场效应管的基础知识
功率场效应晶体管(MOSFET)基本知识
功率场效应晶体管(MOSFET)基本知识功率场效应管(PowerMOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。
由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。
但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。
一、电力场效应管的结构和工作原理电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。
在电力电子装置中，主要应用N沟道增强型。
电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同，但结构有很大区别。
小功率绝缘栅MOS管是一次扩散形成的器件，导电沟道平行于芯片表面，横向导电。
电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构，提高了器件的耐电压和耐电流的能力。
按垂直导电结构的不同，又可分为2种：V形槽VVMOSFET和双扩散VDMOSFET。
电力场效应晶体管采用多单元集成结构，一个器件由成千上万个小的MOSFET组成。
N沟道增强型双扩散电力场效应晶体管一个单元的部面图，如图1(a)所示。
电气符号，如图1(b)所示。
电力场效应晶体管有3个端子：漏极D、源极S和栅极G。
当漏极接电源正，源极接电源负时，栅极和源极之间电压为0，沟道不导电，管子处于截止。
如果在栅极和源极之间加一正向电压UGS，并且使UGS大于或等于管子的开启电压UT，则管子开通，在漏、源极间流过电流ID。
UGS超过UT越大，导电能力越强，漏极电流越大。
二、电力场效应管的静态特性和主要参数PowerMOSFET静态特性主要指输出特性和转移特性，与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。
1、静态特性（1）输出特性输出特性即是漏极的伏安特性。
特性曲线，如图2(b)所示。
场效应管的原理和基础知识
场效应管的原理和基础知识基本概念场效应管是⼀种受电场控制地半导体器件(普通三极管地⼯作是受电流控制地器件).场效应管应具有⾼输⼊阻抗,较好地热稳定性、抗辐射性和较低地噪声.对夹断电压适中地场效应管,可以找到⼀个⼏乎不受温度影响地零温度系数⼯作点,利⽤这⼀特性,可使电路地温度稳定性达到最佳状态.电⼦电路中常⽤场效应管作放⼤电路地缓冲级、模拟开关和恒流源电路.场效应管按结构可分为结型场效应管(缩写为)和绝缘栅场效应管(缩写为),从导电⽅式看,场效应管分为型沟道型与型沟道型.绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两种,⽽只有耗尽型.⼀、基本结构场效应管是利⽤改变电场来控制半导体材料地导电特性,不是像三极管那样⽤电流控制结地电流.因此,场效应管可以⼯作在极⾼地频率和较⼤地功率.此外,场效应管地制作⼯艺简单,是集成电路地基本单元.场效应管有结型和绝缘栅型两种主要类型.每种类型地场效应管都有栅极、源极和漏极三个⼯作电极,同时,每种类型地场效应管都有沟道和沟道两种导电结构.绝缘栅型场效应管⼜叫做管.根据在外加电压时是否存在导电沟道,绝缘栅场效应管⼜可分为上增强型和耗尽型.增强型管在外加电压时不存在导电沟道,⽽耗尽型地氧化绝缘层中加⼊了⼤量地正离⼦,即使在时也存在导电沟道.沟道绝缘栅型为栅极为源极为漏极衬底结型场效应管地结构与绝缘栅场效应管地结构基本相同,主要地区别在于栅极与通道半导体之间没有绝缘.沟道和沟道结型从场效应管地基本结构可以看出,⽆论是绝缘栅型还是结型,场效应管都是两个背靠背地结.电流通路不是由结形成地,⽽是依靠漏极和源极之间半导体地导电状态来决定地.⼆、电路符号基本参数场效应管地主要技术参数,可分为直流参数和交流参数两⼤类.⼀、夹断电压和开启电压⼀般是对结型管⽽⾔,当栅源之间地反向电压增加到⼀定数以后,不管漏源电压⼤⼩都不存在漏电流.这个使开始为零地电压叫作管⼦地夹断电压⼀般是对管⽽⾔,表⽰开始出现时地栅源电压值.对沟道增强型、沟道耗尽型为正值,对沟道耗尽型、沟道增强型为负值.⼆、饱和漏电流当⽽⾜够⼤时,漏电流地饱和值,就是管⼦地饱和漏电流,常⽤符号表⽰.三、栅极电流当栅极加上⼀定地反向电压时,会有极⼩地栅极电流,⽤符号表⽰.对结型场效应管在之间;对于⽽⾔⼀般⼩于安.正是由于栅极电流极⼩,所以场效应管具有极⾼地阻抗.四、通导电阻五、截⽌漏电流六、跨导七、漏源动态电阻基本特性⼀、转移特性和输出特性⼯程应⽤中最常⽤地是共源极电路地输⼊和输出关系曲线,场效应管地共源极连接是把源极作为公共端、栅极作为输⼊端、漏极作为输出端.由于共源极场效应管地输⼊电流⼏乎为零,因此,其输⼊曲线反映地是栅极电压与漏极电流地关系,叫做转移特性.反映间电压与之间关系地叫做输出曲线.场效应管共源极电路转移特性曲线和输出特性曲线场效应管输出特性有可变电阻(也叫夹断区)、放⼤(也叫恒流区)、截⽌区和击穿区四个⼯作区.这与三极管地饱和、截⽌、放⼤和击穿相似.⼆、截⽌与电阻导通特性场效应管间不导通状态叫做截⽌,此时接近,场效应管没有电流传导地能⼒,相当于开关断开.产⽣截⽌现象地原因,是此时场效应管没有形成导电沟道.场效应管输出特性曲线中与之间呈线性关系地区域叫做电阻区,⼆者之间地关系可近似为其中为导通电阻,⼀般都很⼩.在电阻区,场效应管地之间近似为⼀个不变电阻.⽆论是在电阻区还是截⽌区,场效应管地电流控制能⼒很微弱,这是在应⽤设计中必须⼗分注意地问题.在设计模拟信号电路时,⼀定要使电路⼯作在场效应管地放⼤区,避免进⼊电阻区和截⽌区.在设计开关电路时,要使电路能很快地在电阻和截⽌状态之间转换,避免进⼊放⼤区.使⽤场效应管时,应当注意以下⼏个问题:()为了防⽌栅极击穿,要求⼀切测试仪器、电路本⾝、电烙铁都必须良好接地.焊接时,⽤⼩功率烙铁迅速焊接,或拔去电源⽤余热焊接,并应先焊源极,后焊栅极.()场效应管输送阻抗较⾼,故在不使⽤时,必须将引出线短路,以防感应电势将栅极击穿则不可短路.()要求⾼输⼊阻抗地线路,须采取防潮措施,以免使输⼊阻抗显著降低.()场效应管栅极有地可加正压或负压,⽽常⽤地结型场效应管因是沟道耗尽型,栅极只能加负压.()场效应管地漏极和源极通常制成对称地,除源极和衬底制造时连在⼀起地管⼦外,漏极和源极可互换使⽤.。
