823电子技术基础考试大纲

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暨南大学2018年《823电子技术基础》考研专业课真题试卷

暨南大学2018年《823电子技术基础》考研专业课真题试卷
R2 R5 VT 3 +VCC
2.
f / Hz Uo/ V 3.
5 0.1
1k 1
10k R 1
uI
VT100k 1
1
1
1M VT 2 0.7
uO uI V EE
R3 R4 R6 R7 C D 多级放大电路如图 1-1 所示。设电路中所有电容器对交流均可视为短路,试指 出电路中各个放大器件所组成的基本放大电路分别属于哪种组态。
2018 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题
********************************************************************************************
学科、专业名称:080902 电路与系统、080903 微电子学与固体电子学、081001 通信与信息 系统、081002 信号与信息处理、085208 电子与通信工程(专业学位)、080901 物理电子学 研究方向:各方向 考试科目名称:823 电子技术基础
考生注意:所有答案必须写在答题纸(卷)上,写在本试题上一律不给分。 一、简答题(共 4 小题,每小题 5 分,共 20 分) 1. 简述 RC 正弦波振荡器、LC 正弦波振荡器、石英晶体正弦波振荡器的主要应用 场合。 为测定某单管放大电路(含一个耦合电容)的通频带,在输入电压 U i =10mV 不变的条件下,改变输入电压频率 f,测出相应的输出电压 U o ,测试结果列表 如下。试问该放大电路的上限截止频率 fH 和下限截止频率 fL 各为多少?
图 2-4 5.
图 2-5
单端输入、单端输出差分放大电路如图 2-5 所示。设晶体管 T1、T2 参数1=2 =50,rbe1=rbe2=2.5k,UBE1=UBE2=0.6V。试估算: (1)静态量 ICQ1、ICQ2、UCEQ1 和 UCEQ2; (2)差模电压放大倍数 Au ,差模输入电阻 Rid 和输出电阻 Ro; (3)共模抑制比 KCMR。 6. 推导图 2-6 电路的运算关系式。运放视为理想运放。其中,R=20kΩ, R1=100k Ω,C=0.05μF。已知各电容两端电压的初始值为零。

2021年暨南大学823电子技术基础考研专业课考试大纲(含参考书目)

2021年暨南大学823电子技术基础考研专业课考试大纲(含参考书目)

2021考研暨南大学硕士研究生入学考试大纲
(含参考书目清单)
科目代码:823 科目名称:电子技术基础
一、考查目标
要求考生掌握模拟电子技术的基本概念、原理和分析方法,会对各种电子电路进行分析和近似计算,理解电路工作特点并具备应用电子技术的能力。

二、考试形式和试卷结构
1.考试形式
试卷满分为150分,考试时间为180分钟,答题方式为闭卷笔试。

2.题型结构
(1)填空题(约20分)
(2)选择题(约20分)
(3)简答题(约40分)
(4)计算题(约70分)
三、考查范围
1.集成运放及其基本应用
放大的概念和放大电路的性能指标,集成运算放大电路,理想运放组成的基本运算电路,理想运放组成的电压比较器。

2.半导体二极管及其基本应用电路
半导体基础知识,半导体二极管及其基本应用电路,稳压二极管及其基本应用电路,发光二极管及其基本应用举例。

3.晶体三极管及其基本放大电路
晶体三极管及其放大电路的组成原则和基本分析方法(图解法,等效电路法),晶体管放大电路的三种接法,放大电路的频率响应。

4.场效应管及其基本放大电路
场效应管(结型场效应管,绝缘栅型场效应管),场效应管的主要参数,场
1。

823电子技术基础考试大纲.doc

823电子技术基础考试大纲.doc
《电磁场与电磁波基础》
路宏敏等
科学出版社
《微波技术基础》
廖承恩
西电科大出版社
《微机原理与接口技术》
楼顺天等
科学出版社
《天线原理》
魏文元
国防工业出版社
9023电子信息技术综合知识二
《电磁场与电磁波基础》
路宏敏等
科学出版社
《数字信号处理》
奥本海姆
科学出版社
《模拟电子技术基础》
孙肖子等
西电科大出版社
《数字电子技术基础》四版)
吴功宜
电子工业出版社2007
9066会计综合
《财务管理》(四版)
卢家仪
清华大学出版社2011
《会计学原理》(四版)
徐晔等
复旦大学出版社2011
《应用经济统计学》(二版)
李心愉
北京大学出版社2008
9067项目管理基础
《现代项目管理概论》
白思俊
电子工业出版社2006
朴立明
清华大学出版社2009
《商业银行经营学》
戴国强
高等教育出版社2007
9061金融综合
《货币金融学》(七版)
米什金
人民大学出版社2006
《证券投资学》
朴立明
清华大学出版社2009
《应用经济统计学》(二版)
李心愉
北京大学出版社2008
9062管理科学与工程综合
《管理学》
王益峰
西电科大出版社2007
中日合编
人民教育出版社
282二外俄语
大学俄语1.2册(新版)
史铁强
外语教学与研究出版社
新大学俄语综合教程(1)
何红梅
高等教育出版社
283二外德语

