模拟电路课后习题答案
模拟电路课后答案
习 题3.1 在晶体管放大电路中,测得两个晶体管各个电极的电流如图P3.1所示,试分别标出各个晶体管的管脚e 、b 和c ;判断各晶体管是NPN 型还是PNP 型;并分别估算它们的β值。
( a)( b)图P3.1答:(a )从左至右依次为b , e , c ,NPN ,40(b )从左至右依次为b , c , e ,PNP ,60说明:(a)只有NPN 管的基极电流和集电极电流是流进管子的,故该晶体管应为NPN 型;因为晶体管的集电极电流大于大于基极电流,故由左脚和右脚流进的电流的大小可判定左脚应为基极b ,而右脚应为集电极c ,剩下的中间脚只能是发射极e 了;晶体管的401.04===mAmAi i B C β 。
(b )由左脚流出电流的大小与右脚流进电流的大小的比较可判定左脚为基极b ,由基极电流是流出可判定该晶体管为PNP 型;由该晶体管为PNP 型及右脚电流是流入可判定右脚为发射极e ,剩下的中间脚当然就是集电极c 了;晶体管的601.01.01.6=-=-==mAmA mA i i ii i B B E B C β 3.2用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图P3.2所示,试判断这些晶体管分别处于什么状态(放大、饱和、截止、损坏)。
( 1 )( 3 )( 2 )( 5 )+6V+6V---18V-8.5V+12V( 4 )图P3.2解:(1)NPN 型晶体管,发射结正向偏置电压0.7V ,集电结反向偏置,故该晶体管处于放大状态;(2)PNP 型晶体管,发射结正向偏置电压0.7V ,集电结反向偏置,故该晶体管处于放大状态;(3)NPN 型晶体管,发射结偏置电压-0.7V ,为反向偏置,集电结反向偏置,故该晶体管处于截止状态;(4)NPN 型晶体管,发射结正向偏置,正常情况下发射结正向电压应约为0.7V ,现正 向电压为3V ,可推断为发射结断路,故该晶体管已损坏;(5)PNP 型晶体管,发射结正向偏置电压0.7V ,集电结也正向偏置电压0.4V ,故该晶体管处于饱和状态。
模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
一、填空题
2.1 BJT用来放大时,应使发射结处于偏置,集电结处于偏置;而工作在饱和区时,发射结处于偏置,集电结处于偏置。
2.2 温度升高时,BJT的电流放大系数 ,反向饱和电流 ,发射结电压 。
2.3用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大,当输出端开路时, ;都接人负载 电阻时,测得 ,由此说明,电路A的输出电阻比电路B的输出电阻。
图题所示电路在正常放大时ib5v200501maieic50mamaubuema指针微动uev指针微动ucv结论电源未接入不能正常工作处于正常放大工作状态三极管内部集电结断路不能正常工作re短路电路能正常放大rb断路电路不能正常工作三极管内部发射结断路或re断路不能正常工作三极管内部集电结短路或外极之间短路不能正常工作三极管内部发射结短路或外极之间短路不能正常工作225用直流电压表测得几个bjt的ube和uce如表题225所示试问它们各处于何种工作状态它们是npn管还是pnp管解答
(1)静态工作点;
(2)电压放大倍数、输入电阻和输出电阻;
(3)电容Ce脱焊时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻;
(4)若换上一只 =100的管子,放大电路能否工作在正常状态
解答:
(1)
(2)
(3)
(4)换上一只 的管子,其IC和UCE不变,放大电路能正常工作。
2.31已知图题2.31所示电路中BJT为硅管, =50,试求:
解答:
(1)
(2)
(3)
(4)
2.29 已知固定偏流放大电路中BJT为硅管,输出特性及交、直流负载线如图题2.29所示,试求:
(1)电源电压Vcc;
(2)静态工作点;
(3)电阻Rb、RC的值;
(4)要使该电路能不失真地放大,基极电流交流分量的最大幅值Ibm为多少
模拟电路课后习题答案
第六章习题与思考题◆◆习题6-1在图P6-1所示的的各放大电路中,试说明存在哪些反馈支路,并判断哪些是负反馈,哪些是正反馈;哪些是直流反馈,哪些是交流反馈。
如为交流反馈,试分析反馈的组态。
假设各电路中电容的容抗可以忽略。
◆◆习题6-3 在图P6-1所示的各电路中,试说明哪些反馈能够稳定输出电压,哪些能够稳定输出电流,哪些能够提高输入电阻,哪些能够降低输出电阻。
解:(a) ① R e1引入第一级的交直流负反馈,其中交流电流串联负反馈可稳定本级的工作电流,提高输入电阻,直流负反馈可稳定本级的静态工作点;② R e2和Ce也引入第一级的直流负反馈,可稳定本级的静态工作点;③ R e3引入第二级的交直流负反馈,交流电压串联负反馈可稳定输出电压,提高本级的输入电阻,降低输出电阻,而直流负反馈可稳定本级的静态工作点;④ R F和C F引入级间(整体)交流电压串联正反馈,故总体来说不能稳定输出电压或输出电流。
