中南大学模拟电子技术试卷(第三套)
模拟电子技术考试试卷及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/F）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF）BW，其中BW=（fH-fL），（1+AF）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于1），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载波信号）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KUxUy），电路符号是（）。
中南大学模拟电子线路考试题3(附答案
中 南 大 学模拟电子技术试卷（第3套）一. 填空题 (每空1分,共20分) （注：同一题中可能只给出部分“空”的选项） 1. U GS = 0时，能够工作在恒流区的场效应管有： 。
A. JFET ；B.增强型MOSFET ；C.耗尽型MOSFET ；2. 测得放大电路中某BJT 各极直流电位V 1=12V ， V 2 =11.3V ， V 3 =0V ，则该BJT 的基极电位等于 ，由 材料制成，管型为 。
3. 现测得两个共射放大电路空载时的u A均为 –100，将它们连成两级放大电路后，其电压放大倍数应 10000，且与级间耦合方式 。
A.大于；B. 等于；C.小于； E. 有关； F. 无关；4. 差分放大电路的等效差模输入信号u d 等于两个输入信号u 1和u 2的 ， 等效共模输入信号u c 是两个输入u 1和u 2的 。
A.差； B.和； C.平均值；5. 互补输出级通常采用 接法，是为了提高 。
“互补”是指两个 类型三极管交替工作。
A. 负载能力；B.最大不失真输出电压；6. 通用型集成运放通常采用 耦合方式；适合于放大 频率信号；输入级一般为 放大器，其目的是为了 。
7. 恒流源在集成运放中有两个作用： 一是为各级提供 ， 二是作为有源负载用来提高 。
8. 信号处理电路中，为了避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器， 应该选用 滤波器；欲从输入信号中取出低于20kHz 的信号，应该选用 滤波器。
9. 由FET 构成的放大电路也有三种接法，与BJT 的三种接法相比，共源放大器相当于 放大器。
二. 放大电路及晶体管的输出特性如图所示。
设U BEQ =U CES = 0.7V 。
(10分) 1．用图解法确定静态工作点I CQ ，U CEQ ；2．确定放大电路最大不失真输出电压的有效值U om 。
三. 电路如图所示，已知：BJT 的β= 80， r be =1k Ω，R L ＝3 k Ω。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
中南大学2021年《模拟电子技术基础》期末试题
一、填空题1、半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（√2U2）。
2、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（下降）。
共基极电路比共射极电路高频特性（好）。
3、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（串联）负反馈。
为了稳定输出电流，采用（）负反馈。
4、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
5、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
6、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。
7、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________。
8、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。
9、晶体管工作在放大状态的外部条件是。
10、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V，发射极电位为0V,集电极电位为5V,则该管是型的晶体管,工作在状态.11、多级放大电路的耦合方式有、、等。
12、如果想要改善电路的性能，使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小，应该在电路中引入反馈。
13、有源滤波器的功能是，按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、、和全通滤波五种。
14、在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区，在比例运算电路中工作在区。
=0时，漏源之间存在导电沟道的称为型场效应管，漏源之间不15、当UGs存在导电沟道的称为型场效应管。
16、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为 dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为 dB。
17、差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V，Ui2=1.98V，则该电路的差模输入电压Uid 为 V，共模输入电压Uic为 V。
《模拟电子技术》模拟题及答案
《模拟电子技术》模拟题及答案（本题共5小题, 每小题4分, 共 20 分）一、填空题1.在本征硅中掺入三价杂质元素, 可获得 型半导体, 其多子是 载流子, 少子是 载流子, 不能移动的定域离子带 电。
