新型拓扑结构跨导反馈放大器

合集下载

低电压低功耗伪差分两级运算跨导放大器设计

低电压低功耗伪差分两级运算跨导放大器设计

低电压低功耗伪差分两级运算跨导放大器设计肖莹慧【摘要】为了满足电池供电设备低功耗、低电压的要求,提出一种用于超低电压和低功率混合信号应用的、基于米勒补偿的两级全差分伪运算跨导放大器(OTA).该放大器电路使用标准的0.18μm数字CMOS工艺设计,利用PMOS晶体管的衬体偏置减小阈值电压,输入和输出级设计为AB类模式以增大电压摆幅.将输入级用作伪反相器增强了输入跨导,并采用正反馈技术来增强输出跨导,从而增大直流增益.在0.5V电源电压以及5pF负载下对放大器进行模拟仿真.仿真结果表明,当单位增益频率为35 kHz时,OTA的直流增益为88dB,相位裕量为62°.与现有技术相比,所提出的OTA品质因数改善了单位增益频率和转换速率,此外,其功耗仅为0.08μW,低于其他文献所提到的OTA.【期刊名称】《沈阳工业大学学报》【年(卷),期】2018(040)004【总页数】5页(P431-435)【关键词】低电压低功耗;伪差分两级OTA;0.18μmCMOS技术;AB类模式;米勒补偿;正反馈技术;单位增益频率;转换速率【作者】肖莹慧【作者单位】中南财经政法大学武汉学院, 武汉430000【正文语种】中文【中图分类】TN432对于电池供电的应用产品(如生物医学植入式设备、无线传感器网络和微系统),如何降低功耗是极其重要的[1].为了满足低功耗低电压要求,人们通常使用工作在弱反型(或亚阈值)区域中的MOS晶体管[2].随着薄氧化物技术的发展,为了避免击穿并保持器件的可靠性,人们减少了电源电压,短沟道器件的阈值电压(Vth)也相对于电源电压按比例缩小.短沟道器件倾向于短沟道效应(SCE),这种效应降低了放大器的固有增益,使单级放大器难以获得高增益[3-4].MOS晶体管配置的共射共基放大器因有限的电源电压倾向于减小摆动而不能使用.与串联晶体管相比,具有公共栅极的堆叠复合(自共栅)晶体管[5]能够提供较小的输出电压和高电阻值,通过级联多个增益级可实现高增益,但需要额外的补偿电路,且每个增益级需要额外的功率补偿[6-7].米勒补偿[8-11]是两级运算跨导放大器(OTA)较为简单和流行的补偿技术,嵌套式米勒补偿将包含两级以上放大器,其在两个高阻抗节点之间放置一个补偿电容(CC).由于从输入级到输出节点的前馈路径将产生正(右手平面)零点,这会降低相位裕量并使OTA不稳定.为了改善OTA的稳定性,可以消除零点或将零点置于较高频率处.而为了将零点置于较高频率处,第二级放大器则需要较大的偏置电流,这增加了放大器的总功耗.有两种技术可使正零点无效,一种技术是将米勒电阻(RC)与CC串联;另一种技术则是通过在CC和输出节点之间放置电压(电流)缓冲器来断开正向通路[12-13].但用于低频OTAs和电压(电流)缓冲器中的大量芯片会增加额外的功耗.近年来,众多低压电路均利用了衬底驱动晶体管,例如差分放大器、电流镜、电压基准和缓冲器等[8-9].衬体驱动晶体管能够工作在低电压条件下,但其衬底跨导、本征增益较小,而输入电容较大.在文献[5]中已实现了基于自级联的OTA,但其品质因数较小;文献[1]中使用三阱CMOS技术实现了伪两级栅极驱动和衬体驱动OTA,但三阱技术的需求和额外的制造步骤导致了成本增加.这些OTAs使用电阻共模反馈电路不仅降低了输出电阻值,且增大了芯片的面积.本文提出一种低功耗、高增益的伪全差分二级OTA,OTA的输入和输出级处于AB类模式,意味着所有晶体管将驱动输入信号,从而提高压摆性能.OTA的输入级用作伪反相器,其增强了输入跨导(gmⅠ),采用正反馈技术来增强输出跨导(gmⅡ).本文所提出的OTA工作电压为0.5 V,负载电容为5 pF.1 米勒补偿伪两级运算跨导放大器1.1 主放大器单级共源共栅电路拓扑结构中不适合设计工作在低电压下的大摆幅高增益放大器,相反,通常采用多级拓扑结构来实现期望的增益和输出摆动,可通过MOS晶体管的级联以及多个增益的级联来降低输出电导或增加MOSFET的输入跨导,以增加增益值[10].不同增益增强技术均有其优缺点,级联对于低电压电路不可用,多级需要补偿且每级会产生额外功率,电导可通过增加MOSFET的沟道而减小,但其增大了寄生电容.本文所提出的伪运算跨导放大器基于低电源电压,并且通过改善每个级的跨导而不增加分支中的电流来增强增益.此外,本文的OTA设计采用AB类模式以提高电压摆幅与增益.图1为米勒补偿二级伪运算跨导放大器的电路图.图1中,UIN和UIP为反相和同相输入端,UON和UOP为运算跨导放大器的输出节点.放大器第一级由伪差分对M1A-M1B、交叉耦合晶体管M2A与M4B以及M2B与M4A组成,所有晶体管偏置在亚阈值区域.在交叉耦合模式下,电压缓冲电路M2A-M2B,M4A-M4B将输入反馈到M3A-M3B.交叉耦合配置充当电压缓冲器,且其输出反馈到M3A-M3B的栅极,由于耦合配置,输入跨导将得到改善.输入级PMOS晶体管的衬底偏置电压低于衬底电压,以减小阈值电压.输入级的公共输出节点电压等于连接PMOS M4A-M4B晶体管的栅极电压,由于该种配置消除了共模反馈电路(CMFB),为了避免额外的制造步骤,OTA中NMOS晶体管的所有衬底连接到地.第二级放大器的交叉耦合(M6A-M6B,M8A-M8B)配置与第一级放大器的交叉耦合配置类似.M8A-M8B衬底连接为正反馈模式,作为共源放大器.总输出级跨导等于输出级PMOS M7A-M7B晶体管的跨导乘以交叉耦合共源结构的增益AVCF,这有助于增强增益,并可保持右半复平面(RHP)零点处于较高频率,以提高相位裕量.交叉耦合共源结构的增益为(1)式中,gmK、gmbK和gdsK为第K个晶体管的栅极跨导、衬底跨导及漏极电导.图1所示电路中,晶体管MKA的所有参数等于晶体管MKB.图1 米勒补偿的二级伪运算跨导放大器电路图Fig.1 Circuit diagram of two-stage pseudo-OTA with Miller compensation差分模式下伪运算跨导放大器的总增益为(2)(3)gmⅡ=gm5+(gm7+gmb7)·(4)1.2 共模放大器对于全差分放大器,其需要共模反馈将输出节点稳定到所需的值,一般等于中间电源电压.这里二极管连接MOS放置在输入和输出级,设置共模电压等于中间电容值.二极管连接的MOS栅极电压等于共模电压,施加的差分信号的输入和输出跨导是单独的MOS跨导的总和.输入有效跨导gmⅠC和输出有效跨导gmⅡC及共模增益AVCM表示为(5)gmⅡC=gm5-(gm7+gmb7)·(6)(7)1.3 频率补偿米勒补偿是一种用来补偿两级放大器的技术,使用该技术可以在分裂极点的两个高阻抗节点之间插入补偿电容.由于从输入级到节点的前馈将产生正零点,这降低了相位裕量.本文所提出的运算跨导放大器使用米勒补偿技术来使放大器稳定,这里通过使零点保持在较高频率实现期望的相位裕量.第二级放大器需要较大的跨导,其由正反馈交叉耦合配置得到增强.米勒补偿运算跨导放大器的极点和零点分别为(8)Pnd(9)(10)式中:R1、R2为输入和输出级的输出电阻;Pd、Pnd为主极点和非主极点;PZ 为RHP零点.图1中经过米勒补偿的OTA单位增益频率为(11)2 模拟结果2.1 基本特性本文所提出的OTA基于Cadence Virtuoso环境设计,使用UMC 0.18 μm数字CMOS技术进行模拟.为了观察OTA的开环增益和相位性能,设置负载电容(CL)为5 pF来对放大器电路进行模拟.放大器的频率特性模拟结果如图2所示,可以看出,OTA增益为88 dB,单位增益频率为35 kHz,相位裕量为62°.图3显示了共模和电源抑制响应特性.由图3可以得出,放大器的共模抑制比(CMRR)约为94.5 dB,因为在第二级配置中的正反馈用作共模信号的负反馈,这导致在输出节点处共模增益较小,所提出的OTA对共模和电源信号不敏感.伪差分OTA的输入参考噪声特性如图4所示,OTA的噪声特性主要取决于输入级跨导,其输入级跨导是常规差分配置放大器的两倍,噪声抑制效果较好.图5显示了负载电容(CL)为5 pF,电源电压为0.5 V时,本文所提出的伪OTA大信号脉冲响应.当误差为0.1%和0.01%时,建立时间分别为40 μs和160 μs.图2 频率特性模拟结果Fig.2 Simulation results of frequency characteristics图3 共模和电源抑制响应模拟结果Fig.3 Simulation results of common mode and power supply rejection response图4 输入噪声响应特性模拟结果Fig.4 Simulation results of input noise response characteristics图6为本文所提出的OTA在单位反馈增益模式下的共模范围特性.当输入电压为0.1~0.4 V时,其具有线性范围,完全可以满足低频应用.