(b) ① R e1引入第一级的交直流负反馈,其中交流电流串联负反馈可稳定本级的工作电流,提高输入电阻,直流负反馈可稳定本级的静态工作点;② R e2和Ce引入第二级的直流负反馈,可稳定本级的静态工作点;③ R e3引入第三级的交直流负反馈,交流电流串联负反馈可稳定输出电流,提高本级的输入电阻,提高输出电阻,而直流负反馈可稳定本级的静态工作点;④ R F引入级间(整体)交直流负反馈,其中交流电流串联负反馈可稳定输出电流,提高输出电阻,提高输入电阻,而直流负反馈可稳定各级静态工作点。
(c) ① R e1引入第二级的交直流负反馈,其中交流电流串联负反馈可稳定本级的工作电流,提高本级输入电阻,提高输出电阻,而直流负反馈可稳定本级的静态工作点;② R e2和Ce引入第二级的直流负反馈,可稳定本级的静态工作点;③ R F引入级间(整体)交直流负反馈,其中交流电流并联负反馈可稳定输出电流,提高输出电阻,降低输入电阻,而直流负反馈可稳定各级静态工作点。
模拟电路第二章课后习题答案word精品
第二章习题与思考题♦题2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用,简单说明理由。
EP2-1解:(a) 无放大作用,不符合“发射结正偏,集电结反偏”的外部直流偏置要求;(b) 不能正常放大,三极管发射结没有偏置(正偏) ;(c) 无放大作用,三极管集电结没有偏置(反偏) ;(d) 无放大作用,三极管发射结没有偏置(正偏) ;(e) 有放大作用(电压放大倍数小于1);(f) 无放大作用,电容C2使输出端对地交流短路,输出交流电压信号为0;(g) 无放大作用,电容C b使三极管基极对地交流短路,输入交流信号无法加至三极管基极;(h) 不能正常放大,场效应管栅源之间无直流偏置;(i) 无放大作用,VGG的极性使场效应管不能形成导电沟道。
本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理U1♦题2-2试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。
设电路中的电容均足够大, 变压器为理想变压器解:-O +v ccRA営&本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念,练习画出各种电路的直流通路和交流通路。
(c)+交紇诵聲十W白浙!SAOO1卩a浦诵踣I交说通路(1 •:)1BQ1CQ♦题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变, 分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的 I BQ 、I CQ 、U CEQ 将增大、减小还是不变。
① 增大Rb;②增大VCC ③增大3。
解:①Rb =■ 1 BQ■ 1 CQ ■ ~ U CEQ② V cc = 1BQ = 1 CQ = UCEQ ( =V CC- R c 1 CQ )不疋I BQ 基本不变本题的意图是理解单管共射放大电路中各种参数变化时对 Q 点的影响♦题2-4在图2.5.2所示NPN 三极管组成的分压式工作点稳定电路中,假设电路其他参数不变,分别改1BQCQ BQ■I B QUCEQ — V CC - 1 CQ R C1CQ=V cc变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的 I BQ 、 I CQ 、U CEQ 、「be 和| A u|将增大、减小还是不变。
模拟电路第二章课后习题答案
解:①电路产生饱与失真;
②应降低Q点,为此可增大Rb2或减小Rb1。
本题得意图就是用图解法分析波形失真。
◆题2-9试作出图P2-9中所示放大电路得负载线。已知:Rb=560kΩ,Rc=5、1kΩ,R1=R=10kΩ,RL=1MΩ,两个直流电源均为12V,三极管得输出特性曲线如图P2-6(b)所示。
本题得意图就是掌握放大电路得组成原则与放大原理。
◆题2-2试画出P2-2中各电路得直流通路与交流通路。设电路中得电容均足够大,变压器为理想变压器。
解:
本题得意图就是掌握直流通路与交流通路得概念,练习画出各种电路得直流通路与交流通路。
◆题2-3在NPN三极管组成得单管共射放大电路中,假设电路其她参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路得IBQ、ICQ、UCEQ将增大、减小还就是不变。① 增大Rb;②增大VCC;③增大β。
解:
①
②
③
④
本题得意图就是理解分压式稳定Q放大电路中各种参数变化时对Q点与电压放大倍数得影响。
◆题2-5设图P2-5中得三极管β=100,UBEQ=0、6V,VCC=12V,Rc=3kΩ,Rb=120kΩ。求静态工作点处得IBQ、ICQ与UCEQ值。
解:
本题得意图就是学习运用静态分析得基本方法求解一个简单得但课堂上并未讲过得放大电路得静态工作点。
◆题2-6已知图P2-2(a)中:Rb=510kΩ,Rc=10kΩ,RL=1、5kΩ,VCC=10V。三极管得输出特性如图(b)所示。①试用图解法求出电路得静态工作点,并分析这个工作点选得就是否合适;②在VCC与三极管不变得情况下,为了把三极管得静态集电极电压UCEQ提高到5V左右,可以改变哪些参数?如何改法?③在VCC与三极管不变得情况下,为了使ICQ=2mA,UCEQ=2V,应改变哪些参数?改成什么数值?
模拟电路课后习题与解答
