半导体物理50本书

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半导体物理_(刘恩科_教材版本)汇编

半导体物理_(刘恩科_教材版本)汇编
半导体物理学
刘恩科等
国防工业出版社
参考书目:
1.




1. 《半导体物理学》作者: 李名復 页数:376 科学出版社, 出版日期:1991年2月第1版 (凝聚态物理学丛书). 2.《半导体物理学》作者:果玉忱 页数:271 国防工业出版 社,出版日期:1988年12月第1版 3.《半导体物理学(上册)》作者:叶良修 页数:511 高等 教育出版社,出版日期:1987年11月第2版 4.《高等学校教学参考书 半导体物理学》作者:刘文明 页 数:627 吉林科学技术出版社,出版日期:1986年第1版 5.《半导体物理学》 孟宪章,康昌鹤编,吉林大学出版社, 1993.12 6.《半导体物理学》顾祖毅等著,北京 : 电子工业出版社 1995
3。纤锌矿型ABAB……;ABCABC……。 两套面心的套构形成了闪锌矿结构; 两套六角的套构形成了纤锌矿结构。 每个原子与最近邻的四个原子依然保持 “正四面体”结 构。
主要由II和VI族原子构成,它们的大小、电负性差异较 大。呈现较强的离子性,如:硫化锌、硫化镉等。
金刚石的原子排列
(d)(111)面的堆积,(e){100}面的投影
注:<100>表示 [100],[010],…等六个晶格方向; {110}表示(110),(101),…等六个密勒指数的晶 面方向。 (d):取垂直于(c)中对角线的平面,如一个顶角最 近邻的三个顶角,这三个顶角构成了(111)面。
许多材料的结构与金刚石相同,故称之为金刚石型结构。 这些材料的第IV族的 C(碳)、Si(硅)、Ge(锗)、Sn(锡),而 Si和Ge均是重要的半导体材料。
基元有两个原子,相距为对角线长度的1/4,n=2。 因此,晶格的格波有3n支离子振动格波,3个声学 波和3n-3个光学波。 正四面体:顶角、中心有原子 电子云密度大-共价鍵-配位数

半导体相关书籍

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半导体相关书籍半导体是现代电子技术中的重要组成部分,它在我们的日常生活中无处不在。

