芯片命名规则

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凌特芯片命名规则-概述说明以及解释

凌特芯片命名规则-概述说明以及解释1.引言概述部分是文章的引言，用于介绍凌特芯片命名规则的背景和意义。

在这一部分，我们可以介绍什么是芯片命名规则，以及为什么需要制定凌特芯片命名规则。

【示例】1.1 概述芯片命名规则是针对凌特公司的芯片产品所制定的命名规范。

在现代科技的迅猛发展中，芯片作为电子设备的核心部件，已经广泛应用于各个领域，如通信、计算机、智能家居等。

随着芯片技术的进一步发展，芯片产品的种类越来越多，性能和功能也越来越丰富。

因此，制定一个合理的芯片命名规则，不仅有助于提高凌特芯片产品的品牌形象和用户认知度，还能提高芯片产品的市场竞争力和与其他厂商产品的区分度。

凌特芯片命名规则的制定旨在统一芯片产品的命名方式，确保命名规范、易于理解和记忆，并符合行业规范。

通过合理的命名规则，可以方便用户区分不同系列和型号的芯片产品，准确理解芯片的主要功能和适用领域，从而更好地满足用户的需求。

本篇文章将重点介绍凌特芯片命名规则的要点和原则，以及在实际应用中的意义和影响。

希望通过本文的阐述，读者能够更加全面地了解凌特芯片命名规则，为凌特公司的芯片产品起到更好的推广和应用作用。

1.2文章结构文章结构部分的内容：本文主要分为引言、正文和结论三个部分。

引言部分将对凌特芯片命名规则进行概述，介绍文章的目的和整体结构。

正文部分将重点探讨凌特芯片命名规则的要点，包括要点1和要点2。

在结论部分，将对文章的内容进行总结，并展望凌特芯片命名规则的未来发展。

引言部分的概述将简要介绍凌特芯片命名规则的背景和重要性，提出研究该主题的目的。

同时，引言部分还将概括文章的整体结构，让读者能够对接下来的内容有一个清晰的了解。

正文部分将详细介绍凌特芯片命名规则的要点。

要点1将对凌特芯片命名的原则和规范进行探讨，分析其背后的考虑因素和实施方法。

要点2将从实际案例出发，详细解释凌特芯片命名规则的实际应用情况，并分析其中的优点和不足之处。

结论部分将对全文的内容进行总结，总结凌特芯片命名规则的关键要点和提出的建议。

芯片命名规则

IC命名规则是每个芯片解密从业人员应当了解和掌握的IC基础知识，一下详细地列出了IC 命名规则，希望对你的芯片解密工作有所帮助。

一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分：◆.前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品◆.器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量）◆.温度等级-----区分商业级，工业级，军级等◆.封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它内容：◆.速率-----如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示◆.工艺结构----如通用数字IC有COMS和TTL两种，常用字母C，T来表示◆.是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环抱，如Z，R，+等◆.包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等◆.版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本◆.该产品的状态举例：EP 2C70 A F324 C 7 ES ：EP-altera公司的产品；2C70-CYCLONE2系列的FPGA；A-特定电气性能；F324-324pin FBGA封装；C-民用级产品；7-速率等级；ES-工程样品MAX 232 A C P E + ：MAX-maxim公司产品；232-接口IC；A-A档；C-民用级；P-塑封两列直插；E-16脚；+表示无铅产品详细的型号解说请到相应公司网站查阅。

IC命名和封装常识IC产品的命名规则：大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。

但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。

闪存颗粒命名规则

闪存颗粒命名规则
闪存颗粒的命名规则一般遵循以下原则：
1. 芯片功能和类型：第1位通常代表芯片功能，k代表的是内存芯片；第2位代表芯片类型，4代表的是DRAM。

2. 容量和刷新速率：第4、5位表示容量和刷新速率，例如64、62、63、65、66、67、6a代表64Mbit的容量；28、27、2a代表128Mbit的容量；
56、55、57、5a代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

3. 数据线引脚个数：第6、7位表示数据线引脚个数，例如08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