场效应管知识点
场效应管知识点场效应管是一种重要的电子器件，广泛应用于各个领域，如通信、计算机、电子设备等。
它的工作原理是基于电场的调控作用，通过电场的控制来控制电流的流动，实现信号放大、开关控制等功能。
本文将从场效应管的基本结构、工作原理和应用等方面进行详细介绍。
一、场效应管的基本结构场效应管由栅极、漏极、源极和沟道四部分组成。
其中栅极是控制电流的输入端，漏极是电流的输出端，源极是电流的输入端，而沟道则连接源极和漏极。
栅极与源极之间的电压可以控制沟道中的电场分布，从而控制电流的流动。
栅极与漏极之间的电压被称为栅极电压，而漏极与源极之间的电压被称为漏极电压。
二、场效应管的工作原理1. N沟道MOSFETN沟道MOSFET是一种常见的场效应管，其沟道为N型材料。
当栅极电压为0V时，沟道中没有电子流动，处于截止状态；当栅极电压为正值时，形成栅极-沟道电场，使沟道中的N型材料中的电子被推向漏极，形成漏-源电流，处于导通状态。
2. P沟道MOSFETP沟道MOSFET是另一种常见的场效应管，其沟道为P型材料。
当栅极电压为0V时，沟道中没有空穴流动，处于截止状态；当栅极电压为负值时，形成栅极-沟道电场，使沟道中的P型材料中的空穴被推向漏极，形成漏-源电流，处于导通状态。
三、场效应管的应用场效应管具有很多优点，如高输入阻抗、低输出阻抗、功耗小、速度快等，因此在电子电路设计中有着广泛的应用。
以下是场效应管的几个常见应用场景。
1. 信号放大器场效应管可以通过控制栅极电压来调节漏极电流，从而实现信号的放大。
在放大器电路中，场效应管常常作为前置放大器，将输入信号放大后再输出给后续电路。
2. 开关控制场效应管可以作为开关来控制电流的通断。
当栅极电压为高电平时，场效应管处于导通状态，电流可以通过；当栅极电压为低电平时，场效应管处于截止状态，电流无法通过。
因此，场效应管常用于各种开关电路中。
3. 数字逻辑电路由于场效应管的特性，它可以作为数字逻辑门电路的基本单元。
场效应管的基础知识
场效应管的基础知识：
场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制半导体器件中的电流流动的半导体器件。
以下是场效应管的基础知识：
1.工作原理：场效应管利用电场效应原理，通过控制栅极电压来控制源极和漏极之间
的电流。
当栅极电压为零时，源极和漏极之间没有电流。
当栅极电压不为零时，电场效应使得半导体内的电子聚集在沟道的一侧，形成导电沟道，从而使得源极和漏极之间有电流流动。
2.结构：场效应管的结构包括源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（Gate）三个电
极。
源极和漏极之间是半导体材料，称为沟道。
栅极位于源极和漏极之间，通过控制栅极电压来控制沟道的通断。
3.类型：场效应管有N沟道和P沟道两种类型。
N沟道场效应管的源极和漏极之间是
N型半导体，P沟道场效应管的源极和漏极之间是P型半导体。
4.特性曲线：场效应管的特性曲线包括转移特性曲线和输出特性曲线。
转移特性曲线
表示栅极电压对漏极电流的影响，输出特性曲线表示漏极电流与漏极电压之间的关系。
5.应用：场效应管广泛应用于电子设备中，如放大器、振荡器、开关等。
由于场效应
管具有体积小、重量轻、寿命长等优点，因此在便携式设备、移动通信等领域得到广泛应用。
场效应管的工作原理和使用方法
场效应管的工作原理和使用方法场效应管（Field-Effect Transistor，FET）是一种用于放大、开关和调制信号的半导体器件。
场效应管有着广泛的应用领域，包括通信、电子设备和电源等。
一、工作原理1.基本构造场效应管包括一个绝缘栅、一个漏电极和一个源极，它们构成了“门电极-漏极-源极”结构。
-绝缘栅：用绝缘材料制成，用来隔离漏极和源极。
-漏电极：负责控制和操控电流。
-源极：负责提供电流。
2.工作原理当栅极电势施加于绝缘栅时，栅极电场将与绝缘层之间的电子引诱至表面，形成轨道，此时2DEG激活。
通过改变栅极电势的大小和极性，可以控制电子通过2DEG的程度，进而有效控制漏电流。
在N型场效应管中，栅极电势增大时，电子通过2DEG的能力减弱，导致漏电流减小。
而在P型场效应管中，栅极电势增大时，2DEG中空穴（正电荷载体）增加，漏电流也会增加。
基于以上原理，可以通过调整栅极电势，控制从漏极到源极的电流，实现场效应管的放大和开关功能。
二、使用方法1.引脚连接场效应管一般有三个引脚：栅极、漏极和源极。
栅极是场效应管的控制端，漏极和源极是输出端。
在使用场效应管时，需要正确将电源、信号源和负载与相应的引脚连接。
2.工作电压不同类型的场效应管具有不同的工作电压范围，需要根据厂商规定和数据手册，选定适当的电源和信号电压。
同时，还需要关注电流和功率的限制，确保不超出场效应管的额定数值。
3.极性场效应管分为N型和P型，其极性不同。
在连接场效应管时，需要确保漏极和源极的极性与电源匹配，以免产生不良影响或损坏器件。
三、场效应管的优缺点1.优点-控制方便：场效应管可以通过改变栅极电势，实现电流的控制，相较于双极型晶体管（BJT）具有更高的灵活性。
-噪音低：场效应管的输入电阻高，输出电阻低，可以有效降低噪音的生成和传播。
-响应速度快：场效应管的响应速度较快，适用于高频率和快速开关应用。
2.缺点-漏电流：场效应管的漏电流相对较大，可能导致功耗过高。
你不知道的场效应管特点以及基础知识
你不知道的场效应管特点以及基础知识场效应晶体管又称为场效应管，缩写FET，场效应管是一种半导体放大器件。
场效应管不仅具有晶体管体积小、省电、耐用等优点。
更具有输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、功耗低、动态范围大、安全工作区域宽等优点。
场效应管的作用1、场效应管可以用作电子开关。
2、场效应管可用作有源可变电阻。
3、场效应管可用于放大。
由于场效应管放大器输入阻抗非常高，耦合电容可以较小，不必使用电解电容，从而可以降低电路成本减小电路噪声。
场效应管与三极管的比较1、场效应管可以像三极管一样接成3种放大器：共源极放大器、共栅极放大器和共漏极放大器。