山西农业大学823电工电子学2020考研专业课初试大纲

山西农业大学823电工电子学2020考研专业课初试大纲

科目代码:823
科目名称:电工电子学
Ⅰ考试性质
电工电子学考试是为高等院校和科研院所招收农业工程专业的硕士研究生而设置具有选拔性质的考试科目,其目的是科学、公平、有效地测试考生是否具有备继续攻读硕士学位所需要的电工电子学的基础知识和基础技能,评价的标准是高等学校农业工程及相关专业优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平,以利于择优选拔,确保硕士研究生的招生质量。

Ⅱ考查目标
要求考生系统掌握电工电子学学科中的基本理论、基本知识和基本技能,能够运用所学的基本理论、基本知识和基本技能综合分析、判断和解决有关理论问题和实际问题。

Ⅲ考试形式和试卷结构
一、试卷满分及考试时间
本试卷满分为150分,考试时间为180分钟。

二、答题方式
答题方式为闭卷、笔试。

三、试卷题型结构
1.填空题
2.选择题
3.计算题
220。

2023年暨南大学《823-电子技术基础》考研真题

2023年暨南大学《823-电子技术基础》考研真题

2023年暨南大学《823 电子技术基础》考研真题四、计算题(共4小题,每小题15分,共60分)1.如图所示电路中,各晶体管的参数相同,其中β=50,U BE=0.7V,r bb’=200Ω,稳压管的稳压值为5V,R p滑动端处于中间位置,其他参数见图。

(1)计算静态工作点参数I CQ1、I CQ2及静态时U OQ的值;(2)计算差模电压放大倍数A d、差模输入电阻R id及差模输出电阻R od的值。

2.如图所示电路中,已知晶体管的U BE=0.7V,β=100,r bb’=100Ω,C ob=0.5pF,fβ=100MHz,R s=100Ω。

(1)估算下限截止频率f L和上限截止频率f H;(2)写出整个频率范围内A us的表达式;(3)画出A us的波特图。

3.如图所示电路中,已知R w1,R w2的滑动端均位于中点,R1=50kΩ,C=0.01μF,稳压管的稳压值为6V。

(1)画出u o1和u o2的波形,标明幅值和周期;(2)当R w1的滑动端向右移时,u o1和u o2的幅值和周期分别如何变化;(3)当R w2的滑动端向右移时,u o1和u o2的幅值和周期分别如何变化;(4)为了仅使u o2的幅值增大,应如何调节电位器?为了仅使u o2的周期增大,应如何调节电位器?为了使u o2的幅值和周期同时增大,应如何调节电位器?为了使u o2的幅值增大而周期减小,应如何调节电位器?4.在图示电路中,已知二极管的导通电压是U D=0.7V,晶体管导通时|U BE|=0.7V,T2管的发射极静态电位U EQ=0V,T2和T4管的饱和管压降|U CES|=2V,试问:(1)T1、T3、T5管基极的静态电位各是多少?(2)R2=10kΩ,R3=100Ω,若T1和T3管基极静态电流可忽略不计,则T5管集电极静态电流为多少?(3)若R3短路会产生什么现象?(4)负载上可能获得的最大输出功率P om和效率η各约为多少?(5)T2和T4管的最大集电极电流、最大管压降和集电极最大功耗各为多少?。

823半导体物理与集成电路基础

823半导体物理与集成电路基础

823半导体物理与集成电路基础摘要:一、半导体物理与集成电路基础简介1.半导体物理概念2.集成电路基础概念二、半导体物理基本原理1.能带理论2.载流子浓度与迁移率3.PN 结三、集成电路基本结构与工作原理1.基本结构2.工作原理四、半导体材料及其特性1.元素半导体2.化合物半导体3.半导体材料特性五、半导体器件及其应用1.二极管2.晶体管3.场效应晶体管4.光电器件六、集成电路制造工艺1.硅片制备2.掺杂3.薄膜沉积4.光刻技术5.金属化七、集成电路应用领域1.计算机2.通信3.消费电子4.医疗设备5.工业控制八、半导体物理与集成电路发展趋势1.新材料研究2.新型器件开发3.集成度提高4.3D 集成技术5.人工智能与物联网应用正文:半导体物理与集成电路基础在我国科技领域占据举足轻重的地位。