4. 厂商和内存类型：厂商通常会使用特定的字母或缩写来标识，例如Micron的厂商名称是MT。

第48位数字代表内存的类型，例如48代表SDRAM；46 代表DDR。

5. 供电电压和封装方式：LC代表3V供电电压；C 代表5V供电电压；V 代表供电电压。

封装方式通常会用特定的字母或缩写来表示，例如TG即TSOP封装。

6. 工作速率和内核版本号：-75代表内存工作速率是133MHz，-65则表示工作速率是150MHz。

内核版本号也会被记录下来，例如A2代表内存内核版本号。

请注意，以上规则可能因厂商和具体产品而有所不同，因此在实际应用中，建议查阅具体产品的技术规格书或联系厂商获取准确信息。

IC芯片命名规则大全

IC芯片命名规则MAXIM 专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀： MAXIM公司产品代号2．产品字母后缀：三字母后缀：C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数四字母后缀：B=指标等级或附带功能； C=温度范围；P=封装类型； I=管脚数3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃至70℃（商业级）I =-20℃至+85℃（工业级）E =-40℃至+85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55?至+125℃（军品级）5．封装形式:A SSOP(缩小外型封装) Q PLCCB CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装 T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装 U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil） J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚） K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封P 塑料 / W 晶圆6．管脚数量：A:8 J:32 K:5，68 S:4，80B:10，64 L:40 T:6，160C:12，192 M:7，48 U:60D:14 N:18 V:8（圆形）E:16 O:42 W:10（圆形）F:22，256 P:20 X:36G:24 Q:2，100 Y:8（圆形）H:44 R:3，84 Z:10（圆形）I:28AD 常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51．前缀：AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A2．器件型号3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）： I、J、K、L、M 0℃至70℃ A、B、C-25℃或-40℃至85℃ S、T、U -55℃至125℃5．封装形式： D 陶瓷或金属密封双列直插　R　微型“SQ”封装 E 陶瓷无引线芯片载体 RS 缩小的微型封装 F 陶瓷扁平封装 S　塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装 H 密封金属管帽 T　TO-92型封装 J J形引线陶瓷封装 U 薄型微型封装 M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插 N 料有引线芯片载体 Y 单列直插 Q 陶瓷熔封双列直插 Z 陶瓷有引线芯片载体 P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61．器件分类： ADC　A/D转换器 OP　运算放大器 AMP　设备放大器 PKD 峰值监测器 BUF　缓冲器 PM　PMI二次电源产品 CMP　比较器 REF 电压比较器 DAC　D/A转换器 RPT　PCM线重复器　 JAN　Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器 LIU　串行数据列接口单元 SW　模拟开关　 MAT　配对晶体管 SSM　声频产品 MUX　多路调制器 TMP　温度传感器2．器件型号3．老化选择4．电性等级5．封装形式：H　6腿TO-78 S　微型封装 J　8腿TO-99 T　28腿陶瓷双列直插　 K　10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体 P　环氧树脂B双列直插 V　20腿陶瓷双列直插　 PC　塑料有引线芯片载体 X 18腿陶瓷双列直插 Q　16腿陶瓷双列直插 Y　14腿陶瓷双列直插 R　20腿陶瓷双列直插 Z　8腿陶瓷双列直插 RC　20引出端无引线芯片载体6．军品工艺ALTERA 产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61．前缀： EP 典型器件 EPC 组成的EPROM器件 EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列 EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列 EPX 快闪逻辑器件2．器件型号3．封装形式： D　陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装 P　塑料双列直插 R　功率四面引线扁平封装 S　塑料微型封装 T　薄型J形引线芯片载体 J　陶瓷J形引线芯片载体 W　陶瓷四面引线扁平封装 L　塑料J形引线芯片载体 B　球阵列4．温度范围： C　℃至70℃，I　-40℃至85℃，M　-55℃至125℃　5．腿数6．速度ATMEL　产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：ATMEL公司产品代号2．器件型号3．速度4．封装形式： A TQFP封装 P 塑料双列直插 B 陶瓷钎焊双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装 C 陶瓷熔封 R 微型封装集成电路 D 陶瓷双列直插 S 微型封装集成电路 F 扁平封装 T 薄型微型封装集成电路 G 陶瓷双列直插，一次可编程 U 针阵列 J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装 K 陶瓷J形引线芯片载体 W 芯片 L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封 M 陶瓷模块 Z 陶瓷多芯片模块 N 无引线芯片载体，一次可编程5．温度范围： C 0℃至70℃， I -40℃至85℃， M -55℃至125℃6．工艺：空白标准 /883 Mil-Std-883, 完全符合B级 B Mil-Std-883，不符合B级BB 产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B4 7 81．前缀：　ADC A/D转换器 MPY 乘法器　ADS 有采样/保持的A/D转换器 OPA 运算放大器　DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器　DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器　INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路　ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块　MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器　MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2．器件型号3．一般说明： A 改进参数性能 L 锁定 Z + 12V电源工作 HT 宽温度范围4．温度范围： H、J、K、L 0℃至70℃ A、B、C -25℃至85 ℃ R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式： L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插 M 密封金属管帽 G 普通陶瓷双列直插 N 塑料芯片载体 U 微型封装 P 塑封双列直插6．筛选等级： Q 高可靠性 QM 高可靠性，军用7．输入编码： CBI 互补二进制输入 COB 互补余码补偿二进制输入 CSB 互补直接二进制输入 CTC 互补的两余码8．输出： V 电压输出 I 电流输出CYPRESS 产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀： CY Cypress公司产品， CYM 模块， VIC VME总线2．器件型号：7C128　CMOS SRAM 7C245 PROM 7C404 FIFO 7C9101　微处理器3．速度：A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列 U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装 D 陶瓷双列直插 W 带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装 X 芯片G 针阵列 Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体 PF 塑料扁平单列直插P 塑料 PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插 R 带窗口的针阵列 E 自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装5．温度范围：C 民用（0℃至70℃） I 工业用　（-40℃至85℃） M 军谩　（-55℃至125℃）6．工艺： B 高可靠性HITACHI 常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41．前缀： HA 模拟电路 HB 存储器模块 HD 数字电路 HL 光电器件（激光二极管/LED） HM 存储器（RAM） HR光电器件（光纤） HN 存储器（NVM） PF RF功率放大器 HG 专用集成电路2．器件型号3．改进类型4．封装形式： P 塑料双列 PG 针阵列 C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插 CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体 FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插 SO 微型封装INTERSIL 产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61．前缀： D 混合驱动器 G 混合多路FET ICL 线性电路 ICM 钟表电路 IH 混合/模拟门 IM 存储器 AD 模拟器件 DG 模拟开关 DGM 单片模拟开关 ICH 混合电路 MM 高压开关 NE/SE SIC产品2．器件型号3．电性能选择4．温度范围：A -55℃至125℃，B -20℃至85℃，C 0℃至70℃ I -40℃至125℃，　M -55℃至125℃5．封装形式： A TO-237型 L 无引线陶瓷芯片载体 B 微型塑料扁平封装 P 塑料双列直插 C TO-220型 S TO-52型 D 陶瓷双列直插 T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型 E TO-8微型封装 U TO-72、TO-18、TO-71型 F 陶瓷扁平封装 V TO-39型 H TO- 66型 Z TO-92型 I 16脚密封双列直插 /W 大圆片 J 陶瓷双列直插 /D 芯片 K T O-3型 Q 2引线金属管帽6．管脚数：A 8，B 10，C 12，D 14，E 16，F 22，G 24， H 42， I 28， J 32， K 35， L 40， M 48， N 18， P 20， Q 2， R 3， S 4， T 6， U 7， V 8（引线间距0.2""，绝缘外壳）W 10（引线间距0.23""，绝缘外壳） Y 8（引线间距0.2""，4脚接外壳）Z 10（引线间距0.23""，5脚接外壳）NEC 常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41．前缀2．产品类型：A 混合元件 B 双极数字电路，C 双极模拟电路D 单极型数字电路3．器件型号：4．封装形式： A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型 B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体 C 塑封双列 V 立式的双列直插封装 D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体 G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体 H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插MICROCHIP 产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 5 61. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号（类型）： C CMOS电路 CR CMOS ROM LC 小功率CMOS电路 LCS 小功率保护 AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROM LV 低电压 F 快闪可编程存储器 HC 高速CMOS FR FLEX ROM3．改进类型或选择4．速度标示：　-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns,　-12 120ns-15 150ns -17 170ns,　-20 200ns,　-25 250ns, -30 300ns晶体标示：LP 小功率晶体， RC 电阻电容，XT 标季 /振荡器 HS 高速晶体频率标示：-20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ， -16 16MHZ-20 20MHZ， -25 25MHZ， -33 33MHZ5．温度范围：空白0℃至70℃， I -45℃至85℃， E -40℃至125℃6．封装形式：　L PLCC封装 JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口　P 塑料双列直插 PQ 塑料四面引线扁平封装　W 大圆片 SL 14腿微型封装-150mil　JN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 SM 8腿微型封装-207mil　SN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mm SO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mm SP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口　SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装　TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST 产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51．产品系列： 74AC/ACT 先进CMOS HCF4XXX M74HC 高速CMOS2．序列号3．速度4．封装： BIR，BEY 陶瓷双列直插 M，MIR 塑料微型封装5．温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71．系列： ET21 静态RAM ETL21 静态RAM ETC27 EPROM MK41 快静态RAM MK45 双极端口FIFO MK48 静态RAM TS27 EPROM S28 EEPROM TS29 EEPROM2．技术：空白…NMOS C…CMOS L…小功率3．序列号4．封装： C 陶瓷双列 J 陶瓷双列 N 塑料双列 Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5．速度6．温度：空白0℃~70℃ E -25℃~70℃V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7．质量等级：空白标准 B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81．系列：　27…EPROM 87…EPROM锁存2．类型：空白…NMOS， C…CMOS，V…小功率 3．容量：64…64K位（X8） 256…256K位（X8） 512…512K位（X8） 1001…1M位（X8） 101…1M位（X8）低电压 1024…1M位（X8） 2001…2M位（X8） 201…2M位（X8）低电压 4001…4M位（X8） 401…4M位（X8）低电压 4002…4M位（X16） 801…4M位（X8） 161…16M位（X8/16）可选择 160…16M位（X8/16）4．改进等级5．电压范围：空白 5V +10%Vcc， X 5V +10%Vcc6．速度：55 55n，　60 60ns，　70 70ns，　80 80ns90 90ns， 100/10 100 n120/12 120 ns， 150/15 150 ns200/20 200 ns， 250/25 250 ns7．封装： F 陶瓷双列直插（窗口） L 无引线芯片载体（窗口）B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准） M 塑料微型封装 N 薄型微型封装 K 塑料有引线芯片载体（低电压）8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101．电源2．类型： F 5V +10%， V 3.3V +0.3V3．容量： 1 1M，　2 2M， 3 3M，　8 8M，　16 16M4．擦除： 0 大容量 1 顶部启动逻辑块2 启动逻辑块 4 扇区5．结构： 0 ×8/×16可选择，　1 仅×8， 2 仅×166．改型：空白 A7．Vcc：空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8．速度： 60 60ns， 70 70ns， 80 80ns， 90 90ns 100 100ns， 120 120ns， 150 150ns， 200 200ns9．封装： M 塑料微型封装 N 薄型微型封装，双列直插 C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插10．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 71．器件系列： 29 快闪2．类型： F 5V单电源 V 3.3单电源3．容量：　100T （128K×8.64K×16）顶部块， 100B （128K×8.64K×16）底部块 200T （256K×8.64K×16）顶部块， 200B （256K×8.64K×16）底部块 400T （512K×8.64K×16）顶部块， 400B （512K×8.64K×16）底部块 040 （12K×8）扇区， 080 （1M×8）扇区016 （2M×8）扇区4．Vcc：空白 5V+10%Vcc， X +5%Vcc5．速度： 60 60ns， 70 70ns， 80 80ns90 90ns， 120 120ns6．封装： M 塑料微型封装 N 薄型微型封装 K 塑料有引线芯片载体 P 塑料双列直插7．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61．器件系列：24 12C ， 25 12C（低电压）， 93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2．类型/工艺： C CMOS（EEPROM） E 扩展I C总线 W 写保护士 CS 写保护（微导线） P SPI总线 V低电压（EEPROM）3．容量： 01 1K 02 2K， 04 4K， 08 8K16 16K， 32 32K， 64 64K4．改型：空白 A、 B、 C、 D5．封装： B 8腿塑料双列直插 M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6．温度： 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61．前缀2．系列： 62 普通ST6系列 63 专用视频ST6系列 72 ST7系列 90 普通ST9系列 92 专用ST9系列 10 ST10位系列 20 ST20 32位系列3．版本：空白 ROM T OTP（PROM） R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4．序列号5．封装： B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插 F 熔封双列直插 M 塑料微型封装 S 陶瓷微型封装 CJ 塑料有引线芯片载体 K 无引线芯片载体 L 陶瓷有引线芯片载体 QX 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷四面扁平封装成针阵列 R 陶瓷什阵列 T 薄型四面引线扁平封装6．温度范围： 1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业) 61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃XICOR 产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪 X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81．前缀2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插 P 塑料双列直插 E 无引线芯片载体 R 陶瓷微型封装 F 扁平封装 S 微型封装 J 塑料有引线芯片载体 T 薄型微型封装 K 针振列 V 薄型缩小型微型封装 L薄型四面引线扁平封装 X 模块 M 公∑微型封装 Y 新型卡式4．温度范围：空白标准， B B级（MIL-STD-883）， E -20℃至85℃ I -40℃至85℃， M -55℃至125℃5．工艺等级：空白标准， B B级（MIL-STD-883）6．存取时间（仅限EEPROM和NOVRAM）： 20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns 55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至5.5V， -3 3V至5.5V -2.7 2.7V至5.5V， -1.8 1.8V至5.5V7．端到末端电阻： Z 1KΩ， Y 2KΩ， W 10KΩ， U 50KΩ， T 100KΩ 8． Vcc限制：空白 1.8V至3.6V， -5 4.5V至5.5VZILOG 产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71．前缀2．器件型号3．速度：空白 2.5MHz， A 4.0MHz， B 6.0MHz H 8.0MHz，　L 低功耗的，直接用数字标示 4．封装形式： A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列 H 缩小型微型封装 I PCB芯片载体 K 陶瓷双列直插，带窗口 L 陶瓷无引线芯片载体 P 塑料双列直插 Q 陶瓷四列 S 微型封装 V 塑料有引线芯片载体 5．温度范围：E -40℃至100℃， M -55℃至125℃， S 0℃至70 ℃6．环境试验过程：A 应力密封，B 军品级，C 塑料标准，D 应力塑料，E 密封标准。