从智能手机到电视机,从计算机到汽车,都离不开半导体。

因此,了解半导体的基本原理和应用是非常重要的。

为了帮助读者全面了解半导体,下面介绍几本值得一读的相关书籍:1.《半导体物理学》:这本经典教材由知名物理学家撰写,详细介绍了半导体的基本物理原理。

从晶格结构到电子能带理论,再到半导体器件制作技术,都有详细的阐述。

通过系统学习这本书,读者可以全面了解半导体的内部机制。

2.《半导体器件》:本书主要讲述了各种常见的半导体器件的原理和应用。

从二极管到场效应管,从晶体管到光电器件,每一种器件都有详细的介绍。

此外,书中还会提到最新的半导体器件技术,如功率半导体器件和射频器件等。

对于对半导体器件感兴趣的读者,这本书是非常好的指导材料。

3.《半导体器件物理与模拟》:对于有一定背景的读者来说,这本书是非常有价值的。

它详细介绍了半导体器件的各种物理效应和模拟方法。

通过学习这本书,读者可以深入理解半导体器件的工作原理,并学会使用计算机模拟工具来分析和优化器件性能。

4.《半导体器件制造工艺》:这本书主要介绍了半导体器件的制造过程和工艺技术。

从晶圆制备到光刻技术,再到离子注入和薄膜沉积等工艺步骤,都有详细的介绍。

同时,书中还会讨论一些常见的制造问题和解决方法。

对于从事半导体制造的读者来说,这本书是必不可少的参考书。

5.《半导体器件设计与制造》:这本书主要介绍了半导体器件的设计和制造方法。

从器件的布局设计到物理设计,再到版图设计和工艺验证,每个环节都有详细的讲解。

此外,书中还会讨论一些设计技巧和流程优化方法。

对于对半导体器件设计感兴趣的读者来说,这本书是非常宝贵的资料。

通过阅读上述书籍,读者可以全面了解半导体的基本原理、器件的工作原理、制造工艺和设计方法等各个方面,对于从事相关领域的工程师和学生来说,这些书籍是宝贵的学习资料。

同时,理解半导体有助于我们更好地利用和开发现代电子技术,为未来的科技发展作出更大的贡献。

半导体物理学全套课件

半导体物理学全套课件
硅、锗:共价半导体 硅、锗晶体结构:金刚石结构
一、共价键的形成和性质
对于单晶Si或Ge,它们分别由同一种原子组成,通过二个原子间共有一 对自旋相反配对的价电子把原子结合成晶体。
这种依靠共有自旋相反配对的价电子所形成的原子间的结合力,称为共 价键。
由共价键结合而成的晶体称为共价晶体。Si、Ge都是典型的共价晶体。
六个同类晶向;<111>代表了立方晶胞所有空间对角线的8 个晶向;而<110>表示立方晶胞所有12个面对角线的晶向
School of Microelectronics
晶格中的所有格点也可看成全部位于一系列相互平行等距 的平面系上,这样的平面系称为晶面族,如图1.8所示。
为表示不同的晶面,在三个晶轴上取某一晶面与三晶轴的 截距r、s、t,如图1.9所示。
以纯硅中每100万个硅原子掺进一个Ⅴ族杂质(比如磷)为例,这时 硅的纯度仍高达99.9999%,但电阻率在室温下却由大约214,000Ωcm 降至0.2Ωcபைடு நூலகம்以下
适当波长的光照可以改变半导体的导电能力
如在绝缘衬底上制备的硫化镉(CdS)薄膜,无光照时的暗电阻为几十 MΩ,当受光照后电阻值可以下降为几十KΩ
金刚石结构固体物理学原胞
中心有原子的正四面体结构(相同双原 子复式晶格)
金刚石结构原子在晶胞内的排列情况 顶角八个,贡献1个原子; 面心六个,贡献3个原子; 晶胞内部4个; 共计8个原子。
硅、锗基本物理参数
晶格常数 硅:0.543089nm 锗:0.565754nm 原子密度 硅:5.00×1022 锗:4.42×1022 共价半径 硅:0.117nm 锗:0.122nm
半导体的基本知识

半导体相关书籍基础

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随着现代科技的发展,半导体技术已经成为了当今世界最为重要的技术之一。

半导体技术广泛应用于电子、通信、计算机、医疗、能源等诸多领域,成为了推动世界经济发展的重要力量。

如果你想深入了解半导体技术,学习相关知识,以下几本基础书籍可以为你提供全面的指导和帮助。

1.《半导体物理与器件基础》
这本书是半导体物理和器件方面的经典著作之一,由国内著名半导体专家杨维桢教授主编。

该书系统地介绍了半导体物理学的基本概念、半导体器件的基本结构和性能等内容,是学习半导体物理和器件的必备读物。

2.《半导体器件物理基础》
该书由美国著名半导体专家Richard S. Muller和Theodore I. Kamins合著,是一本经典的半导体器件物理学教材。

该书系统地介绍了半导体器件的物理基础,包括半导体PN结、二极管、场效应晶体管等器件的物理原理和工作原理,是学习半导体器件物理的重要参考书。

3.《半导体器件工艺学》
该书是半导体器件工艺方面的经典教材,由美国著名半导体专家S.M. Sze和K.K. Ng合著。

该书详细介绍了半导体器件的工艺流程、器件制造技术和测试方法等内容,是学习半导体器件工艺学的重要参考书。

4.《半导体物理学》
该书由美国著名半导体专家S.M. Sze编写,是半导体物理学领域的经典著作之一。

该书系统地介绍了半导体物理学的基础知识,包括晶体结构、半导体材料、载流子输运、PN结、金属-半导体接触等内容,是学习半导体物理学的重要参考书。

以上几本书籍都是半导体技术领域的重要参考书,对于想深入了解半导体技术的人来说,是不可或缺的宝贵资料。

引用半导体器件物理书籍

引用半导体器件物理书籍

引用半导体器件物理书籍
在学习半导体器件物理的过程中,阅读相关的书籍是非常重要的。

以下是一些值得引用的半导体器件物理书籍:
1.《半导体物理学》(Semiconductor Physics) - 鲍尔兹曼, 饶毓聪著
这是一本介绍半导体物理学基础理论的经典书籍。

它涵盖了半导体器件的基本物理特性,如载流子输运、电子和空穴结合和发射、光电效应和光辐射等。

此外,该书还介绍了半导体器件的结构和工作原理,并解释了器件参数的意义和影响。

2.《半导体器件物理基础》(Fundamentals of Semiconductor Devices) - 费尔登和荷普金斯著
这本书是一本深入浅出的介绍半导体器件物理学的教材。

它解释了各种半导体器件的工作原理,包括二极管、晶体管、场效应管、光电池等。

该书还包括了半导体器件的制造过程和最新的发展。

它是一本对初学者非常友好的书籍,同时也是一个有用的参考工具。

3.《半导体器件制造技术》(Semiconductor Manufacturing Technology) - 迈克尔·昆蒂斯著
这本书介绍了半导体器件制造的所有方面,从晶圆制备到器件封装和测试。