半导体物理是研究半导体材料性质和现象的学科,而集成电路则是半导体物理在实际应用中的重要体现。

本文将介绍半导体物理与集成电路基础的相关知识。

半导体物理基本原理包括能带理论、载流子浓度与迁移率以及PN 结。

能带理论是描述半导体中电子能级分布的理论,它将半导体分为价带和导带,分别对应电子的束缚状态和自由状态。

载流子浓度与迁移率是描述半导体导电性能的两个重要参数,它们与半导体的掺杂、温度等因素密切相关。

PN 结是半导体中一种特殊的结构,由p 型半导体和n 型半导体组成,具有整流、开关等特性。

集成电路基本结构包括输入、输出、电源和信号处理等部分,其工作原理是通过将信号处理电路与输入输出接口电路集成在一起,实现对信号的放大、滤波、模数转换等功能。

半导体材料及其特性对集成电路性能至关重要。

半导体材料主要包括元素半导体如硅、锗等,以及化合物半导体如砷化镓、氮化镓等。

这些材料具有不同的导电性能、光电特性等,为不同应用场景提供了丰富的选择。

半导体器件是集成电路中实现特定功能的基本单元,包括二极管、晶体管、场效应晶体管等。

这些器件具有不同的电流控制方式、输入阻抗等特性,为实现高性能集成电路提供了基础。

暨南大学_823电子技术基础2017年_考研专业课真题试卷

暨南大学_823电子技术基础2017年_考研专业课真题试卷

2017年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题******************************************************************************************** 学科、专业名称:080902电路与系统、080903微电子学与固体电子学、081001 通信与信息系统、081002 信号与信息处理、085208电子与通信工程(专业学位)研究方向:各方向考试科目名称:823 电子技术基础一、简答题(共4小题,每小题5分,共20分)1. 电路如图1所示。

(1)电路实现什么功能?(2)以下三种情况下,输出电压的平均值将分别怎样变化?(a)二极管D1开路;(b)二极管D1短路;(c)负载R L开路。

图12. 现有一个输出电阻为R O的放大电路,正常工作情况下,测得负载开路时的输出电压有效值为U O,接上负载R L后,测得其输出电压有效值为0.5U O,则此电路的输出电阻R O与负载R L之间存在怎样的关系?3. 电路如图2所示。

C1为耦合电容,C2、C3为旁路电容。

其中,T1和T2分别构成了什么接法的放大电路?判断电路是否可能产生正弦波振荡,简述原因。

若能产生正弦波振荡,说明石英晶体在电路中呈容性、感性还是纯阻性?A1u OA27VR1R2R3+15V12V10kΩu IR4200Ω10kΩ10kΩR51kΩD1D2D Z图2 图34. 图3电路中,已知A1、A2均为理想运算放大器,其输出电压的两个极限值为±14V。

说明电路实现什么功能?并画出其电压传输特性曲线。

考试科目:823 电子技术基础共 4 页,第 2 页4. 差分放大电路如图7所示。

设晶体管T 1、T 2特性参数相同,且β=50,r be =1 k Ω。

计算:(1)差模电压放大倍数I2I1Ou u u A ud -=;(2)差模输入电阻R id ; (3)输出电阻R od 。

清华大学827电路原理考研参考书目、考研真题、复试分数线

清华大学827电路原理考研参考书目、考研真题、复试分数线

(第三版)
7-121-00863-7
阎石 (美) Donald A. Neamen 著; 赵毅强, 姚素英, 谢晓东等译
《理论力学》
清华大学出版社
李俊峰
833 理论力学及材 《材料力学》
料力学
《材料力学》
高等教育出版社,2002 年 高等教育出版社
范钦珊等 刘鸿文
《材料力学》
高等教育出版社
孙训方
834 工程热力学 《工程热力学》
中国建筑工业出版社
潘谷西
《外国建筑史》
中国建筑工业出版社
陈志华
《外国近现代建筑史》中国建筑工业出版社
罗小未
603 数学分析
《数学分析新讲》 《数学分析》
北京大学出版社 上海科学技术出版社
张筑生 周民强,方企勤
604 普通物理
《大学物理》(第二版) 清华大学出版社
第一册至四册
张三慧
《无机化学》(上下册) 高等教育出版社,2004
Linguistics 》
//166.111.107.7 下载)
616 艺术美学
《现代艺术哲学》 四川人民出版社 《美学与艺术欣赏》 高等教育出版社
H.G.布洛克 肖鹰
《新闻学概论》
中国传媒大学出版社,2007
刘建明
《转型中的新闻学》 南方日报出版社,2005
李希光
618 新闻与传播史 论
《麦奎尔大众传播理 论》 《中国新闻传播史》 《全球新闻传播史》
四版) 816 环境微生物学
《微生物学教程》 高等教育出版社
《环境微生物学》 高等教育出版社
《环境规划学》
高等教育出版社
《环境与资源经济学 高等教育出版社
817 环境系统与管 概论》