芯片命名规则

芯片命名规则一、分立器件（除三扩系列）及集成电路芯片命名方式X X 表示必须表示可选(10)(9)(8)(7)(6)(5)(4)(3)(2)(1)(1) 1位大写英文字母，表示晶圆尺寸。

W 表示5吋晶圆；S 表示6吋晶圆；E 表示8吋晶圆。

(2) 1位数字或大写英文字母，表示芯片种类。

1表示二极管；2表示三极管、MOS 管；3表示可控硅；B 代表双极型集成电路；C 代表MOS 型集成电路；M 代表混合型集成电路等。

(3) 1位大写英文字母，表示产品版权。

X 代表新顺公司自主开发产品；其余代表客户定制产品。

(4) 1位大写英文字母，表示系列代码三极管系列：N 表示NPN 双极型晶体管、P 表示PNP 双极型晶体管、D 表示达林顿管；二极管系列：A 表示阻尼二极管、K 表示开关二级管/快恢复二极管、T 表示TVS 二极管、S 表示平面结构肖特基二极管、Z 表示整流二极管、V 表示沟槽结构肖特基二极管；W 表示稳压二极管；可控硅系列：R 表示可控硅；MOS 结构系列：M 表示VDMOS 管、B 表示超势垒MOS 结构二极管（SBR ）；集成电路系列：表示不同版图结构，A 、B 、C 、D 、……依次区分。

(5) 4位数字，表示管芯尺寸。

管芯为正方形时，采用边长表示管芯尺寸；管芯为长方形时，用面积的平方根表示管芯尺寸。

其中末位数字为0、5表示正方形，其余表示长方形。

① 边长或面积的平方根<10mm ，管芯尺寸为xxxx ×1μm ，精确到1μm 。

如：0.215mm 表示为0215、1.5mm 表示为1500；② 边长或面积的平方根>10mm ，管芯尺寸为xxxx ×10μm ，精确到10μm ，首位用大写英文字母代替。

如：10.55mm表示为A055、31.6mm表示为C160。

(6) 1位大写英文字母，表示系列特征。

NPN/PNP双极型晶体管：B表示小信号放大普通三极管、K表示开关三极管、G表示GR结构三极管、F表示高频三极管、W表示音响管（包括中功率管）；达林顿管：N表示N型外延材料、P表示P型外延材料、T表示N型三扩材料；阻尼二极管：N表示N型材料、P表示P型材料开关/快恢复二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；TVS二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；平面结构肖特基二极管：代表不同金属势垒；沟槽结构肖特基二极管（TMBS）：代表不同金属势垒；MOS结构系列：：N表示N沟道、P表示P沟道；稳压二极管：N、E、W等表示测试电流代码；整流二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；集成电路系列：N表示采用N型材料、P表示采用P型材料。