2.稳压二极管正常工作......区；光电二极管正常工作...... 区；变容二极管正常工作......区；发光二极管正常工作......区, 其导通压降至少应... V 以上。
3.双极型晶体管是以基极小电流控制集电极大电流的器件, 所以称....控制型器件；单极型场效应管则是以栅源间小电压控制漏极大电流的器件, 因之称... 控制型器件。
4.放大电路静态分析的目的是找出合适......., 以消除非线性失真；动态分析的目的是寻求放大电路......., 根据动态分析结果来确定放大电路的适用场合。
5.文氏桥正弦波振荡器主要......网络和集成运放构成..... 构成的。
电路中的正反馈环节起.....作用；电路中的负反馈环节则起.....作用。
6.小功率并联型直流稳压电源的输出电压是.......调整的；串联型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态；开关型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态。
（本题共11小题, 每小题1分, 共11分）二、 判断正、误题 1.雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿, 不会损坏二极管。
2.双极型三极管各种组态的放大电路, 输入、输出均为反相关系。
3.本征半导体中掺入五价杂质元素后, 生成N 型半导体, 其多子是自由电子载流子。
..）4.OCL 甲乙类功放采用了单电源供电方式, 其输出大电容起负电源的作用。
..）5.功率放大器中, 甲乙类功放的性能最优良, 高保真较甲类强, 效率较乙类高。
..）6.NPN 型三极管工作在放大状态时, 其发射极电位最低, 集电极电位最高。
..）7.“虚短”和“虚断”两个重要概念, 无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。
中南大学《电子技术》课程作业(在线作业)三及参考答案
(一) 单选题1. 已知逻辑变量A、B、F的波形图如下图所示，F与A、B的逻辑关系是()。
(A)F=AB(B)(C)(D)参考答案：(C)2.能实现功能TTL门电路是()。
(A)(B)(C)参考答案： (A)3. 在下列逻辑电路中，不是组合逻辑电路的有()。
(A)译码器(B)编码器(C)全加器(D)寄存器参考答案： (D)4. 电路输出初态为0，CP 脉冲到来后输出恒为1的电路为()。
(A)(B)(C)(D)参考答案：(D)5.逻辑函数的最小项表达式为()。
(A)(B)(C)(D)参考答案：(D)6.能够实现功能的电路为()。
(A)(B)(C)(D)参考答案：(A)7. 以下说法中，哪种是正确的()。
(A)一个逻辑函数的全部最小项之和恒等于1(B) 一个逻辑函数的全部最大项之和恒等于1(C) 一个逻辑函数的全部最小项之积等于1参考答案：(A)8. 逻辑函数F（A、B、C、D）＝的最简与或式为()。
(A)(B)(C) (D)参考答案：(B)9.能实现的电路为()。
(A)(B)(C)(D)参考答案：(D)10.的反函数为()。
(A)(B)(C)(D)参考答案：(C)11.不论输入信号A、B为何值，输出的电路为()。
(A)(B)(C)(D)参考答案：(B)12. 数字信号和模拟信号的不同之处是()。
(A)数字信号在大小上不连续、时间上连续，而模拟信号则相反(B) 数字信号在时间上不连续、大小上连续，而模拟信号则相反(C) 数字信号在时间上和大小上均不连续，而模拟信号则相反参考答案：(C)13. 对于TTL或门闲置输入端的处理，可以()。
(A)接电源(B) 接地(C) 悬空参考答案：(B)14. 欲使JK触发器按工作，可使JK触发器的输入端()。
(A)J=K=0(B)(C)(D) J=K=1参考答案：(A)15. 不论输入信号A、B为何值，输出Y恒为1的电路为()。
(A)(B)(C)(D)参考答案：(C)16. 若在编码器中有50个编码对象，则要求输出二进制代码位数为（）位。
《电路与模拟电子技术》第3版全部习题答案
第一章 电路的基本概念和基本定律1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U1=-5V ，U2=2V ，U3=U4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？解：元件上电压和电流为xx 参考方向时，P=UI ；电压和电流为非xx 参考方向时，P=UI 。
P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。
本题中元件1、2、4xx 电流和电流为非xx 参考方向，元件3xx 电压和电流为xx 参考方向，因此P1=-U1×3= -（-5）×3=15W； P2=-U2×3=-2×3=-6W ； P3=U3×（-1）=-3×（-1）=3W ； P4=-U4×（-4）=-（-3）×（-4）=-12W 。
元件2、4是电源，元件1、3是负载。
1.2 在题1.2图所示的RLCxx 电路中，已知 求i 、uR 和uL 。
解：电容上电压、电流为非xx 参考方向,故()()33133t t t t c du di ce e e e A dt dt--=-=-⨯-=-电阻、电感上电压、电流为xx 参考方向()34t t R u Ri e e V --==- ()()3313t t t t L di du Le e e e V dt dt----==⨯-=-+1.3 在题1.3图中，已知I=2A ，求Uab 和Pab 。
解：Uab=IR+2-4=2×4+2-4=6V ， 电流I 与Uab 为xx 参考方向，因此Pab=UabI=6×2=12W1.4 在题1.4图中，已知 IS=2A ，US=4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。
解：I=IS=2A ， U=IR+US=2×1+4=6V PI=I2R=22×1=4W，US 与I 为xx 参考方向，电压源功率：PU=IUS=2×4=8W， U 与I 为非xx 参考方向，电流源功率：PI=-ISU=-2×6=-12W ， 验算：PU+PI+PR=8-12+4=0ba题1.3图1.5 求题1.5图中的R 和Uab 、Uac 。