《暨南大学823电子技术基础历年2010-2018年考研真题及答案解析》

《暨南大学823电子技术基础历年2010-2018年考研真题及答案解析》

目录Ⅰ历年真题试卷 (2)暨南大学2010年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (2)暨南大学2011年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (8)暨南大学2012年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (12)暨南大学2013年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (17)暨南大学2014年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (22)暨南大学2015年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (26)暨南大学2016年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (31)暨南大学2017年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (35)暨南大学2018年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (40)Ⅱ历年真题试卷答案解析 (45)暨南大学2010年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析 (45)暨南大学2011年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析 (57)暨南大学2012年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析 (66)暨南大学2013年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析 (79)暨南大学2014年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析 (93)暨南大学2015年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析 (104)Ⅰ历年真题试卷暨南大学2010年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题学科、专业名称:信息科学技术学院电路与系统、微电子学与固体电子学、电磁场与微波技术、通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程(专业学位)专业;理工学院物理电子学考试科目名称:823电子技术基础考生注意:所有答案必须写在答题纸(卷)上,写在本试题上一律不给分。

一、判断下列说法是否正确,凡对者打“√”,错者打“×”,(答案必须写在答题纸上)。

(共10小题,每小题2分,共20分)1、一个理想对称的差分放大电路,既能放大差模输入信号,也有可能放大共模输入信号。

2、场效应管依靠电场控制漏极电流,故不能称为电压控制器件。

2016年同济大学电子学基础专业研究生考试科目参考书及考试大纲

2016年同济大学电子学基础专业研究生考试科目参考书及考试大纲
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2016 年同济大学电子学基础专业研究生考试科目参考书及考试 大纲
科目代码 823 科目名称 电子学基础 参考书目 《电路与电子学基 础》 唐胜安、 刘晔编, 高等教育出版社, 2009.7 《电路与电子 学基础》周树南、周 晨华编 ,科学出版 社,2010.8.1 考试大纲 一、 考试要求 要求考生全面系统 地掌握电路理论和电子技 术理 论中的基本概念、基本定理和定 律, 牢固 掌握并灵活运用电路的 基本分析方法, 具有较 全面的电 路理论和电子技术基础,具备较 强的 运算能力和综合运用所学 知识分析问题和解决 问题的能 力,并有一定的设计电路和调试 电路 的经验。 二、考试方法和 考试时间 考试形式为闭卷笔试, 考试时间为 3 小时, 总分为 150 分。 三、考试题型 1.填空题 2. 简答题 3.综合计算题 四、考试 范围 电路理论部分 1 电路的基 本概念与定律 电路与电路模型; 电路的物理量及其参考方向 ; 电 路元器件; 基尔霍夫定律 2 电路 的分析方法 电源的连接与等效 变换; 支路电流法; 网孔分 析法; 结点电压法;叠加定理与齐次定 理; 等 效电源定理; 最大功率传 输 3 正弦稳态电路的分析 正弦 交流电的基本概念;单一参数正 弦稳态电 路分析;阻抗与导纳; 正弦稳态电路的功率及 功率因 数;正弦稳态电路的分析;频率 特性与 谐振电路;三相交流电 路; 非正弦周期电流电 路分析 4 电路的暂态响应 换路定则与电 压、越考考研电流的初始值;一 阶 RC 电 路的暂态分析; 一阶只 乙电路的暂态分析; 一 阶暂态电 路的三要素分析法;一阶电路的 阶跃 响应;RLC 电路的零输入 响应 电子技术部分 5 半导体器 件 半导体的基本知识;二极管; 特殊二极管; 三 极管; 场效应管; 电力电子器件 6 基本放大电路