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。
二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。
( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。
( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。
( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594TV T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1e TV V >>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。
模拟电路课后练习题含答案
模拟电路课后练习题含答案
题目一
已知信号源 $U_1 = 10 \\sin(\\omega t)$,其电阻为 $R_1 = 100 \\Omega$,电感为L1=100mH,求相电角。
解答
根据电路理论,通过电阻和电感的电流 $i_1 = I_m \\sin(\\omega t +
\\phi)$ 与电压 $u_1 = U_m \\sin(\\omega t)$ 满足以下公式:
$$ \\begin{aligned} i_1 &= \\frac{U_m}{Z} \\sin(\\omega t) \\\\ &=
\\frac{U_m}{\\sqrt{R_1^2 + (\\omega L_1)^2}} \\sin(\\omega t + \\phi)
\\end{aligned} $$
其中,Z为电路的阻抗,$\\phi$ 为相电角,I m为电流幅值,U m为电压幅值。
由此可解得相电角 $\\phi = \\arctan(\\omega L_1/R_1) = \\arctan(0.314) \\approx 17.8^\\circ$。
题目二
已知有一个偏置电压为V CC=12V的电路,其有源器件为晶体管,其I C=
5mA,V CE(sat)=0.2V,则求晶体管功耗P T。
解答
根据电路理论,晶体管的功耗P T为其集电极电压V CE与集电极电流I C的乘积,并乘以当前电路中的个数:
1。
模拟电路课后习题答案(康华光版)
第二章2.4.1电路如图题2.4.1所示。
(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解(1)求二极管的电流和电压mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==(2)求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示,温度 T =300 K 。
Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时,则mV V r R r V v d d DDO 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+,即1.406V ~1.394V 。
2.4.3二极管电路如图2.4.3所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端电压V AO 。
设二极管是理想的。
解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。
图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,V AO =-12V 。
图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。
图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止,为什么? 解 图a :将D 断开,以“地”为电位参考点,这时有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
模拟电路习题配套答案
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS点。
( √)U大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。
试问:(1)R b =50k Ω时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEBbV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电路第三版课后习题答案详解
习题 1-1 欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
习题 1-2 假设一个二极管在 50℃时的反向电流为 10μ A,试问它在 20℃和 80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高 10℃,反向电流大致增加一倍。