模拟电子技术(中南大学)智慧树知到答案章节测试2023年
第一章测试1.BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。
A:错B:对答案:A2.稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。
A:错B:对答案:A3.要实现BJT的放大作用，对发射结与集电结的要求是（）。
A:发射结正偏，集电结反偏B:发射结反偏，集电结正偏C:发射结正偏，集电结正偏D:发射结反偏，集电结反偏答案:A4.工作在放大区的某晶体三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
A:90B:100C:83D:50答案:B5.在放大电路中，测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V，则这三个管脚分别是（）。
A:C、B、EB:E、C、BC:E、B、CD:C、E、B答案:C6.A:8.7B:4.3C:5.7D:73答案:C7.设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（）区。
A:击穿B:截止C:放大D:可变电阻答案:B8.A:cB:aC:bD:d答案:AB9.A:cB:dC:bD:a答案:AD10.A:bB:cC:dD:a答案:AC第二章测试1.阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立，所以可以各级独自计算各自的Q点。
A:错B:对答案:B2.耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。
（）A:对B:错答案:B3.A:12B:0.5C:6D:0.7答案:A4.设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（）状态。
A:截止B:饱和C:击穿D:放大答案:A5.A:5.7B:4.24C:6D:4.03答案:D6.A:= -1200B:>1200C:=1200D:<1200答案:D7.A:10B:100C:40答案:B8.现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是（）。
A:共集电路B:共源电路C:共基电路D:共漏电路E:共射电路答案:ABDE9.A:B:C:D:答案:BCD10.在多级放大电路下列三种三种耦合方式中，（）耦合不能放大直流信号。
中南大学信息院《数字电子技术基础》 历年期终考试试题
中南大学信息院《数字电子技术基础》期终考试试题（110分钟）(第一套)一、填空题：（每空1分，共15分）1．逻辑函数Y AB C=+的两种标准形式分别为（）、（）。
2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（）。
3．半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是（）、（）、（）。
4．8位D/A转换器当输入数字量10000000为5v。
若只有最低位为高电平，则输出电压为（）v；当输入为10001000，则输出电压为（）v。
5．就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言，（）的抗干扰能力强，（）的转换速度快。
6．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。
7．与PAL相比，GAL器件有可编程的输出结构，它是通过对（）进行编程设定其（）的工作模式来实现的，而且由于采用了（）的工艺结构，可以重复编程，使它的通用性很好，使用更为方便灵活。
二、根据要求作题：（共15分）1．将逻辑函数P=AB+AC写成“与或非”表达式，并用“集电极开路与非门”来实现。
2．图1、2中电路均由CMOS门电路构成，写出P、Q 的表达式，并画出对应A、B、C的P、Q波形。
三、分析图3所示电路：（10分）1）试写出8选1数据选择器的输出函数式；2）画出A2、A1、A0从000~111连续变化时，Y的波形图；3）说明电路的逻辑功能。
四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路（采用8421BCD码）。
要求只设定一个输出，并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。
（15分）五、已知电路及CP、A的波形如图4(a) (b)所示，设触发器的初态均为“0”，试画出输出端B和C的波形。
（8分）BC六、用T触发器和异或门构成的某种电路如图5(a)所示，在示波器上观察到波形如图5(b)所示。
试问该电路是如何连接的？请在原图上画出正确的连接图，并标明T的取值。
（6分）七、图6所示是16*4位ROM和同步十六进制加法计数器74LS161组成的脉冲分频电路。
模拟电子技术试卷五套(含答案)
模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。
2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。
4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。
A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。
B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。
D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。
A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。