暨南大学2013年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题---823电子技术基础

暨南大学2013年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题---823电子技术基础

2013年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题******************************************************************************************** 学科、专业名称:080902电路与系统、080903微电子学与固体电子学、080904电磁场与微波技术、081001 通信与信息系统、081002 信号与信息处理、085208电子与通信工程研究方向:01数模混合集成电路设计、02生物医学电子系统、03嵌入式系统及其应用、04视觉智能数控系统、05电子对抗与信息安全系统;01半导体低维量子结构物理与器件、02微纳光子材料与器件、03新型半导体器件模型与表征、04新能源材料与太阳电池、05微纳米结构损伤检测;01分形理论与天线技术、02微波光电子技术、03应急通信技术、04宽带移动通信技术、05电磁场与传感技术;01光电子与光通信、02通信网络与信息系统、03集成电路设计与片上系统、04无线通信技术及网络、05多媒体技术与信息安全;01分数算子及分形信号处理技术、02量子信息与量子系统、03测控技术与智能仪器、04通信信号处理及SoC设计、05图像处理技术与应用;01光通信与无线通信、02网络与多媒体技术、03微电子技术与集成电路设计、04测控系统与智能仪器、05微弱信号处理技术与电子系统考试科目名称:823 电子技术基础图1电子技术基础共 5图2 图3(6分)已知图3所示电路中稳压管的稳定电压U Z=5V,最小稳定电流I Zmin 6mA,最大稳定电流I Zmax=26mA。

分别计算U I为10V、18V两种情况下输出电压U O的值;若U I=40V时负载开路,则会出现什么现象? 为什么?(6分)电路如图4所示,场效应管的夹断电压图4 图5(6分)推导图5所示电路的传递函数,写出其截止频率的表达式;并指出它属于哪种类型的滤波电路。

2020年中国人民解放军火箭军工程大学考研专业课资料清单【最新版】

2020年中国人民解放军火箭军工程大学考研专业课资料清单【最新版】

目录2020年中国人民解放军火箭军工程大学821电子技术基础考研精品资料 (2)2020年中国人民解放军火箭军工程大学823 机械设计基础考研精品资料 (5)2020年中国人民解放军火箭军工程大学831自动控制原理考研精品资料 (7)2020年中国人民解放军火箭军工程大学841计算机操作系统考研精品资料 (9)2020年中国人民解放军火箭军工程大学843数据结构考研精品资料 (11)2020年中国人民解放军火箭军工程大学845通信原理考研精品资料 (12)2020年中国人民解放军火箭军工程大学852管理学原理考研精品资料 (14)2020年中国人民解放军火箭军工程大学864环境工程学考研精品资料 (16)2020年中国人民解放军火箭军工程大学821电子技术基础考研精品资料说明:本套考研资料由本机构多位高分研究生潜心整理编写,2020年考研初试首选资料。

一、重点名校考研真题汇编1.重点名校:电子技术基础(含数字和模拟)2017-2018年考研真题汇编(暂无答案)说明:本科目没有收集到历年考研真题,赠送重点名校考研真题汇编,因不同院校真题相似性极高,甚至部分考题完全相同,建议考生备考过程中认真研究其他院校的考研真题。

二、2020年中国人民解放军火箭军工程大学821电子技术基础考研资料2.童诗白、华成英《模拟电子技术基础》考研相关资料(1)童诗白、华成英《模拟电子技术基础》[笔记+课件+提纲]①中国人民解放军火箭军工程大学821电子技术基础之童诗白、华成英《模拟电子技术基础》考研复习笔记。

说明:本书重点复习笔记,条理清晰,重难点突出,提高复习效率,基础强化阶段必备资料。

②中国人民解放军火箭军工程大学821电子技术基础之童诗白、华成英《模拟电子技术基础》本科生课件。

说明:参考书配套授课PPT课件,条理清晰,内容详尽,非本校课件,版权归属制作教师,本项免费赠送。

③中国人民解放军火箭军工程大学821电子技术基础之童诗白、华成英《模拟电子技术基础》复习提纲。

暨南大学考研真题823电子技术基础硕士学位研究生入学考试试题(2019年-2010年)

暨南大学考研真题823电子技术基础硕士学位研究生入学考试试题(2019年-2010年)

2019年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题
********************************************************************************************招生专业与代码:080902电路与系统、080903微电子学与固体电子学、081001通信与信息系统、081002信号与信息处理、085208电子与通信工程(专业学位)、物理电子学
研究方向:各方向
考试科目名称及代码:823电子技术基础
考生注意:所有答案必须写在答题纸(卷)上,写在本试题上一律不给分。

简述典型集成运放的组成部分、各部分功能以及一般采用何种电路实现。

电路中,已知石英晶体的标称频率为1MHz,C1=270pF
图2
所示串联型三极管稳压电路各组成部分由哪些元器件组成?简述其工作原
分,共60分)
,U BEQ=0.7V,稳压管的U Z
r
=100Ω
bb'
;各电容的容量足够大,对交流信号可视为短路。