xilinx芯片命名规则

xilinx芯片命名规则Xilinx芯片命名规则是一种重要的标准，用于定义Xilinx芯片的名称和功能。

Xilinx公司是全球领先的可编程逻辑器件和软件解决方案供应商，其芯片的命名规则非常重要，因为它们涉及到了芯片的功能、性能和适用范围等方面。

以下是Xilinx芯片命名规则的详细信息：1.芯片名称：Xilinx芯片的名称由三部分组成，即系列、型号和封装。

系列指代芯片的应用领域，如“Virtex”系列适用于高性能计算，而“Artix”系列适用于低成本应用。

型号表示芯片的性能和功能，如“Virtex-7”表示第七代Virtex系列芯片，而“Artix-7”表示第七代Artix系列芯片。

封装表示芯片的封装方式，如“FGG484”表示芯片采用484球BGA封装。

2.芯片等级：Xilinx芯片的等级通常表示其性能和功能的级别。

例如，“UltraScale”表示超高性能级别，而“Spartan”表示中等性能级别。

3.寄存器数量：Xilinx芯片的名称通常还包括其内部寄存器的数量。

例如，“Virtex-6 LX240T”表示Virtex-6系列芯片，内部有240,000个逻辑单元和1,728个存储器块。

4.逻辑单元数量：Xilinx芯片的名称通常还包括其内部逻辑单元的数量。

例如，“Kintex-7 K325T”表示Kintex-7系列芯片，内部有325,000个逻辑单元。

5.速度等级：Xilinx芯片的名称通常也包括其工作速度等级。

例如，“Spartan-6 LX75”表示工作速度为75MHz的Spartan-6系列芯片。

以上是Xilinx芯片命名规则的详细信息。

芯片名称的规范化可以使人们更方便地辨认和选择芯片，同时也有助于推动芯片的开发和应用。

海思芯片命名规则

海思芯片命名规则海思芯片是华为公司旗下的一款专业芯片，其命名规则严格遵循一定的规范和规则，以便于用户理解和识别。

下面我们来详细了解一下海思芯片的命名规则。

1. 型号编号规则海思芯片的型号编号通常由字母和数字组成，其中字母代表芯片的系列或类型，数字代表该系列中的具体型号。

字母部分通常以"H"开头，表示海思（Hisilicon）芯片。

接下来的字母代表该系列的名称，例如"K"代表麒麟系列，"B"代表海思鲲鹏系列等。

2. 芯片功能标识海思芯片的命名中会包含一些功能标识，用以表示芯片的特性和用途。

这些标识通常由字母和数字组成，用以描述芯片的功能、性能、用途等。

例如，"9"表示芯片为第9代产品，"Pro"表示芯片为专业级别产品，"Lite"表示芯片为入门级别产品等。

3. 芯片系列标识海思芯片还会根据其所属的系列进行命名，以便于用户区分不同系列的芯片。

不同系列的芯片在性能、功耗、适用领域等方面存在差异。

例如，麒麟系列芯片代表高端旗舰级产品，海思鲲鹏系列芯片代表服务器级别产品，而麒麟芯片则代表中高端产品。

4. 芯片代号海思芯片的命名中通常会有一个代号，用以表示该芯片的代号和代表。

这个代号通常由字母和数字组成，有时还会包含一些特殊字符。

代号的选择通常与芯片的特性、性能和定位等有关。

例如，麒麟990芯片代表华为公司的旗舰产品，代表着高性能和领先技术。

5. 其他标识除了上述规则外，海思芯片的命名中还可能包含一些其他标识，以便于区分不同版本或型号的芯片。

这些标识通常是字母和数字的组合，用于区分芯片的不同配置、规格或版本等。

总结：海思芯片的命名规则严格遵循一定的规范，包括型号编号规则、芯片功能标识、芯片系列标识、芯片代号和其他标识等。

这些规则使得海思芯片的命名具有一定的规律和可读性，方便用户理解和识别不同型号和系列的芯片。

nxp芯片命名规则

nxp芯片命名规则
nxp芯片命名规则
NXP芯片是一种非常常见的电子元器件，它被广泛应用于手机、笔记本电脑、健身设备、汽车等各个领域，因为它具有高性能、稳定可靠、低能耗等优势。

为了方便普通用户理解和使用，NXP芯片的命名规则也比较简单，下面我们来了解一下。

首先，NXP的芯片命名规则是由四位字母+四位数字组成的。

其中，四位字母代表了这个芯片的系列号，四位数字代表了这个芯片的具体型号。

比如说，NFC芯片PN532，其中PN代表了系列号，532代表了具体型号。

其次，NXP的芯片系列号主要是按照功能和应用来进行划分的，比较常见的有以下几类：
1. LPC系列：这一类芯片主要是针对嵌入式应用而设计的，它们具有高性能、低功耗、丰富的外设资源等特点，常常用于工业控制、通信、智能家居等领域。

2. Kinetis系列：这一类芯片主要是面向智能汽车、智能家居、工业自动化等领域而设计的，它们具有高性能、高可靠性、低能耗等特点，适用于各种复杂应用场景。

3. i.MX系列：这一类芯片主要是针对移动应用而设计的，它们具有强大的多媒体处理能力、丰富的接口和功能、低能耗等特点，适用于智能手机、平板电脑、车载娱乐等场景。

最后，NXP芯片的具体型号则是根据芯片的具体性能和应用需求来进行命名的，比较常见的型号有PN532、MFRC522、S32K、BFU730F、PCA9685等等。