2、场效应管能在很小电流和很低电压条件下工作，而且它的制造可以很方便把多个场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到广泛应用。
3、场效应是电压控制器件，三极管是电流控制器件，只允许从信号源取得较少的电流的情况下，应选择场效应管，而在信号电压较少又允许从信号源取得较多电流的条件下，应选择三极管。
4、场效应管的噪声系数小，在高性能的前级放大器中采用场效应管作为放大器件。
5、场效应管的缺点是工作频率不够高。
绝缘栅型场效应管易受外界感应电荷的影响而被击穿，这使得场效应管在拆、装过程中不够方便。
通常要采取保护措施，引脚用套管套起来，使各电极连接在一起。
场效应应用电压的极性和我们用的普通的三极管相同，N沟道的类似NPN型三极管，漏极D接正极，源极S接负极，栅极G接正电压时导电沟道建立，N沟道场效应管导通开始工作。
同样P沟道的类似PNP三极管，漏极D接负极，源极S接正极，栅极G负电压时导电沟道建立开始工作。
大功率的场效应管和大功率的三极管相比，输入阻抗高，驱动功率小，栅源极之间的直流电阻基本上非常大，大约是100兆欧左右，交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。
由于输入阻抗高，所以有电压就可以驱动，所以输入功率很小。
普通的晶体三极管必须有基极电压和基极电流，才能驱动集电极电流的产生。
场效应管专题知识宣讲
进一步增长VGS，当VGS＞VGS(th) 时（称为开启电压)，此时旳栅极电 压已经比较强，在接近栅极下方旳P 型半导体表层中汇集较多旳电子，能
够形成沟道，将漏极和源极沟通。假
如此时加有漏源电压，就能够形成漏
极电流ID。在栅极下方形成旳导电沟 道中旳电子，因与P型半导体旳载流 子空穴极性相反，故称为反型层。
3DJ7E 100 <1.2 >20 >20
3DJ15H 100 6～11 >20 >20
3DO2E 100 0.35～1.2 >12 >25
CS11C 100 0.3～1
- 25
VP gm V mA/ V -4 ≥ 2 -4 ≥ 3 -5.5 ≥ 8
-4 ≥ 2
fM MHz 300 90
1000
半导体三极管(场效应管）图片
Semiconductor FET)。分为: 增强型 N沟道、P沟道 耗尽型 N沟道、P沟道
N沟道增强型MOS管 旳构造示意图和符号见图 02.13。其中：D ( Drain ) 为漏极，相当于集电极C； G ( Gate )为栅极，相当于 基极B ; S ( Source ) 为源极， 相当于发射极E。
VDS=VDG＋VGS =－VGD＋VGS
VGD=VGS－VDS
当VDS为0或较小时，相当 VGS＞VGS(th)，沟道分布如图，此 时VDS 基本均匀降落在沟道中， 沟道呈斜线分布。
(动画2-5)
图02.15(a) 漏源电压VDS 对沟道旳影响
当VDS为0或较小时，相当VGS＞VGS(th)，沟道分布 如图02.15(a)，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道 呈斜线分布。N沟源自道绝增缘 栅
强 型
场效应管的基础知识
场效应管的基础学问英文名称：MOSFET （简写：MOS ）中文名称：功率场效应晶体管（简称：场效应管）场效应晶体管简称场效应管，它是由半导体材料构成的。
与一般双极型相比，场效应管具有许多特点。
场效应管是一种单极型半导体（内部只有一种载流子一多子）分四类：N沟通增加型；P沟通增加型;N沟通耗尽型；P沟通耗尽型。
增加型MOS管的特性曲线场效应管有四个电极，栅极G、漏极D、源极S和衬底B ,通常字内部将衬底B与源极S相连。
这样，场效应管在外型上是一个三端电路元件场效管是一种压控电流源器件，即流入的漏极电流ID栅源电压UGS掌握。
1、转移特性曲线:应留意：①转移特性曲线反映掌握电压VGS与电流ID之间的关系。
②当VGS很小时,ID基本为零，管子截止;当VGS大于某一个电压VTN时ID随VGS的变化而变化，VTN称为开启电压，约为2V0③无论是在VGS2、输出特性曲线：输出特性是在给顶VGS的条件下，ID与VDS之间的关系。
可分三个区域。
①夹断区：VGS②可变电阻区：VGS>VTN且VDS值较小。
VGS值越大，则曲线越陡，D、S极之间的等效电阻RDS值就越小。
③恒流区：VGS>VTN且VDS值较大。
这时ID只取于VGS ,而与VDS无关。
3、MOS管开关条件和特点：管型状态,N-MOS , P-MOS特点截止VTN , RDS特别大，相当与开关断开导通VGS2VTN , VGS<VTN , RON很小，相当于开关闭合4、MOS场效应管的主要参数①直流参数a、开启电压VTN ,当VGS>UTN时，增加型NMOS管通道。
b、输入电阻RGS , 一般RGS值为109〜1012。
高值②极限参数最大漏极电流IDSM击穿电压V(RB)GS , V(RB)DS最大允许耗散功率PDSM5、场效应的电极判别用RxlK挡，将黑表笔接管子的一个电极，用红表笔分别接此外两个电极，如两次测得的结果阻值都很小，则黑表笔所接的电极就是栅极(G),此外两极为源(S)、漏(D)极，而且是N型沟场效应管。
场效应管基础知识单选题100道及答案解析
场效应管基础知识单选题100道及答案解析1. 场效应管是一种（）控制器件。
A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件，通过栅源电压来控制漏极电流。
2. 场效应管的输入电阻（）。
A. 很小B. 较大C. 中等D. 很大答案：D解析：场效应管的输入电阻通常可达10^7 - 10^15 欧姆，输入电阻很大。
3. 结型场效应管的栅源电压不能（）。
A. 为正B. 为负C. 为零D. 不确定答案：A解析：结型场效应管的栅源电压必须为负，才能形成导电沟道。
4. 增强型MOS 场效应管的开启电压（）。
A. 大于零B. 小于零C. 等于零D. 不确定答案：A解析：增强型MOS 场效应管的开启电压大于零。
5. 耗尽型MOS 场效应管在栅源电压为零时（）。
A. 没有导电沟道B. 有导电沟道C. 导电沟道不确定D. 以上都不对答案：B解析：耗尽型MOS 场效应管在栅源电压为零时就有导电沟道。
6. 场效应管的跨导反映了（）。