模拟电子技术综合复习试题(有答案)
《模拟电子技术》复习题综合（第 1、2 章）选择题、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成 N 型半导体。
、在 A. A. 二 B. 三 C.D. 五N 型半导体中掺入浓度更大的 C价元素，变成为P 型半导体。
二 B. C.D. 五、在本征半导体中, 自由电子浓度B空穴浓度。
A. 大于 B.等于 C.小于、在 A. P 型半导体中, 自由电子浓度 C 空穴浓度。
大于 B. 等于 C. 小于、本征半导体温度升高以后， A.B. C. D. 自由电子增多，空穴数基本不变空穴数增多，自由电子数基本不变 自由电子数和空穴数都增多，且数目相同自由电子数和空穴数都不变 、空间电荷区是由C 构成的。
A.电子B. 空穴C. 离子D. 分子PN 结加正向电压时, A. 变窄 B.8、设二极管的端电压为 空间电荷区将基本不变 U ，则二极管的电流方程是 C. A 变宽 D. 无法确定 I s e U U T A. I s e u B. 9、 稳压管的稳压区是其工作在 A. 正向导通 B. 反向截止 | 10、 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A. 增大B. 不变C. C. I s (e UUT -1) D.C. 反向击穿 12、工作在放大区的某三极管，如果当 B 约为 C A. 83 B. 91 13 C.100D. 10 、当场效应管的漏极直流电流A.增大B. 不变 I D 从C. 14 、晶体管是 器件。
15 16 17 A.电流控制电流B. 电流控制电压 、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 A. I B B. I CC. U BED. U CE 都有可能I B 从12 ” A 增大到 22 ” A 时，I C 从 1mA 变为 2mA ，那么它的 2 mA 变为 减小 C. 4 mA 时，它的低频跨导 D. 都有可能 电压控制电压 D.电压控制电流 、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
中南大学数字电子技术基础期末考试试卷（四套附答案）
中南大学数字电子技术基础期末考试试卷（四套附答案）中南大学信息院《数字电子技术基础》期终考试试题（ 110 分钟） ( 第一套 )一、填空题：（每空 1 分，共 15 分）1．逻辑函数Y AB C 的两种标准形式分别为（）、（）。
2．将 2004 个“ 1”异或起来得到的结果是（）。
3 ．半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是（）、（）、（）。
4．8 位 D/A 转换器当输入数字量10000000 为 5v。
若只有最低位为高电平，则输出电压为（）v；当输入为10001000，则输出电压为（）v。
5．就逐次逼近型和双积分型两种A/D 转换器而言，（）的抗干扰能力强，（）的转换速度快。
6．由 555 定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。
7．与 PAL 相比，GAL 器件有可编程的输出结构，它是通过对（）进行编程设定其（）的工作模式来实现的，而且由于采用了（）的工艺结构，可以重复编程，使它的通用性很好，使用更为方便灵活。
二、根据要求作题：（共 15 分）1．将逻辑函数P=AB+AC 写成“与或非”表达式，并用“集电极开路与非门”来实现。
2．图1、2中电路均由CMOS 门电路构成，写出P、Q 的表达式，并画出对应 A 、B、C 的 P、Q 波形。
三、分析图 3 所示电路：（10 分）1）试写出 8 选 1 数据选择器的输出函数式；2）画出 A2、 A1、 A0 从 000~111连续变化时， Y 的波形图；3）说明电路的逻辑功能。
四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路（采用8421BCD 码）。
要求只设定一个输出，并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。
（15 分）五、已知电路及、4(a) (b)所示，设触发器的初态均为“ 0”，试CP A 的波形如图画出输出端 B 和 C 的波形。
（8分）BC六、用T 触发器和异或门构成的某种电路如图5(a)所示，在示波器上观察到波形如图5(b)所示。
模拟电子技术练习题库(附参考答案)
模拟电子技术练习题库（附参考答案）一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.PNP型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。
（）A、对 :B、错正确答案：A2.集成运放的非线性应用存在（）现象。
A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短。
正确答案：B3.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B4.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、提高输入电阻B、抑制零漂C、稳定放大倍数D、克服交越失真正确答案：B5.理想集成运放的开环放大倍数Au0为( )。
A、∞;B、0;C、不定。
正确答案：A6.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现( )。
A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。