该书详细介绍了各种制造过程和设备,包括光刻、离子注入、化学气相沉积等。

此外,该书还讨论了制造过程中的问题和解决方案,以及未来的发展趋势。

这些书籍都是半导体器件物理学的重要参考书。

无论是初学者还
是专业人士,都可以从中获得重要的知识和理解。

半导体与器件物理全套课件

半导体与器件物理全套课件

微处理器的性能
100 G 10 G Giga
100 M 10 M
8080
8086
8028 6
8038 6
Peak
Advertised
Performance
(PAP)
Real Applied
Performance
(RAP)
41% Growth
Mega
Moore’s Law
8048 6 Pentium
2006 0.10 1.5—2
2009 0.07 <1.5
2012 0.05 <1.0
栅介质的限制
超薄栅 氧化层
大量的 晶体管
G
S
D
直接隧穿的泄漏电流 栅氧化层的势垒
tgate
栅氧化层厚度小于 3nm后
限制:tgate~ 3 to 2 nm
随着 tgate 的缩小,栅泄 漏电流呈指数性增长
栅介质的限制
PentiumPro
Kilo 1970
1980
1990
2000
2010
集成电路技术是近50年来发展最快的技术
等比例缩小(Scaling-down)定律
1974; Dennard; 基本指导思想是:保持MOS器件内部电 场不变:恒定电场规律,简称CE律 等比例缩小器件的纵向、横向尺寸,以增加跨导和减 少负载电容,提高集成电路的性能 电源电压也要缩小相同的倍数
在45nm以下?极限在哪里?22 nm? Intel, IBM…
10nm ? Atomic level?
第二个关键技术: 互连技术
铜互连已在 0.25/0.18um技术代 中使用;但在 0.13um后,铜互连 与低介电常数绝缘 材料共同使用;在 更小的特征尺寸阶 段,可靠性问题还 有待继续研究开发

讲解半导体设备的书籍

讲解半导体设备的书籍

讲解半导体设备的书籍半导体设备是现代电子工业中不可或缺的关键设备。

它们用于半导体材料的制备、加工和测试,为我们的生活提供了各种各样的电子产品。

本文将介绍一些关于半导体设备的书籍,帮助读者更好地了解半导体设备的原理、结构和应用。

1. 《半导体物理与器件》这本书由著名的半导体物理学家杨维扬编写,详细讲解了半导体物理的基本原理和半导体器件的工作原理。

书中包含了丰富的理论知识和实例,适合作为大学本科生或研究生的教材使用。

通过学习这本书,读者可以深入了解半导体器件的内部结构和工作原理,为进一步研究和应用提供基础。

2. 《半导体器件制造技术》这本书由半导体设备制造专家陈功编写,系统介绍了半导体器件的制造过程和技术。

从材料准备、晶体生长、半导体工艺、器件制造到封装测试,每个环节都有详细的讲解和实例。

这本书适合从事半导体制造和工艺研发的工程师和学生阅读,可以帮助他们了解整个半导体器件制造的流程和技术要点。

3. 《半导体设备原理与工艺》这本书由国内著名的半导体设备专家张智编写,综合介绍了半导体设备的原理和工艺。

书中包含了大量的实验数据和案例分析,可以帮助读者更好地理解半导体设备的工作原理和性能评估。

这本书适合从事半导体设备研发和工艺优化的工程师和研究人员阅读,可以帮助他们提高设备的性能和可靠性。

4. 《半导体器件测试与可靠性》这本书由半导体测试与可靠性专家王志刚编写,系统介绍了半导体器件的测试方法和可靠性评估。

书中包含了各种测试技术和可靠性评估方法的原理和实例,可以帮助读者更好地理解半导体器件的测试过程和可靠性评估的要点。

这本书适合从事半导体器件测试和可靠性评估的工程师和研究人员阅读,可以帮助他们提高测试效率和产品质量。

5. 《半导体材料与器件物理导论》这本书由半导体材料和器件物理学家周志宏编写,系统介绍了半导体材料和器件的物理性质和应用。

书中包含了丰富的实验数据和理论分析,可以帮助读者更好地理解半导体材料和器件的特性和应用。

半导体相关书籍

半导体相关书籍

半导体相关书籍
以下是几本关于半导体的书籍推荐:
1. "半导体物理与器件"(Semiconductor Physics and Devices)
作者:Donald A. Neamen
这本书是半导体物理和器件方面的经典教科书,深入浅出地
介绍了半导体物理的基础知识和半导体器件的工作原理。

2. "半导体器件物理与技术"(Semiconductor Device Physics and Technology)作者:Jasprit Singh
这本书介绍了半导体器件的物理基础和工艺技术,内容涵盖
了从基本器件结构到现代半导体器件的各个方面。

3. "半导体器件基础"(Fundamentals of Semiconductor Devices)作者:Behzad Razavi
这本书详细介绍了半导体器件的工作原理、性能参数和设计
方法,对于工程师和研究人员来说是一本很好的参考书。

4. "半导体器件原理"(Principles of Semiconductor Devices)作者:Simone Luraschi、Kannan M. Krishnan
这本书系统地介绍了半导体器件的物理原理和基本概念,适
合初学者进行学习和理解。