总的来说，NXP芯片的命名规则相对简单，以四位字母+四位数字的形式体现，系列号和型号分别代表了芯片的功能和应用范围。

如果你需要选择一款适合自己应用需求的NXP芯片，可以根据其系列号和型号来进行筛选和选择。

IC芯片命名规则大全

IC芯片命名规则MAXIM 专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀： MAXIM公司产品代号2．产品字母后缀：三字母后缀：C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数四字母后缀：B=指标等级或附带功能； C=温度范围；P=封装类型； I=管脚数3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃ 至70℃（商业级）I =-20℃ 至+85℃（工业级）E =-40℃ 至+85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55?至+125℃（军品级）5．封装形式:A SSOP(缩小外型封装) Q PLCCB CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil）J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚）K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封P 塑料 / W 晶圆6．管脚数量：A:8 J:32 K:5，68 S:4，80B:10，64 L:40 T:6，160C:12，192 M:7，48 U:60D:14 N:18 V:8（圆形）E:16 O:42 W:10（圆形）F:22，256 P:20 X:36G:24 Q:2，100 Y:8（圆形）H:44 R:3，84 Z:10（圆形）I:28AD 常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51．前缀：AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A 2．器件型号3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）：I、J、K、L、M 0℃至70℃A、B、C-25℃或-40℃至85℃S、T、U -55℃至125℃5．封装形式：D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装H 密封金属管帽 T TO-92型封装J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插N 料有引线芯片载体Y 单列直插Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61．器件分类： ADC A/D转换器 OP 运算放大器AMP 设备放大器PKD 峰值监测器BUF 缓冲器 PM PMI二次电源产品CMP 比较器 REF 电压比较器DAC D/A转换器 RPT PCM线重复器JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器 2．器件型号3．老化选择4．电性等级5．封装形式：H 6腿TO-78 S 微型封装J 8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插K 10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体P 环氧树脂B双列直插V 20腿陶瓷双列直插PC 塑料有引线芯片载体X 18腿陶瓷双列直插Q 16腿陶瓷双列直插 Y 14腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插 Z 8腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体6．军品工艺ALTERA 产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61．前缀： EP 典型器件EPC 组成的EPROM器件EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列EPX 快闪逻辑器件2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装S 塑料微型封装 T 薄型J形引线芯片载体J 陶瓷J形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列4．温度范围： C ℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．腿数6．速度ATMEL 产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：ATMEL公司产品代号2．器件型号3．速度4．封装形式：A TQFP封装 P 塑料双列直插B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路G 陶瓷双列直插，一次可编程U 针阵列J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封M 陶瓷模块 Z 陶瓷多芯片模块N 无引线芯片载体，一次可编程5．温度范围： C 0℃至70℃， I -40℃至85℃， M -55℃至125℃6．工艺：空白标准/883 Mil-Std-883, 完全符合B级B Mil-Std-883，不符合B级BB 产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B4 7 81．前缀：ADC A/D转换器MPY 乘法器ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2．器件型号3．一般说明：A 改进参数性能 L 锁定Z + 12V电源工作 HT 宽温度范围4．温度范围：H、J、K、L 0℃至70℃A、B、C -25℃至85 ℃R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式：L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插M 密封金属管帽 G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体 U 微型封装P 塑封双列直插6．筛选等级： Q 高可靠性 QM 高可靠性，军用7．输入编码：CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8．输出： V 电压输出 I 电流输出CYPRESS 产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀： CY Cypress公司产品， CYM 模块， VIC VME总线2．器件型号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM7C404 FIFO 7C9101 微处理器3．速度：A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装D 陶瓷双列直插 W带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装X 芯片G 针阵列 Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体 PF 塑料扁平单列直插P 塑料 PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插R 带窗口的针阵列 E自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装5．温度范围：C 民用（0℃至70℃）I 工业用（-40℃至85℃）M 军谩（-55℃至125℃）6．工艺： B 高可靠性HITACHI 常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41．前缀：HA 模拟电路 HB 存储器模块HD 数字电路 HL 光电器件（激光二极管/LED）HM 存储器（RAM） HR光电器件（光纤）HN 存储器（NVM）PF RF功率放大器HG 专用集成电路2．器件型号3．改进类型4．封装形式：P 塑料双列 PG 针阵列C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插SO 微型封装INTERSIL 产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61．前缀： D 混合驱动器 G 混合多路FETICL 线性电路 ICM 钟表电路IH 混合/模拟门 IM 存储器AD 模拟器件 DG 模拟开关DGM 单片模拟开关 ICH 混合电路MM 高压开关 NE/SE SIC产品2．器件型号3．电性能选择4．温度范围：A -55℃至125℃，B -20℃至85℃，C 0℃至70℃ I -40℃至125℃，M -55℃至125℃5．封装形式：A TO-237型 L 无引线陶瓷芯片载体B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插C TO-220型 S TO-52型D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型E TO-8微型封装 U TO-72、TO-18、TO-71型F 陶瓷扁平封装V TO-39型H TO- 66型 Z TO-92型I 16脚密封双列直插 /W 大圆片J 陶瓷双列直插/D 芯片K T O-3型 Q 2引线金属管帽6．管脚数：A 8，B 10，C 12，D 14，E 16，F 22，G 24，H 42， I 28， J 32， K 35， L 40， M 48， N 18，P 20， Q 2， R 3， S 4， T 6， U 7，V 8（引线间距0.2""，绝缘外壳）W 10（引线间距0.23""，绝缘外壳）Y 8（引线间距0.2""，4脚接外壳）Z 10（引线间距0.23""，5脚接外壳）NEC 常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41．前缀2．产品类型：A 混合元件 B 双极数字电路，C 双极模拟电路D 单极型数字电路3．器件型号：4．封装形式：A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体C 塑封双列 V 立式的双列直插封装D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插MICROCHIP 产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 561. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号（类型）：C CMOS电路 CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROMLV 低电压 F 快闪可编程存储器HC 高速CMOS FR FLEX ROM3．改进类型或选择4．速度标示：-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示：LP 小功率晶体，RC 电阻电容，XT 标季/振荡器HS 高速晶体频率标示：-20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ， -16 16MHZ-20 20MHZ，-25 25MHZ，-33 33MHZ5．温度范围：空白0℃至70℃，I -45℃至85℃， E -40℃至125℃6．封装形式：L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mmSP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST 产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51．产品系列：74AC/ACT 先进CMOSHCF4XXX M74HC 高速CMOS2．序列号3．速度4．封装： BIR，BEY 陶瓷双列直插M，MIR 塑料微型封装5．温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71．系列：ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROM S28 EEPROMTS29 EEPROM2．技术：空白…NMOS C…CM OS L…小功率3．序列号4．封装：C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5．速度6．温度：空白0℃~70℃ E -25℃~70℃V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7．质量等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81．系列：27…EPROM 87…EPROM锁存2．类型：空白…NMOS，C…CMOS，V…小功率 3．容量：64…64K位（X8）256…256K位（X8）512…512K位（X8）1001…1M位（X8）101…1M位（X8）低电压1024…1M位（X8）2001…2M位（X8）201…2M位（X8）低电压4001…4M位（X8）401…4M位（X8）低电压4002…4M位（X16）801…4M位（X8）161…16M位（X8/16）可选择160…16M位（X8/16）4．改进等级5．电压范围：空白 5V +10%Vcc， X 5V +10%Vcc6．速度：55 55n，60 60ns，70 70ns，80 80ns90 90ns，100/10 100 n120/12 120 ns，150/15 150 ns200/20 200 ns，250/25 250 ns7．封装：F 陶瓷双列直插（窗口）L 无引线芯片载体（窗口）B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准）M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体（低电压）8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 01．电源2．类型： F 5V +10%， V 3.3V +0.3V3．容量： 1 1M， 2 2M， 3 3M，8 8M，16 16M4．擦除：0 大容量 1 顶部启动逻辑块2 启动逻辑块 4 扇区5．结构：0 ×8/×16可选择， 1 仅×8， 2 仅×166．改型：空白 A7．Vcc：空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns，90 90ns100 100ns，120 120ns，150 150ns，200 200ns 9．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装，双列直插C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插10．温度：1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 71．器件系列： 29 快闪2．类型： F 5V单电源V 3.3单电源3．容量：100T （128K×8.64K×16）顶部块，100B （128K×8.64K×16）底部块200T （256K×8.64K×16）顶部块，200B （256K×8.64K×16）底部块400T （512K×8.64K×16）顶部块，400B （512K×8.64K×16）底部块040 （12K×8）扇区，080 （1M×8）扇区016 （2M×8）扇区4．Vcc：空白 5V+10%Vcc， X +5%Vcc5．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns90 90ns， 120 120ns6．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插 7．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61．器件系列：24 12C ，25 12C（低电压），93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2．类型/工艺：C CMOS（EEPROM） E 扩展I C总线W 写保护士 CS 写保护（微导线）P SPI总线V 低电压（EEPROM）3．容量：01 1K 02 2K，04 4K，08 8K16 16K，32 32K， 64 64K4．改型：空白 A、 B、 C、 D5．封装：B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6．温度：1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61．前缀2．系列： 62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3．版本：空白 ROM T OTP（PROM）R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4．序列号5．封装：B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装 6．温度范围：1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃XICOR 产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪 X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81．前缀2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装F 扁平封装S 微型封装J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装K 针振列 V 薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X 模块M 公∑微型封装 Y 新型卡式4．温度范围：空白标准， B B级（MIL-STD-883），E -20℃至85℃I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．工艺等级：空白标准， B B级（MIL-STD-883）6．存取时间（仅限EEPROM和NOVRAM）：20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至5.5V，-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至5.5V，-1.8 1.8V至5.5V 7．端到末端电阻：Z 1KΩ，Y 2KΩ，W 10KΩ，U 50KΩ，T 100KΩ 8． Vcc限制：空白 1.8V至3.6V，-5 4.5V至5.5VZILOG 产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71．前缀2．器件型号3．速度：空白 2.5MHz， A 4.0MHz， B 6.0MHzH 8.0MHz，L 低功耗的，直接用数字标示4．封装形式：A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插，带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体 5．温度范围：E -40℃至100℃， M -55℃至125℃，S 0℃至70 ℃6．环境试验过程：A 应力密封，B 军品级，C 塑料标准，D 应力塑料，E 密封标准。