图5 单位增益模式下大信号脉冲响应模拟结果Fig.5 Simulation resultsof large signal impulse response under unity gain mode图6 单位增益模式下输入共模范围模拟结果Fig.6 Simulation results of input common-mode range under unity gain mode2.2 性能比较表1对几种OTA的主要参数进行了对比,FOM1表示单位增益品质因数,FOM2表示转换速率品质因数.由表1可知,本文所提出的放大器在增益、噪声、单位增益频率(UGF)和电源抑制比(PSRR)方面均显示出更优的性能,品质因数(FOM)也高于其他OTA.其中,电源电压为0.5 V,FOM1和FOM2分别为109、231,均为其他OTA的两倍以上.另外,直流增益高达88 dB,而功耗仅为0.08 μW,远远低于其他OTA功耗.3 结论本文提出了一种低电压低功耗CMOS伪差分两级运算跨导放大器(OTA),该放大器基于AB类拓扑结构,其中输入馈送到输入晶体管.为了避免低增益问题,在第二级放大器中采用正反馈技术提高了OTA的增益和稳定性,同时获得较小的电流及较大的跨导.与之前文献所提出的OTA相比,本文提出的OTA显示出更好的品质因数(FOM1和FOM2).同时,文中使用5 pF负载电容和0.5 V电源电压对OTA进行模拟,模拟结果显示,本文提出的OTA在35 kHz的单位增益频率下直流增益高达88 dB,相位裕量为62°.此外,输入参考噪声特性模拟结果显示,该OTA在低频下具有更好的闪烁噪声性能,且在1 kHz下的输入参考噪声有益于在生物医学中应用.该OTA在0.5 V电源电压下功耗为0.08 μW,远小于文献中其他OTA的功耗.表1 伪OTA与其他文献中的OTA模拟仿真结果对比Tab.1 Comparison in simulation results of pseudo-OTA and OTA in other literatures方法电源电压VCMOS技术直流开环增益dBUGFMHz相位裕量(°)压摆率(+/-)(V·μs-1)输入噪声(μV·Hz-1/2)CMRRdB本文0.50.18μm(双阱)88.0 0.035620.074/-0.0870.150(@1kHz)94.5(@1Hz)文献[9]0.550nm74.04.800493.4000.059(@1MHz)106.0(@5kHz)文献[5]1.0SOI45nm55.9656.00061500.000-63.0(@10kHz)文献[11]0.80.18μm(双阱)51.00.04065 0.1200.057(@1MHz)65.0(@1Hz)方法PSRR+dBPSRR-dB稳定时间μs负载电容pF总电流μA功耗μWFOM1FOM2本文84.5(@1Hz)110.5(@1Hz)160(0.01%)5.0 0.16 0.08109.0231.0文献[9]81.0(@5kHz)-0.53(0.1%)20.0200.00100.0048.034.0文献[5]60.0-0.07(1.0%)0.3620.00620.0031.724.2文献[11]---10.01.251.0032.096.0参考文献(References):【相关文献】[1] Ragheb A N,Kim H W.Ultra-low power OTA based on bias recycling and subthreshold operation with phase margin enhancement [J].Microelectronics Journal,2017,47(3):94-101.[2] Wang H J,Wang C H,He H Z,et al.A low-power voltage reference source based on sub threshold MOSFETs [J].Microelectronics Journal,2011,41(5):654-657.[3] Shim J,Yang T,Jeong J.Design of low power CMOS ultra wide band low noise amplifier using noise canceling technique [J].Microelectronics Journal,2013,43(9):821-826.[4] Akbari M,Hashemipour O.Enhancing transconductance of ultra-low-power two-stage folded cascode OTA [J].Electronics Letters,2014,50(21):1514-1516.[5] 徐少波.一种基于信号处理的光纤液体温度传感器 [J].沈阳工业大学学报,2005,27(1):77-79. (XU Shao-bo.An optical fiber liquid temperature sensor based on signal processing [J].Journal of Shenyang University of Technology,2005,27(1):77-79.)[6] Gomez H,Espinosa G.55 dB DC gain,robust to PVT single-stage fully differential amplifier on 45 nm SOI-CMOS technology [J].Electronics Letters,2014,50(10):737-739.[7] Garimella A,Furth P M.Frequency compensation techniques for op-amps and LDOs:a tutorial overview [J].Midwest Symposium on Circuits & Systems,2011(7):1-4.[8] 薛超耀,韩志超,欧健,等.一种恒跨导轨对轨CMOS运算放大器的设计[J].电子科技,2013,26(9):121-123.(XUE Chao-yao,HAN Zhi-chao,OU Jian,et al.A design of electronic technology,constant cross rail to rail CMOS operational amplifier [J].Electronic Science and Technology,2013,26(9):121-123.)[9] Wu D,Gao C,Liu H,et al.A low power double-sampling extended counting ADCwith class-AB OTA for sensor arrays [J].IEEE Transactions on Circuits & Systems I:Regular Papers,2015,62(1):29-38.[10]吴贵能,周玮.一种两级CMOS运算放大器电源抑制比提高技术 [J].重庆邮电大学学报(自然科学版),2010,22(2):209-213.(WU Gui-neng,ZHOU Wei.PSRR improvement technique for two-stage CMOS operational amplifier [J].Journal of Chongqing University of Posts and Telecommunications(Natural Science Edition),2010,22(2):209-213.)[11]田锦明,王松林,来新泉,等.一种新颖的OTA结构的数模转换器 [J].电子科技,2006(3):13-16.(TIAN Jin-ming,WANG Song-lin,LAI Xin-quan,et al.A novel digital to analog converter with OTA structure [J].Electronic Science and Technology,2006(3):13-16.)[12]Mirvakili A,Koomson V J.Passive frequency compensation for high gain-bandwidth and high slew-rate two-stage OTA [J].Electronics Letters,2014,50(9):657-659.[13]Valero M,Celma S,Medrano N,et al.An ultra low-power low-voltage class AB CMOS fully differential opamp [J].IEEE International Symposium on Circuits & Systems,2012,57(1):1967-1970.。