参数交流等效电路;。

823电子技术基础2022-暨南大学2022年硕士入学考试考试大纲

823电子技术基础2022-暨南大学2022年硕士入学考试考试大纲

2022年硕士研究生入学普通物理考试大纲Ⅰ、考查目标1.掌握电磁学中的基本概念和基本定律及应用。

2. 掌握光的干涉、衍射、偏振等基本概念及有关现象的定性解释和定量分析。

3. 掌握量子物理中的一些基本概念。

Ⅱ、考试形式和试卷结构一、试卷满分及考试时间本试卷满分为150分,考试时间为180分钟二、答题方式答题方式为闭卷、笔试三、试卷内容结构电磁学76分光学50分量子物理24分四、试卷题型结构单项选择题60分(20小题,每小题3分)综合计算题90分Ⅲ、考查范围电磁学一、静电场(一)库仑定律(二)电场强度1.电场强度定义2.点电荷的电场强度3.电场强度叠加原理(三)电场强度通量及高斯定理(四)静电场的环路定理电势能(五)电势1.点电荷电场的电势2.电势的叠加原理(六)电场强度与电势梯度(七)静电场中的电偶极子1.外电场对电偶极子的力矩和取向作用2.电偶极子在电场中的电势能和平衡位置二、静电场中的导体与电介质(一)静电场中的导体1.静电感应静电平衡条件2.静电平衡时导体上电荷的分布3.静电屏蔽(二)电容和电容器(三)静电场中的电介质1.电介质对电容的影响相对电容率2.电介质的极化3.电极化强度4.电介质中的电场强度极化电荷与自由电荷的关系(四)电位移矢量及有介质时的高斯定理(五)静电场的能量(六)电容器的充放电三、恒定电流(一)电流及电流密度(二)电流的连续性方程及恒定电流条件(三)电阻率及欧姆定律的微分形式(四)电源电动势全电路欧姆定律四、稳恒磁场(一)磁场及磁感强度(二)毕奥—萨伐尔定律1.毕奥—萨伐尔定律及应用2.磁偶极子3.运动电荷的电场(三)磁通量及磁场的高斯定理(四)安培环路定理及应用(五)带电粒子在电场和磁场中的运动(六)载流导线及载流线圈在磁场中所受的力和力矩五、磁场中的磁介质(一)磁介质磁化强度(二)磁介质中的安培环路定理磁场强度(三)铁磁质1.磁畴2.磁化曲线及磁滞回线3.铁磁性材料及磁屏蔽六、电磁感应电磁场(一)电磁感应定律1.电磁感应现象及电磁感应定律2.楞次定律(二)动生电动势和感生电动势(三)自感和互感1.自感电动势自感2.互感电动势互感(四)RL电路(五)磁场的能量及能量密度(六)位移电流电磁场基本方程的积分形式光学一、光的干涉(一)相干光(二)杨氏双缝干涉实验、劳埃德镜(三)光程薄膜干涉(四)劈尖牛顿环(五)迈克耳孙干涉仪时间相干性二、光的衍射(一)光的衍射现象1.惠更斯—菲涅耳原理2.菲涅耳衍射和夫琅禾费衍射(二)单缝衍射(三)圆孔衍射光学仪器的分辨本领(四)衍射光栅(五)X射线的衍射(六)全息照相简介三、光的偏振(一)光的偏振性马吕斯定律(二)反射光和折射光的偏振(三)双折射偏振棱镜1.双折射的寻常光和非常光2.尼科耳棱镜3.惠更斯原理对双折射现象的解释4.1/4波片和半波片(四)旋光现象(五)偏振光的干涉量子物理(一)黑体辐射普朗克能量子假设1.黑体黑体辐射2.斯特藩—玻耳兹曼定律维恩位移定律3.黑体辐射的瑞利—金斯公式经典物理的困难4.普朗克假设普朗克黑体辐射公式(二)光电效应光的波粒二象性1.光电效应实验的规律2.光子爱因斯坦方程3.光电效应在近代技术中的应用4.光的波粒二象性(三)康普顿效应(四)氢原子的波尔理论(五)弗兰克—赫兹实验(六)德布罗意波实物粒子的二象性(七)不确定关系(八)量子力学简介1.波函数概率密度2.薛定谔方程3.一维势阱问题4.对应原理5.一维方势垒隧道效应(九)激光1.自发辐射受激辐射2.激光原理3.激光器4.激光的特性和应用参考书:《物理学(第6版)》,马文蔚、周雨青编,高等教育出版社,(电磁学、光学和量子物理部分),2014版。

西安邮电大学823电子技术基础2012-2017年考研真题

西安邮电大学823电子技术基础2012-2017年考研真题


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暨南大学823电子技术基础2019考研专业课真题

暨南大学823电子技术基础2019考研专业课真题

考试科目:823 电子技术基础 第1页/共5
页2019年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题
********************************************************************************************招生专业与代码:080902电路与系统、080903微电子学与固体电子学、081001通信与信息系统、081002信号与信息处理、085208电子与通信工程(专业学位)、物理电子学
研究方向:各方向
考试科目名称及代码:823电子技术基础述典型集成运放的组成部分、各部分功能以及一般采用何种电路中,已知石英晶体的标称频率为1MHz ,C 1=270pF ,L
图2 组成部分由哪些元器件组成?简述其工作原
分,共60分)
,U BEQ =0.7V ,稳压管的U Z =5V ,动
'=100Ω大,对交流信号可视为短路。