逻辑芯片命名规则

逻辑芯片命名规则引言：在数字电子技术中，逻辑芯片是一种用于实现逻辑功能的集成电路。

为了方便识别和使用，逻辑芯片通常采用一定的命名规则。

本文将介绍逻辑芯片命名规则的一些常见要点和规范。

一、类型标识：逻辑芯片的命名通常以字母开头，表示其类型。

常见的类型标识有：1. TTL：表示采用晶体管-晶体管逻辑(TTL)技术实现的芯片。

2. CMOS：表示采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术实现的芯片。

3. FPGA：表示采用现场可编程门阵列(FPGA)技术实现的芯片。

4. ASIC：表示采用专用集成电路(ASIC)技术实现的芯片。

5. PLA：表示采用可编程逻辑阵列(PLA)技术实现的芯片。

二、功能描述：逻辑芯片的命名通常包含对其功能的描述。

常见的功能描述有：1. AND：表示与门功能。

2. OR：表示或门功能。

3. NOT：表示非门功能。

4. XOR：表示异或门功能。

5. NAND：表示与非门功能。

6. NOR：表示或非门功能。

7. XNOR：表示同或门功能。

8. MUX：表示多路选择器功能。

9. DFF：表示触发器功能。

三、位宽标识：逻辑芯片的命名通常包含对其输入输出位宽的标识。

常见的位宽标识有：1. 2：表示2位宽。

2. 4：表示4位宽。

3. 8：表示8位宽。

4. 16：表示16位宽。

5. 32：表示32位宽。

6. 64：表示64位宽。

四、系列编号：逻辑芯片的命名通常还包含一个系列编号，用于区分不同版本或不同型号的芯片。

常见的系列编号有：1. 74：表示74系列逻辑芯片，是最早的逻辑芯片之一。

2. 4000：表示4000系列逻辑芯片，是CMOS技术实现的逻辑芯片。

五、举例说明：下面举例说明一些常见的逻辑芯片命名：1. TTL 74LS00：表示采用TTL技术实现的2输入四与非门芯片。

2. CMOS 74HC04：表示采用CMOS技术实现的6反相器芯片。

3. FPGA XC6SLX9：表示采用FPGA技术实现的9,152逻辑单元芯片。

微芯命名规则

微芯命名规则微芯命名规则是指在微芯片设计和制造过程中，为芯片及其组件、功能单元、接口等命名所遵循的一套规则和原则。

它的主要目的是确保芯片设计的准确性、一致性和可读性，方便工程师进行开发、测试和维护工作。

本文将从命名规则的基本原则、常用命名规则和命名规则的应用等方面进行介绍。

一、命名规则的基本原则微芯命名规则的基本原则包括准确性、一致性、可读性和可管理性。

首先，命名应准确地表达出芯片或组件的功能、属性和特征，避免产生歧义。

其次，命名应一致性，即相同的功能或属性应使用相同的命名方式，方便工程师进行代码编写和调试工作。

第三，命名应具备良好的可读性，即命名应简洁明了，便于理解和记忆。

最后，命名应具备可管理性，即命名应符合一定的命名规则和规范，方便工程师进行维护和管理。

二、常用命名规则微芯命名规则常用的命名方式包括驼峰命名法、下划线命名法和首字母缩写命名法。

其中，驼峰命名法是指将每个单词的首字母大写，并去掉空格或下划线；下划线命名法是指使用下划线分隔单词；首字母缩写命名法是指使用单词的首字母来表示该单词。

在芯片设计中，常用的命名规则包括模块命名、信号命名和接口命名。

模块命名通常使用驼峰命名法，以清晰表达模块的功能和特征；信号命名通常使用下划线命名法，以便于区分不同的信号；接口命名通常使用首字母缩写命名法，以简洁明了地表达接口的功能和类型。