跨导放大器的原理与应用

跨导放大器的原理与应用

跨导放大器的原理与应用1. 跨导放大器的概述
• 1.1 跨导放大器的定义
• 1.2 跨导放大器的分类
• 1.3 跨导放大器的特点
2. 跨导放大器的原理
• 2.1 跨导放大器的基本结构
• 2.2 跨导放大器的工作原理
• 2.3 跨导放大器的放大机制
3. 跨导放大器的应用
• 3.1 电子通信领域
– 3.1.1 无线电通信系统
– 3.1.2 手机和移动设备
– 3.1.3 通信基站
• 3.2 音频放大领域
– 3.2.1 音响系统
– 3.2.2 乐器放大器
• 3.3 传感器接口电路
– 3.3.1 温度传感器
– 3.3.2 压力传感器
– 3.3.3 光传感器
4. 跨导放大器的优缺点
• 4.1 优点
• 4.2 缺点
5. 跨导放大器的设计考虑因素
• 5.1 增益要求
• 5.2 带宽要求
• 5.3 稳定性要求
6. 跨导放大器的改进方法
• 6.1 功率增强技术
• 6.2 噪声降低技术
• 6.3 线性度改善技术
7. 结论
•本文介绍了跨导放大器的原理与应用,包括跨导放大器的概述、原理、应用场景以及优缺点等内容。

随着电子通信和音频放大技术的发展,跨导放大器在各个领域都有重要的应用。

不过,在设计跨导放大器时需要考虑到增益、带宽和稳定性等因素,同时也需要探索改进方法来提高功率、降低噪声和改善线性度。

跨导放大器作为一种重要的电子器件,将继续在各个领域发挥重要作用。

gm恒定跨导电路-概述说明以及解释

gm恒定跨导电路-概述说明以及解释

gm恒定跨导电路-概述说明以及解释1.引言1.1 概述电路中的跨导(transconductance)是指输出电流对输入电压的变化率,通常用符号gm表示。

gm恒定跨导电路(Constant gm Transconductance Circuit)是一种能够保持跨导恒定的电路结构。

通过控制跨导的恒定性,我们可以实现电路的稳定性和性能的提升。

gm恒定跨导电路在现代电子技术中具有广泛的应用。

它可以用于放大器、滤波器、混频器、振荡器等各种电路。

在放大器中,gm恒定跨导电路可以提高电压增益和带宽,从而实现信号的放大和处理。

在滤波器中,它可以通过调节跨导的恒定性来控制滤波器的频率响应,实现对特定频率信号的选择性放大和抑制。

在混频器中,gm恒定跨导电路可以将两个不同频率的信号进行混频,得到新的频率信号。

在振荡器中,它可以提供必要的反馈路径,使得振荡信号得以产生和维持。

设计和优化gm恒定跨导电路是实现其功能和性能提升的关键。

在设计中,需要考虑电路的拓扑结构、元器件的选择和布局的合理性。

通过合适的设计参数,可以实现所需的跨导恒定性。

同时,对于不同的应用场景,优化电路的功耗、带宽、稳定性等方面也是必要的。

总之,gm恒定跨导电路在现代电子技术中具有重要的地位和作用。

通过保持跨导恒定,可以实现电路的稳定性和性能的提升。

未来,随着电子技术的不断发展,gm恒定跨导电路有望在更多的领域展现其潜力和应用价值。

通过不断优化和创新,我们可以进一步提高其性能和功能,满足人们对电子设备的需求。

1.2文章结构1.2 文章结构本文将围绕着"gm恒定跨导电路"这一主题展开论述。

文章由引言、正文和结论三个部分组成,具体结构安排如下:第一部分是引言部分,主要对本文的研究对象"gm恒定跨导电路"进行概述。

在1.1小节中,将介绍gm恒定跨导电路的概念和基本原理,以便读者对该主题有一个初步的了解。

在1.2小节中,将对全文进行逻辑分析,明确各个部分的内容和论述框架。

跨倒放大器的用法

跨倒放大器的用法

跨倒放大器的用法跨导放大器是一种广泛应用于电子领域的放大器,通过控制输入信号的斜率改变输出信号的幅度,因此在电子电路设计中有着重要的地位。

本文将从跨导放大器的原理、结构和用法等方面展开详细介绍,以期为读者提供全面的了解。

一、跨导放大器原理跨导放大器又称转导放大器,是一种利用场效应晶体管(FET)的放大器。

它的工作原理是利用输入信号对FET管子的栅极电压产生影响,使其输出电流发生相应变化,从而达到信号放大的目的。

在跨导放大器中,信号的放大是通过调节输人信号的斜率来实现的。

当输入信号的斜率改变时,输出信号的幅度也随之改变。

二、跨导放大器结构跨导放大器主要由三部分组成:输入级、中间级和输出级。

输入级通常由场效应管子构成,其作用是将输入信号转换成电流信号并传送到中间级;中间级则负责增加电流信号的幅度,并将其传送到输出级;输出级将中间级传来的电流信号重新转换成电压信号,并输出到负载中。

通过这三个级之间的协调配合,跨导放大器能够实现对输入信号的放大。

三、跨导放大器的用途1. 通信系统中的应用跨导放大器广泛应用于各种通信系统中,例如手机、卫星通信、无线通信等。

在这些系统中,需要对信号进行放大和处理,跨导放大器能够很好地满足这些需求。

2. 音频放大器中的应用在音频系统中,跨导放大器也有着广泛的应用。

通过调节输入信号的斜率,可以实现对音频信号的放大,从而为音响系统、功放等设备提供优质的音频信号。

3. 传感器放大器中的应用跨导放大器还常用于传感器放大器中,通过对传感器输出信号进行放大和处理,使得传感器能够更准确地感知环境信号,并将其转换成有效的电信号。

四、跨导放大器的优点1. 高灵敏度跨导放大器具有高灵敏度的特点,能够对输入信号的微小变化做出快速的响应,并将其放大。

2. 良好的线性度跨导放大器的输出信号与输入信号之间具有较好的线性关系,能够保持信号的原始特性,不会产生失真。

3. 宽频带特性跨导放大器具有宽频带特性,能够满足各种不同频率信号的放大需求。

跨导运算放大器

跨导运算放大器

IB
1 exp
u id U T
(5.5)
i c2 i e2
u id 1 exp U T
IB
(5.6)
其中 uid = u i+ -u i - ,将式(5.5)的分子及分母同时乘以 exp
u id ,则有 2U T
i c1 i e1
I B exp
u id exp 2U T
u id 2U T u id exp 2U T
(5.7)
利用双曲正切函数 thx
e x ex ,由(5.7) 式可得 e x e x
i C1 i E1
u IB (1 th id ) 2 2U T
u id IB (1 th ) 2 2U T
(5.8)
同理由(5.6) 式可得到 ic2 的表达式如下
5.1 引言
跨导放大器的输入信号是电压,输出信号是电流,增益叫跨导,用 Gm 表示。集成跨导放 大器可分为两种,一种是跨导运算放大器(Operational Transconductance Amplifier),简称 OTA; 另一种是跨导器(Transconductor)。 跨导运算放大器是一种通用型标准部件,有市售产品,而且都是双极型的。跨导器不是通 用集成部件,它主要用于集成系统中进行模拟信号的处理,跨导器几乎都是 CMOS 型的。 双极型 OTA 和 CMOS 跨导器的功能在本质上是相同的, 都是线性电压控制电流源。 但是, 由于集成工艺和电路设计的不同, 它们在性能上存在一些不同之处: 双极型 OTA 的跨导增益值 较高,增益可调而且可调范围也大(3~4 个数量级);CMOS 跨导器的增益值较低,增益可调范 围较小, 或者不要求进行增益调节, 但它的输入阻抗高、 功耗低, 容易与其他电路结合实现 CMOS 集成系统。 由于跨导放大器的输入信号是电压, 输出信号是电流, 所以它既不是完全的电压模式电路, 也不是完全的电流模式电路,而是一种电压/电流模式混合电路。但是,由于跨导放大器内部 只有电压一电流变换级和电流传输级,没有电压增益级,因此没有大摆幅电压信号和密勒电容 倍增效应,高频性能好,大信号下的转换速率也较高,同时电路结构简单,电源电压和功耗都 可以降低。这些高性能特点表明,在跨导放大器的电路中,电流模式部分起决定作用。根据这 一理由,跨导放大器可以看作是一种电流模式电路。