A. 输入电压对输出电流的控制能力B. 输入电流对输出电压的控制能力C. 输出电压对输入电流的控制能力D. 输出电流对输入电压的控制能力答案：D解析：场效应管的跨导表示输出电流对输入电压的控制能力。
7. 场效应管工作在恒流区时，其漏极电流主要取决于（）。
A. 栅源电压B. 漏源电压C. 栅极电阻D. 漏极电阻答案：A解析：在恒流区，漏极电流主要由栅源电压决定。
8. 场效应管的夹断电压是指（）。
A. 使导电沟道完全夹断时的栅源电压B. 使导电沟道开始夹断时的栅源电压C. 使漏极电流为零时的栅源电压D. 以上都不对答案：A解析：夹断电压是使导电沟道完全夹断时的栅源电压。
9. 场效应管的输出特性曲线可分为（）个区域。
A. 2B. 3C. 4D. 5答案：B解析：输出特性曲线分为可变电阻区、恒流区和截止区三个区域。
10. 以下哪种场效应管的输入电容最小（）。
A. 结型场效应管B. 增强型MOS 场效应管C. 耗尽型MOS 场效应管D. 无法确定答案：A解析：结型场效应管的输入电容相对较小。
场效应管讲解
例5.2.1 P212
设VDS VGS VT，工作于饱和区
VGS
Rg 2 Rg1 Rg 2
VDD
40 5 2V 60 40
I DQ Kn (VGS VT )2 0.2 (2 1)2 0.2mA
VDS VDD I D Rd 5 0.2 15 2V 判断VDS 2V (VGS VT )=1V，成立
MOS电容
SiO2绝缘层
+ + + + + - - - - - -
金属铝
E
P
P型基底
电子反型层
SiO2绝缘层
掺入了大量的碱金 属正离子Na+或K+
+ + + + +
金属铝
- - - - - -
P
P型基底
电子反型层
一、结构和电路符号 S
G
D
金属铝
D
两个N区 N
P
N P型基底 SiO2绝缘层
G S
导电沟道
耗尽型的MOS管vGS=0时就有导电沟道，加反向 电压才能夹断。
iD 转移特性曲线
vGS VP 0
输出特性曲线
iD
vGS>0 vGS=0 vGS<0
0 vDS
四、说明：
（1）MOS管有四种基本类型；
（2）增强型的MOS管的vGS必须超过一定的值以使沟 道形成； 耗尽型的MOS管使形成沟道的vGS可正可负； （3）MOS管的输入阻抗特别高
N沟道增强型
S
G
D D
N
P
N
G
S
N 沟道耗尽型
场效应管详解
场效应管详解一、场效应管的基本概念场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种三极管，由栅极、漏极和源极三个电极组成。
栅极与漏极之间通过电场控制漏极和源极之间的电流。
二、场效应管的工作原理场效应管的工作原理基于电场控制电流的效应。
当栅极施加一定电压时，在栅极和漏极之间形成了一个电场，这个电场控制着漏极和源极之间的电流。
通过调节栅极电压，可以改变漏极和源极之间的电流，实现对电流的控制。
三、场效应管的分类根据不同的控制机构，场效应管可以分为三种类型：MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）、JFET（结型场效应管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。
MOSFET是最常见的一种场效应管。
四、场效应管的特点和优势1. 高输入阻抗：场效应管的栅极是绝缘层，因此栅极和源极之间的电流极小，使得场效应管具有很高的输入阻抗。
2. 低噪声：由于高输入阻抗的特性，场效应管的噪声很低。
3. 低功耗：场效应管的控制电流很小，从而使得其功耗较低。
4. 快速开关速度：场效应管的开关速度较快，适合高频应用。
五、场效应管的应用领域场效应管广泛应用于各种电子设备中，包括放大器、开关电路、调节电路、振荡器等。
在电子行业中，场效应管已经成为一种重要的电子元件。
六、场效应管的优化和发展随着科技的不断进步，场效应管也在不断优化和发展。
目前，一些新型的场效应管已经出现，如高电压场效应管、功率场效应管等，以满足不同领域对场效应管的需求。
场效应管作为一种重要的电子元件，具有较高的输入阻抗、低噪声、低功耗和快速开关速度等特点，广泛应用于各种电子设备中。
随着科技的不断发展，场效应管的优化和发展也在不断进行，使其能更好地满足不同领域的需求。
场效应管的研究和应用将继续推动电子技术的发展，为人们的生活带来更多便利和创新。
场效应管(MOS管)知识介绍
场效应管(MOS管)知识介绍6.1场效应管英文缩写：FET(Field-effect transistor)6.2 场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管6.3 场效应管电路符号：结型场效应管S SN沟道 P沟道6.4场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)D D D DGG G G 绝缘栅型场效应管增强型 S 耗尽型N沟道 P沟道 N沟道 P沟道注：场效应管属于电压控制型元件，又利用多子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。
6.5场效应晶体管的优点：具有较高输入电阻高、输入电流低于零，几乎不要向信号源吸取电流，在在基极注入电流的大小，直接影响集电极电流的大小，利用输出电流控制输出电源的半导体。
6.6场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。
在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。
被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管6.7 场效应管好坏与极性判别:将万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下G,S极, 场效应管应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管.将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,则此脚为G 极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D极.。
场效应管基础与主要参数