三、命名规则的应用在实际的芯片设计和制造中，命名规则的应用非常重要。

首先，命名规则能够提高工程师的开发效率和代码的可读性。

合理的命名规则可以让工程师更容易理解代码的功能和结构，减少代码的错误和调试时间。

其次，命名规则能够提高团队协作的效率。

团队成员在遵循相同的命名规则下工作，可以更好地理解彼此的代码，减少沟通和合并代码时的困扰。

最后，命名规则能够提高代码的可维护性和可扩展性。

命名规则的一致性可以使代码更易于维护和修改，方便后续的功能扩展和优化。

总结起来，微芯命名规则是芯片设计和制造过程中的重要组成部分，它能够提高工程师的开发效率和代码的可读性，提高团队协作的效率，同时也提高了代码的可维护性和可扩展性。

IC芯片命名规则大全

IC芯片命名规则MAXIM 专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀： MAXIM公司产品代号2．产品字母后缀：三字母后缀：C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数四字母后缀：B=指标等级或附带功能； C=温度范围；P=封装类型； I=管脚数3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃至70℃（商业级）I =-20℃至+85℃（工业级）E =-40℃至+85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55?至+125℃（军品级）5．封装形式:A SSOP(缩小外型封装) Q PLCCB CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装 U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil）J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚）K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插 / PR增强型塑封P 塑料 / W 晶圆6．管脚数量：A:8 J:32 K:5，68 S:4，80B:10，64 L:40 T:6，160C:12，192 M:7，48 U:60D:14 N:18 V:8（圆形）E:16 O:42 W:10（圆形）F:22，256 P:20 X:36G:24 Q:2，100 Y:8（圆形）H:44 R:3，84 Z:10（圆形）I:28AD 常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51．前缀：AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A 2．器件型号3．一般说明： A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）：I、J、K、L、M 0℃至70℃A、B、C-25℃或-40℃至85℃S、T、U -55℃至125℃5．封装形式：D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装H 密封金属管帽 T TO-92型封装J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插N 料有引线芯片载体Y 单列直插Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61．器件分类： ADC A/D转换器 OP 运算放大器AMP 设备放大器PKD 峰值监测器BUF 缓冲器 PM PMI二次电源产品CMP 比较器 REF 电压比较器DAC D/A转换器 RPT PCM线重复器JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器2．器件型号3．老化选择4．电性等级5．封装形式：H 6腿TO-78 S 微型封装J 8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插K 10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体P 环氧树脂B双列直插V 20腿陶瓷双列直插PC 塑料有引线芯片载体X 18腿陶瓷双列直插Q 16腿陶瓷双列直插 Y 14腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插 Z 8腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体6．军品工艺ALTERA 产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61．前缀： EP 典型器件EPC 组成的EPROM器件EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列EPX 快闪逻辑器件2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装S 塑料微型封装 T 薄型J形引线芯片载体J 陶瓷J形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列 4．温度范围： C ℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．腿数6．速度ATMEL 产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：ATMEL公司产品代号2．器件型号3．速度4．封装形式：A TQFP封装 P 塑料双列直插B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路G 陶瓷双列直插，一次可编程U 针阵列J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封M 陶瓷模块 Z 陶瓷多芯片模块N 无引线芯片载体，一次可编程5．温度范围： C 0℃至70℃， I -40℃至85℃， M -55℃至125℃6．工艺：空白标准/883 Mil-Std-883, 完全符合B级B Mil-Std-883，不符合B级BB 产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B4 7 81．前缀：ADC A/D转换器MPY 乘法器ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2．器件型号3．一般说明：A 改进参数性能 L 锁定Z + 12V电源工作 HT 宽温度范围4．温度范围：H、J、K、L 0℃至70℃A、B、C -25℃至85 ℃　R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式：L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插M 密封金属管帽 G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体 U 微型封装P 塑封双列直插6．筛选等级： Q 高可靠性 QM 高可靠性，军用7．输入编码：CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8．输出： V 电压输出 I 电流输出CYPRESS 产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀： CY Cypress公司产品， CYM 模块， VIC VME总线2．器件型号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM7C404 FIFO 7C9101 微处理器3．速度：A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装D 陶瓷双列直插 W 带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装X 芯片G 针阵列 Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体 PF 塑料扁平单列直插P 塑料 PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插R 带窗口的针阵列 E自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装5．温度范围：C 民用（0℃至70℃）I 工业用（-40℃至85℃）M 军谩（-55℃至125℃）6．工艺： B 高可靠性HITACHI 常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41．前缀：HA 模拟电路 HB 存储器模块HD 数字电路 HL 光电器件（激光二极管/LED）HM 存储器（RAM） HR光电器件（光纤）HN 存储器（NVM）PF RF功率放大器HG 专用集成电路2．器件型号3．改进类型4．封装形式：P 塑料双列 PG 针阵列C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插SO 微型封装INTERSIL 产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61．前缀： D 混合驱动器 G 混合多路FETICL 线性电路 ICM 钟表电路IH 混合/模拟门 IM 存储器AD 模拟器件 DG 模拟开关DGM 单片模拟开关 ICH 混合电路MM 高压开关 NE/SE SIC产品2．器件型号3．电性能选择4．温度范围：A -55℃至125℃，B -20℃至85℃，C 0℃至70℃ I -40℃至125℃，M -55℃至125℃5．封装形式：A TO-237型 L 无引线陶瓷芯片载体B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插C TO-220型 S TO-52型D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型E TO-8微型封装 U TO-72、TO-18、TO-71型F 陶瓷扁平封装V TO-39型H TO- 66型 Z TO-92型I 16脚密封双列直插 /W 大圆片J 陶瓷双列直插/D 芯片K T O-3型 Q 2引线金属管帽6．管脚数：A 8，B 10，C 12，D 14，E 16，F 22，G 24，H 42， I 28， J 32， K 35， L 40， M 48， N 18，P 20， Q 2， R 3， S 4， T 6， U 7，V 8（引线间距0.2""，绝缘外壳）W 10（引线间距0.23""，绝缘外壳）Y 8（引线间距0.2""，4脚接外壳）Z 10（引线间距0.23""，5脚接外壳）NEC 常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41．前缀2．产品类型： A 混合元件 B 双极数字电路，C 双极模拟电路D 单极型数字电路3．器件型号：4．封装形式：A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体C 塑封双列 V 立式的双列直插封装D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插MICROCHIP 产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 561. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号（类型）：C CMOS电路 CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROMLV 低电压 F 快闪可编程存储器HC 高速CMOS FR FLEX ROM3．改进类型或选择4．速度标示：-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示：LP 小功率晶体，RC 电阻电容，XT 标季/振荡器HS 高速晶体频率标示：-20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ， -16 16MHZ-20 20MHZ，-25 25MHZ，-33 33MHZ5．温度范围：空白0℃至70℃，I -45℃至85℃， E -40℃至125℃6．封装形式：L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mmSP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST 产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51．产品系列：74AC/ACT 先进CMOSHCF4XXX M74HC 高速CMOS2．序列号3．速度4．封装： BIR，BEY 陶瓷双列直插M，MIR 塑料微型封装5．温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71．系列：ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROM S28 EEPROMTS29 EEPROM2．技术：空白…NMOS C…CM OS L…小功率3．序列号4．封装：C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5．速度6．温度：空白0℃~70℃ E -25℃~70℃　V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7．质量等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81．系列：27…EPROM 87…EPROM锁存2．类型：空白…NMOS，C…CMOS，V…小功率 3．容量：64…64K位（X8）256…256K位（X8）512…512K位（X8）1001…1M位（X8）101…1M位（X8）低电压1024…1M位（X8）2001…2M位（X8）201…2M位（X8）低电压4001…4M位（X8）401…4M位（X8）低电压4002…4M位（X16）801…4M位（X8）161…16M位（X8/16）可选择160…16M位（X8/16）4．改进等级5．电压范围：空白 5V +10%Vcc， X 5V +10%Vcc6．速度：55 55n，60 60ns，70 70ns，80 80ns90 90ns，100/10 100 n120/12 120 ns，150/15 150 ns200/20 200 ns，250/25 250 ns7．封装：F 陶瓷双列直插（窗口）L 无引线芯片载体（窗口）B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准）M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体（低电压）8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 01．电源2．类型： F 5V +10%， V 3.3V +0.3V3．容量： 1 1M， 2 2M， 3 3M，8 8M，16 16M4．擦除：0 大容量 1 顶部启动逻辑块2 启动逻辑块 4 扇区5．结构：0 ×8/×16可选择， 1 仅×8， 2 仅×166．改型：空白 A7．Vcc：空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns，90 90ns100 100ns，120 120ns，150 150ns，200 200ns 9．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装，双列直插C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插10．温度：1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 1．器件系列： 29 快闪2．类型： F 5V单电源V 3.3单电源3．容量：100T （128K×8.64K×16）顶部块，100B （128K×8.64K×16）底部块200T （256K×8.64K×16）顶部块，200B （256K×8.64K×16）底部块 400T （512K×8.64K×16）顶部块，400B （512K×8.64K×16）底部块 040 （12K×8）扇区，080 （1M×8）扇区016 （2M×8）扇区4．Vcc：空白 5V+10%Vcc， X +5%Vcc5．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns90 90ns， 120 120ns6．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插 7．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61．器件系列：24 12C ，25 12C（低电压），93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2．类型/工艺：C CMOS（EEPROM） E 扩展I C总线W 写保护士 CS 写保护（微导线）P SPI总线V 低电压（EEPROM）3．容量：01 1K 02 2K，04 4K，08 8K16 16K，32 32K， 64 64K4．改型：空白 A、 B、 C、 D5．封装：B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6．温度：1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61．前缀2．系列： 62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3．版本：空白 ROM T OTP（PROM）R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4．序列号5．封装：B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装 6．温度范围：1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃XICOR 产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪 X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81．前缀2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装F 扁平封装S 微型封装J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装K 针振列 V 薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X 模块M 公∑微型封装 Y 新型卡式4．温度范围：空白标准， B B级（MIL-STD-883），E -20℃至85℃I -40℃至85℃，M -55℃至125℃　5．工艺等级：空白标准， B B级（MIL-STD-883）6．存取时间（仅限EEPROM和NOVRAM）：20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至5.5V，-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至5.5V，-1.8 1.8V至5.5V 7．端到末端电阻：Z 1KΩ， Y 2KΩ， W 10KΩ，U 50KΩ， T 100KΩ 8． Vcc限制：空白 1.8V至3.6V，-5 4.5V至5.5VZILOG 产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71．前缀2．器件型号3．速度：空白 2.5MHz， A 4.0MHz， B 6.0MHzH 8.0MHz，L 低功耗的，直接用数字标示4．封装形式：A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插，带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体 5．温度范围：E -40℃至100℃， M -55℃至125℃，S 0℃至70 ℃6．环境试验过程：A 应力密封，B 军品级，C 塑料标准，D 应力塑料，E 密封标准。

芯片+命名规则

芯片命名规则(2008-03-26 10:09:21)转载标签：杂谈一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。

五个部分的意义分别如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。

二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

芯片基础工艺库的命名规则

芯片基础工艺库的命名规则全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：芯片基础工艺库的命名规则在芯片设计和制造领域，芯片基础工艺库（Process Design Kit，PDK）是至关重要的工具，它包含了关于芯片制造过程中所需的所有基础工艺信息。

