电子技术专科复习题
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电子技术复习题
一、填空题
1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,和绝缘体三类。
2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是。
3、半导体具有、光敏特性、参杂的特性。
4、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为,少数载流子为,不能移动的杂质离子带电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为,少数载流子为,不能移动的杂质离子带电。
5、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向,有利于的运动而不利于的;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向,有利于
的运动而不利于的,这种情况下的电流称为电流。
6、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由向区进行扩散,N 型半导体中的多数载流子由向区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个,其方向
由区指向区。的建立,对多数载流子的起削弱作用,对少子的起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,形成。
7、三极管的内部结构是由区、区、区及结和
结组成的。三极管对外引出的电极分别是极、极和极。
8、使用二极管时,应考虑的主要参数是,最高反向电压和反向电流。
9、发光二极管将电信号转换为。
10、三极管处在放大区时,其电压小于零,电压大于零。
11、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA
变为2mA,那么它的β约为。
12、三极管的三个工作区域分别是、和
13、放大电路必须加上合适的直流才能正常工作。
14、基本放大电路的三种组态分别是:放大电路、放大电路和放大电路。
15、放大电路应遵循的基本原则是:结正偏;结反偏。
16、将放大器的全部或部分通过某种方式回送到输入端,这部分信号叫做信号。使放大器净输入信号减小,放大倍数也减小的反馈,称为反馈;使放大器净输入信号增加,放大倍数也增加的反馈,称为反馈。放大电路中常用的负反馈类型有负反馈、负反馈、负反馈和负反馈。
17、射极输出器具有恒小于1、接近于1,和同相,并具有高和低的特点。
18、放大电路有两种工作状态,当u i=0时电路的状态称为态,有交流信号
u
输入时,放大电路的工作状态称为态。在态情况下,晶体管各极电
i
压、电流均包含分量和分量。放大器的输入电阻越,就越能从前
级信号源获得较大的电信号;输出电阻越,放大器带负载能力就越强。
19、理想运算放大器工作在线性区时有两个重要特点:一是差模输入电压,
称为;二是输入电流,称为。
=,r id=,r od=,K CMR=。
20、理想集成运放的A
ud
21、比例运算电路的输入电流等于零,比例运算电路的输入电流等
于流过反馈电阻中的电流。比例运算电路的比例系数大于1,而比
例运算电路的比例系数小于零。
22、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为信号;在时间上和数值
上离散的信号叫做信号。
23、在正逻辑的约定下,“1”表示电平,“0”表示电平。
24、数字电路中,输入信号和输出信号之间的关系是关系,所以数字电路
也称为逻辑电路。在逻辑关系中,最基本的关系是、和。
25、具有基本逻辑关系的电路称为,其中最基本的有、和
非门。
26、具有“相异出1,相同出0”功能的逻辑门是门,它的反是门。
27、TTL门输入端口为逻辑关系时,多余的输入端可处理;TTL门输
入端口
为逻辑关系时,多余的输入端应接电平;CMOS门输入端口为“与”逻
辑关系时,多余的输入端应接电平,具有“或”逻辑端口的CMOS门多余的
输入端应接电平;即CMOS门的输入端不允许。
28、集成运放的内部由输入级、、输出级和等四部分组成。
P109
29、描述反馈强弱程度的物理量是,其值越大,表示反馈越深,对
的影响也越大。P112
30、为了提高放大倍数,以满足实际应用的需要,通常采用。
31、多级放大电路耦合方式有耦合、耦合、耦合。P101
32、在输入信号正、负半周的交界处,无输出信号,使输出波形失真,这种失真
称为失真。P105
33、小功率直流稳压电源一般由、、、
四个部分组成。P131
34、逻辑代数中只有三种基本运算:、和。 P151
35、在数字电路中,输入和输出信号只有和两种状态。P169
36、能实现非逻辑功能的电路称为电路。P171
37、把一个电路中的所有元件,包括、、
及等都制作在一片半导体芯片上,封装在一个管壳内,就构成了集成
电路。 P173
38、组合逻辑电路是数字电路中最简单的一类逻辑电路,其特点是
上无记忆,结构上无。P180
16.稳压二极管正常稳压工作时,是工作在其特性曲线的______区。
17.某放大状态的晶体管,知I E=2mA,β=49,则I B=______mA。
二.选择题
1.P型半导体中,多数载流子是()
A.空穴
B.正离子
C.自由电子
D.负离子
为()
2.理想二极管构成的电路如题2图所示,则输出电压U
O
A.3V
B.-3V
C.10V
D.-10V
3.测得电路中某晶体管(硅管)的各管脚电位如题3图所示,则可判定该管处在()
A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态
D.不确定状态
8.单相桥式整流电容滤波电路,接负载电阻R L=12Ω,知变压器二次侧电压有效值,U2=20V,通过每个整流二极管的平均电流为()
A.0.5A
B.0.75A
C.1A
D.2A
1.要得到N型杂质半导体,应在本征半导体硅或锗中掺入少量的()
A.三价元素
B.四价元素
C.五价元素
D.六价元素
3.测得电路中某锗晶体管的各管脚电位如题3图所示,则可判定该管处在()