这些是一些比较经典和权威的半导体领域的书籍推荐,读者可以根据自己的需求和兴趣选择其中一本进行阅读。

半导体行业相关书籍资料

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半导体行业相关书籍资料是科技领域中一门极具挑战性的领域,它涉及到电子学、物理学、材料科学以及工程学的方方面面。

随着科技的飞速发展和人们对信息技术的不断需求,的重要性也日益凸显。

对于那些对感兴趣的人士来说,深入学习和了解相关知识是必不可少的。

以下是一些关于的书籍和资料,旨在帮助读者深入了解这个领域。

1. 《半导体物理与器件》 - 作者:Donald A. Neamen这本书是学习半导体器件的经典教材之一。

它详细解释了半导体物理的基本原理和应用,包括材料结构、杂质控制、PN结、功率器件和光电器件等方面的内容。

书中还包含了大量的图表和案例研究,以帮助读者更好地理解和应用所学知识。

2. 《集成电路设计》 - 作者:John P. Uyemura这本书主要介绍了集成电路设计的基本概念和方法。

它涵盖了数字和模拟电路设计的各个方面,包括逻辑门设计、布线、时序和功耗优化等内容。

此外,书中还提供了大量的设计实例和实际应用案例,以帮助读者培养实际设计能力。

3. 《半导体器件与集成电路制造工艺》 - 作者:Jasprit Singh这本书是一本关于半导体器件制造过程的综合教材。

它详细介绍了半导体晶体生长、掺杂、薄膜沉积、光刻和刻蚀等制造工艺的原理和方法。

除了讲解制造工艺,书中还涉及到器件结构和性能的相关内容,以帮助读者全面了解半导体器件制备过程。

4. 《半导体器件物理原理》 - 作者:S.M. Sze这本书被广泛认为是关于半导体器件物理的经典教材。

它详细介绍了半导体物理的基本原理和理论,包括能带理论、载流子输运、PN 结等方面的内容。

此外,书中还涉及到一些常见的器件结构和性能指标,以帮助读者更好地理解器件工作原理。

5. 《半导体材料与器件》 - 作者:Simon M. Sze, Kwok K. Ng这本书主要讲述了半导体材料和器件的基本性质和应用。

它详细介绍了半导体材料的结构、生长和性质,以及常见的器件类型和制备方法。

半导体物理参考书和考试大纲

半导体物理参考书和考试大纲

北大半导体物理"参考书和考试大纲
参考书:可选用下面两本参考书中的任一本。

1、叶良修,"半导体物理学"(上册),高等教育出版社, 1994年。

2、刘恩科等,"半导体物理学",国防工业出版社, 1989年。

考试大纲:
1、晶格结构和结合性质
(对应参考书1中的§1.1-§1.3,参考书2中的§1.1,§2.3).
2、半导体中的电子状态
(对应参考书1中的§2.1-§2.7,参考书2中的§1.2-§1.4,
§1.6-§1.7, §2.1-§2.2).
3、电子和空穴的平衡统计分布
(对应参考书1中的§3.1-§3.5,参考书2中的§3.1-§3.6).
4、输运现象
(对应参考书1中的第四章,参考书2中的§4.1-§4.6).
5、过剩载流子
(对应参考书1中的第五章,参考书2中的第五章).
6、pn结
(参考书1 中的第六章,参考书2中的第六章).
7、半导体表面和MIS结构
(对应参考书1中§7.1-§7.4,参考书2中的§8.1-§8.5).
8、金属半导体接触和异质结
(对应参考书1中的§8.1-§8.5,参考书2中的§9.1-§9.3).
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半导体设备相关书籍