PDK中的名称规则是非常重要的一部分，它为芯片设计工程师提供了一种统一的命名规范，使得不同工程师在工作中能够更加高效地协作。

PDK中的命名规则通常包括以下几个部分：公司名、技术节点、工艺过程、设备类型、层次名称等。

下面将针对这些部分逐一进行详细说明：1. 公司名：公司名是PDK中的一个重要部分，通过公司名可以很容易地辨别出不同公司的工艺库。

在PDK中，公司名通常以英文形式出现，如TSMC、Samsung、GlobalFoundries等。

公司名通常是PDK的首部分，用以标识该PDK的所有者。

2. 技术节点：技术节点是指芯片制造中所采用的制造工艺标准，通常以纳米（nm）为单位。

常见的技术节点包括28nm、16nm、7nm 等。

技术节点是PDK中的一个重要部分，因为它决定了芯片的性能、功耗等方面的关键参数。

3. 工艺过程：工艺过程是指芯片制造过程中的一系列步骤，包括刻蚀、沉积、光刻等。

工艺过程通常在PDK中以缩写形式出现，如：MOL（Metal Oxide Layer）、P+ (P-type doping)等。

工艺过程的命名规则通常是根据具体的工艺步骤和特点来决定的。

4. 设备类型：设备类型是指在芯片制造过程中所使用的设备种类，包括光刻机、离子注入机、蚀刻机、沉积机等。

设备类型在PDK中通常以简短的英文缩写形式出现，如：LITHO（Lithography）, IONIMPL （Ion implantation）等。

5. 层次名称：每一种工艺过程通常会涉及多个层次，每个层次都有相应的名称。

层次名称在PDK中通常以简短的英文缩写形式和数字形式出现，如：M1、M2、M3等。

恩智浦芯片命名原则

恩智浦芯片命名原则恩智浦芯片是全球领先的半导体公司，产品广泛应用于汽车、通信、计算机、消费电子、工业控制和医疗等领域。

在恩智浦的产品系列中，每种芯片都有一个名称，这个名称通常以一些字母和数字的组合形式表示。

这些名称并不是随意取的，而是有一定的命名原则的，下面就来详细介绍一下恩智浦芯片的命名原则。

1. 系列名称：恩智浦芯片的系列名称是表明这个芯片属于哪个产品系列的，通常由一些字母和数字组成，比如LPC、i.MX、QorIQ等。

这些名称通常是根据产品的功能、定位或市场来取的，方便用户快速了解这个芯片所属的产品系列。

2. 芯片型号：芯片型号是芯片的唯一标识符，通常由一些字母和数字组成，比如LPC1768、i.MX6、P1020等。

芯片型号的命名原则主要有以下几点：（1）第一个字母表示芯片所属的产品系列，比如L表示LPC系列，P表示Power Architecture系列，K表示Kinetis系列，M表示i.MX系列等。

（2）后面的数字表示芯片的性能等级、功耗等级、封装方式等。

通常性能越高，数字就越大。

（3）最后一个字母表示芯片功能特性，比如F表示Flash、G表示Graphics、V表示USB等。

芯片封装决定了芯片的使用环境、安装方式和电路布局等。

恩智浦的芯片封装主要有以下几种：（1）LQFP（低贮存器表面贴装）封装：通常用于一些较大的芯片，如LPC系列等。

（2）BGA（球栅阵列）封装：通常用于一些高性能的芯片，如i.MX系列等。

芯片的功能是芯片名称的重要组成部分，可以反映出芯片的主要用途。

恩智浦的芯片根据不同功能特点，设定了不同的名称规则，比如：（1）LPC系列：LPC是Low Power Communication的缩写，表示低功耗通信芯片系列，如LPC1768、LPC2148等。

（2）i.MX系列：i.MX是Integrated Media eXperience的缩写，表示集成多媒体功能的系列，如i.MX6、i.MX7等。

芯片组命名规则

芯片组命名规则引言：芯片组是计算机硬件的重要组成部分，其命名规则旨在提供清晰、简洁的命名方式，以便用户能够准确地识别和选择适合自己需求的芯片组。

本文将介绍芯片组命名规则的原则和常见的命名方式。

一、命名原则：1. 品牌和系列：芯片组命名通常包含品牌和系列信息，以便用户能够迅速识别出芯片组的制造商和所属系列。

例如，Intel的芯片组命名常以"Intel"开头，后面跟随系列名称，如"Intel H310"。

2. 功能特性：芯片组的命名还会体现其主要功能特性，以便用户能够根据需求选择合适的芯片组。

例如，"Intel Z490"中的"Z"代表主板超频能力，而"H310"中的"H"则代表主板性能较低。

3. 代数编号：芯片组的命名中常包含代数编号，用于区分不同版本的芯片组。

例如，"Intel H310"和"Intel H410"中的"H310"和"H410"分别代表不同的代数编号。

二、常见的命名方式：1. 品牌+系列+代数编号：这是最常见的芯片组命名方式，通过将品牌、系列和代数编号组合在一起，提供了清晰的命名信息。

例如，"AMD B450"中的"AMD"代表品牌，"B"代表系列，"450"代表代数编号。

2. 品牌+功能特性+系列：这种命名方式将重点放在芯片组的功能特性上，以便用户能够快速了解芯片组的主要特点。

例如，"Intel Z490"中的"Intel"代表品牌，"Z"代表主板超频能力，"490"代表系列。

3. 品牌+系列+功能特性：这种命名方式与前一种方式相反，将系列放在了功能特性之前，以强调芯片组的系列信息。

芯片命名规则

芯片命名规则芯片命名规则是指在芯片设计和生产过程中，给芯片赋予一个唯一的名称。

芯片命名规则的制定是为了方便识别、管理和销售芯片，同时也为芯片设计者和制造商提供了一种规范和统一的命名方式。

下面是对芯片命名规则的详细介绍。

首先，芯片命名规则通常根据芯片的功能、属性和型号进行命名。

功能是指芯片在电子产品中起到的作用，如处理器、存储器、接口等；属性是指芯片的性能、特点和用途，如高速、低功耗、多核等；型号是指芯片的具体型号和规格，如A系列、B系列、2G、4G等。

命名规则会综合考虑这些因素，根据芯片的特性和用途来确定一个独一无二的名称。

其次，芯片命名规则一般采用字母、数字和符号的组合。

字母通常代表芯片的型号和系列，如A、B、C等；数字通常代表芯片的版本、规格和性能等级，如1、2、3等；符号用于表示芯片的其他属性和功能，如+、-、*等。

命名规则会根据芯片的特点和需求来选择适当的字母、数字和符号，以便更好地描述芯片的特性和用途。

此外，芯片命名规则还需要考虑国际标准和行业规范。

由于芯片是一种国际化的产品，为了方便国际合作和交流，芯片命名规则通常会参考国际标准和行业规范。

例如，国际电子工程师协会（IEEE）和国际半导体设备和材料协会（SEMI）等组织都有关于芯片命名规则的标准和指导文件，设计者和制造商可以参考这些标准和指导文件来进行命名。

最后，芯片命名规则还需要考虑市场需求和销售策略。

由于芯片市场竞争激烈，芯片的名称对于销售和营销起着重要的作用。

一些公司会根据市场需求和销售策略来确定芯片的名称，以便更好地吸引客户和推广产品。

例如，一些公司会使用易于记忆和识别的名称，或者使用有吸引力和独特的名称，以提升产品的市场竞争力和销售量。

综上所述，芯片命名规则是为了方便识别、管理和销售芯片而制定的一种规范和统一的命名方式。

芯片的命名规则通常根据芯片的功能、属性和型号进行命名，采用字母、数字和符号的组合，参考国际标准和行业规范，同时考虑市场需求和销售策略。