解:在 20℃时的反向电流约为: 2310A 1.25 A在 80℃时的反向电流约为:2310A80 AN7习题 1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:①如在二极管两端通过1k?的电阻加上 1.5V的电压,如图(b) ,此时二极管的电流I 和电压 U各为多少?②如将图 (b)中的 1.5V电压改为 3V,则二极管的电流和电压各为多少?3I/mA解:根据图解法求解+ U -①电源电压为 1.5V 时2I1.5UI1I0.8A,U0.7V0.5 1 1.5 2 U/V 1.5V 1k?② 电源电压为3V 时(a)(b) 3U II 2.2A,U0.8V可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,则二极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。
习题 1-4 已知在下图中,u I = 10sinω t (V) , R L=1k?,试对应地画出二极管的电流i D、电压 u D以及输出电压 u O的波形,并在波形图上标出幅值。
设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
u I/V+ u D-10++ti D/mAu I i D u--R L D10(a)tu I /Vt- 10u o/V10t习题 1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z、动态电阻 r Z以及温度系数αU,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻 r Z愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流 I Z愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。
模拟电路第三版课后习题答案详解
N7习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。
解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。
解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电路第五章课后习题答案
第五章 习题与思考题◆◆ 习题 5-1 图P5-1是集成运放BG303偏置电路的示意图,已知V CC =V EE =15V ,偏置电阻R=1M Ω(需外接)。
设各三极管的β均足够大,试估算基准电流I REF 以及输入级放大管的电流I C1、I C2。
解:V T4、VT3、R 组成镜像电流源,流过R 的基准电流IREF 为: A AR U V V I BE EE CC REF μμ3.2917.01515=-+=-+=A I I I I REF C REFC μββ3.2921133=≈−−−→−+=足够大VT1、VT2为差分对管,则有: A A I I I C C C μμ7.1423.2921321≈≈== 本题的意图是理解镜像电流源的工作原理和估算方法。
◆◆ 习题 5-2 图P5-2是集成比较器BG307偏置电路的示意图。
已知V EE =6V ,R 5=85Ω,R 6=68Ω,R 7=1.7k Ω。
设三极管的β足够大,试问V T1、V T2的静态电流I C1、I C2为多大? 解:VT5、VT6为核心组成比例电流源,其基准电流IR7为:mA A R R V U I EE BE R 6.217006867.020)(20767≈++⨯-=+---=mA mA I R R I R R I R C C 08.2)6.28568(7566565=⨯=≈=VT1、VT2为差分对管,则有: mA mA I I I C C C 04.108.22121521=⨯=== 本题的意图是理解比例电流源的工作原理和估算方法。
◆◆ 习题 5-3 图P5-3是集成运放BG305偏置电路的示意图。
假设V CC =V EE =15V ,外接电阻R =100k Ω,其他的阻值为R 1=R 2=R 3=1k Ω,R 4=2k Ω。
设三极管β足够大,试估算基准电流I REF 以及各路偏置电流I C13、I C15和I C16。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_3
习 题题 3.1 在题图 3.1 所示的电路中,1T 、2T 、3T 的特性都相同,且321βββ==很大,===3BE 2BE 1BE U U U 0.7V ,计算21U U −。
题图3.1 解:43.1107.01511BE CC REF 1C 2C =−=−==≈R U V I I I mA , 85.743.157.02C 23BE 21=⨯+=⋅+=−∴I R U U U V 。
题3.2 由对称三极管组成题图3.2所示的微恒流源电路。
设三极管的β相等,=BE U 0.6V ,=CC V +15V 。
要求:①设反向饱和电流2S 1S I I =,根据三极管电流方程导出工作电流C1I 与2C I 之间的关系式。
②若要求mA 5.01C =I ,μA 202C =I ,则电阻R 、E R 。