半导体设备相关书籍

半导体设备相关书籍半导体设备是现代电子技术中不可或缺的重要组成部分,它在信息技术、通信、能源、医疗等领域起着关键作用。

本文将介绍几本与半导体设备相关的书籍,以帮助读者更好地了解和掌握这一领域的知识。

1. 《半导体物理与器件》这本书是半导体物理与器件领域的经典教材,由国内知名专家编写。

书中详细介绍了半导体材料的特性、能带理论、载流子输运、PN 结、MOS场效应管等重要器件的原理和工作原理。

通过阅读这本书,读者可以系统地学习半导体物理与器件的基础知识,为深入研究和应用打下坚实的基础。

2. 《半导体器件制备工艺》这本书主要介绍了半导体器件的制备工艺和工艺流程。

从硅基材料的制备、光刻技术、薄膜沉积、离子注入、扩散、氧化等方面进行了详细讲解。

读者可以通过学习这本书,了解到半导体器件制备的关键步骤和技术要点,掌握相应的工艺流程,提高器件的制备质量和性能。

3. 《半导体器件物理与模型》这本书主要介绍了半导体器件的物理原理和模型建立方法。

通过对器件物理特性的深入研究和数学建模,可以更好地理解和分析器件的工作原理和性能。

本书还详细介绍了常见的半导体器件模型,如BJT、MOSFET等,以及它们的等效电路模型和参数提取方法。

读者可以通过学习这本书,掌握器件物理与模型的基本原理,为器件设计和分析提供有效的工具和方法。

4. 《半导体器件可靠性与失效分析》这本书主要介绍了半导体器件的可靠性问题和失效分析方法。

由于半导体器件在工作过程中会受到各种环境和应力的影响,因此其可靠性是一个重要的研究方向。

本书详细介绍了器件失效的原因和机制,如热失效、电击穿、应力失效等,并介绍了常用的失效分析方法和手段。

读者可以通过学习这本书,了解器件的可靠性问题和失效分析的基本方法,提高器件的可靠性和寿命。

5. 《半导体器件测试与可靠性评估》这本书主要介绍了半导体器件的测试方法和可靠性评估技术。

在器件制备完成后,需要进行各种测试和可靠性评估,以确保器件的质量和性能。

半导体专业本科教材

半导体专业本科教材

半导体专业本科教材
半导体专业本科教材包括以下几本:
1. 《半导体物理学》(刘恩科等著):这本书系统地介绍了半导体的基本物理知识,包括晶体结构、能带理论、载流子、输运现象、光学性质和热电性质等。

2. 《半导体器件物理》(Donald A. Neamen著):这本书详细介绍了半导体器件的基本原理和特性,包括PN结、晶体管、场效应晶体管、光电器件、传感器等。

3. 《半导体制造技术》(Donald A. Neamen著):这本书介绍了半导体制造的基本技术和工艺,包括晶圆制备、外延生长、薄膜制备、掺杂和刻蚀等。

4. 《集成电路设计基础》(Donald A. Neamen著):这本书介绍了集成电路设计的基本原理和技巧,包括电路分析、模拟、版图设计、工艺流程和可靠性分析等。

5. 《微电子器件》(杜春雷等著):这本书介绍了微电子器件的基本原理和特性,包括二极管、晶体管、场效应晶体管、MEMS器件等。

6. 《光电子器件》(张晋等著):这本书介绍了光电子器件的基本原理和特性,包括发光二极管、激光器、光电探测器等。

此外,还有《半导体材料科学》、《半导体器件可靠性物理》、《微纳电子器件》等教材可供选择。

半导体物理学预备知识

半导体物理学预备知识



• •
• 简立方
• 体立方
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立方晶系不喇菲原胞
1. 简立方
原胞的基矢为: a1=ia, a2=ja, a3=ka
2. 体心立方
固体物理学的原胞基矢与结晶学原胞基矢的关系: a1=(-i+j+k)a\2
a2=(k+i-j)a\2
a3=(i+j-k)a\2
排列规则:层与层堆积方式是上面一层原子球心对 准下面一层球隙,下层球心的排列位置用A标记, 上面一层球心的排列位置用B标记,体心立方晶格 中正方排列原子层之间的堆积方式可以表示为 : AB AB AB AB…
体心立方晶格的特点:
为了保证同一层中原子球间的距离等于A-A层之间的 距离,正方排列的原子球并不是紧密靠在一起; 具有体心立方晶格结构的金属:Li、Na 、K、 Rb、 Cs、 Fe等,
1 . 点子 空间点阵学说中所称的点子,代表着结构中相同的位 置,称为结点。 关于结点的说明: 1) 当晶体是由完全相同的一种原子组成,结点可以是原 子本身位置。节点一般代表原子周围相应点的位置。 2) 当晶体中含有数种原子,这数种原子构成基本结构 单元(基元),结点可以代表基元重心,原因是所有基 元的重心都是结构中相同位置,也可以代表基元中任意 点子
面心立方晶格 (立方密排晶格)
面心(111) 以立方密堆方式排列
面心立方晶体(立方密排晶格)
六方密堆晶格的原胞
三 、不喇菲格子与复式格子
把基元只有一个原子的晶格,叫做不喇菲格子。
把基元包含两个或两个以上原子的,叫做复式格子。
注:如果晶体由一种原子构成,但在晶体中原子周围的 情况并不相同(例如用X射线方法,鉴别出原子周围 电子云的分布不一样),则这样的晶格虽由一种原 子组成,但不是不喇菲格子,而是复式格子。原胞 中包含两个原子。

半导体相关书籍

半导体相关书籍

半导体相关书籍以下是一些与半导体相关的书籍推荐:1. "Semiconductor Devices: Physics and Technology" by S.M. Sze and Kwok K. Ng - 这是一本广泛被认为是半导体器件领域的经典教材,涵盖了半导体物理原理和技术应用。

2. "Introduction to Solid State Physics" by Charles Kittel - 该书提供了关于固态物理学的重要概念和原理,对理解半导体器件的工作原理和性能有很大帮助。

3. "Physics of Semiconductor Devices" by Simon M. Sze and Ming-Kwei Lee - 这本书详细介绍了半导体材料和器件的物理性质、工作原理和设计方法。