电流源

电流源

摘自網路-分享學習有时我们需要生成精确的电流,比方说用于指定电流感应的某种传感器。

它可以是恒定电流源,也可能随着输入电压的更改相应发生变化。

有时将通过电压控制的可变电流源称为跨导放大器。

下面我们将介绍几种不同类型的电流源。

仪表放大器电流源利用仪表放大器能够轻松构建电流源,图1给出了其拓扑结构。

图 1 仪表放大器电流源仪表放大器是带有两个输入以及通常单个输出的器件。

输出的计算方法是用输入差值乘以一定的增益。

它采用与运算放大器相同的符号。

为了区别于运算放大器,我们显示出其增益值。

以下方程式定义了其传输函数:增益设为 1 时,输出则为输入的差值。

输出电压始终比负载电压 Vl oad 低 Vset。

负载电流的计算方程式如下:将电阻从输出端连接至正输入端。

从这个例子中我们可以看出,正反馈不见得总是坏事,有时甚至是好事。

尽管存在正反馈,但通过单位增益与反馈电阻的衰减,可确保环路增益小于 1。

电流量限于仪表放大器所能提供的范围内。

这种拓扑结构并不广为人知,使用也不普遍,主要是由于仪表放大器的成本很高。

尽管如此,你仍然可将这种方法记住,没准哪一天能用上。

运算放大器电流源运算放大器成本要低廉得多,不过使用任何拓扑结构都必须能够生成差分 x1 增益。

使用二极管作为参考电压就能实现上述目的。

以下给出的正是这种拓扑结构:图 2 采用二极管参考电压的运算放大器电流源通过二极管的偏置电流会使负输入端电压比输出端低 1 个二极管压降。

负反馈使输入匹配于负载电压,也应比输出电压低 1 个二极管压降,如下方程式所示:负反馈使运算放大器调节其输出,使之与输入电压相匹配,当输出电压比负载电压高 1 个二极管压降时该情况发生。

将电阻从输出端连接至正输入端。

同样,电阻上的电压是 1 个二极管压降。

负载电流由电阻(Rset) 来设定,如下式所示:现在您可能会想,如果电阻提供正反馈与负反馈,电路怎么还能继续工作呢?没错,电阻确实提供正反馈,但负载的电阻会让其小于单位增益。

九个最有用的电源拓扑结构图

九个最有用的电源拓扑结构图

九个最有用的电源拓扑结构图2010-08-08 15:00现代电源设计大约开始于三十年前,只有少数的拓扑结构可以很好地服务于业界。

在80年代,对新的和领先的电源转换技术的研究创建了数以千计的可以加以使用的新型拓扑结构。

今天,主流行业已回到早期拓扑结构。

少数的相同的电路可以为大多数应用提供最佳解决方案。

在电源设计开始,有三种基本的转换器:降压式、升压式和降压-升压式。

早期分析论文仅覆盖了这些拓扑结构。

也有的转换器表现完全与这些基本拓扑结构一样。

它们被认为是降压式、升压式和降压-升压系列,电路中内建了隔离。

内建在降压式转换器系列是正激、双开关正激、半桥、全桥和推挽式。

升压有一种隔离型号,可以采用一个桥接或推挽式电路。

隔离降压-升压电路是著名的反激式转换器。

发明新的电源拓扑结构和研究其工作正成为有趣的研究工作。

这形成了过去的大部分研究,尤其在80年代期间。

一些新奇的电路发明出来,绞尽脑汁以全面了解它们的操作。

Caltech的论文提出了超过300个新的拓扑结构,使用了更多的开关和二极管。

有一段时间,似乎老的待机拓扑结构已处于被取代的危险之中。

对许多需要生产产品的设计人员来说,这是一个非常困惑的时间。

在阅读会议论文之后,工程师们很想尝试预示着上佳表现,但是却被证明很难投入生产的奇异新颖的拓扑结构。

因此,业界兜了一大圈又回到原处。

现在,几乎所有设计都依赖于原来的基本拓扑结构。

例外的是对某些非常高密度的应用,或者是不寻常的电压及功率范围,但是工作的工程师几乎总能用一组基本电路找到可做的工作。

这不是说行业没有进展。

行业有了长足的发展——恰恰不是通过使用根本不同的电路拓扑结构。

主要进展一直在正确的应用中明智地利用正确的电路,某些拓扑结构将电源分割成较小的若干块(如母板VRM和负载点转换器)、先进的封装、新的硅片器件,以及小心应用低损耗开关。