场效应管工作原理1.什么叫场效应管？FET是Field-Effect-Transistor的缩写,即为场效应晶体管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。
然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。
2. 场效应管的工作原理：(a) JFET的概念图(b) JFET的符号图1(b)门极的箭头指向为p指向n方向，分别表示内向为n沟道JFET，外向为p沟道JFET。
图1（a）表示n沟道JFET的特性例。
以此图为基础看看JFET的电气特性的特点。
首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS =0）。
在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V 增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区。
VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。
此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。
与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ，此区域称为饱和区。
其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS 值ID =0。
将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)示。
n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID =0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。
关于JFET为什么表示这样的特性，用图作以下简单的说明。
场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的ID ，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID "。
场效应管基础知识.doc
结场效应 MOS版应晶住管场效应管基础知识 场效应管 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内 阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到儿百兆欧，属于电压控制型器件。
1.概念：场效应晶体管(Field Effect Transistor 缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电，也称 为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点：具有输入电阻高(100MQ 〜1 000MQ)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现 象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点，现己成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.作用：场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此糊合电容可以容量较小，不必使用 电解电容器.场效应管可以用作电子开关.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可 以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.2. 场效应管的分类：场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)M 大类按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N 沟道和P 沟道两种.按导电方式:耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和M0S 场效应晶体管，而M0S 场效应晶体管又分为N 沟耗尽型和增强型;P 沟耗尽型和增强型四大类.3. 场效应管的主要参数：Tdss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流.Up 一夹断电压•是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压.Ut 一开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.gM 一跨导.是表示栅源电压UGS 一对漏极电流ID 的控制能力，即漏极电流ID 变化量与栅源电压UGS 变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.BVDS 一漏源击穿电压.是指栅源电压UGS 一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是 一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.PDSM 一最大耗散功率，也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM 并留有一定余量.IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数，是指场效应管正常工作时•，漏源间所允许通过的最大电流.P 沟结构漏 D场效应管的工作电流不应超过IDSMCds -- 漏-源电容Cdu-一漏-衬底电容Cgd 栅-漏电容Cgs 漏-源电容Ciss 栅短路共源输入电容Coss-—栅短路共源输出电容Crss-—栅短路共源反向传输电容D-一占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt-一电压上升率（外电路参数）TD-一漏极电流（直流）I