4. "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" by B. Jayant Baliga - 这本书着重介绍了功率半导体器件的基本原理、材料和设计。

5. "Advanced Semiconductor Fundamentals" by Robert F. Pierret - 该书涵盖了半导体器件的制造、模拟和物理原理,适合深入了解半导体技术的读者。

6. "Modern Semiconductor Device Physics" by S. M. Sze - 这本书详细介绍了半导体物理学的最新进展,对于从事半导体器件研究和开发的读者非常有价值。

请注意,这些书籍涵盖了不同层次和专业领域的半导体知识,所以你可以根据自己的学术背景和兴趣来选择适合的书籍。

半导体聚合物书籍

半导体聚合物书籍

半导体聚合物书籍
1. 《半导体聚合物的奇妙世界》,哎呀呀,就像打开了一个充满惊喜和新奇的宝藏盒子!比如想想看,那些小小的半导体聚合物怎么就能创造出那么多神奇的电子器件呢!你难道不想去深入了解一下这个奇妙世界吗?
2. 《探索半导体聚合物之谜》,嘿,这可真是一次刺激的探索之旅啊!好比在黑暗中寻找那一丝亮光,半导体聚合物的各种特性和应用就是我们要追寻的目标呀!读这本书,绝对让你大开眼界,难道你不期待吗?
3. 《半导体聚合物:创新的源泉》,哇哦,半导体聚合物简直就是创新的源泉呀!就如同那永不干涸的泉水,源源不断地带来新的点子和突破。

你不想瞧瞧它是如何推动科技发展的吗?
4. 《解密半导体聚合物的魔法》,哟呵,这就像是解开一道神秘的魔法谜题!你看,半导体聚合物能做到的事情简直超乎想象,难道你不好奇这个魔法背后的秘密吗?
5. 《半导体聚合物:开启未来的钥匙》,哇塞,半导体聚合物不就是那把开启未来的钥匙嘛!如同打开未来大门的关键,想想就很激动啊!你不想握住这把钥匙去探索未来吗?
6. 《走进半导体聚合物的天地》,哈哈,走进这半导体聚合物的天地,就像进入了一个全新的领域。

各种奇妙的发现和可能性等你来挖掘,你还在等什么呢?
我的观点结论:这些关于半导体聚合物的书籍绝对会让你沉迷其中,让你对这个领域充满好奇和探索的欲望,赶紧去读吧!。

