State Ke y Laborator y of Medical Genetics ,Central South Universit y ,Chan g sha 410078,China ;3.School of Ph y sics and Electronic ,Central South Universit y ,Chan g sha 410083,China )Abstract :Needle -like zinc oxide whiskers (rare earth zinc oxide whiskers ,RE -ZnO )were a new t yp e antibiosiscom p osite.To evaluate the antibacterial activit y and biosafet y of the RE -ZnO ,a series ex p eriments were taken ,includin g determinin g minimal inhibitor y concentration (MIC ),drawin g g rowth curve ,bacteriostasis circle test ,oxford cu p test ,mice acute toxicit y test ,skin excitation test and c y totoxicit y test.The results showedthat the RE -ZnO had an evident antibacterial effect on sta p h y lococcus aureus (g ram -ne g ative )and less but no -ticeable antibacterial effect on escherichia coli (g ram -p ositive bacteria ).And the RE -ZnO showed better anti -bacterial effects than normal zinc oxide.Excellent antibacterial effects have been observed when the RE -ZnOs p ra y ed p aint on the solid material surface.The maximum lethal dose was hi g her than 500m g /k g when themice were irri g ated with RE -ZnO.The skins of the mice had no adverse reaction in the skin excitation test whenthe concentration of RE -ZnO was lower than 1k g /L.When the concentration was 40m g /L or extract concen -tration lower than 6.25g /L of RE -ZnO ,no toxic effects on the cells were brou g ht about.In conclusion ,the RE -ZnO was a kind of favorable new -t yp e antibacterial material with insurance and hi g h -efficienc y .Ke y words :rare earth zinc oxide whiskers ;antibacterial activit y ;biosafet y791罗大伟等:铸造多晶硅小平面枝晶生长机制的研究铸造多晶硅小平面枝晶生长机制的研究作者:罗大伟, 龙剑平, 李廷举, LUO Da-wei, LONG jian-ping, LI Ting-ju作者单位:罗大伟,龙剑平,LUO Da-wei,LONG jian-ping(成都理工大学 材料与化学化工学院,四川 成都,610059), 李廷举,LI Ting-ju(大连理工大学 材料科学与工程学院,辽宁 大连,116024)刊名:功能材料英文刊名:Journal of Functional Materials年,卷(期):2013(z2)本文链接:/Periodical_gncl2013z2005.aspx。

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