DM - 漏极脉冲电流ID （on）通态漏极电流IDQ -- 静态漏极电流（射频功率管）IDS-一漏源电流TDSM-一最大漏源电流IDSS-—栅-源短路时，漏极电流IDS （sat）-—沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG-一栅极电流（直流）IGF-一正向栅电流TGR—反向栅电流IGDO-—源极开路时，截止栅电流IGSO-一漏极开路时，截止栅电流IGM-—栅极脉冲电流IGP—-栅极峰值电流TF-一二极管正向电流IGSS-—漏极短路时截止栅电流IDSS1-一对管第一管漏源饱和电流IDSS2—-对管第二管漏源饱和电流lu-一衬底电流Tpi -- 电流脉冲峰值（外电路参数）gfs -- 正向跨导Gp -- 功率增益Gps-一共源极中和高频功率增益GpG—共栅极中和高频功率增益GPD—共漏极中和高频功率增益ggd ----- 栅漏电导gds -- 漏源电导K-一失调电压温度系数Ku—传输系数L 负载电感（外电路参数）LD --- 漏极电感Ls --- 源极电感rDS-一漏源电阻rDS（on）—-漏源通态电阻rDS （of）漏源断态电阻rGD -- 栅漏电阻rGS-—栅源电阻Rg—-栅极外接电阻（外电路参数）RL—负载电阻（外电路参数）R（th） jc 结壳热阻R（th）ja—结环热阻PD 漏极耗散功率PDM—-漏极最大允许耗散功率PTN—输入功率POUT一-输出功率PPK-—脉冲功率峰值（外电路参数）to （on）开通延迟时间td （off）关断延迟时间ti 上升时间ton -- 开通时间toff 关断时间tf—-下降时间trr 反向恢复时间Tj—-结温Tjm 最大允许结温Ta --- 环境温度Tc-一管壳温度Tstg 贮成温度VDS-一漏源电压（直流）VGS-一栅源电压（直流）VGSF一正向栅源电压（直流）VGSR-一反向栅源电压（直流）VDD—-漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG-一栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss-一源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS （th）-一开启电压或阀电压V（BR） DSS—-漏源击穿电压V（BR） GSS-一漏源短路时栅源击穿电压VDS （on）漏源通态电压VDS（sat）— -漏源饱和电压VGD-—栅漏电压（直流）Vsu-一源衬底电压（直流）VDu-一漏衬底电压（直流）VGu-一栅衬底电压（直流）Zo-一驱动源内阻n—漏极效率（射频功率管）Vn 噪声电压aTD-一漏极电流温度系数ards—漏源电阻温度系数4 .结型场效应管的管脚识别：判定栅极G:将万用表拨至RXlk档，用万用表的负极任意接一电极，另一只表笔依次去接触其余的两个极，测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道;若两次测得的阻值都很小，则为P沟道.判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为儿千欧至十儿千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.5.场效应管与晶体三极管的比较场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，乂允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管.晶体三极管与场效应管工作原理完全不同，但是各极可以近似对应以便于理解和设计：晶体管：基极发射极集电极场效应管：栅极源极漏极要注意的是，晶体管（NPN型）设计发射极电位比基极电位低（约0. 6V）,场效应管源极电位比栅极电位高（约0. 4V） o场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件.有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.一、场效应管的结构原理及特性场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。
VMOS场效应管基础知识及检测方法
VMOS场效应管基础知识及检测方法VMOS（Vertical Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，垂直金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种特殊的场效应晶体管。
与传统的MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）相比，VMOS的结构更加紧凑，具有更高的功率密度和更低的开通电阻。
本文将介绍VMOS场效应管的基础知识和检测方法。
一、VMOS场效应管的基础知识1.结构与工作原理2.优点与应用3.特征参数二、VMOS场效应管的检测方法1.静态参数测量静态参数是指在没有交流信号作用下，对场效应管进行直流参数测量的过程。
-零门源电流（IDSS）：将栅极与源极短接，通过漏极施加一定的电压，可以测量到的漏极电流即为零门源电流。
其值越大，场效应管的增益越高。
-零栅源电压漏极电流（IGSS）：在零栅源电压下，测量出的漏极电流即为零栅源电压漏极电流。
其值越小，场效应管的绝缘性能越好。
-耗散功率（PD）：在一定的漏源电压下，测量出的场效应管的耗散功率。
其值应小于最大耗散功率，以保证场效应管的安全工作。
-开通电阻和关断电阻：通过测量开通电压和电流，关断电压和电流，可以计算出场效应管的开通电阻和关断电阻。
开通电阻应尽可能小，关断电阻应尽可能大。
2.动态参数测量动态参数是指在有交流信号作用下，对场效应管进行参数测量的过程。
动态参数测量通常需要示波器等测试仪器，以下是几个常用的动态参数测量方法：-开通和关断时间：通过示波器观察开通时间和关断时间，可以评估场效应管的开关速度。
-频率响应：通过给场效应管施加一定频率的信号，测量输出的电压和电流，可以评估场效应管的频率响应能力。