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半导体物理50本书1、半导体激光器基础633/Q003 (日)栖原敏明著科学出版社;共立出版2002.72、半导体异质结物理211/Y78虞丽生编著科学出版社1990.53、超高速光器件9/Z043 (日)斋藤富士郎著科学出版社;共立出版2002.74、半导体超晶格物理214/X26夏建白,朱邦芬著上海科学技术出版社19955、半导体器件:物理与工艺6/S52 (美)施敏(S.M.Sze)著科学出版社1992.56、材料科学与技术丛书.第16卷,半导体工艺5/K035(美)R.W.卡恩等主编科学出版社19997、光波导理论与技术95/L325李玉权,崔敏编著人民邮电出版社2002.128、半导体光学性质240.3/S44沈学础著科学出版社1992.69、半导体硅基材料及其光波导571.2/Z43赵策洲电子工业出版社199710半导体器件的材料物理学基础612/C49陈治明,王建农著科学出版社1999.511、半导体导波光学器件理论及技术666/Z43赵策洲著国防工业出版社1998.612、半导体光电子学631/H74黄德修编著电子科技大学出版社1989.913、分子束外延和异质结构523.4/Z33 <美>张立刚,<联邦德国>克劳斯·普洛格著复旦大学出版社1988.614、半导体超晶格材料及其应用211.1/K24康昌鹤,杨树人编著国防工业出版社1995.1215、现代半导体器件物理612/S498 (美)施敏主编科学出版社2001.616、外延生长技术523.4/Y28杨树人国防工业出版社1992.717、半导体激光器633/J364江剑平编著电子工业出版社2000.218、半导体光谱和光学性质240.3/S44(2)沈学础著科学出版社200219、超高速化合物半导体器件572/X54谢永桂主编宇航出版社1998.720、半导体器件物理612/Y75余秉才,姚杰编著中山大学出版社1989.621、半导体激光器原理633/D807杜宝勋著兵器工业出版社2001.622、电子薄膜科学524/D77 <美>杜经宁等著科学出版社1997.223、半导体超晶格─材料与应用211.1/H75黄和鸾,郭丽伟编著辽宁大学出版社1992.624、半导体激光器及其应用633/H827黄德修,刘雪峰编著国防工业出版社1999.525、现代半导体物理O47/X172夏建白编著北京大学出版社200026、半导体的电子结构与性能22/Y628 <英>W.施罗特尔主编科学出版社200127、半导体光电子技术9/Y770余金中编著化学工业出版社2003.428、半导体器件研究与进展.三6/W36/3王守武主编科学出版社1995.1029、国家自然科学基金重大项目“半导体光子集成基础研究”学术论文集:项目编号:69896260(2001.7-2002.5)638/G936/2001-022002.630、半导体激光器件物理学665/T23 <英>G.H.V.汤普森著电子工业出版社198931、半导体的检测与分析34/Z66中国科学院半导体研究所理化分析中心研究室编著科学出版社198632、材料分析测试技术:材料X射线衍射与电子显微分析55/Z78周玉,武高耀编著哈尔滨工业大学出版社1998.833、光纤通信用光电子器件和组件TN929.11/H800.2黄章勇编著北京邮电大学出版社200134、硅微机械加工技术571.2/H76黄庆安科学出版社1996.35、X射线结构分析与材料性能表征O72/T49滕凤恩科学出版社1997.1236、非线性光学频率变换及激光调谐技术O436.8/Y35姚建铨科学出版社;1995.337、半导体光检测器631.5/Z22 (美)W.T.Tsang主编电子工业出版社1992.338、介观物理O462/Y17阎守胜,甘子钊主编北京大学出版社1995.439、人工物性剪裁:半导体超晶格物理、材料及新器件结构的探索211.1/Z57郑厚植编著湖南科学技术出版社1997.40、光学薄膜原理O437.14/L63林永昌,卢维强编著国防工业出版社199041、半导体物理学2/L71B刘恩科,朱秉升等编国防工业出版社1979.1242、半导体物理学2/L33李名复著科学出版社1991.243、半导体物理与器件2/X58忻贤坤编著上海科学技术文献出版社1996.244、砷化镓微波功率声效应晶体管及其集成电路624.26/L35李效白编著科学出版社1998.245、半导体测试技术55/S98孙以材编著冶金工业出版社1984.1046、X射线衍射与电子显微分析基础O439.634/M18马咸尧主编华中理工大学出版社1993.847、砷化镓的性质572.162/Y14亚当斯.A.R.等著科学出版社199048、高等激光物理学O45/L31李福利编著中国科技大学出版社1992.849、半导体器件工艺616/D52电子工业半导体专业工人技术教材编写组上海科学技术文献出版社1984.150、凝聚态物理学新论O462.031/F61N冯端,金国钧著上海科学技术出版社1992.12“压力传感器的设计制造与应用”目录压力传感器的设计制造与应用作者:孙以材出版:北京冶金工业出版社2000 年出版尺寸:20cmISBN:7-5024-2400-8形态:615 页- 107 章节定价:CNY40.00附注:河北省教育委员会学术著作出版基金资助浏览:在线阅读全文下载摘要本书主要介绍压阻型压力传感器的原理、弹性力学应力机械加工到芯片封接与引线;介绍压力传感器的技术特性、选用及各种热漂移补偿技术等。