823电子技术基础考试大纲.doc

823电子技术基础考试大纲.doc

考试科目:初试:电子技术基础(参考书:《模拟电子技术基本教程》,华成英主编,清华大学出版社,2006年2月第1版)(适用于通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、电路与系统、微电子学与固体电子学、电磁场与微波技术、物理电子学共7个专业)复试:电子科学与技术综合(参考书:①《半导体物理学(第7版)》刘恩科、朱秉升、罗晋生,电子工业出版社,2011年3月;或②《数字电子技术基础》(第五版),阎石主编,高等教育出版社,2006年5月第5版;或③《通信原理(第六版)》,樊昌信,国防工业出版社,2008年6月1日;或④《信号与系统(第3版)》,郑君里,应启绗,杨为理,高等教育出版社; 2011年3月第3版)(适用于通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、电路与系统、微电子学与固体电子学、电磁场与微波技术、共6个专业)823电子技术基础考试大纲(适用于通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、电路与系统、微电子学与固体电子学、电磁场与微波技术、物理电子学共7个专业)一、考查目标要求考生掌握低频模拟电路的基本理论概念、原理和分析方法,通过对各种电子电路进行分析和近似计算,观察电路工作特点,结合理论,对电路本质特性能够理解和应用。

二、考试形式和试卷结构1、考试形式试卷满分为150分,考试时间为180分钟,答题方式为闭卷笔试2、试卷结构(1)题型结构一、简答题。

(共20分)二、分析计算题 (共60分)三、设计题 (共40分)四、综合题 (共30分)(2)内容结构1、集成运放及其基本应用(约25分)2、半导体二极管及其基本应用电路(约5分)3、晶体三极管及其基本放大电路(约15分)4、场效应管及其基本放大电路(约15分)5、集成运算放大电路(约25分)6、放大电路中的反馈(约30分)7、信号的运算和滤波(约15分)8、波形的发生与变换电路(约15分)9、直流电源(约5分)三、考查范围1、集成运放及其基本应用放大的概念和放大电路的性能指标,集成运算放大电路,理想运放组成的基本运算电路(比例运算电路,加减运算电路,积分运算电路和微分运算电路),理想运放组成的电压比较器(单限比较器,滞回比较器)2、半导体二极管及其基本应用电路半导体基础知识,半导体二极管及其基本应用电路,稳压二极管及其基本应用电路3、晶体三极管及其基本放大电路晶体三极管及其放大电路的组成原则和基本分析方法(图解法,等效电路法),晶体管放大电路的三种接法,放大电路的频率响应4、场效应管及其基本放大电路场效应管(结型场效应管,绝缘栅型场效应管),场效应管的主要参数,场效应管与晶体管的比较,场效应管基本放大电路(场效应管放大电路静态工作点的设置,场效应管的交流等效模型,共源放大电路的动态分析,共漏放大电路的动态分析)5、集成运算放大电路多级放大电路的耦合方式及其频率响应,集成运算放大电路简介(集成运放的电路特点,集成运放的方框图),差分放大电路(直接耦合放大电路的零点漂移现象,基本差分放大电路,具有恒流源的差分放大电路,差分放大电路的四种接法),各种类型功率放大电路,电流源(基本电流源电路,多路电流源,改进型电流源,以电流源作为有缘负载的放大电路),集成运放原理电路,集成运放的主要技术指标和集成运放的种类,集成运放的使用注意事项6、放大电路中的反馈反馈的基本概念及判断方法,交流负反馈的四种组态,负反馈放大电路的方框图及一般表达式,深度负反馈放大电路放大倍数的分析,负反馈对放大电路性能的影响,负反馈放大电路的自激振荡及消除方法,放大电路中的正反馈7、信号的运算和滤波运算电路(对数运算和指数运算电路,实现逆运算的方法),模拟乘法器简介和在运算电路中的应用,了解有源滤波器8、波形的发生与变换电路正弦波振荡电路(RC正弦振荡电路,LC正弦波振荡电路,石英晶体正弦波振荡电路),非正弦波发生电路(矩形波发生电路,三角波发生电路,锯齿波发生电路,压控振荡器),波形变换电路(三角波—锯齿波变换电路,三角波—正弦波变换电路)9、直流电源直流稳压电源的组成及各部分的作用,单相整流电路(半波整流电路,桥式整流电路),滤波电路,稳压管稳压电路,线性稳压电路,开关型稳压电路。