1. 降压式转换器降压式转换器是所有电源中最基本的。

它提供比输入更低的电压输出,可以用在不需要隔离的所有功率级别。

六种基本DCDC变换器拓扑结构总结

六种基本DCDC变换器拓扑结构总结

六种基本DCDC变换器拓扑结构总结DC-DC变换器是一种将一种直流电压转换为另一种直流电压的电子设备。

根据其拓扑结构,可以将DC-DC变换器分为六种基本拓扑结构。

下面将对这六种拓扑结构进行总结。

1. 升压型拓扑结构(Boost Converter):升压型拓扑结构是将输入电压提升到更高电压的一种拓扑结构。

其基本结构由一个电感、一个开关管、一个二极管和一个输出滤波电容组成。

工作原理为当开关管打开时,电感储存能量;当开关管关闭时,电感释放储存的能量,将电流经过二极管和输出滤波电容供给负载。

2. Buck拓扑结构(降压型拓扑结构):Buck拓扑结构是将输入电压降低到更低电压的一种拓扑结构。

其基本结构由一个电感、一个开关管和一个输出滤波电容组成。

工作原理为当开关管打开时,电感储存能量;当开关管关闭时,电感释放储存的能量,将电流经过输出滤波电容供给负载。

3. Buck-Boost拓扑结构(降升压型拓扑结构):Buck-Boost拓扑结构可以实现输入电压的增益和降低。

其基本结构由一个电感、一个开关管和一个输出滤波电容组成。

工作原理为当开关管打开时,电感储存能量;当开关管关闭时,电感释放储存的能量,将电流经过输出滤波电容供给负载。

该拓扑结构可以实现输入电压大于、等于或小于输出电压的转换。

4. 反激型拓扑结构(Flyback Converter):反激型拓扑结构是一种将输入电压转换为输出电压的一种拓扑结构。

其基本结构由一个变压器、一个开关管和一个输出滤波电容组成。

工作原理为开关管导通时,电能储存在变压器中;开关管关闭时,变压器释放储存的能量,将电流经过输出滤波电容供给负载。

5. 单边反激型拓扑结构(Half-Bridge Converter):单边反激型拓扑结构也是一种将输入电压转换为输出电压的一种拓扑结构。

其基本结构由两个开关管、一对二极管和一个输出滤波电容组成。

工作原理为开关管交替导通和关闭,将输入直流电压分别连接到变压器的两个输入端,以实现电压的转换。

判新双级拓扑结构瞄准大功率IED照明应用

判新双级拓扑结构瞄准大功率IED照明应用
的 开 关 电 源 产 品 ,外 加 恒 流 控 制 ,
压 恒 流 电 路 , 因此 每 串L D都 会 带 E

刘 学 超 指 出 ,在 传 统 的 “ 段 三
个 高 压 MOS ,这 就 导致 了成 本 管
随 着技 术 的进 一 步 发 展 ,专 门 针 对 式”大功率L D照明驱动拓扑结构 的 提 升 。 刘 学 超 指 出 , “ E 目前 路 灯
新技 术聚 焦
I w E L Y cN o N T Ho G E
创新双级拓扑结构 瞄准大 功率 L 照 明应 用 D E
创新 性大功率 L D E 照明拓扑 结构 正逐 步登场 。T最 新 的U C2 7 O I C 5 1 采用双级驱 动方式 ,从效率 、成 本 、可靠性和E 等 方面优 化了传统 大功率L D MI E 照明驱动技术 ,变压器恒 流方式是其中亮点之一。
■ 孔 文 作 为 新 型 节 能 技 术 ,L D照 明 是 由 于 组 件 数 量 多 , 因此 增 加 了可 4 ~ 4 E 8 5 V,因此 后 面 的 降压 恒 流 电 路 备 受 关 注 。在 L D照 明 系统 中 ,驱 靠 性 方 面 的风 险 ;四 是 E 性 能 不 中所 采 用 的MO 管 必 须 为 高 压 管 。 E MI S 动 芯 片起 着 非 常 重 要 的作 用 。 较 早 好 。 针 对 于 此 ,T 开 发 出 了创 新 的 由 于每 串 灯 串 都 需 要 一 个 单 独 的 降 I 前 ,L D驱 动 芯 片 主要 延 用 了 最 初 拓扑结 构 来弥补 以上 不 足 。 E
针 对 以 上 问 题 ,TI 2 8 于 00 年
从 成 本 的 角 度 来 看 , 由于 P C 超 表示 。 F

基于新型拓扑结构的电力电子器件设计与优化

基于新型拓扑结构的电力电子器件设计与优化

基于新型拓扑结构的电力电子器件设计与优化随着电力电子技术的不断发展,人们对电力设备的要求越来越高。

为了满足电力系统的需求,设计和优化电力电子器件的拓扑结构变得至关重要。

本文将探讨一些基于新型拓扑结构的电力电子器件的设计和优化方法,以提高其性能和可靠性。

一、高效率拓扑结构的设计1.多级变换器拓扑多级变换器是一种常见的高效率拓扑结构,由多个子电路级联组成。

通过控制各级电路的开关状态,可以实现高效率的能量转换。

比如,串联谐振变换器(SRS)可以在高频率下实现零电流开关,减小开关损耗。

2.开关矩阵拓扑开关矩阵拓扑是一种灵活的设计方案,通过组合不同的开关组合,可以实现不同的功能。

例如,全桥共模电路可以实现高转换效率同时减小电磁干扰。

二、器件参数优化1.材料选择在新型拓扑结构的设计中,正确选择材料尤为重要。

例如,使用高性能的硅碳化化合物材料(SiC)替代传统的硅材料,可以降低开关功耗和增加开关频率。

此外,考虑材料的热传导性能,可以降低器件温度,提高可靠性。

2.功率损耗分析通过对电力电子器件内部的功率损耗进行分析,可以识别和解决性能瓶颈。

例如,使用电感元件替代传统的电阻元件,可以降低功率损耗。

此外,通过对开关频率和电压应力进行优化,能进一步提高效率并减少损耗。

三、热管理与冷却1.散热设计由于高功率电子器件会产生大量热量,散热设计尤为重要。

采用合适的散热结构和材料,以及优化散热路径,可以提高电子器件的散热效果。

同时,可以考虑使用高导热材料,如铝基导热板,来提高热传导效率。

2.冷却系统优化在大功率电力电子器件中,冷却系统也是一项关键因素。

合理设计冷却系统,如采用液冷技术或风冷技术,能有效降低器件温度,提高系统可靠性。

此外,与冷却系统相关的传感器和控制电路也需要进行优化,以实现更好的冷却效果。

综上所述,基于新型拓扑结构的电力电子器件的设计与优化是一个复杂而关键的过程。

通过合理选择拓扑结构、优化器件参数、以及进行热管理和冷却系统优化,可以提高电力电子器件的性能和可靠性。

具有较小跨导的跨导放大器结构的一个比较设计方法

具有较小跨导的跨导放大器结构的一个比较设计方法

具有较小跨导的跨导放大器结构的一个比较设计方法摘要:一个家用CMOS运算放大器(OTAS)已经被设计成具有非常小的跨导以保证晶体管在温和的反转中工作。

许多的OTA设计方案如传统的利用电流转换、浮栅和大容量驱动技术都已经被讨论过。

这些方案的一些性能特点如功耗、有源硅区、信号噪音比我们也进行了一些详细的比较。

我们已经在一个1.2μm的n阱COMS工艺和工作电源2.7V 的条件下爱制备出了这种跨导放大器。

并且芯片的测试结果与理论计算结果也有很好的吻合。

引言由于人类身体的相对缓慢的电活动在医疗电子设备、有源滤波器和低截止频率等领域是很必要的。

低频电路应用的另一个领域是斜坡生成模拟---数字转换器(ADC)测试和神经网络领域。

因此,我们致力于研究出一个能够在低频率下工作的开发集成解决方案的电路。

对于一个运算跨导放大器—电容(OTA-C)滤波器来实现这样一个低频率来说就意味着需要大型电容器和非常低的跨导。

因此,我们有两个完全独立的角度去处理这个问题。

一种是设计出具有非常低的跨导(一般没伏几微毫安)、高线性;另一种是在芯片上实现大电容(通常是几纳法)。

按照上述思路,我们来分析不同工艺取得低跨导,我们在功耗、有源硅区、信号噪声比(SNR)等性能特性方面针对不同的方法已经开展了比较研究。

特别强调了在温和反转区的MOS晶体管的操作设计以便在功率和面积要求上达到一个较好的折中可能。

OTA拓扑在温和的反转中我们设计四种不同的OTA拓扑结构,在相同的跨导值为10nA/v的所有MOSFET模型中我们用一个方程式来权衡相关的设计参数如功耗、有源硅区和SNR。

A参考的OTA设计A如图一所示,这个OTA主要由两个不同部分(M1和M2)和三个电流镜。

放大器的全部跨导Gm跟M1、M2相同(M3=M4=M5=M6,M7=M8)。

根据所需的跨导值,此基本拓扑电流的结构水平可以非常小(大约在微微安培每伏),这就会使得W/L的比值为0.001甚至更少。

电力电子变换器的拓扑结构优化

电力电子变换器的拓扑结构优化

电力电子变换器的拓扑结构优化电力电子变换器作为现代电力系统中重要的电能转换设备,其性能的优化对于提高电力系统的稳定性、效率和可靠性具有重要意义。

拓扑结构是电力电子变换器性能优化的重要方面,通过改变拓扑结构可以提高变换器的功率密度、效率和响应速度。

当前,主流的电力电子变换器拓扑结构包括单相桥式整流器、三相桥式整流器、半桥变换器、全桥变换器等。

每种拓扑结构都有各自的特点和应用场景,但也存在着一些不足之处。

为了克服这些不足,研究人员提出了许多新型的拓扑结构,并对其进行了优化改进。

首先,通过改进传统的电力电子变换器拓扑结构,可以提高其功率密度。

功率密度是衡量电力电子设备性能的一个重要指标,高功率密度意味着可以在更小的体积内实现更高的功率输出。

例如,基于全桥拓扑结构的Isolated Full-Bridge Boost (IFBB) 变换器通过采用无相位移载波调制和低损耗的主动开关器件,提高了变换器的功率密度。