题图3.2解:①2C 1C E T 1E 2E 2C ln I I R U I I I ⋅≈=≈, RU V I I BE CC 1C REF −=≈。
②mA 5.01C =I ,μA 202C =I 时,Ωk 8.285.06.015C1BE CC =−=−=I U V R , Ωk 18..4ln 2C C12C T E =⋅=I I I U R 。
题3.3 题图3.3所示电路是某集成运放的一个多路输出恒流源电路。
图中所有三极管均为硅管,−=BE U 0.7V ,>>β1。
计算1o I 、2o I 和3o I 。
题图3.3解:mA 265.0203.57.0)6(00E REF ==+−−−=R R I , μΑ3.5265.0255.01E 0E REF 1o =⨯=⋅=R R I I , m Α1325.0265.015.02E 0E REF 3o 2o =⨯=⋅==R R I I I 。
题 3.4 在题图 3.4 所示的一种改进型镜像恒流源中,设==21U U 10V ,Ωk6.81=R ,Ωk7.42=R ,三个晶体管的特性均相同,且=β50,=BE U 0.7V 。
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题:在问题的后面括号中打√或×。
(1)当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
(√)(2)当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
(×)(3)线性电路一定是模拟电路。
(√)(4)模拟电路一定是线性电路。
(×)(5)放大器一定是线性电路。
(√)(6)线性电路一定是放大器。
(×)(7)放大器是有源的线性网络。
(√)(8)放大器的增益有可能有不同的量纲。
(√)(9)放大器的零点是指放大器输出为0。
(×)(10)放大器的增益一定是大于1的。
(×)2 填空题:(1)放大器输入为10mV电压信号,输出为100mA电流信号,增益是10S。
(2)放大器输入为10mA电流信号,输出为10V电压信号,增益是1KΩ。
(3)放大器输入为10V电压信号,输出为100mV电压信号,增益是0.01 。
(4)在输入信号为电压源的情况下,放大器的输入阻抗越大越好。
(5)在负载要求为恒压输出的情况下,放大器的输出阻抗越大越好。
(6)在输入信号为电流源的情况下,放大器的输入阻抗越小越好。
(7)在负载要求为恒流输出的情况下,放大器的输出阻抗越小越好。
(8)某放大器的零点是1V,零漂是+20PPM,当温度升高10℃时,零点是 1.0002V 。
(9)某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V,其最大不失真正电压输出+U OM是14V,最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
(10)某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内,增益是100V/V,在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V,该放大器的下限截止频率f L是0HZ,上限截止频率f H是250KHZ,通频带f BW是250KHZ。
3. 现有:电压信号源1个,电压型放大器1个,1K电阻1个,万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗,请写出实验步骤。
模拟电子技术(第2版)课后习题答案第一章
第一章 半导体器件1.1 电路如图P1.1所示,设二极管为理想的,试判断下列情况下,电路中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端的电压AO U 。
(1)V V DD 61=,V V DD 122=;(2)V V DD 61=、V V DD 122-=;(3)V V DD 61-=、V V DD 122-=。
解:1、当V V DD 61=、V V DD 122=时,假设二极管是截止的,则V V B 6=、V V A 12=二极管承受反偏电压,所以二极管截止假设成立。
V V U DD AO 122==。
2、当V V DD 61=、V V DD 122-=时,假设二极管是截止的则V V B 6=、V V A 12-=二极管承受正偏电压,所以二极管截止假设不成立,二极管导通。
V V U DD AO 61==。
3、当V V DD 61-=、V V DD 122-=时,假设二极管是截止的,则V V B 6-=、V V A 12-= 二极管承受正偏电压,所以二极管截止假设不成立,二极管导通。
V V U U DD BO AO 61-===。
1.2 二极管电路如图P1.2所示,二极管的导通电压VU D 7.0)on (=,试分别求出Ω=k R 1、Ω=k R 4时,电路中的电流O I I I 、、21和输出电压O U 。
