场效应管的基础知识

场效应管的基础知识

英文名称：MOSFET（简写：MOS）

中文名称：功率场效应晶体管（简称：场效应管）

场效应晶体管简称场效应管，它是由半导体材料构成的。

与普通双极型相比，场效应管具有很多特点。

场效应管是一种单极型半导体（内部只有一种载流子—多子）

分四类：

N沟通增强型；P沟通增强型；

N沟通耗尽型；P沟通耗尽型。

增强型MOS管的特性曲线

场效应管有四个电极，栅极G、漏极D、源极S和衬底B，通常字内部将衬底B与源极S相连。

这样，场效应管在外型上是一个三端电路元件场效管是一种

压控电流源器件，即流入的漏极电流ID栅源电压UGS控制。

1、转移特性曲线：

应注意：

①转移特性曲线反映控制电压VGS与电流ID之间的关系。

②当VGS很小时，ID基本为零，管子截止；当VGS大于某一个电压VTN时ID随VGS的变化而变化，VTN称为开启电压，约为2V。

③无论是在VGS

2、输出特性曲线：输出特性是在给顶VGS的条件下，ID与VDS之间的关系。可分三个区域。

①夹断区：VGS

②可变电阻区：VGS>VTN且VDS值较小。VGS值越大，则曲线越陡，D、S极之间的等效电阻RDS值就越小。

③恒流区：VGS>VTN且VDS值较大。这时ID只取于VGS，而与VDS无关。

3、MOS管开关条件和特点：管型状态，N-MOS，P-MOS特点

截止VTN，RDS非常大，相当与开关断开

导通VGS≥VTN，VGS≤VTN，RON很小，相当于开关闭合

4、MOS场效应管的主要参数

①直流参数

a、开启电压VTN，当VGS>UTN时，增强型NMOS管通道。

b、输入电阻RGS，一般RGS值为109～1012Ω高值

②极限参数

最大漏极电流IDSM击穿电压V(RB)GS，V(RB)DS

最大允许耗散功率PDSM

5、场效应的电极判别

用R×1K挡，将黑表笔接管子的一个电极，用红表笔分别接另外两个电极，如两次测得的结果阻值都很小，则黑表笔所接的电极就是栅极(G)，另外两极为源(S)、漏(D)极，而且是N型沟场效应管。

在测量过程中，如出现阻值相差太大，可改换电极再测量，直到出现两阻值都很大或都小为止。

如果是P沟道场效应管，则将表笔改为红表笔，重复上述方法测量。

6、结型场效应管的性能测量

将万用表拨在R×1K或R×10K挡上，测P型沟道时，将红表笔接源极或漏极，黑表笔接栅极，测出的电阻值应很大，交换表笔测时，阻值应该很小，表明管子是好的。

当栅极与源极间=栅极与漏极间均无反向电阻时，表明管子已坏了。

将两只表笔分别接漏极和源极，然后用手靠近或碰触栅极，此时表针偏转较大，说明管子是好的。

偏转角度越大，说明其放大倍数也越大。如果表针不动，则表明管子坏了或性能不好。

MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚？

检测MOS管之前先将MOS管三个引脚短接放电防止测量误差，然后将数字万用表打到二极管档位，红表笔插入VΩ孔黑表笔插入COM孔，将红表笔接D级，黑表笔接G级正常应该为“1”然后调换表笔，将红表笔接D级黑表笔接S级值应该也是“1”然后将黑表笔接D级红表笔接G级应该有一组数值为300-700欧的数值。如果有的话MOS管就是好的，如果测量几组的数值都是“1”则管子开路，如果测量中有一组数值为“000”则管子短路，检测前必须放电，如果不放电的话，测量MOS管DS级是导通的，你会误认为是短路击穿，所以必须要先放电然后再去检测。