目录目录第一章晶体及其能带结构第一节空间点阵和晶体结构附录第二节晶体的能带结构第三节晶体的物理常数及其坐标变换参考文献第二章压力传感器的基本原理第一节单晶硅的压阻效应第二节扩散硅的压阻效应第三节多晶硅的压阻效应附录任意晶向压阻系数的计算参考文献第三章压力传感器中承压弹性膜的应力计算第一节弹性力学基础第二节承压弹性薄膜的应力分析第三节压力传感器弹性膜二维有限元法的应力计算第四节压力传感器三维有限元法应力计算简介参考文献第四章压力传感器芯片版图设计第一节合理利用压阻系数第二节力敏电阻条的设计第三节二极管与三极管的设计第四节失效与可靠性问题参考文献第五章压力传感器的衬底制备第一节硅单晶片抛光的基本原理第二节衬底片的清洗第三节外延工艺原理第四节硅——硅键合工艺原理参考文献第六章压力传感器的管芯制备第一节氧化膜的制备第二节扩散工艺原理第三节光刻工艺原理参考文献第七章硅压力传感器的微机械加工第一节概况第二节湿化学腐蚀第三节各向异性腐蚀过程计算机模拟第四节压力传感器的压力腔腐蚀工艺第五节表面微机械加工——牺牲层技术第六节玻璃穿孔技术参考文献第八章压力传感器的封装第一节压力传感器的封装意义及要求第二节压力传感器芯片的封接方法第三节硅片与硅片低温直接键合第四节封接材料的性质参考文献第九章压力传感器的引线第一节压力传感器的引线键合第二节载带自动键合(TAB)技术第三节引线的可键合性与可靠性第四节引线间接触电阻的测量参考文献第十章压力传感器的技术性能与选用第一节压力传感器的技术性能第二节压力传感器的选用参考文献第十一章压力传感器的热漂移及其补偿技术第一节热零点漂移及其补偿技术第二节热灵敏度漂移及其补偿技术第三节用自平衡电桥简单电路消除热零点和灵敏度漂移参考文献第十二章压力传感器的信号调理第一节集成运算放大器简介第二节仪表放大器简介第三节压力传感器激励参考文献第十三章压力传感器的智能化技术第一节MCS-51单片机系统概述第二节MCS-51单片机的指令系统第三节MCS-51单片机内部存储器第四节MCS-51单片机内部的定时器/计数器第五节MCS-51单片机内部的并行输入/输出(I/O)口第六节MCS-51单片机内部的串行口第七节MCS-51单片机的中断控制系统第八节智能化压力传感器的硬件设计第九节智能化压力传感器的软件设计参考文献第十四章其他种类压力传感器第一节膜片式电容型压力传感器第二节压电型压力传感器第三节金属电阻应变式压力传感器第四节干涉光非接触式读出压力传感器第五节光纤压力传感器参考文献第十五章压力传感器的应用第一节压力传感器的应用分类第二节LED显示排压力计第三节电池供电精密气压计第四节压力控制器第五节自动洗衣机中应用的压力传感器第六节自动补偿静压的压力传感器第七节压力传感器在液位测量中的应用参考文献一、主要物理常数二、单位换算表1.长度单位换算2.质量单位换算3.力单位换算4.功及能量单位换算5.功率单位换算6.压力单位换算7.电磁单位换算参考资料:四探针和EIT测试微区薄层电阻的研究与进展R&D on the Technique for Determining theResistivity of Micro Areas Sheet Based onFour-Point Probe and EIT<<半导体技术>>2007年第32卷第05期作者: 谢辉, 刘新福, 贾科进, 闫德立, 田建来,期刊-核心期刊ISSN : 1003-353X(2007)05-369-05论述了一种测试大型硅片电阻率均匀性的新方法--电阻抗成像技术(EIT).给出了四探针的基本原理,指出EIT的基本思想来源于四探针技术.对EIT的基本原理和重建算法在理论上进行了描述,提出可将其应用于微区薄层电阻测试,并对EIT在大型硅片微区薄层电阻率均匀性测试技术上的系统应用做了进一步探索.关键词: 四探针法, 电阻抗成像, 微区薄层电阻, | 全部关键词中图分类:TN306 > 工业技术> 无线电电子学、电信技术> 半导体技术> 一般性问题> 可靠性及例行试验万方期刊分类:TN > 工业技术> 无线电电子学与电信技术- 四探针和EIT测试微区薄层电阻的研究与进展R&D on the Technique for Determining the Resistivity of Micro Areas Sheet Based on Four-Point Probe and EIT 作者:谢辉,刘新福,贾科进,闫德立,田建来,期刊-核心期刊半导体技术SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY 2007年第05期- 四探针技术测量薄层电阻的原理及应用The principle and application of testing sheet resistance with four-pointprobe techniques 作者:刘新福,孙以材,刘东升,期刊-核心期刊半导体技术SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY 2004年第07期- 微区薄层电阻四探针测试仪及其应用Four-probe Instrument for Measuring Sheet Resistance of Microareas and Its Application 作者:孙以材,刘新福,高振斌,孟庆浩,孙冰,期刊-核心期刊固体电子学研究与进展RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS 2002年第01期- 微区电阻测试方法及新测试仪研制The Study on Means of Measuring Sheet Resistance of Microareas 作者:刘新福,孙以材,王静,张艳辉,期刊-核心期刊微电子学与计算机MICROELECTRONICS & COMPUTER 2003年第09期- 用改进的Rymaszewski公式及方形四探针法测定微区的方块电阻The measurement of square resistance for microarea by square four-probe techniques and using a modified Rymaszewski's formula 作者:刘新福,孙以材,张艳辉,陈志永,期刊-核心期刊物理学报ACTA PHYSICA SINICA 2004年第08期- 基于EIT技术的微区薄层电阻测试系统研究Research on the Micro-Area Sheet Resistance Test System Based on EIT Technology 作者:任献普,刘新福,黄宇辉,柳春茹,赵晓然,赵丽敏,期刊-核心期刊半导体技术SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY 2009年第10期- 两种薄层电阻测试系统探针游移误差的对比分析TheContrasting and Analyzing of Probe Movement Error about Two Kinds of Measurement System of Sheet Resistance 作者:刘新福,孙以材,刘东升,期刊-核心期刊电子器件CHINESE JOURNAL OF ELECTRON DEVICES 2004年第01期- 电阻率测量技术研究The Study of Techniques of Measuring Resistivity 作者:谢莉莉,汪鹏,期刊高等职业教育-天津职业大学学报HIGHER VOCATIONAL EDUCATION-JOURNAL OF TIANJIN PROFESSIONAL COLLEGE 2007年第05期- Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响作者:蒋玉龙, 茹国平, 屈新萍, 李炳宗,会议第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议论文集2004年- Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响Influence of Ti Interlayer on Untrathin Ni Film Silicidation 作者:蒋玉龙,茹国平,屈新萍,李炳宗,期刊-核心期刊半导体学报CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 2005年第z1期。

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