解:1、当Ω=k R 1时,假设二极管是截止的,则mA I I O 5.41192=+=-= V R I U V L O O B 5.415.4-=⨯-===V V A 3-= (V V V B A 5.1=-)由上分析可知,二极管承受正偏电压导通(假设不成立)故可得其等效电路如图P1.2b所示:根据KCL 、 KVL :⎪⎩⎪⎨⎧+-=-+=+=RI R I R I I I I LO O 222197.039 解之:mA I mAI mA I 3.56.17.3210==-=V R I U L O O 7.317.3-=⨯-==2、当Ω=k R 4时,假设二极管是截止的,则mA I I O 8.11492=+=-=VR I U V L O O B 8.118.1-=⨯-===V V A 3-= V U U B A 2.1-=-由上分析可知,二极管承受反偏电压截止(假设成立)01=I mA I I 8.102=-=V R I U L O O 8.118.1-=⨯-==3.3 设二极管为理想的,试判断P1.3所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出AO两端的电压AO U解:(a )假设21V V 、均截止,则V V A 10=、V V B 6-=、V V O 0=, 21V V 、均承受正偏电压,但2V 管的正向偏值电压更大,故它首先导通。
模拟电路课后习题答案
模拟电路课后习题答案◆◆习题3-2 若某一放大电路的电压放大倍数为100倍,则其对数电压增益是多少分贝?另一放大电路的对数电压增益为80dB ,则其电压放大倍数是多少?解:解:如如100||=uA ,则40||lg 20=u A ;如80||lg 20=u A ,则10000||=u A 。
本题的意图是了解电压放大倍数与对数电压增益之间的关系。
◆◆习题4-2 在图P4-1所示的电路中:①三极管的最大功耗等于多少?②流过三极管的最大集电极电流等于多少?③三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少?④为了在负载上得到最大输出功率P om ,输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少?解:解:①①WW P Pom CM45.025.22.02.0=⨯=>②AA R V I LCC CM 75.086==>③VV V UCC CEOBR 12622)(=⨯=>④因为互补对称电路中无论哪个三极管导电,电路均工作在射极跟随器状态,1≈uA ,而略小于1,故V V V U U CCcemi 24.42622≈=≈≈。
本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法。
◆◆习题4-3 在图P4-3所示互补对称电路中,已知V CC 为6V ,R L 为8Ω,假设三极管的饱和管压降U CES =1V ,①估算电路的最大输出功率P om ;②估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η。
将本题的估算结果与习题4-1进行比较。
解:解:①①WW R U VP Lcem CCom 25.082)13(2)2(22=⨯-=-=如忽略U CES ,则WW R V P LCC om 5625.0886822=⨯=≈② W W R VP L CCV 716.0826222≈⨯=≈ππ %92.34716.025.0≈==Vom P P η如忽略U CES ,则%56.78716.05625.0≈==Vom P P η可见,在同样的VCC 和RL 之下,OCL 电路的Pom 比OTL 电路大得多(大约为4倍)。
(完整版)模拟电路部分习题答案
1.放大电路的静态工作点ICQ和UCEQ计算如下。
根据题3-9图所示电路列写直流负载线方程如下:
分别令IC=0,UCE=0,代入直流负载线方程,得到负载线上两个坐标点,M(3,0),N(0,1),连接M、N得到直流负载线。
根据直流通路,得基极静态工作电流为
直流负载线MN与iB=IB=15.3μA的输出特性曲线的交点Q就是静态工作点。Q点坐标为
(5)错;晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过,只有在截止状态时没有电流流过。
(6)对;N型半导体中掺入足够量的三价元素,不但可复合原先掺入的五价元素,而且可使空穴成为多数载流子,从而形成P型半导体。
(7)对;PN结在无光照、无外加电压时,处于动态平衡状态,扩散电流和漂移电流相等。
(8)错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零,有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3.怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏?
2.RL=∞时,输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值的计算。
若RL=∞,交流负载线斜率与直流负载线斜率相同,为
如题3-9图b所示。
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3.若RL=7kΩ,交流负载线斜率为
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3-6如题3-12图所示放大电路中,已知晶体管的β=100,UBE=-0.3V。