另外,基于多电平的拓扑结构也可以提高功率密度。

多电平变换器通过采用多个电平的电压输出,可以减小电压应力,降低开关器件的功率损耗,从而提高变换器的功率密度。

其次,优化拓扑结构还可以提高电力电子变换器的效率。

传统电力电子变换器中存在一些能量损耗的来源,例如开关器件的导通和开关损耗、电感元件的电流和磁耗等。

通过优化拓扑结构,可以减小这些损耗,提高变换器的效率。

例如,基于切换电容技术的拓扑结构可以降低电感元件的电流损耗,提高变换器的效率。

此外,通过使用高效的开关器件,如硅碳化物(SiC)器件和氮化镓(GaN)器件,也可以提高变换器的效率。

另外,拓扑结构的优化还可以提高电力电子变换器的响应速度。

电力电子变换器在实际应用中需要对输入电压和输出负载的变化进行快速响应。

传统的拓扑结构在响应速度方面存在一定的局限性。

通过采用新型的拓扑结构,如集成开关式(Integrated Switching)拓扑结构和多电平拓扑结构,可以提高变换器的响应速度。

跨导运算放大器,跨导运算放大器是什么意思_1

跨导运算放大器,跨导运算放大器是什么意思_1

跨导运算放大器,跨导运算放大器是什么意思跨导运算放大器,跨导运算放大器是什么意思跨导运算放大器的定义运算放大器可以置于传感器/信号源与模数转换器之间,将两者连接在一起,负责处理来自接收器信号路径的信号;也可置于数模转换器与模拟输出之间,将两者连接在一起,负责驱动发送器信号路径的信号无论是接收还是发送信号,运算放大器主要负责处理模拟信号,以便将模拟信号的重要信息传送至下一环节作进一步处理。

换言之,置于输入路径的运算放大器负责为模数转换器提供经过处理的输入信号,而置于输出路径的运算放大器则负责为发送器提供经过数模转换器处理的输出信号。

这个处理过程并不简单,因为系统采用的传感器、模数转换器、数模转换器及发送器都各不相同,为它们提供信号的信号源必须在电子特性方面能够满足它们的特殊要求,才可以充分发挥其性能。

什么是跨导放大器(Transconductance Amplifier)将电压转换为电流的放大器, 另外还有其它几个名称(请参考同义词列表)。

其中一个同义词是OTA,或称为运算跨导放大器,从运算放大器和跨导放大器派生而来。

该术语源于“传输电导”,以西门子(S)为单位,1西门子= 1安培/伏特,通常用符号gm表示。

真空管和FET的基础增益用跨导表示。

例如,PH测量仪表的PH电极所发出的信号需要经过高阻抗运算放大器的处理,才可传送至模数转换器,因为一般来说,PH电极的输出阻抗都很高。

输入阻抗不足的运算放大器便无法充分利用PH电极的电能,以至模数转换器也无法获得足够的PH电极电能。

系统处理模拟信号时如果不得其法,即使所采用的数字处理系统非常先进、强劲,系统的整体性能也会受到严重影响。

所谓“接收的是垃圾、输出的也是垃圾(Garbage in, garbage out)”,便是这个意思。

共源pmos差分放大电路 跨导

共源pmos差分放大电路 跨导

共源pmos差分放大电路跨导
共源PMOS差分放大电路是一种常见的电路拓扑结构,用于放大差分输入信号。

在这种电路中,跨导是一个重要的性能指标,它描述了输出电流与输入电压之间的关系。

让我从不同角度来解释一下跨导的概念。

首先,从电路的角度来看,共源PMOS差分放大电路由两个PMOS管和一个负载电阻组成。

当输入信号施加到两个PMOS管的栅极上时,它们的漏极电流会发生变化,从而产生差分输出电压。

跨导描述了输入信号对输出电流的敏感程度,即单位输入电压变化引起的输出电流变化。

在共源PMOS差分放大电路中,跨导通常由负载电阻和PMOS管的特性决定。

其次,从性能角度来看,跨导是衡量差分放大电路增益和线性度的重要参数。

较高的跨导意味着更大的增益和更好的线性度,因为它表示了输入信号对输出的放大效果。

设计者通常会努力优化电路结构和器件参数,以实现更高的跨导,从而提高差分放大电路的性能。

最后,从应用角度来看,了解跨导可以帮助工程师更好地设计
和优化差分放大电路,以满足特定的性能要求。

在实际应用中,工程师需要考虑电路的功耗、带宽、噪声等因素,而跨导作为一个重要的性能指标,对于电路的整体性能具有重要影响。

综上所述,共源PMOS差分放大电路的跨导是一个重要的概念,它从电路、性能和应用角度都具有重要意义。

了解跨导的概念和影响因素,有助于深入理解差分放大电路的工作原理和性能特点,从而更好地应用和优化这种电路结构。

新型拓扑结构跨导反馈放大器.概要

新型拓扑结构跨导反馈放大器.概要

新型拓扑结构跨导反馈放大器摘要:本文将提出一种新的拓扑结构的跨导反馈放大器(TFA)。

这种拓扑结构提供的优点在于,它能够实现负的是标准的反相增益表达式。

也就是,增益形式为:。

我们也将表明,它可以实现标准的反相和同相增益,而同时在每个配置保持接近恒定带宽增益变化。

第一个特征是使人们希望的拓扑结构滤波器有广泛的应用,因为TFA可以充当一个积分环节,从而使该放大器实现正面和负面的无损集成。

不像以前的TFA配置,这种放大器还可以产生在第一和第四象限内的对数输入。

通过实验证实这种放大器具有配置不同的增益,集成和对数的能力,设计的这种芯片采用台积电0.18umCMOS工艺的1.8 V单端电源。

该芯片占用面积752.6um*581.2um的新的拓扑结构跨导反馈放大器和常规TFA作组成。

这种新型TFA在单位增益配置是有15 MHz的频率带宽。

索引项:电流反馈放大器(CFA),运算放大器,跨导反馈放大器(TFA)1、引言在最近已经提出了跨导反馈放大器(TFA)是一个有吸引力的恒定带宽类放大器,如电流反馈放大器(CFAS)[1] - [6]。