-功率增益：通过测量输入和输出的电压和电流，可以计算功率增益，评估场效应管的放大能力和功率损耗。
总结起来，VMOS场效应管的检测方法包括静态参数测量和动态参数测量。
静态参数测量主要包括零门源电流、零栅源电压漏极电流、耗散功率以及开通电阻和关断电阻的测量。
VMOS场效应管基础知识及检测方法
VMOS场效应管基础知识及检测方法VMOS（Vertical Metal-Oxide-Semiconductor）场效应管是一种特殊类型的场效应管。
它具有垂直结构和金属-氧化物-半导体器件的特点。
本文将介绍VMOS场效应管的基础知识以及常见的检测方法。
1.VMOS场效应管的基础知识VMOS场效应管由垂直结构的N型沟道和PN结构的壳结构组成。
其结构可分为漏极、源极、栅极和底座四部分。
漏极和源极是栅极的两侧，其中沟道绝缘层上形成了沟道结构。
应用正向偏压时，沟道导通，电流流经漏极和源极；应用反向偏压时，沟道断开，电流无法流过。
VMOS场效应管的主要特点有以下几点：-较低的电流漏失：由于沟道呈直线结构，电流在沟道中流动的路径更短，从而减小了电流的漏失。
-高阻断电压：由于底座厚度的增加，VMOS场效应管能够承受更高的阻断电压。
-高速驱动特性：由于栅极距沟道较近，栅极控制能力强，提高了开关速度。
-低导通电阻：VMOS场效应管具有较低的导通电阻，减小了功率损耗。
2.VMOS场效应管的检测方法-观察外观：首先检查VMOS场效应管的外观，观察是否有焊点断裂、外壳破损等情况。
-测试管子是否短路：使用万用表的二极管测试功能，将正极接到栅极，负极接到漏极或源极，观察测试结果。
正常情况下，只有漏极和源极之间的电导很小，其他管子应该是正向断路的。
-测试管子是否导通：同样使用万用表的二极管测试功能，将正极接到栅极，负极接到漏极或源极。
正常情况下，只有当正负极交叉接到栅极和漏极（或源极）时，才会出现导通现象。
-测试漏极、源极和栅极之间的电阻：使用万用表的电阻测试功能，测量漏极和源极之间的电阻以及漏极和栅极之间的电阻。
正常情况下，漏极和源极之间的电阻应该为无穷大，漏极和栅极之间的电阻应该很大。
-漏极和源极之间的主极工作电流测试：可以使用数字万用表的电流测量功能，将正极接到漏极（或源极），负极接到源极（或漏极），通过测量电流来判断是否存在漏极和源极之间的短路。
场效应管基础知识
场效应管基础知识一、场效应管的分类按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。
若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。
结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。
而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
见下图。
二、场效应三极管的型号命名方法第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。
例如CS14A、CS45G等。
三、场效应管的参数1、I DSS—饱和漏源电流。
是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。
2、U P—夹断电压。
是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、U T—开启电压。
是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、g M—跨导。
是表示栅源电压U GS—对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压U GS变化量的比值。
g M是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、BU DS—漏源击穿电压。
是指栅源电压U GS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。
这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BU DS。
6、P DSM—最大耗散功率。
也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。
使用时，场效应管实际功耗应小于P DSM并留有一定余量。
7、I DSM—最大漏源电流。
是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。
场效应管的工作电流不应超过I DSM几种常用的场效应三极管的主要参数四、场效应管的作用2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
如何正确使用场效应管
如何正确使用场效应管场效应管（Field Effect Transistor, FET）是一种重要的电子元件，广泛应用于电子电路中。
正确使用场效应管可以提高电路性能，同时保证电路的可靠性和稳定性。
本文将介绍如何正确使用场效应管，以及一些使用场效应管的注意事项。
一、场效应管的基本原理场效应管是一种控制电流的器件。
其工作原理基于场效应原理，通过施加电压来控制场效应管的导电特性。
场效应管由源极、栅极和漏极组成，其内部包含P型和N型半导体材料。
二、场效应管的类型场效应管可以分为两大类：MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）和JFET（结型场效应晶体管）。
- MOSFET：主要用于集成电路中，具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗。
MOSFET又可分为N沟道MOSFET（N-Channel MOSFET）和P沟道MOSFET（P-Channel MOSFET）。
- JFET：主要用于低频放大器和开关电路中，具有较低的输入阻抗和较高的输出阻抗。
JFET又分为N沟道JFET（N-Channel JFET）和P沟道JFET（P-Channel JFET）。
三、正确使用场效应管的步骤1. 选择适当的场效应管类型：根据具体的应用需求，选择适合的场效应管类型。