3.输入电阻和输出电阻。
解:
1.静态工作点计算
2.电压增益AU。
本题目电路中,有旁路电容C,此时放大电路的电压增益为,
3.输入电阻和输出电阻的计算。
解:
a不能。没有直流偏置,不能提供合适的静态工作点。
模拟电子技术(第2版)课后习题答案第一章
第一章 半导体器件1.1 电路如图P1.1所示,设二极管为理想的,试判断下列情况下,电路中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端的电压AO U 。
(1)V V DD 61=,V V DD 122=;(2)V V DD 61=、V V DD 122-=;(3)V V DD 61-=、V V DD 122-=。
解:1、当V V DD 61=、V V DD 122=时,假设二极管是截止的,则V V B 6=、V V A 12=二极管承受反偏电压,所以二极管截止假设成立。
V V U DD AO 122==。
2、当V V DD 61=、V V DD 122-=时,假设二极管是截止的则V V B 6=、V V A 12-=二极管承受正偏电压,所以二极管截止假设不成立,二极管导通。
V V U DD AO 61==。
3、当V V DD 61-=、V V DD 122-=时,假设二极管是截止的,则V V B 6-=、V V A 12-= 二极管承受正偏电压,所以二极管截止假设不成立,二极管导通。
V V U U DD BO AO 61-===。
1.2 二极管电路如图P1.2所示,二极管的导通电压VU D 7.0)on (=,试分别求出Ω=k R 1、Ω=k R 4时,电路中的电流O I I I 、、21和输出电压O U 。
解:1、当Ω=k R 1时,假设二极管是截止的,则mA I I O 5.41192=+=-= V R I U V L O O B 5.415.4-=⨯-===V V A 3-= (V V V B A 5.1=-)由上分析可知,二极管承受正偏电压导通(假设不成立)故可得其等效电路如图P1.2b 所示:根据KCL 、 KVL :⎪⎩⎪⎨⎧+-=-+=+=RI R I R I I I I LO O222197.039 解之:mA I mAI mA I 3.56.17.3210==-=V R I U L O O 7.317.3-=⨯-==2、当Ω=k R 4时,假设二极管是截止的,则mA I I O 8.11492=+=-=VR I U V L O O B 8.118.1-=⨯-===V V A 3-= V U U B A 2.1-=-由上分析可知,二极管承受反偏电压截止(假设成立)01=I mA I I 8.102=-=V R I U L O O 8.118.1-=⨯-==3.3 设二极管为理想的,试判断P1.3所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出AO两端的电压AO U解:(a )假设21V V 、均截止,则V V A 10=、V V B 6-=、V V O 0=, 21V V 、均承受正偏电压,但2V 管的正向偏值电压更大,故它首先导通。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
模拟电路课后习题答案 Final approval draft on November 22, 2020
第七章 习题与思考题
◆◆ 习题 7-1 在图P7-1所示的放大电路中,已知R 1=R 2=R 5=R 7=R 8=10k Ω,R 6=R 9=R 10=20k Ω:
① 试问R 3和R 4分别应选用多大的电阻; ② 列出u o1、u o2和u o 的表达式;
③ 设u I1=3V ,u I2=1V ,则输出电压u o =
解:
① Ω=Ω==k k R R R 5)10//10(//213,Ω≈Ω==k k R R R 67.6)20//10(//654 ② 1111211010I I I o u u u R R u -=-=-
=,2226525.1)20
10
1()1(I I I o u u u R R u =+=+=, ③ V V u u u I I o 9)1332(3221=⨯+⨯=+=
本题的意图是掌握反相输入、同相输入、差分输入比例运算电路的工作原理,估算三种比例电路的输入
输出关系。
◆◆ 习题 7-2 在图P7-2所示电路中,写出其
输出电压u O 的表达式。
解:
本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例 电路的输入、输出关系。
◆◆ 习题 7-3 试证明图P7-3中,)(1122
1
I I o u u R R u -=
)+(
解:
◆◆ 解:
◆◆ 解:
◆◆ 习题 7-6 试设计一个比例运算放大器,实现以下运算关系:u O =。
请要求画出电路原理图,并估算各电阻的阻值。
希望所用电阻的阻抗在20k Ω至200k Ω的范围内。
解:
上图为实现本题目要求的一种设计方案,使5.0)1()5.0(21=-⨯-=⋅=uf uf uf A A A ,即
I O u u 5.0=。
本题的意图是在深入掌握各种比例运算电路性能的基础上,采用适当电路实现给定的运算关系。
以上只是设计方案之一。