威尔逊的研究[1],[2]TFA可以认为由一个高增益环节,一个跨导环节和在两者间施加反馈回路组成。

跨导级的输出端处的电压缓冲很像一个CFA,如图1(a)所示。

需要注意的是有这种缓冲的存在,要确保有分压器作为负载的跨导元件,它产生的反馈电压成正比于跨导元件的输出电流。

通过对电流反馈放大器(CFA)的非常规设计证明,即使不采用缓冲结构[7],[8],也等解决在CFA中的低电压问题。

练习的重点是证明CFA不能通过常规设计实现。

然而,在TFA和CFA之间存在若干不同之处。

CFA结构如图1(b)所示。

首先,在CFA的恒定带宽的设定是通过调节R2到某个优值实现的,而TFA的恒定带宽是通过调整R1实现的。

在这两种情况下,改变R1和R2,TFA和CFA 的增益会分别变化。

这两种放大器如图1,配置同相增益。

跨导放大器补偿

跨导放大器补偿

跨导放大器补偿跨导放大器是一种常用的电子放大器,其特点是具有高增益和宽带宽的特性。

然而,在实际应用中,由于器件和电路的非线性特性,跨导放大器的性能可能会受到一些影响,例如失真、频率响应不平坦等问题。

为了解决这些问题,人们引入了跨导放大器补偿技术。

跨导放大器补偿的基本原理是通过引入适当的补偿电路,来抵消放大器本身的非线性特性,从而提高放大器的线性度和频率响应。

补偿电路通常是由电容、电感和电阻等元器件组成的。

一种常见的跨导放大器补偿技术是Miller补偿。

Miller补偿通过在放大器的输入和输出之间引入一个电容来实现。

电容的引入可以有效地提高放大器的带宽和稳定性。

同时,Miller补偿还可以起到抑制放大器的高频振荡和减小输出阻抗的作用。

除了Miller补偿,还有许多其他的跨导放大器补偿技术。

例如,反馈补偿可以通过引入负反馈来减小放大器的非线性失真。

另外,多级放大器补偿可以通过级联多个放大器来提高整体的线性度和稳定性。

在实际应用中,选择合适的跨导放大器补偿技术需要考虑多个因素。

首先,需要根据具体的应用场景来确定放大器的要求,例如增益、带宽和失真等。

其次,需要根据电路的复杂度和成本来选择合适的补偿技术。

最后,还需要考虑放大器的稳定性和可靠性等方面的要求。

跨导放大器补偿技术在实际应用中具有重要的意义。

它可以提高放大器的性能和可靠性,减小非线性失真,使得放大器在各种工作条件下都能够正常工作。

跨导放大器补偿技术的研究和发展,不仅对于电子器件和电路的设计和制造具有重要的指导意义,也对于电子设备的性能和可靠性提升有着重要的影响。

跨导放大器补偿是一种重要的电子技术,通过引入适当的补偿电路,可以提高放大器的线性度和频率响应。

不同的补偿技术适用于不同的应用场景,需要根据具体情况选择合适的补偿方法。

跨导放大器补偿技术的研究和应用,将进一步推动电子技术的发展和应用。

跨导放大器补偿

跨导放大器补偿

跨导放大器补偿跨导放大器是一种常见的放大器电路,常用于电子设备中的信号放大。

然而,跨导放大器存在一些问题,其中之一就是频率响应不平坦。

为了解决这个问题,人们发明了跨导放大器补偿技术。

跨导放大器补偿是一种通过改进电路设计来调整频率响应的方法。

它的目标是使得放大器在整个频率范围内都能够提供稳定的增益。

这样,无论输入信号的频率是多少,输出信号都能够得到准确的放大。

在跨导放大器补偿中,常用的方法是引入补偿电容。

补偿电容可以在电路中形成一个负反馈回路,通过调整电路的频率响应来实现补偿。

具体来说,补偿电容可以改变电路的相位和幅度响应,从而实现平坦的频率响应。

除了补偿电容,还有其他一些方法可以用于跨导放大器的补偿。

例如,可以使用电感、电阻等元件来调整电路的频率响应。

此外,还可以采用反馈电路来实现补偿。

无论采用何种方法,补偿的目标都是相同的,即调整电路的频率响应,使其在整个频率范围内都能够提供稳定的增益。

跨导放大器补偿技术的应用非常广泛。

在无线通信系统中,跨导放大器常用于信号放大和调制解调。

在音频设备中,跨导放大器常用于音频放大和音频处理。

在医疗设备中,跨导放大器常用于生物信号放大和传感器信号放大。

总之,跨导放大器补偿技术在各个领域都有重要的应用。

然而,跨导放大器补偿并不是解决所有问题的万能方法。

在实际应用中,还需要考虑其他因素,例如电路稳定性、功耗和成本等。

此外,跨导放大器补偿也可能引入一些新的问题,例如相位失真和噪声增加等。

因此,在使用跨导放大器补偿技术时,需要综合考虑各种因素,并根据具体应用需求进行权衡和选择。

总结起来,跨导放大器补偿是一种通过改进电路设计来调整频率响应的方法。

它可以使得放大器在整个频率范围内都能够提供稳定的增益。

跨导放大器补偿技术在各个领域都有广泛的应用。

然而,在实际应用中,还需要综合考虑其他因素,并根据具体需求进行权衡和选择。

通过合理的补偿设计,可以使得跨导放大器在各种应用场景中发挥更好的性能。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

新型拓扑结构跨导反馈放大器摘要:本文将提出一种新的拓扑结构的跨导反馈放大器(TFA)。

这种拓扑结构提供的优点在于,它能够实现负的是标准的反相增益表达式。

也就是,增益形式为:。

我们也将表明,它可以实现标准的反相和同相增益,而同时在每个配置保持接近恒定带宽增益变化。

第一个特征是使人们希望的拓扑结构滤波器有广泛的应用,因为TFA可以充当一个积分环节,从而使该放大器实现正面和负面的无损集成。

不像以前的TFA配置,这种放大器还可以产生在第一和第四象限内的对数输入。

通过实验证实这种放大器具有配置不同的增益,集成和对数的能力,设计的这种芯片采用台积电0.18umCMOS工艺的1.8 V单端电源。

该芯片占用面积752.6um*581.2um的新的拓扑结构跨导反馈放大器和常规TFA作组成。

这种新型TFA在单位增益配置是有15 MHz的频率带宽。

索引项:电流反馈放大器(CFA),运算放大器,跨导反馈放大器(TFA)1、引言在最近已经提出了跨导反馈放大器(TFA)是一个有吸引力的恒定带宽类放大器,如电流反馈放大器(CFAS)[1] - [6]。

威尔逊的研究[1],[2]TFA可以认为由一个高增益环节,一个跨导环节和在两者间施加反馈回路组成。

跨导级的输出端处的电压缓冲很像一个CFA,如图1(a)所示。

需要注意的是有这种缓冲的存在,要确保有分压器作为负载的跨导元件,它产生的反馈电压成正比于跨导元件的输出电流。

通过对电流反馈放大器(CFA)的非常规设计证明,即使不采用缓冲结构[7],[8],也等解决在CFA中的低电压问题。

练习的重点是证明CFA不能通过常规设计实现。

然而,在TFA和CFA之间存在若干不同之处。

CFA结构如图1(b)所示。

首先,在CFA的恒定带宽的设定是通过调节R2到某个优值实现的,而TFA的恒定带宽是通过调整R1实现的。

在这两种情况下,改变R1和R2,TFA和CFA 的增益会分别变化。

这两种放大器如图1,配置同相增益。

其次,在CFA的闭环增益(LG)定义为[10],而在TFA中,闭环增益定义为[1],其中,,拓扑结构图如图1(a)所示。

在图1(b)中,Z是由高输出阻抗的电流控制电流源和节点寄生电容形成的阻抗。

第三,TFA的两个输入都是高阻抗,而CFA由于存在输入缓冲器,因此有一个高阻抗输入和一个低阻抗输入。

最后,CFA一般不能将R2更换成电容器构成积分环节,而TFA可以配置成一个积分器,使此配置在滤波中有用的应用。

注[11]表明,只有在某些限制条件下,CFA可以作为一个积分器。

另外,TFA不能用电容代替R1变成一个微分器,因此,闭环增益必须是常数,但CFA可以通过用电容代替R1变成微分器。

图1 (a)TFA (b) CFA因此,本文的目的不是要审查TFA 理论,其中大部分已经覆盖威尔逊的出色展示的反馈放大器[4],而是引进的一个新型的TFA 拓扑设计,并证明它的可行性。