正确答案：B7.射极输出器的特点是（）A、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻大、输入电阻小C、只有电压放大而没有电流放大，输出电阻小、输入电阻大D、既有电流放大也有电压放大，输出电阻小、输入电阻大正确答案：A8.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是( )。
A、虚短;B、虚地;C、虚断。
正确答案：A9.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近( )。
A、饱和区B、死区C、截止区正确答案：A10.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。
A、正弦半波；B、矩形方波；C、等腰三角波；D、仍为正弦波。
正确答案：A11.晶体三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（）A、对 :B、错正确答案：B12.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：A、I=βIbB、Ic=βIbC、Ie=βIb正确答案：B13.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、直接耦合B、变压器耦合C、光电耦合D、阻容耦合正确答案：A14.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是 ( )A、共集电放大电路B、射极输出器C、共射放大电路D、共基放大电路正确答案：C15.共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。
模拟电子技术习题及答案完整版本
习题88.1判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
（1）与分立元件比较，集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。
（）（2）集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。
（3）直接耦合的主要缺点是零点漂移。
（）（4）晶体管的参数受温度的影响，但不影响零点漂移。
（）（5）零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。
（）（6）在集成电路中元件的对称性差。
（）（1）集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。
（）答：（1）√（2）√（3）√（4）×（5）√（6）×（7）√8.2选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。
A．高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。
A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。
A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路答：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A8.3 电路如题图8.3所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的V B E均为0.7V，试求I C2的值。
题图8.3解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAC2E2C11C1C0C2C0C22C2222(2)111111()2210022B R R I I I I I I I I I I I I A ββββββββββββββμββ++==+===+++++=+=+++==++8.4 多路电流源电路题图8.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，V B E 均为0.7V ，β0=β1=β2=β3=100。
中南大学2018-2019学年模电考试试卷
---○---○------○---○---………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 …………中南大学考试试卷2018~2019学年 2学期 模电II 课程 时间100分钟48 学时， 3 学分，闭卷，总分100分，占总评成绩 70 %—、选择正确答案填入空内。
(10分)1. 二极管加正向电压时，其正向电流是由（A ）。
A. 多数载流子扩散形成B. 多数载流子漂移形成C. 少数载流子漂移形成D. 少数载流子扩散形成 2. 稳压二极管是利用PN 结的（ D ）。
A. 单向导电性B. 反偏截止特性C. 电容特性D. 反向击穿特性3. 只用万用表判别晶体管3个电极，最先判别出的应是 B 。
A. c 极B. b 极C. e 极4. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。
A ．可获得很大的放大倍数B . 可使温漂小C ．集成工艺难于制造大容量电容 5. 通用型集成运放适用于放大 B 。
A ．高频信号B . 低频信号C . 任何频率信号 6. 已知交流负反馈有四种组态：A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．电流串联负反馈D ．电流并联负反馈 选择合适的答案填入下列空格内，只填入A 、B 、C 或D 。
（1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 B ；（2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入 C ；（3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 A ；（4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入 D 。