◆◆ 习题 7-71为阻值在1k Ω~10k Ω之间可调的电位器,R 2=R 3=20k Ω,R 4=R 5=33k Ω,R 6=R 7=100k Ω,试估算电路的输出电压与输入电压之间的比例系数的可调范围。
解:
当R1 当R1 ◆◆ 解:
u o -=2 o u =,
A uf =
本题的意图是了解T 型反馈网络比例电路的特点,学习估算电压放大倍数和输入电
阻。
◆◆ 习题 7-9 写出图P7-9(a)和(b)所示运算电路的输入输出关系。
解:
(a ) 11110110
I I O u u u -=-=
(b ) 321321444
14
)141(411)141(14I I I I I I O u u u u u u u ++-=+⨯+++⨯
++-= 本题的意图是对比例电路及求和电路进行综合训练。
◆◆ 习题 7-10 试用集成运放组成一个运算电路,要求实现以下运算关系: 解:
如上图所示,采用两级反相求和电路实现给定的运算关系,使第一级:
)1.02(311I I O u u u +-=;第二级:3212111.052)5(I I I I O O u u u u u u +-=+-=。
本题的意图是对求和电路进行综合训练,学习用适当电路实现加法和减法的复合运算关系。
◆◆ 习题 7-11 在图P7-11(a)电路中,已知R 1=100k Ω,R 2=R F =200k Ω,R ’=51k Ω,u I1和u I2的波形如图P7-11(b)所示,试画出输出电压u o 的波形,并在图上标明相应电压的数值。
解:
本题的意图是掌握求和电路的工作原理,并学习利用波形叠加的方法画求和电路输出
电压波形。
◆◆ 习题 7-12i =2sin ωt(V),R=R ’=10k Ω,C =1μF ,试求u o 的表达式,并计算当
f=10Hz 、100H z 、1000Hz 和10000Hz 时u o 的幅度(有效值)和相位,最后画出电路的幅频特
解:
◆◆R=R ’解: ① ② t=(10~20)ms 期间, )](2)01.0(200[2)01.0(10
102
6
4V t t u O --=--⨯--=- 当t=20ms 时,u O =0。
③ … …
uO 的波形见下图。
本题的意图是,当积分电路的输入信号为矩形波时的输入、输出关系,学习画波形,并体会积分电路的波形变换作用。
◆◆题 7-14 图P7-14为一波形转换电路,输入信号u I 为矩形波。
设运算放大器为理想的,在t=0时,电容器两端的初始电压为零。
试进行下列计算,并画出u o1和u o 的波形。
① t=0时,u o1= u o = ② t=10ms 时,u o1= u o = ③ t=20ms 时,u o1= u o =
④ 将u o1和u o 的波形画在下面。
时间要对应并要求标出幅值,波形延长到t>30ms 。
解:
① t=0时,u O1=0,u O2=。
② t=(0~10)ms 期间,u I =-1V,U O1(t 0)=0,则
)(100)1(1001V t t u O =-⨯-=,V t t u O )5.0100(5.0)1(100+-=+-⨯= t=10ms 时, u O1=1V ,u O =。
③ t=(10~20)ms 期间,u I =1V,U O1(t 0)=1V ,则
V t t u O ]1)01.0(100[1)01.0(11001+--=+-⨯⨯-=,
t=20ms 时, u O1=0,u O =。
④ … …
u O1和u O 的波形如下图所示,可见,积分电路将矩形波转换为三角波。
本题的意图是对求和电路和积分电路进行综合训练,并通过画波形来体会积分电路的波形变换作用。
◆◆ 习题 7-15 试分析图P7-15电路中的各集成运放A 1、A 2、A 3、A 4分别组成何种运算电路,设电阻R 1=R 2=R 3=R ,试分别列出u o1、u o2、u o3和u o 的表达式。
解:
① A1、A2、A3均组成电压跟随器,A4组成同相输入求和电路,因此
②
)
(3
1000
03213
322113
322113
32211321321332
211I I I O R
R R R O I O I O I u u u I I I u u u u u u O O O u u u u R u u R u u R u u R u u R u u R u u R u u R u u R u u i i i i O
I O I O I O ++=−−−−→−=-+-+-−−−−−→
−=-+-+-−−−−−−−−−→
−=-+-+-⇒==++⇒=====⇒+
++===+
+++-+虚短虚断
本题的意图是训练运用“虚短”和“虚断”的基本概念,分析由多个电压跟随器组成的求和运算电路。
◆◆ 习题 7-16 在图P7-16中,设A 1、A 2、A 3、A 4均为理想运放; ① A 1、A 2、A 3、A 4各组成何种基本运算电路
② 分别列出u o1、u o2、u o3和u o4与输入电压u I1、u I2、u I3之间的关系。
解:
① A 1:同相输入比例电路,A 2:反相输入求和电路,A 3:差分输入比例电路,A 4:积分电路。
② 1113)501001(I I O u u u =+=, )2()100
200
200200(32322I I I I O u u u u u +-=+-=
本题的意图是对比例、求和、积分等各种运算电路进行综合训练。