新的拓扑结构提供的优点是,放大器可以提供在三种与两个标准增益配置相反的可能的电压增益配置;所有的都具有保持接近恒定带宽的特性。

这些配置分别是:同相配置:反相配置:非典型同相配置:。

这最后的拓扑结构作者指为“非典型同相配置”提供一个高阻抗输入,单位增益配置(当时) 和放大或衰减。

这种结构可以很容易通过将2R 替换成电容1C 构成同相无损积分器,或通过将C1与R2并联构成同相有损积分器,在滤波领域的应用有特别的优势。

在本文中,我们将计算使用TFA 构成的无损积分器的品质因数,这先前未曾探索过。

我们还将探索利用这种新的拓扑结构电路产生对数的第一和第四象限输入。

此外,我们将证明新的拓扑结构,简称TFA ,本文提到的是经修改的TFA ,不同于原威尔逊TFA 的拓扑结构,且也有不变的频率带宽和不同的零极点。

因此,它们的时域响应可以预期是不同的。

在本文中,我们也提出三种修改后的TFA 机构和两种威尔逊TFA 结构的噪声模型,这一切在先前都没有研究过。

以下的部分给出了设计方法和方程,以及在0.18微米CMOS 工艺制造芯片的实验结果。

该芯片采用1.8 V 单端供电电源和电路设计包括两个:改性TFA 和威尔逊TFA ,用于两者作比较。

芯片面积为752.6um*581.2um ,通过制作台积电NWELL 过程。

本文的结构如下。

第二节对修改型拓扑结构进行描述,涉及所有的设计方程,并考虑二阶效应。

第三节着眼于编写TFA 作为一个积分器和一个对数放大器的应用程序。

第四部分提出改进型TFA 和威尔逊TFA 的噪声模型,并对它们进行比较。

第五节,集成电路的设计。

第六节讨论了测量的实验结果,第七节,结论。

二、电路描述这种改进型TFA 如图2(a ) - (c )所示,每个电路都采用了电流串联反馈。

与威尔逊的TFA 相比,不同的是,其跨导模块有两个输出端,而威尔逊的TFA 只有一个输出。

由于这种改进型的TFA 具有多个可用的输出电流,因此,它的使用具有更多的灵活性。

对于一阶系统,如果我们将运算放大器具有的单极衰减模型定义为tt t o s GBP s A s A ωωω+=+=)( (1) 恒定频率带宽的特性将很容易理解。

其中o A 是开环增益,t ω是运放3-dB 处的低频极点,t o A ω是运放增益带宽积(GBP )。

图2 改进型TFA 具有三种增益配置:(a )12/1R R +; (b)12/R R -; (C)12/R R +此外,我们将假设的跨导模块的带宽要比运算放大器宽得多,因此其影响可以忽略不计。

如图2(b )所示,为方便起见,在运算放大器的反相输入端-V 输入电压,然后直接进行节点分析得:))(1/()()(1R g s A s V s V m in +=-。

类似地,)()()(2s V R g s A s V m o --=。

求解改进型TFA 在反相配置时的传递函数)(/)(s V s V in o 得: 1112)(R g A s R g A R R s H m t o t m t o M I ωωω++-=1112R g A s R g A R R m t o m t o ωω+-≅ (2)其中,11>>R g A m o ,在这里,与传递函数相关联的上标(M )表示这是修改后的TFA 放大器,表示(W )威尔逊,下标(I )表示的配置反相放大器,(NI )表示同相,(A )表示非典型同相。

由式子(2),低频增益12/)0(R R H M I -=和该单极放大器的带宽如下: LG R g A t m t o M I ⋅==ωωω1 (3)也就是说,放大器的带宽可通过调节电阻器R1设定,dc 增益课通过调节R2而改变,并且只要R1固定不变,直流增益调节便与带宽没有关系了。

方程(2)也表明乘积,1R g m 应该小于1,否则如果超过运算放大器的GBP 时,运算放大器的会具有二阶和更高的极点。

相比而言,威尔逊TFA 反相配置时的传递函数如下:)()(121112R g A s R R sR g A R R s H m t o m t o W I ωω+--≅ (4) 请注意,威尔逊反相TFA 共享(2)中相同的极。

然而,由于放大器零点的存在,将会产生相位滞后,将会降低放大器的相位裕度,改进型TFA 在同相配置时不存在零点。

稍后我们将介绍假设放大器在通常情况下存在确实其他极点的情况。

分别为重复同样的过程同相威尔逊TFA ,同相的改进型TFA 和非典型的同相配置得:1112)1(R g A s R g A R R H m t o m t o W NI ωω+⋅+≅ (5) 1121112)1()(R g A s R g A R R R sR R s H m t o m t o W NI ωω+++⋅+≅ (6) 1112)(R g A s R g A R R s H m t o m t o M A ωω++= (7) 显然,从式(5) - (7)得,这三个放大器的配置可以主导极点响应,而从(6)推测,其传递函数零的存在将产生超前相移,以降低整体系统的相位,因此增加了相位裕度。

然而,在任何相位裕度的增加,将由于式(6)中未示出的额外高频极点的存在而下抵消。

最后,应该提到的是,,可以使用威尔逊TFA ,用-1缓冲结构代替传统的+1的缓冲结构达到12/R R +的增益配置的目的,这很容易使用发射极或源极跟随器电路构建。

然而,高阻抗反相缓冲器在没有某种形式的负反馈结构时,不容易实现。

最简单的方法是构建一个反相运放[12]然后将其连接到现有的威尔逊TFA 的缓冲区,但这样的存在增加了额外的硬件,进一步增加了威尔逊TFA 的功耗,面积和噪声。

A.二阶效应在本节中,我们将研究由于跨导模块有限的输出阻抗o R 和寄生电容o C 对输出的影响。

其他的高阶效应可以归因于各种参数,如运算放大器的二阶极点,但为努力减少分析的复杂性,我们只考虑固有的跨导器的影响。

本文关注对于短通道低电压的过程的使用,因为输出阻抗低于1兆欧的共源共栅晶体管都没有使用。

提高输出阻抗,如[13}中描述的那些低振幅电流镜都可以使用。

考虑到输出阻抗与频率相关的,图1(a )和图2中的跨导器可以分别用图3(a )和(b )替换。

让我们定义o R 与1R 的并联为1R 和类似o R 与2R 的并联作为2R 。

重复同样的的新的传递函数的极、零点位置分析,,如表Ⅰ所示。

在这里,表I 显示,在一般情况更多的极点与改进型的TFA 配置有关。

此结果并不意外,因为有两个的寄生电容与改进型TFA 相关,而不是威尔逊TFA 。

然而,正如前面提到的威尔逊反相TFA 在RHP 在具有零点。

在右半平面零点的效果是减少两极放大器相位裕量,可以导致在模拟结果中观察到过冲。

值得注意的是,对于一个给定的1R ,闭环增益增加,相位裕度也会增加。

表1还表明,改进型TFA 的极点和零点随1R 和2R 的改变而改变。

极点实际上出现在低频段,因为1R <1R 和2R <2R ,这作为非典型同相配置的例子,而不是威尔逊TFA 。

当然如果o R 为ΩM 级,但2,1R 只有数ΩK ,那么,11R R ≅,12R R ≅。

对于我们的电路,o R 为几百ΩK ,因此增益误差是可以预期的。

输出阻抗也影响由RR 改进型TFA 的直流增益,直流增益表达式如下:(8)(9)(10)式子(8)- (10)可知,我们改进型TFA的增益可以预期比那些威尔逊TFA还要不准确。

R足够大,增益误差可以减少。

但是,如果o图3 表示各放大器输出阻抗和寄生电容(a)威尔逊TFA (b)改进型TFA表I 各种放大器的零极点位置三、其他TFA应用的正如前面提到的,威尔逊TFA可以作为一个积分器,更确切应用是作为一个反相积分器。

相关文档
最新文档