二、基本题（共18分）1．设题图中的二极管均为理想二极管，试判断电路中的二极管是导通还是截止，并求出端电压U AO。
（本题6分）解：题图示的电路图中，图（a）所示电路，二极管D导通，U AO=－6V，图（b）所示电路，二极管D1导通，D2截止，U AO=0V 。
《模拟电子技术基础》模拟试卷3参考答案.doc
《模拟电子技术基础》模拟试卷3参考答案1、工作在线性区的理想运放器，两个输入端的输入电流均为零称为虚 断 。
两个输入端的电位相等称为虚 短 ，若反相输入情况下同相端接地，反相端又称为虚 地 。
即使理想运放器在非线性工作区，虚 断 结论也是成立的。
2、稳定静态工作点应加 直流负 反馈；稳定放大倍数应加 交流负 反馈；稳定输出电压应加 交流电压负 反馈；稳定输出电流应加交流电流负反馈。
3、正弦波振荡电路发生自激振荡的相位平衡条件是),2,1,0(2arg n n F A BA ；振幅平衡条件是1 F A ，起振条件是1 F A 。
防止负反馈放大电路发生自激振荡的幅值条件是1 FA 。
4、集成运放实质上是一个具有高放大倍数的多级直接耦合放大电路，内部通常包含四个基本组成部分，即输入级 、中间级 、输出级和偏置电路。
5、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同，正反馈使放大倍数增大；负反馈使放大倍数减少 ，但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是稳定静态工作点 ，不影响放大电路的动态性能，所以一般不再区分它们的组态。
6、直流电源的组成电源变压器 、整流电路、滤波器和稳压电路 。
其中利用二极管的单向导电性可以组成整流电路，共有三种基本整流电路，分别为单相半波整流电路、单相全波整流电路 和 单相桥式整流电路。
二、按要求选其中正确的一项填入括号（20分，每小题4分）1、若要提高某放大器的输入电阻且使输出电压稳定，可以加入下列负反馈：(B )A、电流串联B、电压串联C、电流并联D、电压并联2、若要降低某放大器的输入电阻和输出电阻，可加入下列负反馈：(D)A、电流串联B、电压串联C、电流并联D、电压并联3、差分放大器是一种直接耦合放大器，它(D)A、只能放大直流信号B、只能放大交流信号C、不能放大交流信号D、可以抑制共模信号4、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C)A、发射极电阻B、集电极电阻C、基极电阻D 、三极管的值5、分压式偏置电路稳定静态工作点的原理是利用了(C)A、交流电流负反馈B、交流电压负反馈C、直流电流负反馈D、直流电压负反馈三、电路分析（20分）得分评卷人1、判断图3.1.1，图3.1.2电路的反馈极性与组态（10分）图3.1.1 图3.1.2（瞬时极性标图1上）（瞬时极性标图2上）电流并联负反馈电压串联负反馈2、判断电路工作状况（10分）（1）图3.2.1电路如下图示，请回答问题：图3.2.1图1电路无（填有或无）放大作用。
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三. 电路如图所示，已知：BJT 的β= 80， r be =1k Ω，R L ＝3 k Ω。
(10分)
1. 试指出该放大电路的接法(或称为组态)；
2. 画出该电路的微变等效电路；
3. 分别写出u A
、 R i 和R o 的表达式并计算。
1．共集组态；
2．
3． 1)1()1(≈'++'+==L be L I o u R r R U U A ββ
Ω='++=K R r R R L be b i 76])1(//[β Ω≈++=371////βbe b S e o r R R R R
四. 已知某电路的频率特性为 (10分)
53210(1)(1)10u A f j jf -=++
1. 试画出对应Bode 图(包括幅频和相频特性)；
2. 在图中标出f L 和f H 的位置，说明产生f L 和f H 的主要因素是什么?
3. 该放大电路有几级? 耦合方式是什么?
1．
2．L f 通常由耦合电容或旁路电容产生，H f 由三极管结电容产生。
3．放大电路只有一级，为阻容耦合方式。
五. 由理想运放构成的电路如图所示。
(10分)
1. 试判断电路的反馈极性和反馈类型(或称为反馈组态)；
2. 说明这种反馈类型对放大电路的哪种性能指标产生何种影响?
3. 估算相应的闭环放大倍数f A 和闭环放大电压倍数uf A。
1．电流－并联负反馈；
2．减小输入电阻，增大输出电阻，稳定输出电流；
3．
f o
f R R R I I F +-==22 )1(12R R F A f f +-== 1211)1(R R R R R R A R I R I A L f L f I L o uf +-=⋅==
六. 如图所示电路，已知： U I1= 4V 和U I2 = 1V 。
(12分)
1. 1. 当开关S 打开时，写出U O3和U O1之间的关系式；
2. 写出U O4 与U O2和U O3之间的关系式；
3. 当开关S 闭合时，分别求U O1 U O2 U O3 U O4 值（对地的电位）；
4. 设t = 0时将S 打开，问经过多长时间U O4 =0 ?
1．
)(02.011113V t U dt U C R U o o o ⋅-=-
=⎰
2． 32042o o U U U -=
3．
V U U V U V U V
U o o o o o 4202724321-===-==
4．ms t 28=
七. 小功率直流稳压电源如图所示。
(10分)
1. 试画出下列情况下输出端u o 的波形，并标明幅度：
(1) (1) K1和 K2均断开；
(2) (2) K1合，K2断开；
(3) K2合，K1断开；
2. 写出上述（1）（2）情况下输出电压平均值U O(A V) 与变压器副边电压有效值U 2之间的关系式（忽略R 的分压作用）；
1．
2．
(1)全波整流29.0U U o =
(2)电容滤波22.1U U o =。