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823电子技术基础考试大纲
(适用于通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、电路与系统、微电子学与固体电子学、电磁场与微波技术、物理电子学共7个专业)
一、考查目标
要求考生掌握低频模拟电路的基本理论概念、原理和分析方法,通过对各种电子电路进行分析和近似计算,观察电路工作特点,结合理论,对电路本质特性能够理解和应用。

二、考试形式和试卷结构
1、考试形式
试卷满分为150分,考试时间为180分钟,答题方式为闭卷笔试
2、试卷结构
(1)题型结构
一、简答题。

(共20分)
二、分析计算题(共60分)
三、设计题(共40分)
四、综合题(共30分)
(2)内容结构
1、集成运放及其基本应用(约25分)
2、半导体二极管及其基本应用电路(约5分)
3、晶体三极管及其基本放大电路(约15分)
4、场效应管及其基本放大电路(约15分)
5、集成运算放大电路(约25分)
6、放大电路中的反馈(约30分)
7、信号的运算和滤波(约15分)
8、波形的发生与变换电路(约15分)
9、直流电源(约5分)
三、考查范围
1、集成运放及其基本应用
放大的概念和放大电路的性能指标,集成运算放大电路,理想运放组成的基本运算电路(比例运算电路,加减运算电路,积分运算电路和微分运算电路),理想运放组成的电压比较器(单限比较器,滞回比较器)
2、半导体二极管及其基本应用电路
半导体基础知识,半导体二极管及其基本应用电路,稳压二极管及其基本应用电路3、晶体三极管及其基本放大电路
晶体三极管及其放大电路的组成原则和基本分析方法(图解法,等效电路法),晶体管放大电路的三种接法,放大电路的频率响应
4、场效应管及其基本放大电路
场效应管(结型场效应管,绝缘栅型场效应管),场效应管的主要参数,场效应管与晶体管的比较,场效应管基本放大电路(场效应管放大电路静态工作点的设置,场效应管的交流等效模型,共源放大电路的动态分析,共漏放大电路的动态分析)
5、集成运算放大电路
多级放大电路的耦合方式及其频率响应,集成运算放大电路简介(集成运放的电路特点,集成运放的方框图),差分放大电路(直接耦合放大电路的零点漂移现象,基本差分放大电路,具有恒流源的差分放大电路,差分放大电路的四种接法),各种类型功率放大电路,电流源(基本电流源电路,多路电流源,改进型电流源,以电流源作为有缘负载的放大电路),集成运放原理电路,集成运放的主要技术指标和集成运放的种类,集成运放的使用注意事项6、放大电路中的反馈
反馈的基本概念及判断方法,交流负反馈的四种组态,负反馈放大电路的方框图及一般表达式,深度负反馈放大电路放大倍数的分析,负反馈对放大电路性能的影响,负反馈放大电路的自激振荡及消除方法,放大电路中的正反馈
7、信号的运算和滤波
运算电路(对数运算和指数运算电路,实现逆运算的方法),模拟乘法器简介和在运算电路中的应用,了解有源滤波器
8、波形的发生与变换电路
正弦波振荡电路(RC正弦振荡电路,LC正弦波振荡电路,石英晶体正弦波振荡电路),非正弦波发生电路(矩形波发生电路,三角波发生电路,锯齿波发生电路,压控振荡器),波形变换电路(三角波—锯齿波变换电路,三角波—正弦波变换电路)
9、直流电源
直流稳压电源的组成及各部分的作用,单相整流电路(半波整流电路,桥式整流电路),滤波电路,稳压管稳压电路,线性稳压电路,开关型稳压电路
考试科目:
1、初试:电子技术基础(参考书:《模拟电子技术基本教程》,华成英主编,清华大学出版社,2006年2月第1版)(适用于通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、电路与系统、微电子学与固体电子学、电磁场与微波技术、物理电子学共7个专业)
2、复试:电子科学与技术综合(参考书:①《半导体物理学(第7版)》刘恩科、朱秉升、罗晋生,电子工业出版社,2011年3月;或②《数字电子技术基础》(第五版),阎石
主编,高等教育出版社,2006年5月第5版;或③《通信原理(第六版)》,樊昌信,国
防工业出版社,2008年6月1日;或④《信号与系统(第3版)》,郑君里,应启绗,杨
为理,高等教育出版社;2011年3月第3版)(适用于通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、电路与系统、微电子学与固体电子学、电磁场与微波技术、共6个专业) 声明:此资源由本人收集整理于网络,只用于交流学习,请勿用作它途。

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