例如，如果需要在低功耗电路中使用，可选择功耗更低的MOSFET。
如果需要在高频电路中使用，可选择截止频率更高的JFET。
2. 确定管子的工作电压和电流：根据电路的设计要求，在数据手册中查找并确定场效应管的额定工作电压和电流。
根据这些参数，合理调整电路中的电阻和电压源，以保证场效应管的正常工作。
3. 正确连接管子引脚：根据场效应管的引脚图，将管子正确连接到电路中。
通常，场效应管的源极引脚连接到电路的负极，栅极引脚通过电阻连接到控制信号源，漏极引脚连接到负载或电源。
4. 设置栅极电压：栅极电压的设置直接影响场效应管的工作状态和导通能力。
通过调整连接到栅极的电阻或电压源，设置恰当的栅极电压，使场效应管工作在所需的区域。
场效应管知识点
场效应管知识点场效应管是一种半导体器件，也是现代电子技术中非常重要的一部分。
它具有电压控制特性，可以用来放大信号、开关电路等。
下面将对场效应管的知识点进行介绍。
一、场效应管的基本结构场效应管由源极、栅极和漏极组成。
源极和漏极之间通过一个P型或N型的半导体区域相隔，这个区域被称为沟道。
栅极则位于沟道的上方，通过栅极电压的变化来控制沟道中的电流。
二、场效应管的工作原理场效应管的工作原理主要是基于栅极电压与漏极电流之间的关系。
当栅极电压为零时，沟道中的电流几乎为零，处于截止状态；当栅极电压增大时，沟道中的电流随之增加，处于放大状态。
三、场效应管的类型场效应管根据沟道的类型可以分为两种类型：N沟道型和P沟道型。
N沟道型场效应管的沟道为N型半导体，P沟道型场效应管的沟道为P型半导体。
根据栅极结构的不同，场效应管又可以分为增强型和耗尽型两种。
四、场效应管的工作方式场效应管的工作方式主要有三种：共源极、共栅极和共漏极。
共源极方式是将信号加在栅极上，通过源极来输出信号；共栅极方式是将信号加在漏极上，通过栅极来输出信号；共漏极方式是将信号加在源极上，通过漏极来输出信号。
不同的工作方式适用于不同的应用场景。
五、场效应管的特点和优势场效应管具有以下特点和优势：1. 高输入阻抗：由于栅极与沟道之间没有电流流过，所以场效应管的输入阻抗非常高，可以减小对信号源的影响。
2. 低输出阻抗：场效应管的输出阻抗较低，可以提供较大的输出电流。
3. 低功耗：由于场效应管的工作电流较小，所以功耗也相对较低。
4. 快速开关速度：场效应管的开关速度较快，适用于高频率的应用。
5. 可靠性高：场效应管的结构简单，制造工艺成熟，具有较高的可靠性。
六、场效应管的应用领域场效应管在电子技术中有广泛的应用，主要包括以下几个领域：1. 放大器：场效应管可以作为放大器来放大信号，用于音频放大、射频放大等应用。
2. 开关电路：由于场效应管具有快速开关速度和低功耗的特点，可以用于开关电路中，如电源开关、光电开关等。
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场效应管的基础知识
英文名称：MOSFET（简写：MOS）
中文名称：功率场效应晶体管（简称：场效应管）
场效应晶体管简称场效应管，它是由半导体材料构成的。
与普通双极型相比，场效应管具有很多特点。
场效应管是一种单极型半导体（内部只有一种载流子—多子）
分四类：
N沟通增强型；P沟通增强型；
N沟通耗尽型；P沟通耗尽型。
增强型MOS管的特性曲线
场效应管有四个电极，栅极G、漏极D、源极S和衬底B，通常字内部将衬底B与源极S相连。
这样，场效应管在外型上是一个三端电路元件场效管是一种
压控电流源器件，即流入的漏极电流ID栅源电压UGS控制。
1、转移特性曲线：
应注意：
①转移特性曲线反映控制电压VGS与电流ID之间的关系。
②当VGS很小时，ID基本为零，管子截止；当VGS大于某一个电压VTN时ID随VGS的变化而变化，VTN称为开启电压，约为2V。
③无论是在VGS
2、输出特性曲线：输出特性是在给顶VGS的条件下，ID与VDS之间的关系。
可分三个区域。
①夹断区：VGS
②可变电阻区：VGS>VTN且VDS值较小。
VGS值越大，则曲线越陡，D、S极之间的等效电阻RDS值就越小。
③恒流区：VGS>VTN且VDS值较大。
这时ID只取于VGS，而与VDS无关。
3、MOS管开关条件和特点：管型状态，N-MOS，P-MOS特点
截止VTN，RDS非常大，相当与开关断开
导通VGS≥VTN，VGS≤VTN，RON很小，相当于开关闭合
4、MOS场效应管的主要参数
①直流参数
a、开启电压VTN，当VGS>UTN时，增强型NMOS管通道。
b、输入电阻RGS，一般RGS值为109～1012Ω高值
②极限参数
最大漏极电流IDSM击穿电压V(RB)GS，V(RB)DS
最大允许耗散功率PDSM
5、场效应的电极判别
用R×1K挡，将黑表笔接管子的一个电极，用红表笔分别接另外两个电极，如两次测得的结果阻值都很小，则黑表笔所接的电极就是栅极(G)，另外两极为源(S)、漏(D)极，而且是N型沟场效应管。
在测量过程中，如出现阻值相差太大，可改换电极再测量，直到出现两阻值都很大或都小为止。
如果是P沟道场效应管，则将表笔改为红表笔，重复上述方法测量。
6、结型场效应管的性能测量
将万用表拨在R×1K或R×10K挡上，测P型沟道时，将红表笔接源极或漏极，黑表笔接栅极，测出的电阻值应很大，交换表笔测时，阻值应该很小，表明管子是好的。
当栅极与源极间=栅极与漏极间均无反向电阻时，表明管子已坏了。
将两只表笔分别接漏极和源极，然后用手靠近或碰触栅极，此时表针偏转较大，说明管子是好的。
偏转角度越大，说明其放大倍数也越大。
如果表针不动，则表明管子坏了或性能不好。
MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚？
检测MOS管之前先将MOS管三个引脚短接放电防止测量误差，然后将数字万用表打到二极管档位，红表笔插入VΩ孔黑表笔插入COM孔，将红表笔接D级，黑表笔接G级正常应该为“1”然后调换表笔，将红表笔接D级黑表笔接S级值应该也是“1”然后将黑表笔接D级红表笔接G级应该有一组数值为300-700欧的数值。
如果有的话MOS管就是好的，如果测量几组的数值都是“1”则管子开路，如果测量中有一组数值为“000”则管子短路，检测前必须放电，如果不放电的话，测量MOS管DS级是导通的，你会误认为是短路击穿，所以必须要先放电然后再去检测。